半導(dǎo)體物理1-5章公式總結(jié)_第1頁
半導(dǎo)體物理1-5章公式總結(jié)_第2頁
半導(dǎo)體物理1-5章公式總結(jié)_第3頁
半導(dǎo)體物理1-5章公式總結(jié)_第4頁
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文檔簡介

電子有效質(zhì)量： 能帶極值附近電子速度：淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計算： 硅、鍺的相對介電常數(shù)分別為16和12；鍺，硅導(dǎo)帶底的狀態(tài)密度： 硅，鍺價帶頂?shù)臓顟B(tài)密度： 硅，鍺費米分布函數(shù)（對于能量為的一個量子態(tài)被電子占據(jù)的概率）： 玻耳茲曼分布函數(shù)（適用范圍，）： 導(dǎo)帶中的電子濃度： 價帶中的空穴濃度： 本征半導(dǎo)體， 費米能級： 載流子濃度： “單”雜質(zhì)半導(dǎo)體，電子（空穴）占據(jù)施主（受主）能級的概率： 施主（受主）能級上電子（空穴）濃度： 電離施主（受主）濃度： n型 p型電中性方程： 弱電離區(qū) 強電離區(qū) ， ，過渡區(qū) 在有雜質(zhì)補償情況下， n型 p型極低溫情況下 低溫下，與“單”雜質(zhì)半導(dǎo)體低溫下弱電離相同強電離，以 當(dāng)（或）與相近時，（或） 載流子的漂移運動 ，， 遷移率： 電導(dǎo)率： ， 半導(dǎo)體電導(dǎo)率：半導(dǎo)體的主要散射機構(gòu)：電離雜質(zhì)散射 （散射概率） 晶格震動散射 （聲學(xué)波散射） （光學(xué)波散射） 平均自由時間： 電子、空穴遷移率： ，存在多種散射機構(gòu)時： ，隨非平衡載流子注入產(chǎn)生的附加電導(dǎo)率： 單位時間單位體積內(nèi)凈復(fù)合消失的電子—空穴對數(shù)稱為非平衡載流子的復(fù)合率。準(zhǔn)費米能級： 非平衡載流子越多，準(zhǔn)費米能級偏離就越遠。直接復(fù)合： ，其中表示電子—空穴復(fù)合概率分情況有：當(dāng)時，當(dāng)間接復(fù)合： 復(fù)合中心濃度，復(fù)合中心能級上電子濃度電子俘獲系數(shù)，電子激發(fā)概率，空穴俘獲系數(shù)，空穴激發(fā)概率①電子俘獲率，②電子產(chǎn)生率，③空穴俘獲率，④空穴產(chǎn)生率，有①+④=②+③，得，在小注入情況下，壽命只取決于，，，；且主要分別由，，和決定。（詳見P137-P138）陷阱效應(yīng)：雜質(zhì)能級（施主、受主、復(fù)合中心或任何其它雜質(zhì)能級）的積累非平衡載流子的作用。（詳見5.5）載流子

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