電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用

電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用2024/3/12電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用俄歇電子能譜提供的信息固體表面的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度，電子態(tài)；表面的物理化學(xué)性質(zhì)變化元素組成，含量，化學(xué)價(jià)態(tài)，深度分布，微區(qū)分析等信息表面吸附、脫附以及表面化學(xué)反應(yīng)；材料組分的確定，純度的檢測(cè)，材料特別是薄膜材料的生長(zhǎng)等；電子器件的失效分析，材料的腐蝕等；2電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用俄歇電子能譜的應(yīng)用表面清潔表面吸附和反應(yīng)表面擴(kuò)散薄膜厚度界面擴(kuò)散和結(jié)構(gòu)表面偏析摩擦潤(rùn)滑失效分析電子材料核材料催化劑納米材料研究3電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用AugerApplicationsSemiconductorDevicesMagneticStorageMediaDisplayDevicesGlassandCeramicsDefectparticlesEtchresidueShortingproblemsContactcontaminationInterdiffusionAbnormalgrowthCleaningresidueBGA,packagingproblemsLayeridentificationSurfaceparticlesInterdiffusionoflayersPinholedefectsSurfacecontaminationMagneticheaddefectsPolishingresidueDefectparticlesEtchresidueShortingproblemsContactcontaminationInterdiffusionCleaningresidueGrainboundarysegregationCleaningfailuresPrecipitates4電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體表面清潔程度的測(cè)定

在研究工作中，經(jīng)常需要獲得清潔的表面。一般對(duì)于金屬樣品可以通過加熱氧化除去有機(jī)物污染，再通過真空熱退火除去氧化物而得到清潔表面。最簡(jiǎn)單的方法則是離子槍濺射樣品表面來除去表面污染物。樣品的表面清潔程度可以用俄歇電子能譜來實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

5電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用表面吸附和化學(xué)反應(yīng)的研究

由于俄歇電子能譜具有很高的表面靈敏度，可以檢測(cè)到10-3原子單層，因此可以很方便和有效地用來研究固體表面的化學(xué)吸附和化學(xué)反應(yīng)。不僅可以分析吸附含量，還可以研究吸附狀態(tài)以及化學(xué)反應(yīng)過程6電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用表面吸附研究當(dāng)暴氧量達(dá)到50L時(shí)，ZnLVV的線形就發(fā)生了明顯的變化。俄歇?jiǎng)幽転?4.6eV的峰增強(qiáng)，而俄歇?jiǎng)幽転?7.6eV的峰則降低。表明有少量的ZnO物種生成。隨著暴氧量的繼續(xù)增加，ZnLVV線形的變化更加明顯，并在低能端出現(xiàn)新的俄歇峰。表明有大量的ZnO表面反應(yīng)產(chǎn)物生成。

7電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用表面吸附反應(yīng)在經(jīng)過1L的暴氧量的吸附后，在OKLL俄歇譜上開始出現(xiàn)動(dòng)能為508.2eV的峰。該峰可以歸屬為Zn表面的化學(xué)吸附態(tài)氧，其從Zn原子獲得的電荷要比ZnO中的氧少，因此其俄歇?jiǎng)幽艿陀赯nO中的氧。當(dāng)暴氧量增加到30L時(shí)，在OKLL譜上出現(xiàn)了高動(dòng)能的伴峰，通過曲線解疊可以獲得俄歇?jiǎng)幽転?08.6eV和512.0eV的兩個(gè)峰。后者是由表面氧化反應(yīng)形成的ZnO物種中的氧所產(chǎn)生。即使經(jīng)過3000L劑量的暴氧后，在多晶鋅表面仍有兩種氧物種存在。這結(jié)果表明在低氧分壓的情況下，只有部分活性強(qiáng)的Zn被氧化為ZnO物種，而活性較弱的Zn只能與氧形成吸附狀態(tài)。

8電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用表面清潔度檢測(cè)在樣品的原始表面上，除有Cr元素存在外，還有C,O等污染雜質(zhì)存在。經(jīng)過離子濺射清潔后，其表面的C雜質(zhì)峰基本消失。樣品表面的C污染并不是在制備過程中形成的，而是在放置過程中吸附的大氣中的污染。但氧的特征俄歇峰即使在濺射清潔很長(zhǎng)時(shí)間后，仍有小峰存在。該結(jié)果表明有少量O存在于制備的Cr薄膜層中。該氧可能是由靶材的純度或薄膜樣品制備過程中的真空度較低有關(guān)，而不僅僅是表面污染9電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜厚度測(cè)定

通過俄歇電子能譜的深度剖析，可以獲得多層膜的厚度。由于濺射速率與材料的性質(zhì)有關(guān)，這種方法獲得的薄膜厚度一般是一種相對(duì)厚度。但在實(shí)際過程中，大部分物質(zhì)的濺射速率相差不大，或者通過基準(zhǔn)物質(zhì)的校準(zhǔn)，可以獲得薄膜層的厚度。這種方法對(duì)于薄膜以及多層膜比較有效。對(duì)于厚度較厚的薄膜可以通過橫截面的線掃描或通過掃描電鏡測(cè)量獲得。10電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜厚度的測(cè)定TiO2薄膜層的濺射時(shí)間約為6分鐘，由離子槍的濺射速率（30nm/min）,可以獲得TiO2薄膜光催化劑的厚度約為180nm。該結(jié)果與X射線熒光分析的結(jié)果非常吻合（182nn）深度的定義16%-84％處11電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜的界面擴(kuò)散反應(yīng)研究

在薄膜材料的制備和使用過程中，不可避免會(huì)產(chǎn)生薄膜層間的界面擴(kuò)散反應(yīng)。對(duì)于有些情況下，希望薄膜之間能有較強(qiáng)的界面擴(kuò)散反應(yīng)，以增強(qiáng)薄膜間的物理和化學(xué)結(jié)合力或形成新的功能薄膜層。而在另外一些情況則要降低薄膜層間的界面擴(kuò)散反應(yīng)。如多層薄膜超晶格材料等。通過俄歇電子能譜的深度剖析，可以研究各元素沿深度方向的分布，因此可以研究薄膜的界面擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)。同時(shí)，通過對(duì)界面上各元素的俄歇線形研究，可以獲得界面產(chǎn)物的化學(xué)信息，鑒定界面反應(yīng)產(chǎn)物。12電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜的界面擴(kuò)散反應(yīng)研究難熔金屬的硅化物是微電子器件中廣泛應(yīng)用的引線材料和歐母結(jié)材料，是大規(guī)模集成電路工藝研究的重要課題，目前已進(jìn)行了大量的研究。薄膜樣品在經(jīng)過熱處理后，已有穩(wěn)定的金屬硅化物層形成。同樣，從深度分析圖上還可見，Cr表面層已被氧化以及有C元素存在。這主要是由熱處理過程中真空度不夠以及殘余有機(jī)物所引起的。此外，界面擴(kuò)散反應(yīng)的產(chǎn)物還可以通過俄歇線形來鑒定。13電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜的界面擴(kuò)散反應(yīng)研究金屬CrLMM譜為單個(gè)峰，其俄歇?jiǎng)幽転?85.7eV，而氧化物Cr2O3也為單峰，俄歇?jiǎng)幽転?84.2eV。在CrSi3硅化物層以及與單晶硅的界面層上，CrLMM的線形為雙峰，其俄歇?jiǎng)幽転?81.5和485.3eV?？梢哉J(rèn)為這是由CrSi3金屬硅化物所產(chǎn)生。硅化物中Cr的電子結(jié)構(gòu)與金屬Cr以及而氧化物Cr2O3的是不同的。形成的金屬硅化物不是簡(jiǎn)單的金屬共熔物，而是具有較強(qiáng)的化學(xué)鍵存在。該結(jié)果還表明不僅在界面產(chǎn)物層是有金屬硅化物組成，在與硅基底的界面擴(kuò)散層中，Cr也是以硅化物的形式存在。14電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜的界面擴(kuò)散反應(yīng)研究15電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜的界面擴(kuò)散反應(yīng)研究金屬Cr的MVV俄歇線的動(dòng)能為32.5eV,而氧化物Cr2O3的MVV俄歇線的動(dòng)能為28.5eV。在金屬硅化物層及界面層中，CrMVV的俄歇?jiǎng)幽転?3.3eV，該俄歇?jiǎng)幽鼙燃兘饘貱r的俄歇?jiǎng)幽苓€高。根據(jù)俄歇電子動(dòng)能的討論，可以認(rèn)為在金屬硅化物的形成過程中，Cr不僅沒有失去電荷，并從Si原子得到了部分電荷。這可以從Cr和Si的電負(fù)性以及電子排布結(jié)構(gòu)來解釋。Cr和Si原子的電負(fù)性分別為1.74和1.80，表明這兩種元素的得失電子的能力相近。而Cr和Si原子的外層電子結(jié)構(gòu)分別為3d54s1和3s13p3。當(dāng)Cr原子與Si原子反應(yīng)形成金屬硅化物時(shí)，硅原子的3p電子可以遷移到Cr原子的4s軌道中，形成更穩(wěn)定的電子結(jié)構(gòu)。16電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用離子注入研究

固體材料表面的離子注入是最常用的材料表面改性手段；注入離子在固體材料內(nèi)部的注入分布，注入量以及化學(xué)狀態(tài)對(duì)材料的性能有重要影響。通過俄歇電子能譜的深度剖析，不僅可以研究離子注入元素沿深度方向的分布，還可以研究注入元素的化學(xué)狀態(tài)。17電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體表面的離子注入可以利用深度剖析直接分析注入元素的分布和含量；利用俄歇化學(xué)效應(yīng)可以分析注入元素的化學(xué)狀態(tài)；離子注入層的厚度大約35nm，而注入元素的濃度達(dá)到12%。僅從Sb離子的注入量和分布很難解釋離子注入薄膜的電阻率的大幅度降低。18電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體表面的離子注入在注Sb膜層中，SnMNN的俄歇?jiǎng)幽転?22.8eV和430.2eV，介于金屬錫和SnO2之間。顯然在離子注入層中，Sn并不是以SnO2物種存在。在注Sb層中，SnMNN的俄歇?jiǎng)幽鼙葻oSb層低，說明Sn的外層軌道獲得了部分電子，這與UPS的研究結(jié)果是一致的。

19電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體表面的離子注入在注入層中，SbMNN的俄歇?jiǎng)幽転?50.0eV和457.3eV，而純Sb2O3的俄歇?jiǎng)幽転?47.2eV和455.1eV。表明離子注入的Sb并不以三價(jià)態(tài)的Sb2O3存在，也不以金屬態(tài)存在。由此可見，離子注入Sb薄膜的電阻率的降低不是由于金屬態(tài)的Sb所產(chǎn)生的。這與Sb與SnO2的相互作用有關(guān)。Sb中的部分5p軌道的價(jià)電子轉(zhuǎn)移到Sn的5s軌道，改變了薄膜的價(jià)帶結(jié)構(gòu)，從而促使薄膜導(dǎo)電性能的大幅度提高。20電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜制備的研究

俄歇電子能譜也是薄膜制備質(zhì)量控制的重要分析手段。經(jīng)常與MBE裝置配合進(jìn)行原位檢測(cè)薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量；也可以分析制備的薄膜非原位檢測(cè)樣品的質(zhì)量；主要提供雜質(zhì)含量，元素比例等方面的信息；對(duì)于Si3N4薄膜已發(fā)展了多種制備方法。如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)以及離子濺射沉積(PRSD)。由于制備條件的不同，制備出的薄膜質(zhì)量有很大差別。利用俄歇電子能譜的深度分析和線形分析可以判斷Si3N4薄膜的質(zhì)量。

21電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜制備的研究所有方法制備的Si3N4薄膜層中均有兩種化學(xué)狀態(tài)的Si存在（單質(zhì)硅和Si3N4）。其中，

APCVD法制備的Si3N4薄膜質(zhì)量最好，單質(zhì)硅的含量較低。而PECVD法制備Si3N4薄膜的質(zhì)量最差，其單質(zhì)硅的含量幾乎與Si3N4物種相近。22電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜制備的研究等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備的Si3N4薄膜N/Si比較低，約為0.53。而用濺射法制備的Si3N4薄膜的N/Si則較高，約為0.90。在兩種薄膜中，氧的含量均非常低，說明在薄膜的制備過程中，氧不是影響薄膜質(zhì)量的主要原因。提高薄膜的N/Si比是控制質(zhì)量的主要因素。而從SiLVV的俄歇線形分析可知，在PECVD制備的薄膜中存在大量的單質(zhì)硅，而在PRSD制備的薄膜則主要由Si3N4組成。23電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用失效分析

俄歇電子能譜也是材料失效分析的有力工具。如金屬材料的斷裂一般多表現(xiàn)為有害元素在晶界的偏析?？梢酝ㄟ^微區(qū)分析研究元素成份偏析問題；也可以通過深度分析研究元素的表面偏析問題；24電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用失效分析這里僅以彩電陽極帽的失效分析為例。正常的陽極帽在熱氧化處理后，表面為灰色，而非正常的產(chǎn)品，表面為黃色。俄歇深度分析與表面定性分析表明在正常的產(chǎn)品的表面主要是Cr2O3緊密薄膜層。而失效的陽極帽，表面主要是鐵的氧化物，深度分析表明在陽極帽表面形成了結(jié)構(gòu)疏松的Fe2O3表面層。失效嚴(yán)重的樣品可以在表面形成黃色的Fe2O3粉體。25電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體化學(xué)反應(yīng)研究

俄歇電子能譜在薄膜的固體化學(xué)反應(yīng)研究上也有著重要的作用?？梢酝ㄟ^深度剖析研究固體化學(xué)反應(yīng)的元素?cái)U(kuò)散情況；也可以運(yùn)用俄歇化學(xué)效應(yīng)研究元素的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物等信息。金剛石顆粒是一種重要的耐磨材料，經(jīng)常包覆在金屬基底材料中用作切割工具和耐磨工具。為了提高金剛石顆粒與基底金屬的結(jié)合強(qiáng)度，必須在金剛石表面進(jìn)行預(yù)金屬化。26電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體化學(xué)反應(yīng)研究在金剛石表面形成了很好的金屬Cr層。Cr層與金剛石的界面雖有一定程度的界面擴(kuò)散，但并沒有形成穩(wěn)定的金屬化合物相出現(xiàn)。在高真空中經(jīng)高溫?zé)崽幚砗?，其俄歇深度剖析圖發(fā)生了很大的變化。27電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體化學(xué)反應(yīng)研究熱處理后，在Cr/C界面上發(fā)生了固相化學(xué)反應(yīng)，并形成了兩個(gè)界面化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物層。表面層為CrC物種，而中間層為Cr3C4物種[17]。28電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體化學(xué)反應(yīng)研究從CrLMM俄歇線形上，可以獲得在界面層上的確發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)并形成了新的物種CrCx。但從該線形還是難以分辨CrC和Cr3C4物種。29電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體化學(xué)反應(yīng)研究30電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用固體化學(xué)反應(yīng)研究31電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用表面擴(kuò)散研究

由于俄歇電子能譜具有很高的表面靈敏度和空間分辨率，非常適合于表面擴(kuò)散過程的研究?？梢岳枚硇娮幽茏V的微區(qū)分析功能進(jìn)行表面擴(kuò)散點(diǎn)，線和面分布分析；不僅可以分析物理擴(kuò)散過程也可以研究表面擴(kuò)散反應(yīng)過程和產(chǎn)物；32電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用表面擴(kuò)散研究在單晶硅基底上制備的Ag-Au合金的俄歇線掃描分布圖[18]。從圖上可見Ag,Au薄膜線的寬度約為250μm，Ag,Au的分布是很均勻的33電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用表面擴(kuò)散研究在經(jīng)過外加電場(chǎng)進(jìn)行電遷移后，其合金線的俄歇線掃描結(jié)果見圖。從圖上可見，在電場(chǎng)作用下，Ag,Au的遷移方向是相反的。Ag沿電場(chǎng)方向遷移，而Au則逆電場(chǎng)方向遷移。其遷移的機(jī)理與金屬的性質(zhì)以及與基底材料的界面相互作用有關(guān)。在遷移后其分布相對(duì)集中。34電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用摩擦化學(xué)研究

俄歇電子能譜在摩擦學(xué)研究上也有重要的應(yīng)用。可以用來研究潤(rùn)滑添加劑的作用機(jī)理以及在基底材料中的擴(kuò)散情況。利用俄歇定性分析研究潤(rùn)滑膜的元素組成和含量；利用俄歇深度剖析研究潤(rùn)滑膜的化學(xué)結(jié)構(gòu)；35電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用摩擦化學(xué)研究45#鋼試件在摩擦以后，潤(rùn)滑膜的俄歇深度分析圖。在摩擦以后，S,O和C元素均有不同程度的擴(kuò)散。由此，可見該類添加劑的S能很好地與金屬基底材料作用形成具有抗磨作用的潤(rùn)滑膜。36電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用摩擦化學(xué)研究潤(rùn)滑膜的俄歇定性分析圖。從圖上可見，在潤(rùn)滑膜中存在大量的S,C和O元素。由此可見潤(rùn)滑膜的結(jié)構(gòu)

37電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用材料的元素偏析研究

元素偏析經(jīng)常是材料失效的重要原因。利用俄歇電子能譜可以很好地研究材料中的元素偏析問題。從圖上可見，除表面有氧化層外，在基底合金材料中，主要是Fe,Ni，Cr合金，成分分布還是很均勻的。38電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用材料的元素偏析研究是彩電陽極帽在氧化處理后的正常樣品俄歇深度分析結(jié)果。在熱氧化處理后，合金材料不僅被氧化，并發(fā)生了元素的偏析作用。本底合金中含量很低的Cr元素發(fā)生了表面偏析，在樣品表面獲得富集，形成了Cr2O3致密氧化層。大大改善了彩電陽極帽與玻璃的真空封接性能。

39電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用核材料的研究用俄歇深度剖析研究核材料的腐蝕過程；研究核材料與保護(hù)層的擴(kuò)散作用等離子轟擊誘導(dǎo)了材料的擴(kuò)散過程40電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用核材料研究在界面上形成了UAl3合金層表面不僅發(fā)生了界面擴(kuò)散同時(shí)也產(chǎn)生了化學(xué)反應(yīng)41電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜催化劑的研究

由于俄歇電子能譜難以分析粉體樣品和絕緣體樣品，因此俄歇電子能譜在化學(xué)研究上的應(yīng)用相對(duì)較少。俄歇電子能譜在催化劑研究上的應(yīng)用主要集中在金屬催化劑和薄膜催化劑方面。這里僅以俄歇電子能譜研究薄膜模型催化劑為例。42電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜催化劑的研究LaCoO3鈣鈦礦類催化劑是汽車尾氣凈化用的新型非貴金屬催化劑的活性組分。不過SO2中毒是該催化劑實(shí)用化需要解決的關(guān)鍵問題之一。圖是負(fù)載在γ-Al2O3薄膜載體上的LaCoO3鈣鈦礦型薄膜模型催化劑經(jīng)700℃SO2(2%)強(qiáng)化中毒1小時(shí)后的薄膜樣品的俄歇深度分析譜。從S元素已完全地?cái)U(kuò)散到整個(gè)LaCoO3活性層中。這將直接會(huì)破壞LaCoO3鈣鈦礦相結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致催化劑的失活。這結(jié)果說明SO2是很容易與LaCoO3反應(yīng)的。43電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用薄膜催化劑的研究從薄膜催化劑表面的俄歇定性分析圖上也可見，在催化劑表面不僅有硫的存在，同時(shí)還發(fā)現(xiàn)有Co的信號(hào)。表明LaCoO3鈣鈦礦已被破壞，催化劑產(chǎn)生中毒失活。44電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用MoO3的表面單層擴(kuò)散研究

未加熱時(shí)，在AES線分析結(jié)果中可以看到擴(kuò)散源的Mo信號(hào)有明顯的邊界，寬度約200μm；加熱12h后，中間擴(kuò)散源的信號(hào)減弱，邊界向兩側(cè)展開，雖然Mo的信號(hào)很弱，但是很明顯MoO3擴(kuò)散的范圍已經(jīng)超過了800μm。表明MoO3在Al2O3薄膜表面上也是單層分散。45電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用MoO3的表面單層擴(kuò)散研究46電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用金屬負(fù)載納米薄膜光催化劑

過熱處理之后，前驅(qū)體將形成TiO2薄膜，同時(shí)在TiO2薄膜與鋁合金基底間會(huì)發(fā)生相互擴(kuò)散。為深入研究這種擴(kuò)散作用，我們將前驅(qū)體薄摸在350-550℃條件下煅燒了1-10小時(shí)，然后用AES對(duì)元素分布進(jìn)行了研究。47電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用金屬負(fù)載納米薄膜光催化劑通過對(duì)OKLL深度剖析進(jìn)行LLS擬合，可以得到兩種氧。在TiO2與鋁合金基底的界面上，氧以AL2O3物種形式存在并形成峰狀分布，表明熱處理后在界面上形成了鋁的氧化物，它們是由從空氣中擴(kuò)散進(jìn)入界面層的氧和從基底擴(kuò)散出來的鋁發(fā)生反應(yīng)而生成的。AL2O3界面層的形成阻礙了氧向基底的擴(kuò)散，但它并未阻礙鋁從基底向TiO2層的擴(kuò)散。此外，致密的TiO2層（約300nm）也對(duì)擴(kuò)散有抑制作用。因此，穩(wěn)定的Al2O3層并未形成。48電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用金屬負(fù)載納米薄膜光催化劑在表面位置Al不能被檢測(cè)到，在深度A可檢測(cè)到Al，AlLVV的動(dòng)能是64.3eV，對(duì)應(yīng)于合金態(tài)Al物種。隨深度增加到B時(shí)，合金態(tài)Al逐漸增加，而Al2O3仍未觀察到。在深度C，在51.4eV和64.3eV出現(xiàn)了兩個(gè)峰，對(duì)應(yīng)于AL2O3和合金態(tài)Al。在界面層位置（深度D），51.4eV的峰達(dá)到最強(qiáng),說明AL2O3在界面層中呈峰狀分布。隨著深度進(jìn)一步增加，51.4eV的峰減弱，而64.3eV的峰增強(qiáng)，在鋁合金基底處（深度F），51.4eV的峰已經(jīng)很弱，而64.3eV的峰很強(qiáng),說明在基底中大部分Al以合金態(tài)存在,只有很少一部分以AL2O3物種形式存在。49電子能譜學(xué)第8講俄歇電子能譜的應(yīng)用Gold