靜電屏蔽包裝袋要求及檢測方法

1GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按GB/T32304-2015航天電子產(chǎn)品靜電防護包裝electrostaticprotectivepackaging靜電（放電）屏蔽electrostati2a）內(nèi)表面點對點電阻為1.0×103Ω~1.0×1012Ω;在圖1所示檢測裝置和檢測過程中，通過500Ω電阻的屏蔽袋內(nèi)感應電能量不大于50nJ。ESD模擬器首先給100pF電容施加1kV電壓，然后通過模擬器放電開關給放電電極放電，針感應的能量，能量通過500Ω高壓電阻上面的回路電流計算，此能量值越小說明屏蔽袋性能越好（檢3沿自封口對側底邊拆開其他兩側封合，在屏蔽袋的上、下兩面各取1個50mm×樣品，樣品一側封合且另一側是未封合的自由端（尺寸條件不允許情況下，樣品寬度可以調(diào)整在5mm~25mm之間，且樣品寬厚比應大于8）。統(tǒng)一批次的不同樣品可以選擇不同位置的封合區(qū)域，檢測樣品數(shù)a)檢測前，對拉伸強度測試儀及試件夾具進行自校，設置試驗探頭移動速度b)將檢測樣品沿封合內(nèi)部邊緣，將未封合的自由端平鋪展開，再將此時檢測樣品的），），4檢測樣品尺寸50mm×50mm，樣品數(shù)量不少于6個，以屏蔽袋內(nèi)、外表面首先接觸試驗觸頭平均分a)檢測前，對拉伸強度測試儀及試件夾具進行自校，設置試驗探頭移動速度），），5a）將至少3個被測屏蔽袋放置在(12±3)%RH環(huán)境中不少于4b）將電容探針放入被測屏蔽袋內(nèi)，確保屏蔽袋與電容探針的兩個電極之間有很好的屏蔽袋外，將電容探針的引線連接到高阻計測量端。用高阻計測量c）將被測屏蔽袋放置在(50±5)%RH環(huán)境中不5.5.3.2外表面電阻值檢測方法a）將至少3個被測屏蔽袋放置在(12±3)%RH環(huán)境中不少于4b）將被測屏蔽袋平鋪在絕緣平板上，使用高阻計直接測量表面電阻值。如屏蔽袋尺c）將被測屏蔽袋放置在(50±5)%RH環(huán)境中不模擬器等效電路由等效100pF電容與等效1.5kΩ電阻串聯(lián)而成，見圖4。充電6），500Ω±5Ω,耐壓1kV，低電感濺射金屬膜電阻。電容探針為平板結構形式，電容值為8pF±2)在被測屏蔽袋內(nèi)部中間位置放置電容探針，確保屏蔽袋外表面和放電電極與地電極77）下載示波器顯示的波形數(shù)據(jù)到計算機，根據(jù)流過500Ω9）將至少3個被測屏蔽袋放置在(50±5)%RH‘檢驗規(guī)則8能量進行抽樣檢驗。對同品種同規(guī)格的產(chǎn)品，厚度和表面電阻值的抽樣檢驗數(shù)應不低于19A.1模擬器波形驗證方法a)將500Ω高壓電阻和模擬器的放電端和地端連接，連接線應有A.2系統(tǒng)裝置驗證方法a)連接500Ω高壓電阻與電容探針的兩端_____________________________[1]ANSI/ESDS541-2003ESDAssDischargeSusceptibleItems–Packaging[2]ANSI/ESDSTM11.11-2015ESDAssociatioDischargeSusceptibleItems–SurfaceResistanceMeasurementofStaticDissipative[3]ANSI/ESDSTM11.31-201PerformanceofElectrostaticDischargeShieldingMaterials–applications—Electrostaticdischargeshield[5]MIL-PRF-81705Ew/AMENDMENT1-2010PeFlexib