石墨烯射頻FET器件研究的開(kāi)題報(bào)告

石墨烯射頻FET器件研究的開(kāi)題報(bào)告一、選題背景及意義隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，無(wú)線通信系統(tǒng)的需求依然在不斷增長(zhǎng)，這需要更加高效的射頻器件來(lái)實(shí)現(xiàn)其功耗和性能的平衡。目前，銅基射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是最為常用的射頻器件之一，但隨著器件尺寸的減小，其性能已經(jīng)不能滿(mǎn)足需求。因此，石墨烯這種具有出色電學(xué)特性的材料被廣泛地應(yīng)用于射頻電路領(lǐng)域，被認(rèn)為是未來(lái)射頻器件研究的方向之一。石墨烯在寬帶、高頻、低噪聲系數(shù)等方面均表現(xiàn)出極佳的性能，相比于銅基FET，其具有更高的遷移率和飽和電流密度，可以實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的工作頻率。因此，石墨烯被認(rèn)為是未來(lái)高性能射頻器件的理想材料。二、研究?jī)?nèi)容本研究計(jì)劃采用石墨烯為基礎(chǔ)材料，設(shè)計(jì)并制作一種新型的射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管。到目前為止，石墨烯射頻FET主要存在于理論模擬和單體水平上的實(shí)驗(yàn)研究，但是具有穩(wěn)定性的石墨烯射頻FET器件研究仍在起步階段。因此，研究該器件的關(guān)鍵技術(shù)，包括：1.石墨烯材料的制備和性能表征。2.基于石墨烯的射頻FET器件設(shè)計(jì)和工藝制作。3.射頻FET性能測(cè)試和分析。三、預(yù)期目標(biāo)本研究預(yù)計(jì)達(dá)到以下目標(biāo)：1.制備高質(zhì)量的石墨烯材料，獲得其物理性質(zhì)和電學(xué)特性。2.設(shè)計(jì)出具有良好性能的石墨烯射頻FET器件，實(shí)現(xiàn)其工藝制備并優(yōu)化其性能。3.對(duì)制作出的石墨烯射頻FET器件進(jìn)行測(cè)試和分析，在頻率范圍內(nèi)獲得其電學(xué)性能指標(biāo)數(shù)據(jù)，并與傳統(tǒng)的銅基FET進(jìn)行對(duì)比分析。四、研究方法1.石墨烯材料的制備：采用熱化學(xué)氣相沉積（CVD）法，在電解后的銅片上生長(zhǎng)石墨烯。2.石墨烯材料的表征：使用掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）、透射電子顯微鏡（TEM）等手段，分別對(duì)石墨烯樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、化學(xué)組成等進(jìn)行分析。3.射頻FET器件設(shè)計(jì)：采用基于石墨烯的晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，包括源極區(qū)、漏極區(qū)和柵極區(qū)。4.射頻FET器件制備：采用標(biāo)準(zhǔn)的微電子加工工藝，包括光刻、蒸鍍、氧化等步驟，制作出石墨烯射頻FET器件。5.射頻FET性能測(cè)試和實(shí)驗(yàn)分析：使用射頻測(cè)試系統(tǒng)對(duì)制成的石墨烯射頻FET器件進(jìn)行度量，并進(jìn)行器件性能分析。五、進(jìn)度安排本研究工作預(yù)計(jì)時(shí)長(zhǎng)為兩年。具體進(jìn)度安排如下：第一年：1.石墨烯的制備和表征。2.石墨烯射頻FET器件設(shè)計(jì)和工藝制備。第二年：1.石墨烯射頻FET器件性能測(cè)試和分析。2.論文撰寫(xiě)和攻讀碩士學(xué)位。六、參考文獻(xiàn)[1]ChenJ,etal.Graphenefield-effecttransistorswithhighon/offcurrentratioandlargetransportgap[J].NanoLetters,2008,8:1679-1682.[2]MorozovSV,etal.High-yieldproductionofgraphenebyliquid-phaseexfoliationofgraphite[J].NatNanotechnol,2008,3:270-274.[3]LiL,etal.Graphenefield-effecttransistorswithhighmobilityandlargecurrenton/offratios[J].NanoLetters,2008,8:4350-4355.[4]DeanCR,etal.Boronnitridesubstratesforhigh-qualitygrapheneelectronics[J].NatureNanotechnol,2010,5:722-726.[5]WuW,etal.Graph