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4.3只讀存儲(chǔ)器ROM存儲(chǔ)內(nèi)容掉電不丟失，根據(jù)ROM信息寫(xiě)入的方式，ROM分為5種：ROM1.掩膜型ROM，廠家兩次光刻制造，用于大批量生產(chǎn)2.可編程只讀存儲(chǔ)器PROM，利用某種方式將存儲(chǔ)單元的熔絲燒斷3.可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM，利用特定電壓寫(xiě)入數(shù)據(jù)，利用紫外線擦除數(shù)據(jù)4.電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM，采用高電壓擦除數(shù)據(jù)5.閃存FLASHMEMORY，一是NOR閃存，有完整地址和數(shù)據(jù)接口，用作系統(tǒng)芯片，如BIOS，二是NAND，只允許連續(xù)讀取和擦除，適合做存儲(chǔ)卡、優(yōu)盤(pán)、SSDEPROM例子－Intel2764(8K×8)EPROM2764引腳說(shuō)明：A12~A0地址線，存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)213=8KO7~O0數(shù)據(jù)線，讀出時(shí)為輸出，編程時(shí)為輸入/CE芯片允許端，低有效/OE輸出允許，低有效PGM編程脈沖控制Vpp編程電壓輸入，不同模式下不同Vcc工作電壓，+5VGND地EPROM例子－Intel2764EPROM2764只讀方式：A12~A0地址線，選擇存儲(chǔ)單元O7~O0數(shù)據(jù)線，輸出數(shù)據(jù)/CE芯片允許端，接低電平/OE輸出允許，接低電平PGM接低電平，無(wú)編程信號(hào)Vpp編程電壓輸入，+5VVcc工作電壓，+5VGND地EPROM例子－Intel2764EPROM2764編程方式：A12~A0地址線，選擇存儲(chǔ)單元O7~O0數(shù)據(jù)線，寫(xiě)入數(shù)據(jù)/CE接+5V/OE接+5VPGM每寫(xiě)一次，輸入50ms正脈沖Vpp隨型號(hào)不同，+12V~25VVcc工作電壓，+5VGND地OE

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