兼容700V LDMOS的BCD工藝中若干問題的研究的開題報告

兼容700VLDMOS的BCD工藝中若干問題的研究的開題報告一、研究背景隨著移動通信、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的快速發(fā)展，高功率射頻半導(dǎo)體器件的需求越來越大。而在高功率射頻半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)中，一種BCD（BipolarCMOSDMOS）工藝逐漸成為主流，特別是在大功率半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。BCD工藝是利用Bipolar、CMOS、DMOS三種器件相互結(jié)合，形成一種能夠以低功耗完成高電壓、大電流功率射頻功能的半導(dǎo)體制造工藝?，F(xiàn)有的BCD工藝在普通的低壓和功率應(yīng)用中已取得業(yè)界領(lǐng)先地位，但在高壓（高于700V）LDMOS（LateralDiffusedMOSFET）器件方面還存在許多問題亟待解決。在BCD工藝生產(chǎn)中，LDMOS器件是重要的組成部分。LDMOS器件是一種側(cè)向擴散型的MOS場效應(yīng)晶體管，具有低導(dǎo)通電阻、高反向擊穿電壓、良好的熱穩(wěn)定性、與CMOS電路完全兼容等優(yōu)點，因此在高功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是，現(xiàn)有的BCD工藝中的LDMOS器件在高電壓應(yīng)用方面仍存在一些問題，例如：反向漏電流大、反向擊穿電壓低、漏電流溫度特性差等。這些問題的存在限制了BCD工藝在高壓應(yīng)用中的發(fā)展。二、研究內(nèi)容本文旨在研究兼容700VLDMOS的BCD工藝中存在的問題，并提出一些解決方案，以解決現(xiàn)有BCD工藝中LDMOS器件在高電壓應(yīng)用方面存在的問題，避免制約BCD工藝在高壓應(yīng)用中發(fā)展的問題。具體研究內(nèi)容如下：1.分析現(xiàn)有的BCD工藝中存在的問題，重點關(guān)注LDMOS器件的反向漏電流大、反向擊穿電壓低、漏電流溫度特性差等問題；2.研究兼容700VLDMOS的BCD工藝的工藝流程，并分析該工藝的優(yōu)點和不足；3.分析和比較不同材料參數(shù)和工藝參數(shù)對LDMOS器件性能的影響，提出優(yōu)化方案；4.制備兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件，并采用測試儀器進(jìn)行性能測試；5.對測試結(jié)果進(jìn)行分析，提出改進(jìn)方案，比較其優(yōu)劣性；6.對改進(jìn)后的兼容700VLDMOS的BCD工藝進(jìn)行驗證，并比較其與現(xiàn)有工藝的差異；7.撰寫畢業(yè)論文，總結(jié)研究成果并提出下一步的研究方向。三、研究意義本研究在現(xiàn)有的BCD工藝基礎(chǔ)上，針對高壓（高于700V）LDMOS器件存在的問題，提出了相應(yīng)的制備工藝和優(yōu)化方案，并制備了兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件進(jìn)行測試分析。通過優(yōu)化工藝和選擇合適的材料參數(shù)和工藝參數(shù)，成功地解決了BCD工藝中LDMOS器件在高電壓應(yīng)用方面存在的問題，為BCD工藝在高壓應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。四、研究方法本研究采用實驗研究的方法，首先分析現(xiàn)有的BCD工藝中存在的問題，重點關(guān)注LDMOS器件的反向漏電流大、反向擊穿電壓低、漏電流溫度特性差等問題。其次，研究兼容700VLDMOS的BCD工藝的工藝流程，并分析該工藝的優(yōu)點和不足。接著，分析和比較不同材料參數(shù)和工藝參數(shù)對LDMOS器件性能的影響，提出優(yōu)化方案。然后，制備兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件，并采用測試儀器進(jìn)行性能測試。對測試結(jié)果進(jìn)行分析，提出改進(jìn)方案，比較其優(yōu)劣性。最后，對改進(jìn)后的兼容700VLDMOS的BCD工藝進(jìn)行驗證，并比較其與現(xiàn)有工藝的差異。五、預(yù)期成果本研究預(yù)期能夠解決兼容700VLDMOS的BCD工藝中存在的問題，制備出兼容700VLDMOS的BCD工藝中所需的器件，并得出該器件在高壓應(yīng)用中的性能數(shù)據(jù)。同時，本研究還將提出一些優(yōu)化兼容70