磁控濺射硅靶材及邦定后硅靶材

1磁控濺射硅靶材及邦定后硅靶材本標(biāo)準(zhǔn)適用于提拉或鑄造工藝制造的半導(dǎo)體電子器件用的各類硅YS/T276（所有部分）銦化學(xué)分2002/95/EC歐盟關(guān)于在電氣電子設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)指令I(lǐng)EC62321-5-2013電工電水平的測定（Electrotechnicalproducts-Determinationoflevelsofscadmium,hexavalentchromium,polybrominatedbiphenyls,polybrominateddiphenELECTROTECHICALPRODUCTS-Par測定聚合物和電子設(shè)備中的鎘、鉛和鉻以及金屬中的鎘和鉛（Determinationofcertainsubstancesinelectrotechnicalproducts-Part5:Cadmium,leadandchromiuminleadinmetalsbyAAS,ICP-OESandICP-MS）2度達(dá)百萬分之一級(μg/g）。硅與背板之間的實(shí)際接合面積占應(yīng)結(jié)合面積4.1靶材材料34.2背板材質(zhì)的要求4.2.1平面靶材的背板為銅，銅板的牌號及化學(xué)成分應(yīng)符合GB/T54.3邦定材料的要求5.1產(chǎn)品分類5.1.3產(chǎn)品按供貨狀態(tài)，分為未邦定硅靶材和邦定硅靶材。5.1.4產(chǎn)品按導(dǎo)電類型，分為P型硅靶材和N型硅靶5.2供貨狀態(tài)5.3牌號5.4供貨狀態(tài)磁控濺射硅靶材以加工后未邦定態(tài)供貨以及加工后邦定態(tài)4Al的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Cu的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Fe的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Pb的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Ni的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Sb的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Pd的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Mg的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）As的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Sn的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Cr的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）Mn的質(zhì)量分?jǐn)?shù)(μg/g）平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材的幾何尺寸應(yīng)按照需方的要求及技術(shù)±0.1±0.2±0.1±0.2±0.1±0.25磁控濺射硅靶材的表面粗糙度Ra值應(yīng)不大于1.6μ——磁控濺射硅靶材表面應(yīng)清潔光滑，無指痕，無油污和銹蝕。邦定后硅靶材與背板的搭接率應(yīng)不小于95%，同時(shí)單個(gè)不良接觸區(qū)域的面積不大于應(yīng)搭接面積的磁控濺射硅靶材的化學(xué)成分分析按GB/T24582-2009的磁控濺射硅靶材的幾何尺寸及允許偏差的檢驗(yàn)按GB/T6093-20016磁控濺射硅靶材的表面粗糙度的檢驗(yàn)按GB/T29505-2018.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方質(zhì)量檢驗(yàn)部門進(jìn)行檢驗(yàn)，產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)（或訂貨合同）的規(guī)定，并填寫質(zhì)8.1.2需方應(yīng)對收到的產(chǎn)品按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行復(fù)驗(yàn)。復(fù)驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)（或訂貨合同）的規(guī)定不符7錠上下表面任意部位每個(gè)尺寸的邊緣和中每個(gè)表面任意部位三處4.4.34.4.64.4.7每批一份（在一批的任意一塊坯料上選（整片邦定后的硅靶4.5.38.4.3表面粗糙度檢驗(yàn)不合格時(shí)，判定該89標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存9.1標(biāo)志b)產(chǎn)品等級、純度；j)生產(chǎn)廠家地址、電