半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年

半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論室溫下絕緣體中價(jià)帶電子無(wú)法從價(jià)帶躍遷至導(dǎo)帶。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)半導(dǎo)體材料的載流子濃度與態(tài)密度有關(guān)。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)激光器工作的兩個(gè)基本條件是：諧振腔和集居數(shù)反轉(zhuǎn)。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)目前我國(guó)半導(dǎo)體制造工藝主要受制于EUV光刻機(jī)。利用EUV光源進(jìn)行光刻相較于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因?yàn)镋UV的能量更小。（

）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤pn結(jié)平衡狀態(tài)下，器件內(nèi)的擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)硅基光探測(cè)器可探測(cè)能量為1ev以下的光波。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤太陽(yáng)能電池可以吸收太陽(yáng)光譜中所有高于半導(dǎo)體禁帶寬度的能量。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)硅基太陽(yáng)能電池因其光電轉(zhuǎn)換效率最高而占有最大的市場(chǎng)份額。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)鍺是間接能帶隙材料。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)單晶硅和多晶硅的電學(xué)性能相同。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)離子注入法摻雜工藝通常無(wú)法精確控制摻雜深度。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)提高光刻最小線(xiàn)寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)n型半導(dǎo)體中載流子只有電子沒(méi)有空穴。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率通常小于摻雜后的半導(dǎo)體電導(dǎo)率。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確擴(kuò)散法摻雜工藝通常是在高溫下進(jìn)行，溫度變化速度對(duì)摻雜效果沒(méi)有影響。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)砷化鎵是間接能帶隙材料。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤EDX只能檢測(cè)元素種類(lèi)，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)離子注入法摻雜工藝通常無(wú)法精確控制摻雜濃度。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)利用EUV光源進(jìn)行光刻相較于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因?yàn)镋UV的能量更小。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤鍍Pt金屬通常要用濺射法，而不用熱蒸鍍法，因?yàn)镻t的沸點(diǎn)很高。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)一片晶圓經(jīng)過(guò)加工、測(cè)試合格后，就可以直接作為芯片使用。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)，GaAs的帶隙一定比AlxGa1-xAs小。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確COMS工藝中電阻阻值大小通常通過(guò)摻雜濃度來(lái)控制。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確半導(dǎo)體的禁帶寬度通常大于絕緣體的禁帶寬度。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)CVD沉積溫度通常較高，這一特點(diǎn)限制了反應(yīng)物的種類(lèi)。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)光刻技術(shù)中的反刻工藝也稱(chēng)之為剝離工藝。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)在CMOS工藝中，通常采用SiO2作為摻雜工藝的掩膜層材料。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)MOSFET的溝道處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，柵極電壓與漏極電流無(wú)關(guān)。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)半導(dǎo)體的禁帶寬度通常大于導(dǎo)體的禁帶寬度。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)半導(dǎo)體材料通過(guò)摻雜可以改變其電導(dǎo)率。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)作為放大器使用的BJT通常采用共基極接入電路。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤在硅中摻入磷元素，可以改變電子濃度，但無(wú)法改變空穴濃度。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)半導(dǎo)體器件主要分為電子器件和光電器件兩大類(lèi)。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確通常情況下，半導(dǎo)體材料摻雜后載流子濃度不會(huì)發(fā)生改變。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)通常來(lái)說(shuō)，光探測(cè)器的靈敏度越高，響應(yīng)時(shí)間也就越短。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)目前我國(guó)半導(dǎo)體制造工藝主要受制于EUV光刻機(jī)。提高光刻最小線(xiàn)寬還可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)CMOS工藝中，p-MOS和n-MOS通常采用不同的步驟分別制造。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤{111}晶面族不包含(1-1-1)晶面。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)非晶體通常具有各向異性。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：

A:光刻B:CVDC:腐蝕D:離子注入答案:光刻如下圖所示的能帶結(jié)構(gòu)，代表的是＿＿＿半導(dǎo)體。――――――――EC＿＿＿＿＿＿＿＿EF――――――――EV

A:p型B:本征C:其余選項(xiàng)都不是D:n型答案:n型南京tsmc工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)為：

A:12nmB:7nmC:18nmD:20nm答案:12nm硅晶體中的費(fèi)米能級(jí)向高能級(jí)移動(dòng)，可能對(duì)應(yīng)以下情況發(fā)生

A:導(dǎo)帶電子濃度增加B:價(jià)帶空穴濃度增加C:導(dǎo)帶有效態(tài)密度Nc增加D:導(dǎo)帶有效態(tài)密度Nc減少答案:導(dǎo)帶電子濃度增加生產(chǎn)單晶硅晶圓的原材料是：

A:花崗巖B:多晶硅C:石灰?guī)rD:石英砂答案:石英砂當(dāng)一個(gè)PNP型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其_____的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的。

A:集電極到基極B:集電極到發(fā)射極C:以上都不是D:基極到發(fā)射極答案:集電極到基極一般情況下，以下沉積方式中腔體氣壓最低的是：

A:MOCVDB:MBEC:PECVDD:LPCVD答案:MBE2019年底，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（）芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

A:7nmB:5nmC:28nmD:14nm答案:14nm以下晶體硅生長(zhǎng)過(guò)程中的產(chǎn)物中哪種是單晶體？

A:石英砂B:冶金級(jí)硅晶體C:晶錠D:電子級(jí)硅晶體答案:晶錠半導(dǎo)體市場(chǎng)分工細(xì)化后，半導(dǎo)體器件制造主要在（）環(huán)節(jié)中進(jìn)行。

A:系統(tǒng)B:組裝C:集成電路設(shè)計(jì)D:代工答案:代工有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是4?，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是3?，其帶隙有可能是

eV。

A:以上都不可能B:1.0C:1.2D:2.1答案:2.1一般說(shuō)的14nm工藝線(xiàn)指的是MOSFET中的________達(dá)到了14nm量級(jí)。

A:柵極長(zhǎng)度B:以上都不是C:柵極寬度D:漏極寬度答案:柵極寬度世界上第一臺(tái)激光器是一臺(tái)（）激光器。

A:藍(lán)寶石B:硅基C:氦氖D:紅寶石答案:紅寶石以下器件中哪種不屬于光電半導(dǎo)體器件范疇？

A:pn結(jié)B:發(fā)光二極管C:光探測(cè)器D:太陽(yáng)能電池答案:pn結(jié)激光器中諧振腔的長(zhǎng)度通常需要滿(mǎn)足（）的整數(shù)倍。

A:λ/2B:λ/4C:λD:λ/3答案:λ/2pn結(jié)的接觸電勢(shì)差與下列哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？

A:p區(qū)空穴濃度B:溫度C:載流子遷移率D:n區(qū)電子濃度答案:載流子遷移率超晶格結(jié)構(gòu)通常以（）為基本結(jié)構(gòu)單元。

A:場(chǎng)效應(yīng)晶體管B:異質(zhì)結(jié)C:歐姆接觸D:pn結(jié)答案:異質(zhì)結(jié)有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是4?，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是5?，其帶隙有可能是___

__eV。

A:1.2B:1C:2.1D:其余選項(xiàng)都不是答