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差分放大器具有抑制零點(diǎn)漂移的作用,廣泛用于集成電路的輸入級(jí),是另一類(lèi)基本放大器。4.4差分放大器4.4.1電路結(jié)構(gòu)
由兩完全對(duì)稱(chēng)的共發(fā)電路,經(jīng)射極電阻REE
耦合而成。T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RLT1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL
采用正負(fù)雙電源供電:VCC=|VEE|。
具有兩種輸出方式:雙端輸出、單端輸出。1T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL由于電路采用正負(fù)雙電源供電,則
VBQ1
=
VBQ2
=0估算電路Q(chēng)
點(diǎn)T1VCCREEVEERCRCT2IEEICQ1ICQ2令
vi1=vi2=0,畫(huà)出電路直流通路。因此RL2差模信號(hào)和共模信號(hào)4.4.2電路性能特點(diǎn)差模信號(hào):指大小相等、極性相反的信號(hào)。表示為
vi1=-vi2=vid
/2差模輸入電壓
vid
=vi1-
vi2共模信號(hào):指大小相等、極性相同的信號(hào)。表示為
vi1=vi2=vic共模輸入電壓
vic
=(vi1+vi2)/2任意信號(hào):均可分解為一對(duì)差模信號(hào)與一對(duì)共模信號(hào)之代數(shù)和。
vi1=vic+vid
/2vi2=vic
-
vid
/2即差分放大器的性能包括差模和共模性能和。
3差放半電路分析法
因電路兩邊完全對(duì)稱(chēng),因此差放分析的關(guān)鍵,就是如何在差模輸入與共模輸入時(shí),分別畫(huà)出半電路交流通路。在此基礎(chǔ)上分析電路各項(xiàng)性能指標(biāo)。分析步驟:差模分析畫(huà)半電路差模交流通路
計(jì)算Avd、Rid、Rod
。
共模分析畫(huà)半電路共模交流通路
計(jì)算Avc、KCMR、Ric
。根據(jù)需要計(jì)算輸出電壓雙端輸出:
計(jì)算vo
。單端輸出:
計(jì)算vo1、
vo2
。4差模性能分析T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL雙端輸出電路
REE
對(duì)差模視為短路。iC2=ICQ-
iciC1=ICQ+ic因iEE
=iC1+iC2=2ICQ(不變)故RL
中點(diǎn)視為交流地電位,即每管負(fù)載為RL/2。直流電源短路接地。1)半電路差模交流通路注意:關(guān)鍵在于對(duì)公共器件的處理。
RC+-vod1+-vid1RL2T1半電路差模交流通路52)差模性能指標(biāo)分析差模輸入電阻差模輸出電阻差模電壓增益注意:電路采用了成倍元件,但電壓增益并沒(méi)有得到提高。
半電路差模交流通路
RC+-vod1+-vid1RL2T1ii6單端輸出電路
與雙端輸出電路的區(qū)別:僅在于對(duì)RL
的處理上。T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL不變減小減小RC+-vod1=
vod+-vid1RLT1ii半電路差模交流通路7共模性能分析T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL雙端輸出電路每管發(fā)射極接2REE。iC2=ICQ+iciC1=ICQ+ic因iEE
=iC1+iC2=2ICQ+2ic則RL
對(duì)共模視為開(kāi)路。直流電源短路接地。1)半電路共模交流通路因此REE
上的共模電壓:2iCREE因此流過(guò)RL
的共模電流為0。半電路共模交流通路RC+-voc1+-vic1=vicT12REE82)共模性能指標(biāo)分析共模輸入電阻共模輸出電阻共模電壓增益電路特點(diǎn)雙出無(wú)意義雙端輸出電路利用對(duì)稱(chēng)性抑制共模信號(hào)。利用對(duì)稱(chēng)性抑制共模信號(hào)(溫漂)原理:半電路共模交流通路RC+-voc1+-vic1=vicT12REE9單端輸出電路T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL與雙端輸出電路的區(qū)別:僅在于對(duì)RL
的處理上。不變,同上半電路共模交流通路RC+-voc1=voc+-vic1=vicT12REERL10單端輸出電路特點(diǎn)單端輸出電路利用REE
的負(fù)反饋?zhàn)饔靡种乒材P盘?hào)。利用REE
抑制共模信號(hào)(溫漂)原理:T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL
一般射極電阻REE
取值較大因此很小。結(jié)論
無(wú)論電路采用何種輸出方式,差放都具有放大差模信號(hào)、抑制共模信號(hào)的能力。11差放性能指標(biāo)歸納總結(jié)
Rid
與電路輸入、輸出方式無(wú)關(guān)。
Rod
僅與電路輸出方式有關(guān)。
Avd
僅與電路輸出方式有關(guān)。
Avc僅與電路輸出方式有關(guān)。雙端輸出單端輸出雙端輸出單端輸出雙端輸出單端輸出其中其中12共模抑制比
KCMR
是用來(lái)衡量差分放大器對(duì)共模信號(hào)抑制能力的一項(xiàng)重要指標(biāo),其值越大越好。定義雙端輸出電路單端輸出電路提高IEE(即增大gm)、增大REE提高KCMR???P18213普通差放存在的問(wèn)題:???P182采用恒流源的差分放大器REE
KCMR
抑制零點(diǎn)漂移能力但I(xiàn)EE
Q
點(diǎn)降低
輸出動(dòng)態(tài)范圍T1VCCvi1voVEEvi2RCRCT2R1R2R3T3其中很大14雙端輸出時(shí)單端輸出時(shí)
任意輸入時(shí),輸出信號(hào)的計(jì)算其中其中15例:圖示電路,已知
=100,vi=20sin
t(mV),求vo
。解:(1)分析Q
點(diǎn)(2)分析Avd2、Avc2由于則(3)計(jì)算vo由于則T1VCCREEvivoVEERCRCT2RL22.6k
10k
10k
(12V)(-12V)164.4.3電路兩邊不對(duì)稱(chēng)對(duì)性能的影響實(shí)際差分放大器,電路不可能做到完全對(duì)稱(chēng):雙端輸出時(shí)的
KCMRT1、T2
兩管集電極電阻RC
不相等或T1、T2
兩管的
及VBE(on)不對(duì)稱(chēng)例如產(chǎn)生運(yùn)算誤差理想情況實(shí)際情況由于則因此17不對(duì)稱(chēng)性較微小時(shí),認(rèn)為:用半電路分析法求得.例:兩管直流負(fù)載電阻分別為RC和RC+△RC
,試求Av(c-d)
故其中Avc是單端輸出時(shí)共模電壓增益。18由兩管參數(shù)不對(duì)稱(chēng)(如VBE(on)、IS、RC
不等)引起失調(diào)。
失調(diào)及其溫漂
輸入失調(diào)電壓
VIOT1T2實(shí)際差放+-VO
0零輸入時(shí)等效為理想差放+-VOVIO+-從等效的觀點(diǎn)看:VIO
就是使VO=0時(shí),在實(shí)際差放輸入端所加的補(bǔ)償電壓。失調(diào)電壓VIO
產(chǎn)生原因:19兩管
不等,造成ICQ1
ICQ2
輸入失調(diào)電流
IIO從等效的觀點(diǎn)看:
IIO
就是使ICQ1
=ICQ2
時(shí),在實(shí)際差放輸入端所加的補(bǔ)嘗電流。
失調(diào)電流IIO
產(chǎn)生原因:T1VCCREEVEERCRCT2RSRSIBQ1IBQ2若取則20
失調(diào)模型總輸入失調(diào)電壓當(dāng)RS
較大時(shí):當(dāng)RS
較小時(shí):失調(diào)以IIO為主,為減小VIO
,應(yīng)選IIO
小的差放。失調(diào)以VIO
為主,為減小VIO
,應(yīng)選VIO
小的差放;T1T2-+IBIBIIO2IIO2VIORSRS21
調(diào)零電路T1VCCREEVEERCRCT2RSRSVEE+-VORW(發(fā)射極調(diào)零電路)T1VCCREERCRCT2RSRSVEE+-VORW(集電極調(diào)零電路)
調(diào)節(jié)電位器RW,改變兩端發(fā)射極電位或集電極電阻,使靜態(tài)工作時(shí)雙端輸出電壓減小到零。22
VIO
和IIO的溫漂若環(huán)境溫度、電源電壓等外界因素變化:三極管參數(shù)變化VIO
和IIO
變化。其中溫度變化引起的溫漂最大??梢宰C明:注意:調(diào)零電路可以克服失調(diào),但不能消除溫漂。
MOS差放的失調(diào)因IG
0則(mV量級(jí))由兩管參數(shù)(如W/l、VGS(th))及RD
不匹配引起失調(diào)。VIO
產(chǎn)生原因:注意:
MOS管差放的VIO>>三極管差放的VIO。234.4.4差模傳輸特性
完整描述差模輸出電流隨任意輸入差模電壓變化的特性。雙極型差放的差模傳輸特性T1VCCIEEVEERCRCT2iC1iC2+-vID假設(shè)電路對(duì)稱(chēng)則得24差模傳輸特性曲線(xiàn)1OiC/IEEvID/VT0.5QiC1/IEEiC2/IEEOiC1-
iC2vID/VTIEE-IEE可以證明:
當(dāng)|vID
|
26mV時(shí),差放線(xiàn)性工作(單管電路vI
<2.6mV)。|vID
|
>
100
mV
后,一管截止、另一管導(dǎo)通,差放非線(xiàn)性工作。說(shuō)明:若在兩管發(fā)射極上串聯(lián)電阻RE,則利用RE
的負(fù)反饋?zhàn)饔?,可擴(kuò)展線(xiàn)性范圍。RE
線(xiàn)性范圍
但Avd
25最大差模輸入電壓范圍:最大共模輸入電壓范圍:受VBR(BEO)
限制的最大差模輸入電壓。T1VCCvi1voVEEvi2RCRCT2R1R2R3T3
保證T1、T2、T3
管工作在放大區(qū),所對(duì)應(yīng)的最大共模輸入電壓。要保證T1、T2
管放大區(qū)工作:要保證T3
管放大區(qū)工作:26T1VCCvi1voVEEvi2RCRCT2RZRET3VZIDVIZminIZmax+-VZODZ27
MOS差放-差模傳輸特性
假設(shè)兩管特性完全相同,且工作于飽和區(qū),則:得T1VDDISSVSSRDRDT2iD1iD2vI1vI228可以證明:
當(dāng)|vID|<<2(VGSQ-VGS(th)
)時(shí),MOS差放線(xiàn)性工作。差模傳輸特性曲線(xiàn)OiD1-
iD2vIDISS-ISS-v
IDv
IDMOS差放進(jìn)入非線(xiàn)性限幅區(qū)。與雙極型差放不同:線(xiàn)性范圍與非限幅范圍
一般,MOS差放的線(xiàn)性與非限幅范圍均比雙極型差放大。294.5電流源電路及其應(yīng)用直流狀態(tài)工作時(shí),可提供恒定的輸出電流
I0。交流工作時(shí),具有很高輸出電阻
Ro,可作有源負(fù)載使用。+-VQ+vRiB恒定iC外電路(電流源電路)+-VQR電流源I0(直流狀態(tài))+-R電流源Rov(交流狀態(tài))電流源電路特點(diǎn):對(duì)電流源電路要求:直流狀態(tài)工作時(shí),要求I0
精度高、熱穩(wěn)定性好。交流狀態(tài)工作時(shí),要求Ro
大(理想情況Ro
)。利用iB
恒定時(shí),iC
接近恒流特性而構(gòu)成。電流源電路原理:304.5.1鏡像電流源電路
假設(shè)T1、T2
兩管?chē)?yán)格配對(duì),基本鏡像電流源T1VCCiC1RT2IRiC2=I0由于vBE1=vBE2根據(jù)得知因此,稱(chēng)iC2
是iC1
的鏡像。參考電流由于因此
IR
(
>>2)31
當(dāng)溫度變化時(shí),由于
、VBE(on)
的影響,I0
熱穩(wěn)定性降低。
IO精度及熱穩(wěn)定性由
當(dāng)
較小時(shí),I0與IR
之間不滿(mǎn)足嚴(yán)格的鏡像關(guān)系,I0
精度降低。
恒流特性由得知,當(dāng)考慮基寬調(diào)制效應(yīng)時(shí),根據(jù)
VA除了降低I0精度外,還造成Ro較小,I0恒流特性變差。RO=rce2得知,則得32減小
影響的鏡像電流源T1VCCiC1RT2IRIOiRET3結(jié)構(gòu)特點(diǎn)T1
管c、b之間插入一射隨器T3。電路優(yōu)點(diǎn)
減小分流i,提高I0
作為IR
鏡像的精度。由圖整理得式中輸出電阻
Ro=rce2電阻RE的作用33Ro增大,I0恒流特性得到改善。比例式鏡像電流源T1VCCiE1RT2IRIOR1R2iE2結(jié)構(gòu)特點(diǎn)兩管射極串接不同阻值的電阻。電路優(yōu)點(diǎn)由(
較大)(
較大)得當(dāng)時(shí),得式中34微電流源T1VCCRT2IRIOR2iE2令比例鏡像電流源中的R1=0。由式中
根據(jù)集成工藝的要求,電阻R不易做太大,故前述電流源的I0
只能做到mA
量級(jí)。得輸出電阻電路優(yōu)點(diǎn):可提供
A量級(jí)的電流,且Ro大,精度高。35
MOS鏡像電流源
MOS鏡像電流源與三極管基本鏡像電流源結(jié)構(gòu)相似,只是原參考支路中的電阻R被有源電阻T3
取代。T1VCCT2IRIOT3VSS若T1T2
性能匹配,工作在飽和區(qū)寬長(zhǎng)比分別為(W/l)1、(W/l)2根據(jù),得其中364.5.3有源負(fù)載差分放大器有源負(fù)載設(shè)定恒流偏置設(shè)定374.5.3有源負(fù)載差分放大器T1、T2
構(gòu)成的鏡像電流源代替RC4。T1VCCic3T2vi1T3T4IEEVEEioic4ic2vi2電路組成:T3、T4
構(gòu)成雙端輸入單端輸出差放。
電路特點(diǎn):
由鏡像電流源知當(dāng)差模輸入時(shí)則差模輸出電流當(dāng)共模輸入時(shí)則共模輸出電流38T1VCCic3T2vi1T3T4IEEVEEioic4ic2vi2性能分析:結(jié)論:
該電路不僅具有放大差模、抑制共模的能力,在單端輸出時(shí),還獲得雙端輸出的增益。由于則差模增益差模輸入電阻差模輸出電阻39T1VCCiC3T2vi1T3T4IEEVEEiOiC4iC2vi240414.6集成運(yùn)算放大器集成運(yùn)放是實(shí)現(xiàn)高增益放大功能的一種集成器件。
集成運(yùn)放性能特點(diǎn)Av
很大:(104~107或80~140dB)Ri
很大:(幾k
~105M
)Ro
很?。?幾十
)靜態(tài)輸入、輸出電位均為零。
集成運(yùn)放電路符號(hào)反相輸入端同相輸入端輸出端v-v+vo+-KCMRR
很大+-v-v+vo42
集成運(yùn)放電路組成
由于實(shí)際電路較復(fù)雜,因此讀圖時(shí),應(yīng)根據(jù)電路組成,把整個(gè)電路劃分成若干基本單元進(jìn)行分析。輸入級(jí)中間增益級(jí)輸出級(jí)偏置電路采用改進(jìn)型差分放大器采用1~2級(jí)共發(fā)電路采用射隨器或互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)放大器采用電流源43(1)輸入級(jí):一般采用差動(dòng)放大器;要求盡量減小零點(diǎn)漂移,盡量提高
KCMRR
,
輸入阻抗
ri
盡可能大。(2)中間級(jí):常采用發(fā)射極放大電路;要求有足夠大的電壓放大倍數(shù)。(3)輸出級(jí):采用互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)式射極跟隨器,以進(jìn)行功率放大,提高帶負(fù)載的能力;要求帶負(fù)載能力強(qiáng),足夠大的輸出電流io
和電壓uo,輸出阻抗ro小。(4)偏置電路:一般采用恒流源電路,以提供合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。44F007電路的外表及外接電路雙列直插式封裝:圓形外殼封裝:外接電路:調(diào)零電阻45識(shí)圖目的:
前面我們學(xué)習(xí)了二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等器件,以及由它們構(gòu)成的電壓電流放大器、差分放大器等單元電路。今天我們通過(guò)對(duì)F007電路的了解來(lái)復(fù)習(xí)、鞏固、深化所學(xué)知識(shí),并把認(rèn)識(shí)從孤立的單元上升到實(shí)際電路的目的。讀圖的方法:讀圖就是看懂電子電路的原理,弄清它的組成及功能,進(jìn)而進(jìn)行必要的定量估算。由于電子電路是對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理的電路。因而讀圖時(shí)應(yīng)以信號(hào)流向?yàn)橹骶€(xiàn),以基本單元電路為依據(jù),沿主要通路,將整個(gè)電路劃分成具有獨(dú)立功能的若干部分進(jìn)行分析。46F007內(nèi)部電路圖:47識(shí)圖的具體步驟:
1、了解用途、找出通路:為有助于弄清電路的工作原理,避免走彎路,讀圖前,應(yīng)先了解電路用于何處,起什么作用。在此基礎(chǔ)上,找出信號(hào)的傳輸通路,由于信號(hào)的流通樞紐是有源器件,因此應(yīng)以它為中心連線(xiàn)查找。
2、對(duì)照單元、化整為零:通路找出后,電路的主要部分就顯露出來(lái)了,為此對(duì)照所學(xué)的基本單元電路,將原理圖分成若干個(gè)具有單一功能的部分,畫(huà)出單元框圖,并定性分析每個(gè)部分的工作原理及功能。3、統(tǒng)觀整體,
估算性能:沿信號(hào)流向,用帶箭頭的線(xiàn)段把單元框圖連接成整體框圖,由此可看出各單元怎樣配合起來(lái)實(shí)現(xiàn)電路功能的。最后對(duì)各單元電路的性能進(jìn)行定量的估算。以得到整個(gè)電路的性能指標(biāo)。進(jìn)而加深對(duì)電路的認(rèn)識(shí),找到影響性能的主要環(huán)節(jié),為調(diào)試、維修,甚至改進(jìn)打下基礎(chǔ)。481、了解用途、找出通路:為有助于弄清電路的工作原理,避免走彎路,讀圖前,應(yīng)先了解電路用于何處,起什么作用。在此基礎(chǔ)上,找出信號(hào)的傳輸通路,由于信號(hào)的流通樞紐是有源器件,因此應(yīng)以它為中心連線(xiàn)查找。49簡(jiǎn)化電路圖:502、對(duì)照單元、化整為零:
通路找出后,電路的主要部分就顯露出來(lái)了,為此對(duì)照所學(xué)的基本單元電路,將原理圖分成若干個(gè)具有單一功能的部分,畫(huà)出單元框圖,并定性分析每個(gè)部分的工作原理及功能。5152
F007集成運(yùn)放內(nèi)部電路輸入級(jí)組成:由T1、T3
和T2、T4組成的共集—共基組合電路構(gòu)成雙入單出差放。T5、T6、T7
組成的改進(jìn)型鏡像電流源作T4
管的有源負(fù)載。T8、T9
組成的鏡像電流源代替差放的公共射極電阻REE。輸入級(jí)特點(diǎn):改進(jìn)型差放具有共模抑制比高、輸入電阻大、輸入失調(diào)小等特點(diǎn),是集成運(yùn)放中最關(guān)鍵的一部分電路。中間級(jí)組成:
T17構(gòu)成共發(fā)放大器。
T13B、T12組成的鏡像電流源作有源負(fù)載,代替集電極電阻RC。電路特點(diǎn):中間級(jí)是提供增益的主體,采用有源負(fù)載后,電壓增益很高。隔離級(jí):
T16管構(gòu)成的射隨器作為隔離級(jí),利用其高輸入阻抗的特點(diǎn),提高輸入級(jí)放大倍數(shù)。輸出級(jí)組成:
T14
與T20
組成甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)放大器。該放大器采用兩個(gè)射隨器組合而成。電路特點(diǎn):輸出電壓大,輸出電阻小,帶負(fù)載能力強(qiáng)。過(guò)載保護(hù)電路:
T15、R6
保護(hù)T14管,T21、T22、T24、R7
保護(hù)T20
管。正常情況保護(hù)電路不工作,只有過(guò)載時(shí),保護(hù)電路才啟動(dòng)。隔離級(jí):
T23A
管構(gòu)成的有源負(fù)載射隨器作為隔離級(jí),可提高中間級(jí)電壓增益。
T13A
與T12
組成的鏡像電流源作有源負(fù)載,代替T23A的發(fā)射極電阻RE。偏置電路:偏置電路一般包含在各級(jí)電路中,采用多路偏置的形式。
T10、T11構(gòu)成微電流源,作為整個(gè)集成運(yùn)放的主偏置。電平位移電路:輸入級(jí)共集—共基組合電路中,采用極性相反的NPN與PNP管進(jìn)行電平位移。不專(zhuān)門(mén)另設(shè)電平位移電路。
將上述單元電路功能綜合起來(lái)可見(jiàn),F(xiàn)007是實(shí)現(xiàn)高增益放大功能的一種集成器件。它具有高Ri、低Ro、高Av、高KCMR
、零輸入時(shí)零輸出等特點(diǎn),是一種較理想的電壓放大器件。534.7放大器的頻率響應(yīng)從系統(tǒng)的觀點(diǎn)看,小信號(hào)放大器為線(xiàn)性時(shí)不變系統(tǒng)。傳遞函數(shù)和極零點(diǎn)4.7.1復(fù)頻域分析法輸入激勵(lì)信號(hào)
x(t)輸出激勵(lì)信號(hào)
y(t)若設(shè)拉氏變換X(s)Y(s)在初始條件為零時(shí),定義系統(tǒng)的傳遞函數(shù):(m
n)式中:標(biāo)尺因子H0
=bm/an
,z為零點(diǎn),p為極點(diǎn)。54
在可實(shí)現(xiàn)的穩(wěn)定有源線(xiàn)性系統(tǒng)中,分母多項(xiàng)式各系數(shù)恒為正實(shí)數(shù),極點(diǎn)必為負(fù)實(shí)數(shù)或?qū)嵅繛樨?fù)值的共軛復(fù)數(shù)。
零點(diǎn)可以是負(fù)實(shí)數(shù)或?qū)嵅繛樨?fù)值的共軛復(fù)數(shù);也可以是正實(shí)數(shù)或?qū)嵅繛檎档墓曹棌?fù)數(shù)。
在僅含容性電抗元件的系統(tǒng)中:只要不出現(xiàn)由電容構(gòu)成的閉合回路,則極點(diǎn)數(shù)=電容數(shù)。若出現(xiàn)閉合回路,則極點(diǎn)數(shù)=獨(dú)立電容數(shù)。C1C2C3圖示閉合回路,極點(diǎn)數(shù)=2說(shuō)明551)寫(xiě)出電路傳遞函數(shù)表達(dá)式
A(s)
頻率響應(yīng)分析步驟復(fù)頻域內(nèi),無(wú)零多極系統(tǒng)傳遞函數(shù)一般表達(dá)式:
2)令s=j
,寫(xiě)出頻率特性表達(dá)式
A(j
)設(shè)極點(diǎn)均為負(fù)實(shí)數(shù)(
p
=
-
p),則4)確定上、下限角頻率
3)繪制漸近波特圖56
RC低通電路頻率響應(yīng)CR+-+-vi(t)vo(t)
由圖,傳遞函數(shù)表達(dá)式:時(shí)間常數(shù)式中,
令s=j
,則頻率特性表達(dá)式:幅值:或相角:57
繪制漸近波特圖:根據(jù)畫(huà)出幅頻波特圖畫(huà)出相頻波特圖漸近波特圖畫(huà)法:幅頻
<<
p時(shí),
>>
p時(shí),
=
p時(shí),相頻
<0.1
p時(shí),
>10
p
時(shí),
=
p
時(shí),-20dB/10倍頻O
p0.1
p10
pAv(
)/dB
-20-3-5.7
O
p0.1
p10
p
A(
)
-45
-90
-45
/10倍頻58確定上限角頻率:O
p0.1
p10
pAv(
)/dB
-20O
p0.1
p10
p
A(
)
-45
-90
-20dB/10倍頻-45
/10倍頻歸納一階因子漸近波特圖畫(huà)法:幅頻漸近波特圖:已知
自0dB水平線(xiàn)出發(fā),經(jīng)
p
轉(zhuǎn)折成斜率為(–20dB/10倍頻)的直線(xiàn)。相頻漸近波特圖:
自0
水平線(xiàn)出發(fā),經(jīng)0.1
p
處轉(zhuǎn)折,斜率為(–45
/10倍頻),再經(jīng)10
p
處轉(zhuǎn)折為-90
的水平線(xiàn)。因
=p
時(shí),
H=p59
RC高通電路頻率響應(yīng)由圖,傳遞函數(shù)表達(dá)式:時(shí)間常數(shù)式中,令s=j
,則頻率特性表達(dá)式:幅值:相角:CR+-+-vi(t)vo(t)下限角頻率:因
=p
時(shí),
L=p60O
p0.1
p10
p
A(
)
45
90
繪制漸近波特圖:根據(jù)畫(huà)出幅頻波特圖畫(huà)出相頻波特圖O
p0.1
p10
pAv(
)/dB
-2020dB/十倍頻-45
/十倍頻幅頻漸近波特圖:
>p:0dB水平線(xiàn);
<p:斜率為(20dB/十倍頻)的直線(xiàn)。相頻漸近波特圖:
<0.1
p:
90
的水平線(xiàn)。
0.1
p
<<10
p:斜率為(–45
/十倍頻)的直線(xiàn)。
>10
p:0
水平線(xiàn)。61
多極點(diǎn)系統(tǒng)頻率響應(yīng)利用RC低通電路分析結(jié)果,得傳遞函數(shù)表達(dá)式:式中C1R1+-+-vivoAv1C2R2Av2C3R3Av3
如圖所示的三級(jí)理想電壓放大器,Ri
,Ro0。試畫(huà)漸近波特圖,并求
H。已知R1C1>R2C2>R3C3
。62頻率特性表達(dá)式:幅頻及相頻表達(dá)式:均為單階因子波特圖的疊加。假設(shè)O
p20.1
p110
p3
A(
)
-90
p1
p3-180
-270
O
p2
p1
p3Av(
)/dB
204060-20
p3-20dB/10倍頻-40dB/十倍頻-60dB/十倍頻-45
/10倍頻-90
/十倍頻-45
/十倍頻63歸納多極點(diǎn)系統(tǒng)漸近波特圖畫(huà)法:幅頻漸近波特圖:
自中頻增益
AvI(dB)的水平線(xiàn)出發(fā),經(jīng)
pn
轉(zhuǎn)折成斜率為(–
20dB/十倍頻)的直線(xiàn)。相頻漸近波特圖:
自0
水平線(xiàn)出發(fā),經(jīng)0.1
p1
處開(kāi)始轉(zhuǎn)折,斜率為:(–
45
/十倍頻)乘以(單階因子重疊的段數(shù)),再經(jīng)10
pn
,轉(zhuǎn)折成-
90
的折線(xiàn)。已知64確定上限角頻率:根據(jù)定義,當(dāng)
=H
時(shí):即整理并忽略高階小量得到上限角頻率為若
p24
p1,則稱(chēng)
p1
為主極點(diǎn),
p2、
p3
為非主極點(diǎn)。上限角頻率取決于主極點(diǎn)角頻率:65
高頻工作,考慮三極管極間電容影響時(shí),
為頻率的復(fù)函數(shù)。三極管頻率特性參數(shù)rbb
rberceCbeCbcgmVbe(s)b
ebcIb(s)Ic(s)根據(jù)定義經(jīng)推導(dǎo)得其中
指
(
)下降到中頻
的0.707倍時(shí)對(duì)應(yīng)的角頻率。共發(fā)電路截止角頻率
()
O4.7.2共發(fā)放大器的頻率響應(yīng)66當(dāng)
=
T
時(shí)因此
T=
指
(
)下降到1時(shí),對(duì)應(yīng)的角頻率。
特征角頻率
T根據(jù)
T>>
T是三極管具有電流放大作用的最高極限角頻率。及
T1
()
O67
指
(
)下降到中頻
的0.707倍時(shí)對(duì)應(yīng)的角頻率。共基電路截止角頻率
>
T
>>
根據(jù)及整理得其中
三個(gè)頻率參數(shù)中應(yīng)用最廣、最具代表性的是特征角頻率
T。通常,
T
越高,三極管高頻性能越好,構(gòu)成的放大器上限頻率越高。
68設(shè)原四端網(wǎng)絡(luò)傳遞函數(shù):
密勒定理網(wǎng)絡(luò)+-+-V1(s)V2(s)Y
(s)網(wǎng)絡(luò)+-+-V1(s)V2(s)Y1(s)Y2(s)密勒定理等效后:69
單向化近似高頻等效電路
rbb
rberceCbeCbcgmVbe(s)b
Vo(s)RS+-RCRL+-Vs(s)ecIc(s)由等效電路整理得單向化近似條件則共發(fā)交流通路RC+-vo+-vsRLRS+-vi70共發(fā)高頻等效電路及密勒近似密勒等效rbb
rbeCbegmVbe(s)b
Vo(s)RS+-R
L+-Vs(s)Y1(s)Y2(s)高頻等效電路
rbb
rberceCbeCbcgmVbe(s)b
Vo(s)RS+-RCRL+-Vs(s)ec71rbb
rbeCbegmVbe(s)b
Vo(s)RS+-R
L+-Vs(s)CM1CM2簡(jiǎn)化等效電路中:密勒效應(yīng)倍增因子:CtgmVbe(s)b
Rt+-R
L+-由簡(jiǎn)化等效電路得式中增益與上限頻率72共發(fā)電路增益帶寬積
GBW
定義其中1)選rbb
小、Cbc
小、
T
高的三極管使GBW
。若D1,則
H
T,此時(shí)上限角頻率最高。2)管子選定后采用恒壓源(RS
0)激勵(lì):采用恒流源(RS
)激勵(lì):D1時(shí),
H
,上限頻率降低。3)RL
D
H
,但AvsI
。需兼顧兩者。73提高共發(fā)電路上限頻率的方法:在電路輸入端采用低阻節(jié)點(diǎn)(即RS
小)。在電路輸出端也采用低阻節(jié)點(diǎn)(即RL
小)。
此時(shí),共發(fā)電路上限角頻率
H最高,且接近管子特征角頻率
T。74簡(jiǎn)化等效電路
Ib(s)rbb
rbeCbegmVbe(s)b
Vo(s)RS+-R
L+-Vs(s)e
共集放大器4.7.3共集和共基放大器的頻率響應(yīng)高頻等效電路
rbb
rberceCbeCbcgmVbe(s)b
Vo(s)RS+-RERL+-Vs(s)ec由于因此,Cbc
可忽略不計(jì)。令RL=rce//RE//RL共集交流通路
RE+-vo+-vsRLRS75共集簡(jiǎn)化等效電路
Ib(s)rbb
rbeCbegmVbe(s)b
Vo(s)RS+-R
L+-Vs(s)e由簡(jiǎn)化等效電路:式中零點(diǎn)角頻率:
極點(diǎn)角頻率:
并聯(lián)在Cbe
兩端的總電阻
采用恒壓源(RS
0)激勵(lì):共集電路輸入為低阻節(jié)點(diǎn)(RS
小)時(shí),上限角頻率
H
T??紤]到混型電路實(shí)際情況,共集電路應(yīng)工作在
T/3以下。
76
共基放大器由圖高頻等效電路(忽略
rbb
、rce)rbeCbeCbcgmVeb
(s)b
Vo(s)RS+-R
L+-Vs(s)ecIe(s)整理得受控源其中共基交流通路
+-vo+-vsRSRCRL77由簡(jiǎn)化等效電路:式中共基電路輸出為低阻節(jié)點(diǎn)(RL
小)時(shí),上限角頻率
H
由于Cbc
很小,因此當(dāng)RL
較小時(shí):
p2>>
p1由主極點(diǎn)概念:
H
P1
結(jié)論:三種組態(tài)電路中,共基電路頻率特性最好、共發(fā)最差。re
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