ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的p型摻雜及同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備和物性研究的開(kāi)題報(bào)告

ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的p型摻雜及同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備和物性研究的開(kāi)題報(bào)告開(kāi)題報(bào)告一、選題背景ZnO（氧化鋅）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于光電領(lǐng)域，特別是在光電器件方面，如紫外光發(fā)射器件、紫外光檢測(cè)器件以及白光LED等器件中。然而，ZnO材料在p型方面發(fā)展困難，這主要是由于ZnO自身的物理性質(zhì)以及p型摻雜的困難。因此，如何實(shí)現(xiàn)ZnOp型摻雜一直是該領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。目前，已經(jīng)有很多學(xué)者通過(guò)各種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)ZnOp型摻雜，例如離子注入、分子束外延、化學(xué)氣相沉積等方法。然而，這些方法中有些技術(shù)成本高，需要較為復(fù)雜的制備工藝，有些又面臨雜質(zhì)摻入的問(wèn)題，導(dǎo)致了材料性能的不穩(wěn)定。因此，針對(duì)這個(gè)研究問(wèn)題，我們考慮采用不同的摻雜方法，制備一系列具有不同形貌以及摻雜濃度的ZnO一維納米結(jié)構(gòu)材料，并通過(guò)研究其物性特征、優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和加工工藝等方面，實(shí)現(xiàn)ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的p型摻雜和同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備。二、研究?jī)?nèi)容和意義本項(xiàng)目的研究?jī)?nèi)容主要包括三個(gè)方面：1.制備ZnO一維納米結(jié)構(gòu)材料我們將采用氣相合成法和水熱合成法制備不同形貌的ZnO一維納米結(jié)構(gòu)材料，包括納米線、納米帶、納米梯度結(jié)構(gòu)等。其中，氣相合成法主要用于生長(zhǎng)納米線、納米晶粒等結(jié)構(gòu)；水熱合成法主要用于生長(zhǎng)納米帶、納米板等大面積定向形貌的結(jié)構(gòu)。2.P型摻雜和表征我們將采用低成本、高效的摻雜方法（如共溶劑摻雜、離子摻雜等），實(shí)現(xiàn)鈣、氮等摻雜元素在ZnO一維納米結(jié)構(gòu)中的p型摻雜。對(duì)摻雜后的樣品進(jìn)行電學(xué)測(cè)試和表征，分析摻雜元素的濃度、載流子濃度及分布情況，進(jìn)一步研究不同摻雜方法及摻雜濃度對(duì)p型ZnO一維納米結(jié)構(gòu)物性特征的影響。3.同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管器件的制備和性能測(cè)試我們將探究不同形貌和摻雜濃度的ZnO一維納米結(jié)構(gòu)材料的電學(xué)性能和光電性能，分析器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化和加工工藝的優(yōu)化，最終制備高質(zhì)量的同質(zhì)結(jié)ZnO發(fā)光二極管器件，并對(duì)其光電性能進(jìn)行測(cè)試。本項(xiàng)目的研究意義：1.新?lián)诫s方法的應(yīng)用：本項(xiàng)目將探究低成本、高效的摻雜方法，為ZnO一維納米結(jié)構(gòu)的p型摻雜提供新思路。2.新型一維納米結(jié)構(gòu)的制備：本項(xiàng)目將采用不同的制備方法，制備出具有不同形貌的ZnO一維納米結(jié)構(gòu)材料，為ZnO光電器件的進(jìn)一步發(fā)展提供了新的選擇。3.新型光電器件的開(kāi)發(fā)：通過(guò)本項(xiàng)目的研究，制備出高質(zhì)量的同質(zhì)結(jié)ZnO發(fā)光二極管器件，為紫外光LED、光探測(cè)器件等領(lǐng)域的研究提供了有力的支持。三、研究方案1.實(shí)驗(yàn)材料的制備（1）采用氣相合成法生長(zhǎng)ZnO納米線、納米晶等一維納米結(jié)構(gòu)材料；水熱合成法生長(zhǎng)ZnO納米帶、納米片等十字、圓形等面型一維納米結(jié)構(gòu)。（2）制備出鈣、氮等摻雜元素的摻雜溶液。2.實(shí)驗(yàn)樣品的制備和表征（1）采用共溶劑、離子摻雜等方法，在ZnO一維納米結(jié)構(gòu)上進(jìn)行p型摻雜。（2）對(duì)摻雜后的樣品進(jìn)行電學(xué)測(cè)試和表征，分析電學(xué)性質(zhì)的變化和摻雜元素的濃度及濃度分布情況。3.同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管器件的制備和性能測(cè)試（1）根據(jù)優(yōu)化后的器件結(jié)構(gòu)和加工工藝，制備高質(zhì)量的同質(zhì)結(jié)ZnO發(fā)光二極管器件。（2）對(duì)器件進(jìn)行光電性能測(cè)試，分析器件的光電特性，比較不同形貌、摻雜濃度的器件性能的差異。四、預(yù)期成果（1）成功制備出具有不同形貌的ZnO一維納米結(jié)構(gòu)材料。（2）通過(guò)新型摻雜方法，實(shí)現(xiàn)鈣、氮等元素在ZnO一維納米結(jié)構(gòu)中的p型摻雜，分析摻雜元素的濃度、載流子濃度及分布情況。（3）成功制備出高質(zhì)量的同質(zhì)結(jié)ZnO發(fā)光二極管器件，并對(duì)其光電性