認知實習報告

重慶郵電大學光電工程學院認識實習報告專業(yè)：電子科學與技術(shù)班級：學號：姓名：實習時間：06月28日一、認識實習時間6月25日二、實習地點：1101三、主講老師：王振四、實習目的與內(nèi)容實習目的：培養(yǎng)應(yīng)用型人才基地，要培養(yǎng)德才兼?zhèn)涞拇髮W生，不僅需要通識教育和專業(yè)教育，更要理論和實踐相結(jié)合的正規(guī)化培訓(xùn)。實習是大學生必須參加的一項實踐教學環(huán)節(jié)。是學生熟悉多晶硅、單晶硅生產(chǎn)和半導(dǎo)體封裝測試等生產(chǎn)過程的一種正規(guī)化的培訓(xùn)，以充實理論教學中不能學到的知識和技能。同時，把在理論教學中學到的知識和具體實際工作貫穿起來，做到學以致用，使學生成為現(xiàn)有理論知識，又有實際動手能力的人才。自摩爾定律提出以來，微電子領(lǐng)域始終如神話般按其所預(yù)言的規(guī)律不停發(fā)展。微電子行業(yè)的進步使計算機的計算能力成倍增加，硬件成本大幅度減少，極大地推動了信息產(chǎn)業(yè)和工業(yè)的發(fā)展，是當代信息業(yè)和工業(yè)的基礎(chǔ)。微電子專業(yè)重要培養(yǎng)掌握集成電路、微電子系統(tǒng)設(shè)計、制造工藝及設(shè)計軟件系統(tǒng)，能在微電子及有關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學、工程技術(shù)及技術(shù)管理等工作的高級專門人才。本次實習旨在提高學生的綜合素質(zhì)通過本次實習，開闊視野，增加見識，拓寬我們的知識面。理解本專業(yè)有關(guān)方面的知識，通過實習，啟發(fā)我們主動向上，努力學習。實習內(nèi)容：參觀微電子工藝實驗室，理解有關(guān)儀器。五、實習收獲與體會本次認識實習時間為1個半小時，在此期間，通過對各實驗室的參觀，我學到了諸多東西，也對自己將來的學習和研究方向有了一定的規(guī)劃。這次的參觀實習豐富了我的理論知識，增強了我的觀察能力，讓我收獲頗豐。《集成電路設(shè)計與制造》課是微電子學與固體電子學專業(yè)本科教學中的重要教學實踐環(huán)節(jié)。目的是協(xié)助學生理解課堂上學到的基本原理和知識，理解并掌握集成電路設(shè)計與制造的基本辦法，提供實際動手能力，以適應(yīng)社會的需求。1、認識到《微電子器件實驗》課是微電子學與固體電子學專業(yè)本科教學中的重要教學實踐環(huán)節(jié)。目的是協(xié)助學生理解課堂上學到的基本原理和知識，并掌握晶體管基本參數(shù)的測量辦法，提供實際動手能力?；驹砑罢n程介紹：微電子器件課程講述了基本的半導(dǎo)體器件BJT、JFET、MOSFET的物理構(gòu)造和工作原理，它重要針對半導(dǎo)體器件的重要電參數(shù)講述其測量辦法和原理。它包含了三個實驗：雙極晶體管擊穿特性測試、雙極晶體管直流放大特性測試、晶體管特性頻率的測量。2、理解了基本原理及實驗課程的介紹：集成電路工藝基礎(chǔ)課程講述了集成電路制造的基本工藝：擴散、離子注入、氧化、光刻、刻蝕、外延、化學汽象沉積、金屬化和鈍化等，介紹了這些工藝的基本原理及制造過程。的半導(dǎo)體器件BJT、JFET、MOSFET的物理構(gòu)造和工作原理，它重要針對半導(dǎo)體器件的重要電參數(shù)講述其測量辦法和原理。《集成電路設(shè)計與制造實驗》包含了四個實驗：氧化工藝實驗、光刻工藝實驗、硼擴散工藝實驗和磷擴散工藝實驗；并有一周的課程設(shè)計：將以上四個工藝實驗按集成電路制造工藝流程結(jié)合起來，制造出一種集成電路重要的單元---雙極晶體管并進行擊穿特性測試、雙極晶體管直流放大特性測試。3、另首先也理解硼擴散工藝實驗過程，其基本實驗原理為：擴散是微觀粒子的一種極為普遍的熱運動形式，多個分離器件和集成電路制造中的固態(tài)擴散工藝簡稱擴散，硼擴散工藝是將一定數(shù)量的硼雜質(zhì)摻入到硅片晶體中，以變化硅片原來的電學性質(zhì)。硼擴散是屬于替位式擴散，采用預(yù)擴散和再擴散兩步擴散法，第一步，預(yù)擴散硼雜質(zhì)濃度分布方程為：N(x,t)=Nserfc｛x/2D1t)?｝表達恒定表面濃度（雜質(zhì)在預(yù)擴散溫度的固溶度），D1為預(yù)擴散溫度的擴散系數(shù)，x表達由表面算起的垂直距離（cm）,他為擴散時間。此分布為余誤差分布。第二步，主擴散硼再擴散為有限表面源擴散，雜質(zhì)濃度分布方程為：N(x,t)=Qe-x2/4D2t/(πD2t)?，其中Q為擴散入硅片雜質(zhì)總量：雜質(zhì)分布為高斯分別。4、理解了CMOS制作環(huán)節(jié)以下：1、雙阱工藝；2、淺槽隔離工藝；3、多晶硅柵構(gòu)造工藝；4、輕摻雜漏（LDD）注入工藝；5、側(cè)墻的形成；6、源/漏（S/D）注入工藝；7、接觸孔的形成；8、局部互連工藝；9、通孔1和金屬塞1的形成；10、金屬1互連的形成；11、通孔2和金屬塞2的形成；12、金屬2互連的形成；13、制作金屬3直到制作壓點及合金；14、參數(shù)測試。淺槽隔離工藝：淺槽隔離（STI）是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝?？煞譃槿齻€重要環(huán)節(jié)：槽刻蝕、氧化物填充、氧化物平坦化。槽刻蝕：1、隔離氧化層；2、氮化物淀積；3、第三層掩膜，淺槽隔離；4、STI槽刻蝕。STI氧化物填充：1、溝槽襯墊氧化硅；2、溝槽CVD氧化物填充。氧化物平坦化：拋光是最有效的一種平坦化技術(shù)，STI氧化層拋光—氮化物去除的基本環(huán)節(jié)以下：1、溝槽氧化物拋光（化學機械拋光）；2、氮化物去除。多晶硅柵構(gòu)造工藝：晶體管中柵構(gòu)造的制作是流程當中最核心的一步，由于它涉及了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的構(gòu)造。多晶硅柵的寬度普通是整個硅片上最核心的CD線寬。多晶硅柵構(gòu)造制作的基本環(huán)節(jié)：1、柵氧化層的生長；2、多晶硅淀積；3、第四層掩膜，多晶硅柵；4、多晶硅柵刻蝕。局部互連工藝:晶體管以及其它鈦硅化物之間布金屬連接線，所用到的辦法稱為局部互聯(lián)（LI）。形成局部互聯(lián)氧化硅介質(zhì)的環(huán)節(jié)：1.氮化硅化學氣相淀積2.摻雜氧化物的化學氣相淀積3.氧化層拋光4第九層掩膜，局部互聯(lián)刻蝕。制作局部互聯(lián)金屬的環(huán)節(jié)：1金屬鈦淀積（PVD工藝）；2氮化鈦淀積；3鎢淀積（化學氣相淀積工藝平坦化）；4磨拋鎢。大馬士革：先淀積一層介質(zhì)薄膜，接下來是化學機械拋光，刻印，刻蝕和鎢金屬淀積，最后以金屬層拋光結(jié)束。最后在硅片表面得到一種類似精巧的鑲嵌首飾或藝術(shù)圖案。六、個人心得體會：老師的解說，使我認識和理解了微電子工藝，進一步認識了微電子學科的特點，理論基礎(chǔ)的規(guī)定，技術(shù)指標和發(fā)展前景。同時使我更加明確了學習目的，增強了我們對所學專業(yè)的熱愛。即使是短短的半天時間，但我們也學到了諸多的東西，微電子學是一門發(fā)展極為快速的學科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微電子學發(fā)展的方向。信息技術(shù)發(fā)展的方向是多媒體（智能化）、網(wǎng)絡(luò)化和個體化。規(guī)定系統(tǒng)獲取和存儲海量的多媒體信息、以極高速度精確可靠的解決和傳輸這些信息并及時地把有用信息顯示出來或用于控制。全部這些都只能依賴于微電子技術(shù)的支撐才干成為現(xiàn)實。超高容量、超小型、超高速、超高頻、超低功耗是信息技術(shù)無止境追求的目的，是微電子技術(shù)快速發(fā)展的動力。微電子技術(shù)是當代發(fā)展最快的技術(shù)之一，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和心臟。如今，微電子技術(shù)已成為衡量一種國家科學技術(shù)進步和綜合國力的重要標志，微電子科學技術(shù)的發(fā)展水平和產(chǎn)業(yè)規(guī)模是一種國家經(jīng)濟實力的重要標志。通過實習，我們有了機會去面對著專業(yè)性人員，聽著他們對專業(yè)性的解說以及親自看到了許多的大型通信設(shè)備，這些都很有助于我們對知識的理解以及與實際相聯(lián)系，這些都很益于我們在后來的工作。通過實習，讓我體會通信在國民經(jīng)濟發(fā)展中所處的地位和所起的作用，加深對微電子工藝在生產(chǎn)生活中的感性認識，理解這些公司生產(chǎn)和運行的規(guī)律，學習這些公司組織和管理知識，鞏固了所學理論，培養(yǎng)了初步的實際工作能力和專業(yè)技術(shù)能力，增強了我在電子信息方面的學業(yè)背景和對本專業(yè)的熱愛。我們也明白了德才兼?zhèn)涞拇髮W生不僅需要廣泛的通識教育、扎實的專業(yè)理論功底，更需要理論與實踐相結(jié)合的正規(guī)化訓(xùn)練。學校和學生個人都有義務(wù)和責任將大學生培養(yǎng)成為現(xiàn)有理論知識、又有實際動手能力的綜合型人才。實習是絕大多數(shù)大學生必須參加的一項實踐教學環(huán)節(jié)，通過或長或短的實習，學生能夠更進一步地理解本行業(yè)各崗位的工作性質(zhì)，及該領(lǐng)域的發(fā)展狀況和發(fā)展方向，方便能結(jié)合自己的能力特點和