無機材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下安徽建筑大學(xué)

無機材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下安徽建筑大學(xué)安徽建筑大學(xué)

第一章測試

下列說法不正確的是（

）

A:晶體是具有格子構(gòu)造的固體B:空間格子是由晶體結(jié)構(gòu)抽象而得的幾何圖形C:晶體是內(nèi)部質(zhì)點在二維空間成周期性重復(fù)排列的固體D:空間格子中的結(jié)點是具體的質(zhì)點（離子或原子）

答案:晶體是內(nèi)部質(zhì)點在二維空間成周期性重復(fù)排列的固體;空間格子中的結(jié)點是具體的質(zhì)點（離子或原子）

在物體諸態(tài)中，晶體是最穩(wěn)定的

A:對B:錯

答案:對

在宏觀晶體中，不可能存在的對稱軸是（

）

A:三次B:六次C:七次D:五次E:四次

答案:七次;五次

在Si—O四面體中，一般采用（

）方式相連。

A:共頂B:不確定C:共面D:共棱

答案:共頂

點群L6PC屬中級晶族（

）晶系

A:六方B:四方C:等軸D:正交

答案:六方

晶體在三結(jié)晶軸上的截距分別為2a、3b、6c。該晶面的晶面指數(shù)為（

）。

A:-236B:(123))C:-326D:-321

答案:-321

下列說法不正確的是（）

A:在直角坐標系中，系數(shù)0表示晶棱垂直于相應(yīng)的坐標軸B:在直角坐標系中，晶面與某一坐標軸平行時米氏指數(shù)為0C:在直角坐標系中，晶面與某一坐標軸垂直時米氏指數(shù)為0D:正負號完全相反的兩個晶棱符號代表同一晶棱方向E:在直角坐標系中，系數(shù)0表示晶棱平行于相應(yīng)的坐標軸

答案:在直角坐標系中，晶面與某一坐標軸垂直時米氏指數(shù)為0;在直角坐標系中，系數(shù)0表示晶棱平行于相應(yīng)的坐標軸

立方晶系的單位平行六面體參數(shù)為a0≠b0≠c0，α=β=900，γ=1200

A:錯B:對

答案:錯

下列格子中立方晶系有的是（

）

A:體心格子B:全面心格子C:底心格子D:原始格子

答案:體心格子;全面心格子;原始格子

空間群包含了宏觀晶體中全部要素的總和以及它們相互間的結(jié)合關(guān)系

A:對B:錯

答案:錯

由等徑球的最緊密堆積而得到的六方密堆積和面心立方堆積中，構(gòu)成四面體空隙的球體數(shù)目是4

A:對B:錯

答案:對

在一個面心立方晶胞中，共存在（

）

A:8個四面體空隙，8個八面體空隙B:4個四面體空隙，8個八面體空隙C:8個四面體空隙，4個八面體空隙D:4個四面體空隙，4個八面體空隙

答案:8個四面體空隙，4個八面體空隙

在n個球構(gòu)成的六方或面心立方最緊密堆積中，存在四面體空隙數(shù)為n個，八面體空隙數(shù)為2n個。

A:錯B:對

答案:錯

等徑球的最緊密堆積方式有面心立方和六方密堆積兩種，它們的空間利用率(

)

A:小于B:大于C:不確定D:相等

答案:相等

在一個面心立方晶胞中，晶胞的質(zhì)點數(shù)為（

）個

A:4B:6C:8D:2

答案:4

立方緊密堆積的原子密排面是晶體中的（111）面

A:錯B:對

答案:對

在單質(zhì)晶體中，原子作等大球體的緊密堆積，不論是六方還是立方其每個原子的配位數(shù)CN=12

A:對B:錯

答案:對

銀的四個鹵化物AgF、AgCl、AgBr和AgI中，陰離子極化率最大的是（

）

A:Cl-B:I-C:Br-D:F-

答案:I-

某離子化合物的正負離子半徑比（r+/r-）為0.564，其正離子配位數(shù)是（

）。

A:3B:8C:6D:4

答案:6

某二價離子晶體AB，A2+的電荷數(shù)為2，A—B鍵的S=1/3，則A2+的配位數(shù)為（）

A:6B:3C:4D:8

答案:6

第二章測試

晶體的重建型轉(zhuǎn)變通常是很慢的晶型轉(zhuǎn)變（）

A:錯B:對

答案:對

纖鋅礦（六方ZnS）晶體結(jié)構(gòu)中，既有S2-作六方密堆積，Zn2+填充

（

）

A:全部四面體空隙B:半數(shù)四面體空隙C:半數(shù)八面體空隙D:全部八面體空隙

答案:半數(shù)四面體空隙

用配位多面體及其連接方式描述閃鋅礦（立方ZnS）晶體結(jié)構(gòu)，鋅硫四面體的連接方式是（

）

A:不共用要素B:共面相連C:共棱相連D:共頂相連

答案:共頂相連

金剛石和石墨是碳在不同熱力學(xué)條件下結(jié)晶成結(jié)構(gòu)不同的晶體的現(xiàn)象，該現(xiàn)象稱（

）

A:有序—無序轉(zhuǎn)化B:類質(zhì)同晶C:同晶置換D:同質(zhì)多晶

答案:同質(zhì)多晶

氯化鈉NaCl晶體結(jié)構(gòu)中，既有Cl-作面心立方密堆積，Na+填充（

）

A:半數(shù)四面體空隙B:全部八面體空隙C:半數(shù)八面體空隙D:全部四面體空隙

答案:全部八面體空隙

螢石（CaF2）結(jié)構(gòu)中[CaF8]立方體之間是（

）相連的。

A:共面B:共頂C:共棱

答案:共棱

Li2O晶體結(jié)構(gòu)是反螢石結(jié)構(gòu)，O2-作面心立方密堆積，Li+填充（

）

A:半數(shù)八面體空隙B:半數(shù)四面體空隙C:全部八面體空隙D:全部四面體空隙

答案:全部四面體空隙

金紅石晶體中，所有O2-作稍有變形的立方密堆排列，Ti4+填充了全部八面體空隙

A:對B:錯

答案:錯

剛玉（α-Al2O3）結(jié)構(gòu)中，既有O2-作近似六方密堆積，Al3+填充2/3八面體空隙

A:對B:錯

答案:對

鈣鈦礦（CaTiO3）結(jié)構(gòu)中，正負離子配位數(shù)Ca﹕Ti﹕O＝12﹕6﹕6，其中與每個O2-配位的正離子為（

）

A:4個Ca2+，2個Ti4+B:3個Ca2+，3個Ti4+C:6個Ti4+D:2個Ca2+，4個Ti4+E:6個Ca2+

答案:4個Ca2+，2個Ti4+

MgAl2O4尖晶石晶體中，O2-面心立方密堆積，Al3+填充（

）

A:1/2八面體空隙B:1/8八面體空隙C:1/8四面體空隙D:1/2四面體空隙

答案:1/2八面體空隙

硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)特點之一是Si4+與Si4+成鍵，Si4+與O2-成鍵（）。

A:對B:錯

答案:錯

按照電價規(guī)則，在鎂橄欖石Mg2SiO4中，與每個氧離子相連接的是（

）個硅離子和（

）個鎂離子。

A:1和3B:2和2C:3和1

答案:1和3

下列屬于島狀結(jié)構(gòu)的是（

）

A:透輝石B:β-Ca2SiO4

C:鎂橄欖石D:硅酸三鈣

答案:β-Ca2SiO4

;鎂橄欖石;硅酸三鈣

組群狀硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中，組群之間靠硅氧鍵相連。

A:錯B:對

答案:錯

滑石（3MgO·4SiO2·H2O）和高嶺土（Al2O3·2SiO2·2H2O）分別屬于（

）層狀結(jié)構(gòu)的硅酸鹽礦物。

A:2：1和1：1B:1：1和2：1C:3：1和2：1

答案:2：1和1：1

在層狀硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中的Mg-O八面體為三八面體

A:錯B:對

答案:對

在硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)分類中，下列硅酸鹽晶體礦物屬于層狀的是

A:第2章B:Ca2[SiO4]C:Mg3[Si4O10](OH)2

D:CaMg[Si2O6]E:Be3Al2[Si6O18]

答案:Mg3[Si4O10](OH)2

下列硅酸鹽晶體中同晶取代發(fā)生在硅氧四面體中Si4+離子的是（

）

A:伊利石B:高嶺石C:蒙脫石D:白云母

答案:伊利石;白云母

α-鱗石英結(jié)構(gòu)中有對稱面

A:錯B:對

答案:對

第三章測試

符號VMg所代表的含義是（

）

A:不帶電荷B:帶電荷C:鎂離子空位D:鎂原子空位

答案:不帶電荷;鎂原子空位

符號VMg”所代表的含義是（

）

A:鎂離子空位B:帶二個正電荷C:帶二個負電荷D:鎂原子空位

答案:鎂離子空位;帶二個負電荷

符號Cai‥所代表的含義是（

）

A:帶二個負電荷B:鈣離子空位C:帶二個正電荷D:間隙鈣離子

答案:帶二個正電荷;間隙鈣離子

符號MgK·所代表的含義是（

）。

A:帶一個負電荷B:Mg2+置換K+形成錯位離子C:帶一個正電荷D:K+置換Mg2+形成錯位離子

答案:Mg2+置換K+形成錯位離子;帶一個正電荷

符號MgZr”所代表的含義是（

）

A:帶二個負電荷B:Mg2+置換Zr4+形成錯位離子C:帶二個正電荷D:Zr4+置換Mg2+形成錯位離子

答案:帶二個負電荷;Mg2+置換Zr4+形成錯位離子

熱缺陷濃度隨溫度升高的變化規(guī)律是（

）。

A:呈指數(shù)增加B:呈指數(shù)減少C:不變

答案:呈指數(shù)增加

按溶質(zhì)原子在溶劑晶體中的溶解度分類可以分為（

）兩類

A:有限固溶體B:置換型固溶體C:連續(xù)固溶體D:間隙型固溶體

答案:有限固溶體;連續(xù)固溶體

根據(jù)形成間隙型固溶體的條件比較下列幾類晶體中形成間隙型固溶體的次序是（

）

A:片沸石>CaF2>TiO2>MgOB:片沸石>TiO2>CaF2>MgOC:CaF2>片沸石>TiO2>MgOD:片沸石>CaF2>MgO>TiO2

答案:片沸石>CaF2>TiO2>MgO

鈉長石Na(AlSi3O8)與鈣長石Ca(AlSi2O8)可以形成（

）.

A:不能形成固溶體B:連續(xù)置換固溶體C:有限置換固溶體

答案:連續(xù)置換固溶體

NiO與MgO同屬NaCl型結(jié)構(gòu)，其離子半徑rNi2+=0.077nm,rMg2+=0.072nm，NiO與MgO之間能形成（

）。

A:不能形成固溶體B:有限置換固溶體C:連續(xù)置換固溶體

答案:連續(xù)置換固溶體

CaO與MgO同屬NaCl型結(jié)構(gòu)，其離子半徑rMg2+=0.072nm，rCa2+=0.108nm，CaO與MgO之間可形成（

）。

A:不能形成固溶體B:有限置換固溶體C:連續(xù)置換固溶體

答案:有限置換固溶體

La2O3溶于CeO2中形成置換型固溶體，其固溶體分子式為Ce1-2xLa2xO2-x

A:對B:錯

答案:對

YF3溶于CaF2中形成間隙型固溶體,其固溶體分子式為Ca1-XYXF2+X.

A:對B:錯

答案:對

ZnO在Zn蒸汽中可形成（

）型半導(dǎo)體

A:n型B:p型

答案:n型

ZnO在Zn蒸汽中可形成（

）型非計量化合物。

A:陰離子空位B:陽離子填隙C:陽離子空位D:陰離子填隙

答案:陽離子填隙

如果減少周圍氧氣的分壓，Zn1+xO的密度將（

）。

A:增大B:變小C:不變

答案:增大

如果減少周圍氧氣的分壓，Zn1+xO的電導(dǎo)率將（

）。

A:不變B:增大C:變小

答案:增大

若有一個變價氧化物XO，在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為：X：O＝1.1:1，則其化學(xué)式應(yīng)為（

）

A:XO1.1B:XO0.91C:XO0.90

D:X1.1O

答案:XO0.91

位錯線與滑移方向垂直的位錯稱為刃型位錯，其表示符號為（

）

A:⊥B:Vx·C:Xi＇

答案:⊥

在

MgO中引入少量高價氧化物Al2O3形成間隙型固溶體是合理的。

A:對B:錯

答案:錯

第四章測試

熔體中各級聚合體的數(shù)量與溫度的關(guān)系是：溫度升高

（

）

A:高聚體的數(shù)量減少B:高聚體的數(shù)量增加C:高聚體的數(shù)量等于低聚體的數(shù)量D:高聚體的數(shù)量多于低聚體的數(shù)量

答案:高聚體的數(shù)量減少

在硅酸鹽熔體中，當R=O/Si比值增高時，相應(yīng)熔體粘度的變化是（

）

A:升高B:不變C:降低

答案:降低

在硅酸鹽熔體中，當R=O/Si比值增高時，相應(yīng)熔體中低聚物數(shù)量的變化是（

）

A:升高B:降低C:不變

答案:升高

在簡單堿金屬硅酸鹽熔體R2O-SiO2中，當R2O含量較低，即O/Si比值較小時，降低粘度的次序為Li+>Na+>K+．這是因為（

）

A:[SiO4]連接方式已接近島狀，四面體基本上靠R—O鍵力相連B:因rLi+>rNa+>rK+Li-O鍵力最強C:Li+的積聚作用最大，即吸引[SiO4]中O2-來包圍自已的能力最強D:[SiO4]間的Si-O鍵力是粘度的主要表征。R+半徑愈小，對[SiO4]間的Si-O鍵削弱能力愈強

答案:[SiO4]間的Si-O鍵力是粘度的主要表征。R+半徑愈小，對[SiO4]間的Si-O鍵削弱能力愈強

在硅酸鹽玻璃中，下列二價金屬氧化物中加入少量（

），其黏度最低.

A:MgOB:PbOC:CaOD:BaO

答案:PbO

硅酸鹽玻璃中，下列氧化物中加入少量（

）后，其熔體在高溫的黏度最大

A:B2O3B:CaOC:Al2O3D:K2O

答案:Al2O3

低表面能的組分加入到高表面能的熔體組分中去，則前者在表面層的濃度將（

）體積內(nèi)部的濃度

A:低于B:等于C:高于

答案:高于

表面活性物質(zhì)是指將少量該物質(zhì)加入熔體后，則熔體的表面張力顯著增加

A:錯B:對

答案:錯

關(guān)于玻璃的下列說法，準確的是（

）

A:玻璃物理化學(xué)性質(zhì)是不連續(xù)的B:均質(zhì)玻璃是各向同性的C:玻璃是介穩(wěn)的D:玻璃有固定熔點

答案:均質(zhì)玻璃是各向同性的;玻璃是介穩(wěn)的

傳統(tǒng)玻璃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg與熔點TM之間的關(guān)系是（

）

A:TM<TgB:TM=TgC:TM>Tg

答案:TM>Tg

可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越大，就（

）形成玻璃。

A:很快B:緩慢C:越難D:越容易

答案:越難

物質(zhì)在熔點Tm溫度時的粘度愈大，析晶速度愈慢，則越易形成玻璃

A:錯B:對

答案:對

玻璃網(wǎng)絡(luò)變性體的下列說法正確的是（

）

A:能單獨形成玻璃B:單鍵強度

>335KJ/molC:不能形成玻璃，但能改變玻璃性質(zhì)D:單鍵強度＜250KJ/mol

答案:不能形成玻璃，但能改變玻璃性質(zhì);單鍵強度＜250KJ/mol

玻璃形成氧化物必須是（

）

A:金屬離子鍵B:極性共價鍵C:共價鍵D:金屬共價鍵

答案:極性共價鍵;金屬共價鍵

下列說法不正確的是（

）

A:玻璃的晶子學(xué)說中的“晶子”部分到無定形部分有明顯界線B:晶子學(xué)說揭示了玻璃的微不均勻性及近程有序性。C:晶子學(xué)說中晶子的尺寸、含量及晶子的化學(xué)組成不能準確確定D:玻璃的晶子學(xué)說中的“晶子”等同于一般微晶

答案:玻璃的晶子學(xué)說中的“晶子”部分到無定形部分有明顯界線;玻璃的晶子學(xué)說中的“晶子”等同于一般微晶

關(guān)于玻璃的無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說，下列說法不正確的是（）

A:能解釋玻璃因分相而造成的結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成上的不均勻性B:玻璃中結(jié)構(gòu)多面體有規(guī)律重復(fù)C:第4章D:玻璃是具有近程有序、遠程無序結(jié)構(gòu)特點的無定形物質(zhì)

答案:能解釋玻璃因分相而造成的結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成上的不均勻性;玻璃中結(jié)構(gòu)多面體有規(guī)律重復(fù)

一種玻璃的組成為32.8mol%CaO，6.0mol%Al2O3，61.2mol%SiO2，此玻璃中的Al3+可視為網(wǎng)絡(luò)（

）

A:中間離子B:形成離子C:變性離子

答案:形成離子

一種玻璃組成為10mol%Na2O，15mol%Al2O3，75molSiO2，玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)Y=（2.53）。

A:對B:錯

答案:對

一種玻璃的化學(xué)組成為24mol%Na2O，12mol%Al2O3，64mol%SiO2，玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)Y=（3.73）。

A:對B:錯

答案:對

隨氧化鈉含量的增大硼酸鹽玻璃的粘度先增大后減小

A:對B:錯

答案:對

第五章測試

黏土顆粒的板面上帶（）電荷。

A:正B:兩性C:負D:中

答案:負

蒙脫石荷電的主要原因是（）。

A:同晶取代B:表面腐殖質(zhì)離解C:斷鍵D:本征缺陷

答案:同晶取代

黏土粒子破鍵引起的荷電與溶液介質(zhì)的pH有關(guān)，高嶺石在酸性介質(zhì)中，邊棱（）

A:不帶電B:帶負電荷C:帶正電荷

答案:帶正電荷

粘土種類不同影響其陽離子交換容量，伊利石、蒙脫石和高嶺石三種粘土陽離子交換容量最大的是（C）

A:蒙脫石B:高嶺石C:伊利石

答案:蒙脫石

粘土在下列離子濃度相等的水溶液里，其陽離子交換順序正確的是（）。

A:Mg2+＞Ca2+B:Sr2+＞Ca2+C:Ba2+＞Sr2+D:Ba2+＞Ca2+

答案:Sr2+＞Ca2+;Ba2+＞Sr2+;Ba2+＞Ca2+

被不同種類陽離子所飽和的黏土，其ζ－電位隨陽離子電價的升高而（）

A:改變符號B:升高C:不變D:降低

答案:降低

Ca-粘土加入適量下列電解質(zhì)溶液后，粘土膠溶性較好的是（）

A:Na2SiO3B:NaClC:NaNO3

答案:Na2SiO3

黏土的很多性能與吸附的陽離子的種類有關(guān)，當吸附下列不同的陽離子的性能變化規(guī)律與粘土吸附陽離子交換順序一致的是（）

A:泥漿的濾水性B:泥漿的流動性C:泥漿的觸變性D:泥團的可塑性

答案:泥漿的濾水性;泥漿的觸變性;泥團的可塑性

下列陽離子中，加入（）可使黏土的可塑性較好。

A:鉀離子B:鈣離子C:鎂離子D:鈉離子

答案:鈣離子

真空中，Al2O3瓷片的表面張力為1.00N/m，液態(tài)銀的表面張力為1.77N/m，而Al2O3-液態(tài)銀的界面張力為0.92N/m，液態(tài)銀能否潤濕Al