微機原理存儲器部分

1某計算機的主存為3KB，則內(nèi)存地址寄存器需______位就足夠了。12在某一存儲系統(tǒng)中，設有只讀存儲器10KB，隨機存儲器54KB，使用16位地址來尋址。其中，只讀存儲器位于低地址段，其地址范圍為_______________。

0000～27FFH若256KB的SRAM具有8條數(shù)據(jù)線，則它具有________條地址線。

182設存儲器的地址線為20條，存儲單元為字節(jié)，使用全譯碼方式組成存儲器，該系統(tǒng)構(gòu)成的最大存儲器容量需要64K×1位的存儲器芯片的數(shù)量是_________片。

128一個有16個字的數(shù)據(jù)區(qū)，它的起始地址為70A0:DDF6H，那么該數(shù)據(jù)區(qū)的最后一個單元的物理地址為___________。

7E815H3設存儲器的地址線有16條，存儲基本單元為字節(jié)，若采用2K×4位芯片，按全譯碼方法組成存儲器，當該存儲器被擴充成最大容量時，需要此種存儲器芯片的數(shù)量是_______。

64片

設某靜態(tài)RAM芯片的容量為8K×8位，若用它組成32K×8的存儲器，所用芯片數(shù)以及這種芯片的片內(nèi)地址線數(shù)目是_____________。4片13根4用74LS138作譯碼器，如圖所示，若將Y1接到存儲器的片選信號上，則存儲器的地址范圍為______。Y0Y1Y7G1G2AG2BABC＋5VM/IOA15A14A13A124000H～4FFFH5某同學在做實驗時，按如圖連接芯片的譯碼電路，得知該芯片的地址范圍為3000H～37FFH。試問該芯片的CS端應接到74LS138的_____。

Y0Y1Y7G1G2AG2BABC＋5VM/IOA15A14A13A12Y6612.

在如圖所示的電路（與上題同一電路），假設Y5與電源Vcc短接，則以下四種現(xiàn)象中，肯定會發(fā)生的是_______。A)系統(tǒng)仍然正常工作。B)系統(tǒng)不能正常工作C)Y5端所選擇的地址范圍能被照常訪問D)Y5端所選擇的地址范圍不能被訪問D)Y5端所選擇的地址范圍不能被訪問7在如圖的譯碼電路中，為了使每個輸出端接到存儲器芯片的CS端時，可以選中的地址范圍是4KB，則該圖中C,B,A三端與CPU的地址線的對應連接可為_____。A)僅A14,A13,A12 B)僅A12,A13,A14C)僅A14,A12,A13 D)A12,A13,A14任意組合

Y0Y1Y7G1G2AG2BABC+5VM/IOA15D)A12,A13,A14任意組合8若要求Y4尋址的存儲器范圍為8800H~8FFFH，則B，C端應分別接_______。

Y0Y1Y7G1G2AG2BABCA15M/IOA14A13A12,A11上題中，若要求Y4尋址的I/O端口地址范圍為0800H~0FFFH，則須相互調(diào)換的引腳信號應為______________。

M/IO，A159使用256KB×4的存儲器芯片組成1MB的存儲器系統(tǒng)，其地址線至少需要____條

20

在對存儲器進行訪問時，地址線有效和數(shù)據(jù)線有效的時間關系應為_____。A)同時有效同時無效

B)地址線較先有效C)數(shù)據(jù)線較先有效

B)地址線較先有效10如圖是8片4K×8位的RAM構(gòu)成的一個隨機存取存儲器，如果A14A13A12分別為000～111時，則分別被選中的存儲區(qū)域（范圍）的十六機制表示是_____。RAM0CSOEA12A13A14Y0Y1Y7RAM0CSOERAM0CSOEA0～A11MEMRA14A13A12＝000地址為0000H～0FFFHA14A13A12＝001地址為1000H～1FFFH11現(xiàn)有4K×8位的RAM和ROM存儲器芯片各一片，其地址線連接方法如圖P88所示。在正常情況下，ROM所占的地址空間為_________，RAM所占的地址空間為_____。

ROMCSA14A0～A11A15MEMRD0～D7A0A11RAMCSMEMRD0～D7A0A11數(shù)據(jù)總線MEMW4000H～7FFFH8000H～BFFFH12

PROM存儲器是指_______。A)可以讀寫的存儲器 B)可以由用戶一次性寫入的存儲器C)可以由用戶反復多次寫入的存儲器D)用戶不能寫入的存儲器B)可以由用戶一次性寫入的存儲器13在Intel2164動態(tài)RAM存儲器中，對存儲器的刷新方法是_____。A)每次一個單元 B)每次刷新512個單元C)每次刷新256個單元

D)一次刷新全部單元

B)每次刷新512個單元14若用1片74LS138、1片6116RAM(2K×8)及2片2732EPROM(4K×8)組成存儲器電路，試問：2732的片內(nèi)地址線是_____根。

要求2片2732的地址范圍為0000H～1FFFH，設高位地址線接至74LS138，此時A15及A12的狀態(tài)是______。

存儲器的總?cè)萘渴莀_______。A)A15=1,A12=0 B)A15=0,A12=0或1 C)A15=0,A12=1 D)A15=0,A12=010KB12B)A15=0,A12=0或115

下述EPROM的改寫過程，正確的是_____。A)使WR信號有效就可以改寫 B)先用高電壓擦除，再改寫新數(shù)據(jù)C)先用紫外線擦除，再用高電壓寫新數(shù)據(jù)D)先用紫外線擦除，再用＋5V電壓寫新數(shù)據(jù)

C)先用紫外線擦除，再用高電壓寫新數(shù)據(jù)16在進行RAM擴充實驗時，某同學的接線出現(xiàn)____，但存儲器還能正常讀寫。A)D1與D5交換 B)WR與CS線交換C)D1與A1交換

D)＋5V電源線與地線交換

A)D1與D5交換在進行EPROM擴充實驗時，某同學發(fā)現(xiàn)讀出的所有單元中的數(shù)據(jù)與原數(shù)據(jù)不一樣，即D2位總是為1，這說明發(fā)生了______。

A)接至D2的線已斷 B)電源沒有接地C)D2接至A2 D)D2與A2交換

A)接至D2的線已斷17某微機系統(tǒng)的部分接線如圖，在8088系統(tǒng)中,（a）應接_____，（b）應接_______________，RAM芯片II的地址范圍為_______________________。

M/IO經(jīng)反相的M/IOFE800H～FEFFFH18若由1K×1位的RAM芯片組成一個容量為8K字（16位）的存儲器時，需要該芯片數(shù)為___________。

128片某電路用12根地址線連接4片RAM，第一片RAM至第四片RAM的地址分別為0000H～03FFH,0400H～07FFH,0800H～0BFFH,0C00H～0FFFH,后發(fā)現(xiàn)存往第二片的數(shù)據(jù)都被存入第四片，其原因之一是_____。A)A12斷線

B)A11斷線

C)A10斷線

D)A9斷線

B)A11斷線19RAM的地址范圍是____________________。為了使系統(tǒng)能夠正常工作，27128芯片的A13引腳應接__________（高、低）電平。8255A口的地址是__________。D2000H～D3FFFH低電平1101111××××××××××0020已知6116RAM(2K×8)的地址范圍為0000H～07FFH,發(fā)現(xiàn)其中低1K字節(jié)與高1K字節(jié)的每個對應單元內(nèi)容相同(即0000H與0400H內(nèi)容相同,其余依次類推),其原因是___.A)僅片內(nèi)最高地址線與電源短路 B)僅片內(nèi)最高地址線開路C)僅片內(nèi)最高地址線與地短路D)以上三種情況都可能

D)以上三種情況都可能

21若某RAM芯片的地址線A0與地短路，則_____。A)該芯片不能讀寫數(shù)據(jù)B)會燒壞芯片C)只能讀寫偶地址單元D)只能讀寫奇地址單元

C)只能讀寫偶地址單元22用1K×4存儲器芯片組成16K×8存儲器子系統(tǒng)時，需用地址線總數(shù)量最少為________。

14根一個半導體存儲器的芯片的引腳有A13~A0、D3～D0、WE、CE、CS、Vcc、GND等，該芯片的存儲容量是_________，用該芯片組成一個64KB的存儲器，需要____個獨立的片選信號。

16K×4423一個SRAM芯片，有14條地址線和8