高中化學(xué)課時(shí)作業(yè)（魯科版選修第二冊(cè)）課時(shí)作業(yè)16

課時(shí)作業(yè)16共價(jià)晶體1．下列晶體中，最小的平面或立體環(huán)不是由6個(gè)原子構(gòu)成的是()A．金剛石B．石墨C．水晶D．晶體硅2．金剛石具有硬度大、熔點(diǎn)高等特點(diǎn)，大量用于制造鉆頭、金屬切割刀具等。其結(jié)構(gòu)如圖所示，下列判斷正確的是()A．金剛石中C—C鍵的鍵角均為109°28′，所以金剛石和CH4的晶體類(lèi)型相同B．金剛石的熔點(diǎn)高與C—C鍵的鍵能無(wú)關(guān)C．金剛石中碳原子個(gè)數(shù)與C—C鍵數(shù)目之比為1∶2D．金剛石的熔點(diǎn)高，所以在打孔過(guò)程中不需要進(jìn)行澆水冷卻3．下列有關(guān)共價(jià)晶體的敘述不正確的是()A．金剛石和二氧化硅晶體的最小結(jié)構(gòu)單元都是正四面體B．含1molC的金剛石中C—C鍵數(shù)目是2NA，1molSiO2晶體中Si—O鍵數(shù)目是4NAC．水晶和干冰在熔化時(shí)，晶體中的共價(jià)鍵都會(huì)斷裂D．SiO2晶體是共價(jià)晶體，所以晶體中不存在分子，SiO2不是它的分子式4．氮氧化鋁(AlON)屬于共價(jià)晶體，是一種超強(qiáng)透明材料，下列描述錯(cuò)誤的是()A．AlON和石英的化學(xué)鍵類(lèi)型相同和石英晶體類(lèi)型相同C．AlON和Al2O3的化學(xué)鍵類(lèi)型不同D．AlON和Al2O3晶體類(lèi)型相同5．(雙選)關(guān)于SiO2晶體的敘述中，正確的是()A．通常狀況下，60gSiO2晶體中含有的分子數(shù)為NA(NA表示阿伏加德羅常數(shù))B．60gSiO2晶體中，含有4NA個(gè)Si—O鍵C．晶體中與同一硅原子相連的4個(gè)氧原子處于同一四面體的4個(gè)頂點(diǎn)D．因?yàn)楣韬吞紝儆谕恢髯澹許iO2晶體與CO2晶體類(lèi)型相同6．下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是()A．金剛石>晶體硅>碳化硅B．MgO>H2O>O2>Br2C．對(duì)羥基苯甲酸>鄰羥基苯甲酸D．金剛石>生鐵>純鐵>鈉7．1999年美國(guó)《科學(xué)》雜志報(bào)道：在40GPa高壓下，用激光器加熱到1800K，人們成功制得了共價(jià)晶體干冰，下列推斷中不正確的是()A．共價(jià)晶體干冰有很高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)，有很大的硬度B．共價(jià)晶體干冰易汽化，可用作制冷材料C．共價(jià)晶體干冰的硬度大，可用作耐磨材料D．每摩爾共價(jià)晶體干冰中含4molC—O鍵8．我國(guó)的激光技術(shù)在世界上處于領(lǐng)先地位，據(jù)報(bào)道，有科學(xué)家用激光將置于鐵室中石墨靶上的碳原子炸松，與此同時(shí)再用射頻電火花噴射氮?dú)?，此時(shí)碳、氮原子結(jié)合成碳氮化合物薄膜。據(jù)稱(chēng)，這種化合物可能比金剛石更堅(jiān)硬。其原因可能是()A．碳、氮原子構(gòu)成平面結(jié)構(gòu)的晶體B．碳氮鍵比金剛石中的碳碳鍵更短C．氮原子電子數(shù)比碳原子電子數(shù)多D．碳、氮的單質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)均不活潑9．AB型共價(jià)化合物晶體，若其原子最外層電子數(shù)之和為8，常是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的共價(jià)晶體。已知金剛石不導(dǎo)電而導(dǎo)熱；鋯石(ZrO2)不導(dǎo)電、不導(dǎo)熱，卻硬似鉆石；近期用制耐熱器的碳化硅制成了假鉆石，則識(shí)別它們的可行方法是()A．能在玻璃上刻劃出痕跡的為金剛石B．很硬不導(dǎo)電而導(dǎo)熱的是金剛石和碳化硅C．既可導(dǎo)電又可導(dǎo)熱的是碳化硅D．不導(dǎo)電的為鋯石10.(雙選)磷化硼是一種超硬耐磨涂層材料。如圖為其晶體結(jié)構(gòu)中最小的重復(fù)單元，其中每個(gè)原子最外層均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是()A．磷化硼的化學(xué)式為BP，其晶體屬于共價(jià)晶體B．磷化硼晶體的熔點(diǎn)高，且熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電C．磷化硼晶體中每個(gè)原子均參與形成4個(gè)共價(jià)鍵D．磷化硼晶體在熔化時(shí)需克服范德華力11．如圖是氯化鈉、氯化銫、二氧化硅、晶體硅的晶體結(jié)構(gòu)一部分，有關(guān)晶體的敘述中正確的是()A．SiC與二氧化硅晶體熔化時(shí)，所克服的微粒間相互作用不相同B．氯化鈉晶體中，每個(gè)Na＋周?chē)嚯x相等的Na＋共有6個(gè)C．氯化銫晶體中，每個(gè)Cs＋周?chē)o鄰8個(gè)Cl－D．在晶體硅中，硅原子與Si—Si鍵數(shù)目比為1∶412．(1)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為_(kāi)___________，微粒之間存在的作用力是____________。(2)晶胞有兩個(gè)基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)；B為(eq\f(1,2)，0，eq\f(1,2))，C為(eq\f(1,2)，eq\f(1,2)，0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)_______。②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a＝565.76pm，其密度為_(kāi)_______g·cm－3(列出計(jì)算式即可)。已知：Ge的相對(duì)原子質(zhì)量為73。13．砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池等?；卮鹣铝袉?wèn)題：(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為[Ar]________。(2)根據(jù)元素周期律，元素的電負(fù)性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一電離能B________Ga；BF3和NH3的分子能夠通過(guò)配位鍵相結(jié)合的原因是________________。(3)殺蟲(chóng)劑Na3AsO4中陰離子的空間構(gòu)型為_(kāi)_______，As原子采取________雜化。(4)組成相似的GaF3和GaCl3晶體，前者屬于離子晶體，后者屬于分子晶體，從F－和Cl－結(jié)構(gòu)的不同分析其原因是________________________________。(5)共價(jià)晶體GaAs的晶胞參數(shù)a＝xpm，它的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶胞內(nèi)部存在的共價(jià)鍵數(shù)為_(kāi)_______；A原子距離B原子所在六面體的側(cè)面的最短距離為_(kāi)_______(用x表示)pm；該晶胞的密度為_(kāi)_______(阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示)g·cm－3。14．(1)BN是一種新型的無(wú)機(jī)材料，由于碳單質(zhì)與BN屬于等電子體，其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)具有極大的相似性，故可推知，在BN的晶體中，一種是類(lèi)似于________的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體，可用作耐磨材料。(2)單質(zhì)硼有無(wú)定形體和晶體兩種，參考下表數(shù)據(jù)：金剛石晶體硅晶體硼熔點(diǎn)/K>350014122573沸點(diǎn)/K482726282823摩氏硬度10①晶體硼的晶體類(lèi)型屬于________晶體，理由是___________________________。②已知晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元是由硼原子組成的正二十面體(如圖所示)，其中有20個(gè)等邊三角形的面和一定數(shù)目的頂點(diǎn)，