版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
高考化學(xué)《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》文字說(shuō)理題匯總?cè)鄯悬c(diǎn)原因解釋1.鎳和苯基硼酸在催化劑作用下可以合成丙烯醇(CH2=CH-CH2OH),其相對(duì)分子質(zhì)量等于丙醛(CH3CH2CHO),但兩者沸點(diǎn)相差較大,原因是丙烯醇可與形成分子間氫鍵,熔沸點(diǎn)高。2.元素As與N同族。預(yù)測(cè)As的氫化物分子的立體結(jié)構(gòu)為三角錐形,其沸點(diǎn)比NH3的低(填“高”或“低”),其判斷理由是NH3可以形成氫鍵使沸點(diǎn)增大。3.苯胺()的晶體類(lèi)型是___分子晶體____。苯胺與甲苯()的相對(duì)分子質(zhì)量相近,但苯胺的熔點(diǎn)(-5.9℃)、沸點(diǎn)(184.4℃)分別高于甲苯的熔點(diǎn)(-95.0℃)、沸點(diǎn)(110.6℃),原因是苯胺可以形成氫鍵熔沸點(diǎn)高。4.NH3、PH3、AsH3的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹H3>AsH3>PH3(填化學(xué)式,下同),其判斷理由是NH3可以形成氫鍵熔沸點(diǎn)最高,PH3、AsH3只有分子間作用力,相對(duì)分子質(zhì)量AsH3>PH3,AsH3范德華力大,熔沸點(diǎn)較高。5.氨的沸點(diǎn)高于(填“高于”或“低于”)膦(PH3),原因是氨分子間可形成氫鍵;氨是___極性__分子(填“極性”或“非極性”),中心原子的軌道雜化類(lèi)型為_(kāi)__sp3____。6.Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示,TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物,自TiCl4至TiI4熔點(diǎn)依次升高,原因是TiF4為離子化合物,熔點(diǎn)高,其他三種鹵化物為共價(jià)化合物,隨相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力增大,熔點(diǎn)逐漸升高。化合物TiF4TiCl4TiBr4TiI4熔點(diǎn)/℃377﹣24.1238.31557.H2S的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的H2O的氫化物,其原因是H2S分子間不存在氫鍵,H2O分子間存在氫鍵。8.乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但相對(duì)分子質(zhì)量相近,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是乙二胺可以形成氫鍵沸點(diǎn)高,三甲胺不能形成氫鍵,沸點(diǎn)低。9.K和Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低,原因是K原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少,金屬鍵較弱。10.在CO2低壓合成甲醇反應(yīng)(CO2+3H2=CH3OH+H2O)所涉及的4種物質(zhì)中,沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)镠2O>CH3OH>CO2>H2,原因是_H2O與CH3OH均為極性分子,H2O中氫鍵比甲醇中多;CO2與H2均為非極性分子,CO2相對(duì)分子質(zhì)量較大,范德華力大。11.圖(a)為S8的結(jié)構(gòu),其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多,主要原因?yàn)镾8相對(duì)分子質(zhì)量大,分子間范德華力強(qiáng)12.基態(tài)Co原子的價(jià)層電子排布圖為_(kāi)_____;金屬Co的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)均高于金屬K的原因?yàn)榻饘貱o的價(jià)電子數(shù)比K多,原子半徑比K小,金屬鍵強(qiáng),熔沸點(diǎn)高。13.碳酸亞乙酯()是某鋰離子電池電解液的添加劑,該物質(zhì)能溶于水,請(qǐng)解釋原因碳酸亞乙酯可以與水分子形成氫鍵,增大溶解性。14.金屬鎵(Ga)位于元素周期表中第4周期IIIA族,其鹵化物的熔點(diǎn)如下表:GaF3GaCl3GaBr3熔點(diǎn)/℃>100077.75122.315.GaF3熔點(diǎn)比GaCl3熔點(diǎn)高很多的原因是GaF3是離子晶體,微粒間作用力是離子鍵,GaCl3是分子晶體,微粒間作用力是分子間作用力,離子鍵強(qiáng)度大于分子間作用力,熔點(diǎn)高。16.氯化鈉的熔點(diǎn)(804℃)低于氟化鈉的熔點(diǎn)(933℃)的主要原因是F-半徑小于Cl-半徑,NaF晶格能大于NaCl,熔點(diǎn)高。17.CoO的熔點(diǎn)高于CoS的原因是O2-半徑比S2-半徑小,CoO晶格能大于CoS,熔點(diǎn)高。18.鎳白銅(銅鎳合金)可用于制作仿銀飾品。第二電離能___>___(填“>”或“<”),其原因?yàn)殂~失去的是全充滿(mǎn)的3d10電子,而鎳失去的是4s1電子。19.O有兩種同素異形體,其中沸點(diǎn)高的是O3(填分子式),原因是O3相對(duì)分子質(zhì)量較大且是極性分子,范德華力較大。20.肼(N2H4)的相對(duì)分子質(zhì)量與乙烯接近,但沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于乙烯的原因是肼可以形成氫鍵沸點(diǎn)高。21.一些氧化物的熔點(diǎn)如表所示:氧化物L(fēng)i2OMgOP4O6SO2熔點(diǎn)/°C1570280023.8?75.5解釋表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的原因Li2O、MgO為離子晶體,P4O6、SO2為分子晶體。晶格能:MgO>Li2O。分子間作用力(分子量):P4O6>SO2SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是SiX4屬于分子晶體,其鹵化物相對(duì)分子質(zhì)量質(zhì)量越大,范德華力大,熔沸點(diǎn)高。23.Fe3+可用SCN-檢驗(yàn),其對(duì)應(yīng)的酸有兩種,分別為硫氰酸(H-S-C≡N)和異硫氰酸(H-N=C=S),這兩種酸中沸點(diǎn)較高的是異硫氰酸(H-N=C=S),原因是異硫氰酸分子間存在氫鍵,而硫氰酸(H-S-C≡N)分子間不存在氫鍵。24.比較與的沸點(diǎn)高低并分析原因:的沸點(diǎn)更高;原因形成分子內(nèi)氫鍵,而形成分子間氫鍵,分子間氫鍵使分子間作用力增大,物質(zhì)沸點(diǎn)升高;25.GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是GaF3是離子晶體,而GaCl3是分子晶體,離子鍵比分子間作用力大得多,故GaF3的熔沸點(diǎn)更高;26.已知常溫下TiCl4為液體,MgCl2的熔沸點(diǎn)比TiCl4高得多,其原因是MgCl2是離子晶體,TiCl4是分子晶體,離子鍵比分子間作用力大得多,故MgCl2的熔沸點(diǎn)比TiCl4高得多。有關(guān)溶解性原因解釋27.CuCl難溶于水但易溶于氨水,其原因是Cu+可與氨水形成易容于水的配合物。此化合物的氨水溶液遇到空氣則被氧化為深藍(lán)色,深藍(lán)色溶液中陽(yáng)離子的化學(xué)式為[Cu(NH3)4]2+。28.ZnF2具有較高的熔點(diǎn)(872℃),其化學(xué)鍵類(lèi)型是離子鍵;ZnF2不溶于有機(jī)溶劑而ZnCl2、ZnBr2、ZnI2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑,原因是ZnCl2、ZnBr2、ZnI2的化學(xué)鍵以共價(jià)鍵為主、極性較小易容于極性溶劑。29.尿素[CO(NH2)2]易溶于水,原因尿素與水分子之間可以形成氫鍵。30.碳能與氫、氮、氧三種元素組成化合物CO(NH2)2,該物質(zhì)易溶于水的主要原因是CO(NH2)2與水分子之間可以形成氫鍵。31.HCHO分子中碳原子軌道的雜化類(lèi)型是sp2,福爾馬林(HCHO的水溶液),HCHO極易與水互溶的主要原因是HCHO與水分子之間可以形成氫鍵。32.三乙基鋁溶于苯、二甲苯、汽油等烴類(lèi)有機(jī)溶劑,原因是三乙基鋁與烴類(lèi)有機(jī)溶劑都是非極性分子,相似相容。33.HF和HCl在水中的溶解度HF較大,原因是HF水分子之間可以形成氫鍵增大了溶解性。34.甘氨酸()中N原子的雜化軌道類(lèi)型為sp3;甘氨酸易溶于水,試從結(jié)構(gòu)角度解釋甘氨酸為極性分子,水也是極性分子相似相容,且可與水分子形成氫鍵增大溶解性。有關(guān)電離能的原因解釋35.黃銅是人類(lèi)最早使用的合金之一,主要由Zn和Cu組成。第一電離能Ⅰ1(Zn)_大于___Ⅰ1(Cu)(填“大于”或“小于”)。原因是Zn原子核外電子排布為全滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu),較難失電子。36.(2020年全國(guó)Ⅰ卷)Li及其周期表中相鄰元素的第一電離能(I1)。I1(Li)>I1(Na),原因是同主族元素,原子半徑增大,第一電離能減小Na原子半徑比Li原子半徑大,第一電離能減小。I1(Be)>I1(B)>I1(Li),原因是同一周期第一電離能有增大的趨勢(shì),Be原子的s能級(jí)是全滿(mǎn)結(jié)構(gòu),不易失電子。37.As與Ge、Se同周期且相鄰,它們的第一電離能由大到小的順序?yàn)?As>Se>Ge(用元素符號(hào)表示),原因是.同一周期第一電離能有增大的趨勢(shì),As原子的4p能級(jí)是半充滿(mǎn),較穩(wěn)定不易失電子。38.元素銅與鎳的第二電離能分別為ICu=1958kJ?mol﹣1、INi=1753kJ?mol﹣1,ICu>INi的原因是
銅失去的是全充滿(mǎn)的3d10電子,而鎳失去的是4s1電子。39.元素MnFe電離能(kJ?mol﹣1)I1717759I215091561I332482957Mn元素價(jià)電子的電子排布式為3d54s2,比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)Mn2+再失去一個(gè)電子比氣態(tài)Fe2+再失去一個(gè)電子難.對(duì)此,你的解釋是:由Mn2+轉(zhuǎn)化為Mn3+時(shí),3d能級(jí)由穩(wěn)定的3d5半充滿(mǎn)狀態(tài)轉(zhuǎn)化為不穩(wěn)定的3d4狀態(tài)時(shí)需要的能量較多;而Fe2+到Fe3+時(shí),3d能級(jí)由不穩(wěn)定的3d6到穩(wěn)定的3d5半充滿(mǎn)狀態(tài),需要的能量相對(duì)較少。40.銅的第一電離能為746kJ·mol-1,第二電離能為1958kJ·mol-1。請(qǐng)結(jié)合核外電子排布相關(guān)知識(shí)解釋?zhuān)~第二電離能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第一電離能的原因是Cu+中的3d軌道處于全充滿(mǎn)狀態(tài),較穩(wěn)定。41.Cu2O比CuO穩(wěn)定,從離子的電子層結(jié)構(gòu)角度分析,其主要原因是Cu2O中Cu+的外圍電子排布式為3d10,CuO中Cu2+的外圍電子排布式為3d9,前者達(dá)到全充滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。42.元素鐵與銅的第二電離能分別為:ICu=1958kJ·mol-1、IFe=1561kJ·mol-1,ICu>IFe的原因是:銅失去1個(gè)電子后為3d10,軌道為全充滿(mǎn),相對(duì)較穩(wěn)定,再失去電子較困難;而鐵失去1個(gè)電子后為3d64s1,再失去電子相對(duì)較容易。43.Fe3+比Fe2+穩(wěn)定的主要原因是:Fe2+的價(jià)電子排布式為3d6,而Fe3+的價(jià)電子排布式為3d5,軌道為半充滿(mǎn),相對(duì)較穩(wěn)定。44..N、O兩元素的第一電離能大小關(guān)系為:N>O,原因是:N的價(jià)電子排布式為2S22p3,2p軌道為半充滿(mǎn),相對(duì)較穩(wěn)定,失去第一個(gè)電子較困難,而O的價(jià)電子排布式為2S22p4。有關(guān)配合物的原因解釋45.乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)能與Mg2+、Cu2+等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子,其原因是乙二胺的兩個(gè)N提供孤對(duì)電子與金屬離子形成配位鍵。46.NH3比NF3更易作配體的原因?yàn)镹H3中N原子更容易提供孤電子對(duì)。47.Co3+在水中易被還原成Co2+,而在氨水中可穩(wěn)定存在,其原因?yàn)镃o3+可與NH3形成較穩(wěn)定的配合物。48.HgCl42-比HgI42-更不穩(wěn)定(填“穩(wěn)定”或“不穩(wěn)定”),因?yàn)镃l的電負(fù)性比I強(qiáng),給出電子的能力較弱,形成的配位鍵較弱,配合物不穩(wěn)定。49.某配合物[Cu(NH3)4(H2O)2]SO4加熱時(shí)首先失去的組分是H2O,判斷理由是H2O與Cu2+形成的配位鍵比NH3與Cu2+形成的配位鍵弱有關(guān)鍵角的原因解釋50.H3BO3分子中的O—B—O的鍵角大于(填“大于”“等于”或“小于”)BHeq\o\al(-,4)中的H—B—H的鍵角,判斷依據(jù)是H3BO3分子中的B采取sp2雜化,而B(niǎo)H4-中的B采取sp3雜化,sp2雜化形成的鍵角大于sp3雜化。51.AsH3分子為三角錐形,鍵角為91.80°,小于氨分子鍵角107°,AsH3分子鍵角較小的原因是砷原子電負(fù)性小于氮原子,其共用電子對(duì)離砷核距離較遠(yuǎn),斥力較小,鍵角較小。52.SeO42—中Se—O的鍵角比SeO3的鍵角小(填“大”或“小”),原因是SeO42—空間構(gòu)型為正四面體,鍵角為109°28′,SeO3空間構(gòu)型為平面正三角形,鍵角為120°。53.H2O中H—O—H鍵角比H3O+中H—O—H鍵角小,原因是:H2O和H3O+中O原子都是sp3雜化,但H2O分子中O原子上有兩對(duì)孤電子對(duì),對(duì)成鍵電子排斥力大,而H3O+中O原子上只有一對(duì)孤電子對(duì),排斥力小。有關(guān)化學(xué)鍵的原因解釋54.碳在形成化合物時(shí),其鍵型以共價(jià)鍵為主,原因是C有4個(gè)價(jià)電子且半徑小,難以通過(guò)得或失電子達(dá)到穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)。55.NH4F、NH4I中,較易分解的是_NH4F_,原因是F原子半徑比I原子小,F(xiàn)-更容易奪取NH4+中的H+,H-F更容易形成。56.二氧化碳晶體硬度很小,而二氧化硅晶體的硬度很大,其原因是CO2是分子晶體,微粒間作用力是分子間作用力,SiO2是原子晶體,微粒間作用力是共價(jià)鍵,比分子間作用力強(qiáng)。57.MgCO3、CaCO3、SrCO3、BaCO3的熱穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)锽aCO3>SrCO3>CaCO3>MgCO3,其原因是碳酸鹽分解的本質(zhì)為CO32-生成CO2和O2-,O2-與金屬陽(yáng)離子結(jié)合的過(guò)程,而MgO晶格能最大最穩(wěn)定,故MgCO3最易分解。58.已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)相同,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66pm和69pm。則熔點(diǎn):MgO>NiO(填“>”“<”或“=”),理由是Mg2+半徑比Ni2+小,MgO的晶格能比NiO大。有關(guān)酸性的原因解釋59.HClO4的酸性強(qiáng)于HClO2的原因?yàn)镠ClO4的非羥基氧數(shù)目比HClO2多,導(dǎo)致HClO4更容易電離出H+。60.H2Se水溶液比H2S水溶液的酸性強(qiáng),原因是Se的半徑大于S,H-Se容易斷裂。61.S有兩種常見(jiàn)的含氧酸,較高價(jià)的酸性比較低價(jià)的酸性_強(qiáng)___,理由是S的正電性越高,導(dǎo)致S—O—H中O的電子向S偏移,因而在水分子的作用下,也就越容易電離出H+,即酸性越強(qiáng)(或回答非羥基氧數(shù)目)。62.NaBrO、NaBrO2、NaBrO3、NaBrO4四種鈉鹽中,Br的雜化方式均為_(kāi)__sp3_____雜化,陰離子空間構(gòu)型為三角錐形的是NaBrO3_
(填化學(xué)式)。上述四種鈉鹽對(duì)應(yīng)的酸的酸性依次增強(qiáng),試解釋HBrO4的酸性強(qiáng)于HBrO3的原因NaBrO3HBrO3
和HB
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- A證(企業(yè)負(fù)責(zé)人)-安全員A證考試模擬題練習(xí)
- 滬科版九年級(jí)物理全一冊(cè)《第十七章從指南針到磁浮列車(chē)》章末測(cè)試卷含答案
- 國(guó)企工會(huì)換屆上的領(lǐng)導(dǎo)講話(huà)-凝聚奮進(jìn)力量 彰顯工會(huì)作為
- 科技孵化器入駐企業(yè)潛力篩選
- 電力系統(tǒng)設(shè)備故障預(yù)防與處理流程
- 高一化學(xué)二第三章有機(jī)化合物練習(xí)
- 2024屆安徽省示范高中培優(yōu)聯(lián)盟高考化學(xué)三模試卷含解析
- 2024高中地理第3章地理信息技術(shù)應(yīng)用第2節(jié)遙感技術(shù)及其應(yīng)用學(xué)案湘教版必修3
- 2024高中物理第二章交變電流第二節(jié)交變電流的描述達(dá)標(biāo)作業(yè)含解析粵教版選修3-2
- 2024高中語(yǔ)文第一單元以意逆志知人論世書(shū)憤訓(xùn)練含解析新人教版選修中國(guó)古代詩(shī)歌散文欣賞
- 2025年湖南出版中南傳媒招聘筆試參考題庫(kù)含答案解析
- 藝術(shù)品捐贈(zèng)協(xié)議
- 【公開(kāi)課】同一直線(xiàn)上二力的合成+課件+2024-2025學(xué)年+人教版(2024)初中物理八年級(jí)下冊(cè)+
- 高職組全國(guó)職業(yè)院校技能大賽(嬰幼兒照護(hù)賽項(xiàng))備賽試題庫(kù)(含答案)
- 12G614-1砌體填充墻結(jié)構(gòu)構(gòu)造
- 2024年公安部直屬事業(yè)單位招聘筆試參考題庫(kù)附帶答案詳解
- 《中華民族共同體概論》考試復(fù)習(xí)題庫(kù)(含答案)
- NB-T 47013.15-2021 承壓設(shè)備無(wú)損檢測(cè) 第15部分:相控陣超聲檢測(cè)
- 產(chǎn)業(yè)園投資估算及財(cái)務(wù)分析模型
- 瀝青路面損壞調(diào)查表-帶公式
- 欠款擔(dān)保書(shū)(共1頁(yè))
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論