內(nèi)存條分類區(qū)別以及

84168 921845240 1202406456 1202407248 CPU后，接下來(lái)就要開始安裝內(nèi)存條了。在安裝內(nèi)存條之前，能夠在主板闡明EDORAMRDRAM 從計(jì)算機(jī)誕生開始，內(nèi)存型態(tài)的發(fā)展真可謂千變?nèi)f化。因此，下面先著重介紹內(nèi)存的FPMRAM、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RambusDRAM，如圖1所示FPMRAM286、38630pinFPMRAM內(nèi)存，容量只1MB2MB。而在486時(shí)代，及少數(shù)586電腦也使用72pinFPMRAM內(nèi)存。EDORAM重要應(yīng)用在486、586時(shí)代，也有72pin168pin之分。從外形上看，30pinFPM72pin EDORAMFPMRAM32位，而飛躍及其以上64位。因此，要想在飛躍及其以上級(jí)別的電腦中使用這些內(nèi)存條， SDRAM168SDRAMPC100/133SDRAM，會(huì)在內(nèi)存條上包含一種8SPDPC100/133SPDSDRAMPC100/133，但如果沒(méi)有則必定不是。DDRRAMSDRAM有什么不同。從外形上看，DDRRAM和傳DDRRAM內(nèi)存的兩側(cè)，各有兩個(gè)缺口。 SDRAMDDRRAMRDRAM的外面包裹著一層金屬SDRAMRDRAM內(nèi)存的兩側(cè)，各有一種缺口。 SIMM（SingleIn-LineMemoryModule，單邊接觸內(nèi)存模組）486PC機(jī)中SIMM內(nèi)存插槽重要有兩種型態(tài)：30pin72pin。30pin8位的數(shù)據(jù)解決量。72pin3264位830pin272pin的內(nèi)存條來(lái)支持它。在48630pinSIMM72pinSIMMPentium中72pinSIMMDIMM插槽并存。 DIMM(DualIn-LineMemoryModule，雙邊接觸內(nèi)存模組)內(nèi)存插槽是指這種類型接口內(nèi)84pin92pin，但由于是84×2=168pin92×2=184pinDIMM64位數(shù)據(jù)傳輸，3.3V電壓。RIMM（RambusIn-LineMemoryModule）DirectRDRAM內(nèi)存條的插 在安裝內(nèi)存條之前，大家不要忘了看看主板的闡明書，看看主板支持哪些內(nèi)存，能夠安SDRAM、DDRRAM、RDRAM內(nèi)存。 STEP1：首先將需要安裝內(nèi)存對(duì)應(yīng)的內(nèi)存插槽兩側(cè)的塑膠夾腳（普通也稱為"保險(xiǎn)栓2 STEP2：拿起內(nèi)存條，然后將內(nèi)存條的引腳上的缺口對(duì)準(zhǔn)內(nèi)存插槽內(nèi)的凸起（3所示11的位置。 4所示。 RDRAMRIMM內(nèi)存插槽是成對(duì)出現(xiàn)。RDRAM內(nèi)存條是不能夠一根單獨(dú)使用，它必須是成對(duì)的出現(xiàn)。RDRAMRIMM內(nèi)存RIMM內(nèi)存插槽中必須插上傳接板（也稱"終止器"，這樣才干5所示。內(nèi)存條分類、區(qū)別以及圖文DRAMPCBDRAM顆粒是造假最慣用到的。下面尋修網(wǎng)，但愿對(duì)您此后購(gòu)置起到一定的協(xié)助。 理由其實(shí)很簡(jiǎn)樸--SDRAM內(nèi)存占據(jù)主 現(xiàn)在最為常見的幾個(gè)造假手段重要有：以次充好、打磨、改字和翻修。以次充好，就是常工作，然后將其再次拿到市場(chǎng)上按照全新產(chǎn)品出售。打磨也就是我們普通所說(shuō)的 2GB/667筆記本內(nèi)存顆粒特寫，采用和假金士頓 其實(shí)對(duì)于一款內(nèi)存來(lái)說(shuō)，PCB電路板僅占內(nèi)存成本的百分之十以內(nèi)，而顆粒價(jià)格才是真 細(xì)節(jié)處對(duì)比（真品R冊(cè)商標(biāo)"R"KINGSTON英文，這里由于筆者的相機(jī)緣故不能清晰顯示出 細(xì)節(jié)處對(duì)比（假貨 金士頓官方網(wǎng)站"一分鐘正品鑒定 2GBDDR2-800+紅龍上市尚有無(wú)印象，當(dāng)時(shí)這款內(nèi)存威剛是包超條，DDR2-1066，即使價(jià)格稍顯貴，但是超頻后的性價(jià)比非常高。DDR2-800的內(nèi)存，例如創(chuàng)見、金士頓等等，DDR3-1333內(nèi)存被收購(gòu)，不懂得大家對(duì)筆者的《神DDR3-1600或者更高的內(nèi)存條分類、區(qū)別以及圖文 ●超頻前后內(nèi)存帶寬/ 4GBDDR3-1600 只但是頻率高的內(nèi)存會(huì)自動(dòng)降頻至頻率低的內(nèi)存的工作頻率這樣會(huì)造成性能浪費(fèi) SDRPC-100PC- DDR226333 DDR2533667800 DDR3有10661333 甚至更DDR、DDR2內(nèi)存。 FPM FPMFastPageMode（快頁(yè)模式PC EDOEDOExtendedDataOut（擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）的簡(jiǎn)稱，它取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期3060ns。EDO72SIMMEDO內(nèi)存芯PCI48672168線430TX芯片組主板上。現(xiàn)在也已經(jīng)被裁減，只能在某些老爺機(jī)上見到。 SDRAM SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同時(shí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM3.3v64位，SDRAMCPU與時(shí)工作，與EDO50％。SDRAM基于雙存儲(chǔ)體構(gòu)造，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存CPU從一種存儲(chǔ)體或陣列訪問(wèn)數(shù)據(jù)時(shí)，另一種就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過(guò)這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊親密換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。SDRAM430TX芯片組到845SDRAMDDRSDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場(chǎng)。 RDRAM RDRAMRambusDynamicRandomAccessMemory（存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的Rambus公司開發(fā)的含有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的內(nèi)存，它能在很高的頻率RDRAM820840，850芯片組等等。RDRAMRambus公司的專利許可限D(zhuǎn)DRSDRAM快速取代，市 DDRSDRAM DDRSDRAMDoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory（雙數(shù)據(jù)）VIARDRAM相抗衡而提出的內(nèi)存原則。DDRSDRAMSDRAM2.5v工作電壓，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和SDRAM的速度，并含有比SDRAMDDR266PC133SDRAM相比，工作頻率同樣是133MHz2.12GB/sPC133SDRAM高一倍?，F(xiàn)在主流的芯片組都DDRSDRAM DDR2（DoubleDataRate2）SDRAMJEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)DDR內(nèi)存技術(shù)原則最大的不同就是，即使同是采用了在時(shí)鐘的上升/DDR2DDR線的速度讀/4倍的速度運(yùn)行。 DDR2DDR2DDR2FBGA封裝形式，而不同于現(xiàn)在廣泛FBGADDR的發(fā)展歷程，從第一代Intel最新DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。 DDR2DDR DDR2DDRDDR2 1從上表能夠看出，在同等核心頻率下，DDR2DDR的兩倍。這得益于DDR2DDR4BITDDR2DDR同200MHzDDR2400MHz。DDRDDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來(lái)說(shuō)，DDR200DDR2-400含有相似的延遲，而后者含有高一倍的帶DDR400。 2DDR2DDR在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的狀況下，DDR2能夠獲得更快的頻率提高，突破原則DDR400MHZ限制。DDRTSOP200MHzTSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更加好的電氣性能與DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與將來(lái)頻率的發(fā)展提供了良好的保障。DDR21.8VDDR2.5V，減少了不少，從而提供了明顯的DDR2除了以上所說(shuō)的區(qū)別外，DDR2OCD、ODTPostCAS。OCD（Off-ChipDriver）：也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)，DDRIIOCD能夠提高信號(hào)的完整性。DDRII通過(guò)調(diào)節(jié)上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使OCDDQ-DQS的傾斜來(lái)提高信號(hào)的完整性；通過(guò)控制電壓來(lái)提高信號(hào)品質(zhì)。ODT：ODTDDRSDRAM的主板上面為了避免上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2能夠根據(jù)自已的特點(diǎn)內(nèi)建適宜的終止電阻，這樣能夠確保最佳的信DDR2DDR不能比PostCASDDRIIPostCAS操作中，CAS信CASLatency）tRCD（RASCAS和延遲）AL（AdditiveLatency）所取代，AL0，1，2，3，4CASRAS信號(hào)背面一種時(shí)鐘周ACTCAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。ECC并不是內(nèi)存類型，ECC（ErrorCorrectionCodingErrorCheckingandCorrecting）是82430HX芯片組就開始支持它，使用該芯片組的ECCECC內(nèi)存成本比較高，因此重要應(yīng)用在規(guī)定系統(tǒng)運(yùn)ECC內(nèi)存，因此普通的家用與辦公電腦也不必采ECC內(nèi)存。DDR，DDR2嚴(yán)格的說(shuō)DDRDDRSDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹絊DRAMSDRAM。DDRSDRAMDoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同SDRAMDDR因此稱為雙倍速率同時(shí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDRSDRAM相似的總線頻率下達(dá)成16次輸出一次，并重新同時(shí)來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需SDRA的兩倍。DDRSDRAMDDR