什么是晶圓級(jí)芯片封裝WLCSP

什么是晶圓級(jí)芯片封裝WLCSP隨著移動(dòng)電子產(chǎn)品趨向輕巧、多功能、低功耗發(fā)展，為了在更小的封裝面積下容納更多的引腳數(shù)，因而發(fā)展出晶圓級(jí)芯片封裝WLCSP。它具備更多的功能集成、在體積、成本和性能方面更具優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用在移動(dòng)電話、藍(lán)牙產(chǎn)品、醫(yī)療設(shè)備、射頻收發(fā)器、電源管理單元、音頻放大器和GPS模塊使用。什么是晶圓級(jí)芯片封裝WLCSP呢？大家可能比較熟悉BGA，CSP就是小型的BGA，外形和球間距比BGA小，球間距小于0.8毫米的BGA稱為CSP，或者封裝面積和里面芯片的面積之比小于1.2。至于WLCSP，就是晶圓級(jí)CSP，即是大型的倒裝晶片，中間沒(méi)有載體，焊球直接植于硅基材上，一般焊球間距為0.4至0.8毫米間。由于晶圓級(jí)芯片封裝的密間距，其敏感度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)BGA。那么，在組裝晶圓級(jí)芯片封裝這種具有焊球直徑小、焊球間距小、外形尺寸小的元器件特征時(shí)，廠家要注意什么呢？環(huán)球儀器提出了什么解決方案呢？晶圓級(jí)芯片封裝的裝配流程目前有兩種工藝，一種是錫膏裝配，但為了避免“橋連”或“少錫”缺陷，環(huán)球儀器建議采用助焊劑浸蘸的方法進(jìn)行組裝。工藝流程：拾取晶圓級(jí)芯片封裝浸蘸助焊劑貼裝晶圓級(jí)芯片封裝回流焊接底部填充(如有需要)在這里先集中討論浸蘸助焊劑流程，環(huán)球儀器建議采用助焊劑薄膜浸蘸方式，即在元器件貼裝前浸蘸一定厚度的助焊劑薄膜，使每個(gè)焊球上附著一定量的助焊劑。采用助焊劑薄膜浸蘸的兩大優(yōu)點(diǎn)：易于安裝及操作無(wú)論是錫鉛或無(wú)鉛焊點(diǎn)都能獲得較好的潤(rùn)濕效果，當(dāng)然也和回流焊接工藝相關(guān)采用助焊劑薄膜浸蘸的兩大挑戰(zhàn)：焊球高度的差異、焊球的氧化程度及溫濕度變化影響焊球獲得助焊劑的量黏性助焊劑持續(xù)暴露在空氣中助焊劑應(yīng)用單元是控制助焊劑浸蘸工藝的重要部分，其工作的基本原理，就是要獲得設(shè)定厚度且穩(wěn)定的助焊劑薄膜，使各焊球蘸取的助焊劑量一致。要精確穩(wěn)定的控制助焊劑薄膜的厚度，同時(shí)滿足高速浸蘸的要求，必須滿足以下要求：1.可以多枚(如4或7枚)元件同時(shí)浸蘸助焊劑來(lái)提高產(chǎn)量2.助焊劑應(yīng)用單元應(yīng)該簡(jiǎn)單、易操作、易控制、易清潔3.可以處理很廣泛的助焊劑或錫膏，適合浸蘸工藝的助焊劑黏度范圍較寬、對(duì)于較稀和較黏的助焊劑都要能處理，而且獲得的薄膜厚度要圴勻4.蘸取工藝可以精確控制，浸蘸的工藝參數(shù)因材料的不同而會(huì)有差異，所以浸蘸過(guò)程工藝參數(shù)必須可以單獨(dú)控制，如往下的速度、壓力、停留時(shí)間和向上的加速度等。環(huán)球儀器的線性薄膜敷料器可以產(chǎn)生一層薄薄的助焊劑、焊膏和粘合劑，應(yīng)對(duì)單獨(dú)或群組浸蘸晶圓CSP，將需要的材料量涂敷到合適的區(qū)域上。它主要由兩個(gè)部分組成，固定不動(dòng)盛載助焊劑的糟，避免助焊劑持續(xù)暴露在空氣中；和可以來(lái)回直線運(yùn)動(dòng)、具有不同深度的助焊劑盤。助焊劑槽內(nèi)的助焊劑不斷補(bǔ)充到底下來(lái)回運(yùn)動(dòng)的助焊劑盤內(nèi)，穩(wěn)定后，助焊劑厚度相當(dāng)于該盤的深度。只要使用不同深度的盤子，就可以獲得不同厚度的助焊劑，適應(yīng)于不同高度的焊球。線性薄膜敷料器的優(yōu)勢(shì)：線型驅(qū)動(dòng)可確保薄膜厚度均勻及可重復(fù)性快速轉(zhuǎn)換的助焊劑盤及深度控制(無(wú)需調(diào)整)最多可7軸一起進(jìn)行群組浸蘸典型的黏稠度10K至28.5K厘泊可編程的回刮循環(huán)次數(shù)時(shí)間可編程的浸蘸停留時(shí)間可編程的維修監(jiān)視器快速釋放治具、易于清洗特大容量(能維持高達(dá)8小時(shí)的運(yùn)作)以貼裝軸觸控感應(yīng)來(lái)確認(rèn)浸蘸環(huán)球儀器的FuzionSC平臺(tái)，是專門為應(yīng)對(duì)先進(jìn)封裝組裝而設(shè)計(jì)的，每臺(tái)機(jī)器最多配備2個(gè)