海思終端芯片ATE技術(shù)手冊(cè)

一、 文檔說(shuō)明： 本文參照業(yè)界通用做法，定義了海思終端芯片類COT的推薦ATE測(cè)試策略，以及此類芯片在測(cè)試程序開(kāi)發(fā)及量產(chǎn)時(shí)各版本的的測(cè)試規(guī)范及測(cè)試項(xiàng)目要求。因技術(shù)和芯片規(guī)格持續(xù)發(fā)展，各IP的測(cè)試規(guī)范不斷添加和完善。對(duì)于成熟IP，程序開(kāi)發(fā)時(shí)需要遵守該規(guī)范，新IP測(cè)試規(guī)范建立時(shí)可參考對(duì)應(yīng)的測(cè)試規(guī)范。 二、 文檔目的： 支撐終端芯片媒體類產(chǎn)品達(dá)成<2000FDPPM的質(zhì)量目標(biāo)。三、 使用規(guī)范： 1）本文檔針對(duì)IP的測(cè)試項(xiàng)僅進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明，詳細(xì)說(shuō)明及指導(dǎo)手冊(cè)請(qǐng)嚴(yán)格遵守《IP測(cè)試規(guī)范》及《IP測(cè)試CBB》。 2）芯片測(cè)試策略必須不松于該規(guī)范，如有測(cè)試條件的刪減，需經(jīng)過(guò)PDT經(jīng)理/項(xiàng)目經(jīng)理/PE/PL的聯(lián)合會(huì)簽，如有特殊需求，可酌情增加測(cè)試條件。3.1程序版本說(shuō)明 FT/CP定義常溫測(cè)試（若只有此一道testflow，也定義為FTA;若因向量深度或其他問(wèn)題導(dǎo)致flow增加的，記為FTB,FTC....）。3.2 ATE量產(chǎn)測(cè)試流程 芯片應(yīng)用特點(diǎn) 芯片用于機(jī)頂盒，視頻監(jiān)控，數(shù)字電視等產(chǎn)品系列，質(zhì)量及可靠性要求高；發(fā)貨量大，成本敏感；工作環(huán)境為各國(guó)正常生活環(huán)境。 測(cè)試流程 CP1FT1SLT1溫度25C25C25C電壓VDDNVDDN/L/H覆蓋率低全DVSYNsite數(shù)量1~42~8補(bǔ)充說(shuō)明 CP測(cè)試： 低覆蓋率（開(kāi)始為中覆蓋，后續(xù)根據(jù)量產(chǎn)數(shù)據(jù)進(jìn)行刪減測(cè)試項(xiàng)以達(dá)到降成本目的），DVS，VDDN，常溫測(cè)試，1~4site FT測(cè)試： 全覆蓋，VDDN+VDDH+VDDL，常溫測(cè)試（高溫待驗(yàn)證必要性），GB（根據(jù)CHAR結(jié)果），2~8sites。量產(chǎn)SLT： 可選項(xiàng)，長(zhǎng)期可根據(jù)ATE覆蓋率更新情況進(jìn)行抽檢或取消?？煽啃詼y(cè)試： 建議Bywaferlot進(jìn)行HTOL/uHAST抽檢 3.3測(cè)試項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn) ATE向量規(guī)格要求如下：3.4降成本策略 當(dāng)量產(chǎn)程序穩(wěn)定后，即可開(kāi)始量產(chǎn)測(cè)試降成本工作，降成本細(xì)節(jié)請(qǐng)參考《海思COT芯片ATE測(cè)試降成本規(guī)范》，本文僅針對(duì)無(wú)線終端芯片進(jìn)行策略性指導(dǎo)。 啟動(dòng)條件（需同時(shí)滿足條件1和2，或滿足條件3，投入產(chǎn)出比要合算）： 1、

發(fā)貨總量超過(guò)XXK，且最新測(cè)試程序版本連續(xù)XXlot測(cè)試良率波動(dòng)<Xsigma 2、

FDPPM連續(xù)XX月維持低水準(zhǔn)(<XXXPPM) 3、

或基于供應(yīng)策略，ATE主動(dòng)發(fā)起降成本工作

降成本策略： 整體策略：RTP前期以快速質(zhì)量達(dá)標(biāo)為優(yōu)先，逐步進(jìn)行測(cè)試降成本。根據(jù)AP/BB降成本路標(biāo)和規(guī)劃，在項(xiàng)目前期做好低成本設(shè)計(jì)約束，RTP后做好平臺(tái)策略，Multi-sites和TTR等規(guī)劃。2、基于數(shù)據(jù)分析，刪除CP低效測(cè)試項(xiàng)。 3、

各TestIP測(cè)試項(xiàng)目參考《IP測(cè)試規(guī)范》之降成本建議 4、Hibench測(cè)試降成本參