GB-T《靜電屏蔽包裝袋要求及檢測(cè)方法》（征求意見稿）

ICS49.060

V70

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T×××××—××××

靜電屏蔽包裝袋要求及檢測(cè)方法

Requirementsandtestmethodsforelectrostaticshieldingbags

點(diǎn)擊此處添加與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)一致性程度的標(biāo)識(shí)

（征求意見稿）

GB/T×××××—××××

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：XXX。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：XXX

II

GB/T×××××—××××

引言

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，在工業(yè)生產(chǎn)制造過(guò)程中使用了大量靜電敏感器件和產(chǎn)品，全鏈條的靜電

防護(hù)逐漸發(fā)展到涉及采購(gòu)、生產(chǎn)、檢驗(yàn)、測(cè)試、失效分析、包裝、標(biāo)識(shí)、維修、儲(chǔ)存、分發(fā)和運(yùn)輸?shù)瓤?/p>

研生產(chǎn)活動(dòng)。與靜電放電敏感（ESDS）產(chǎn)品直接接觸的包裝材料應(yīng)是靜電耗散材料，ESDS產(chǎn)品在防靜電

工作區(qū)（EPA）內(nèi)部使用或者EPA之間轉(zhuǎn)運(yùn)、處于EPA之外時(shí)，還需要靜電防護(hù)包裝增加靜電放電屏蔽措

施。因此，靜電屏蔽包裝袋是工業(yè)生產(chǎn)制造領(lǐng)域靜電防護(hù)工作環(huán)節(jié)中一種非常重要的產(chǎn)品，需要對(duì)其產(chǎn)

品技術(shù)要求和檢測(cè)方法做出質(zhì)量要求。

III

GB/T×××××—××××

靜電屏蔽包裝袋要求及檢測(cè)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了靜電屏蔽包裝袋（以下簡(jiǎn)稱“屏蔽袋”）的技術(shù)要求、檢測(cè)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、

包裝、運(yùn)輸和貯存等內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于屏蔽袋生產(chǎn)過(guò)程產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)，也適用于第三方產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)評(píng)價(jià)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T15463靜電安全術(shù)語(yǔ)

GB/T16288塑料制品的標(biāo)志

GB/T32304-2015航天電子產(chǎn)品靜電防護(hù)要求

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T191、GB/T15463、GB/T16288、GB/T32304界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

靜電防護(hù)包裝electrostaticdischargeprotectivepackaging

為靜電敏感電子產(chǎn)品提供防護(hù)的包裝物品或材料，如防靜電的包裝袋、填充物、運(yùn)輸箱、轉(zhuǎn)運(yùn)盒以

及集成電路包裝管等。

3.2

靜電（放電）屏蔽electrostaticdischargeshield

限制靜電放電產(chǎn)生的電流及電磁場(chǎng)影響的屏蔽。

4技術(shù)要求

4.1外觀

屏蔽袋外觀應(yīng)無(wú)破損、無(wú)褶皺、無(wú)污漬等，應(yīng)具有可以全封閉包裝的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；其材料不應(yīng)有易碎、

易脫落或易擦除的物質(zhì)。

4.2厚度

一般按照客戶要求或者產(chǎn)品出廠技術(shù)指標(biāo)。

4.3封合強(qiáng)度

1

GB/T×××××—××××

屏蔽袋產(chǎn)品的封合強(qiáng)度應(yīng)不小于15N/25mm。

4.4耐穿刺

屏蔽袋單面的耐穿刺強(qiáng)度應(yīng)不小于27N。

4.5表面電阻值

a）內(nèi)表面點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻為1.0×103Ω～1.0×1012Ω；

b）外表面點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻為小于1.0×1012Ω。

4.6內(nèi)感應(yīng)電能量

在圖1所示檢測(cè)裝置和檢測(cè)過(guò)程中，通過(guò)500Ω電阻的屏蔽袋內(nèi)感應(yīng)電能量不大于50nJ。ESD模擬器

首先給100pF電容施加1kV電壓，然后通過(guò)模擬器放電開關(guān)給放電電極放電，檢測(cè)屏蔽袋內(nèi)部電容探針

感應(yīng)的能量，能量通過(guò)500Ω高壓電阻上面的回路電流計(jì)算，此能量值越小說(shuō)明屏蔽袋性能越好（檢測(cè)

原理圖如圖1所示）。

圖1屏蔽袋內(nèi)感應(yīng)電能量檢測(cè)示意圖

5檢測(cè)方法

5.1外觀檢查

屏蔽袋通用要求采用目視法檢查。檢查內(nèi)容包括：

a)外表面干凈，無(wú)雜質(zhì)、塵埃或油污；

b)無(wú)分層、脆裂、氣孔、切口、皺折、劃痕等工藝缺陷；

c)無(wú)不均勻、針孔、裂紋、沙眼、斑點(diǎn)以及外來(lái)物、魚眼、凝膠點(diǎn)等結(jié)構(gòu)缺陷；

d)標(biāo)識(shí)符號(hào)加工方向、字符大小等應(yīng)符合相關(guān)規(guī)定等。

5.2厚度檢測(cè)

5.2.1檢測(cè)條件

5.2.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

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a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(50±5)%RH。

5.2.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)測(cè)厚儀

1)測(cè)量范圍：0～10mm；

2)最大允許誤差：±（0.5%×量程）。

b)直尺

1)測(cè)量范圍：0～200mm；

2)最大允許誤差：±1%。

5.2.2檢測(cè)樣品

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于3個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

沿自封口對(duì)側(cè)底邊拆開其他兩側(cè)封合，在屏蔽袋的上、下兩面各取1個(gè)50mm×50mm檢測(cè)樣品（如果

屏蔽袋尺寸受限，最小檢測(cè)樣品尺寸30mm×30mm）。

5.2.3厚度檢測(cè)方法

a)檢測(cè)前，對(duì)測(cè)厚儀進(jìn)行自校零。

b)使用測(cè)厚儀對(duì)檢測(cè)樣品進(jìn)行逐一測(cè)量，記錄厚度值，應(yīng)滿足4.2要求。

5.3封合強(qiáng)度檢測(cè)

5.3.1檢測(cè)條件

5.3.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(50±5)%RH。

5.3.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀

1)測(cè)量范圍：0～200N；

2)最大允許誤差：±1%；

3)配有平口夾具。

b)直尺

1)測(cè)量范圍：0～200mm；

2)最大允許誤差：±1%。

5.3.2檢測(cè)樣品

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于5個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

自封合區(qū)域外邊緣向內(nèi)、垂直于封合方向，約屏蔽袋中部位置，截取3個(gè)相鄰的寬25mm、長(zhǎng)50mm的

樣品，樣品一側(cè)封合且另一側(cè)是未封合的自由端（尺寸條件不允許情況下，樣品寬度可以調(diào)整在5mm～

25mm之間，且樣品寬厚比應(yīng)大于8）。統(tǒng)一批次的不同樣品可以選擇不同位置的封合區(qū)域，檢測(cè)樣品數(shù)量

不少于10個(gè)。

5.3.3封合強(qiáng)度檢測(cè)方法

a)檢測(cè)前，對(duì)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀及試件夾具進(jìn)行自校，設(shè)置試驗(yàn)探頭移動(dòng)速度約為50cm/min。

b)將檢測(cè)樣品沿封合內(nèi)部邊緣，將未封合的自由端平鋪展開，再將此時(shí)檢測(cè)樣品的兩側(cè)自由端安

裝在平口測(cè)試夾具上。

c)啟動(dòng)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀，直至檢測(cè)樣品被夾具沿封合區(qū)域斷開為止，記錄此時(shí)加力值（N）。

3

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d)更換樣品，重復(fù)b）和c），直至完成全部樣品檢測(cè)，計(jì)算平均加力值（N），最終封合強(qiáng)度的

檢測(cè)結(jié)果為平均加力值/25mm，滿足4.3的要求。

5.4耐穿刺檢測(cè)

5.4.1檢測(cè)條件

5.4.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(50±5)%RH。

5.4.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀

1)測(cè)量范圍：0～200N；

2)最大允許誤差：±1%；

3)配置試驗(yàn)探頭，直徑12.5mm，長(zhǎng)度125mm，觸頭為1/8球半徑，50mm長(zhǎng)錐度。

b)直尺

1)測(cè)量范圍：0～200mm；

2)最大允許誤差：±1%。

5.4.2檢測(cè)樣品

檢測(cè)樣品尺寸50mm×50mm，樣品數(shù)量不少于6個(gè)，以屏蔽袋內(nèi)、外表面首先接觸試驗(yàn)觸頭平均分成

兩組；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

5.4.3耐穿刺檢測(cè)方法

a)檢測(cè)前，對(duì)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀及試件夾具進(jìn)行自校，設(shè)置試驗(yàn)探頭移動(dòng)速度約為50cm/min。

b)安裝檢測(cè)樣品在穿刺強(qiáng)度測(cè)試夾具并固定，確保樣品水平并垂直于試驗(yàn)探頭。

c)以0.5N為步進(jìn)逐步加大負(fù)載，直至試驗(yàn)探頭完全穿透樣品。

d)更換樣品，重復(fù)b）和c），直至完成全部本組樣品檢測(cè)，計(jì)算平均負(fù)載值（N）。

e)更換另一組樣品，重復(fù)b）~d），直至完成全部本組樣品檢測(cè)，計(jì)算平均負(fù)載值（N）。

f)比較兩組平均負(fù)載值（N），以較小負(fù)載值（N）作為最終檢測(cè)結(jié)果，應(yīng)滿足4.4要求。

5.5表面電阻值檢測(cè)

5.5.1檢測(cè)條件

5.5.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(12±3)%RH、(50±5)%RH；

c)無(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾。

5.5.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)高阻計(jì)

1)電壓范圍：10V～100V；

2)電阻檢測(cè)范圍：1×103Ω～1×1013Ω；

3)最大允許誤差：±（10%×量程）。

b)電容探針

電容探針為平板結(jié)構(gòu)形式，電容值為8pF±2pF。結(jié)構(gòu)如圖2所示。平板之間絕緣物質(zhì)由聚碳酸酯

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或丙烯酸等絕緣材料制成。絕緣介質(zhì)的厚度隨材料的不同而不同，應(yīng)根據(jù)實(shí)際制作情況而定。

圖2電容探針結(jié)構(gòu)

c)絕緣平板

表面電阻大于1×1013Ω，一般為1m×1m。

5.5.2檢測(cè)樣品要求

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于6個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

5.5.3表面電阻值檢測(cè)方法

5.5.3.1內(nèi)表面電阻值檢測(cè)方法

a）將至少3個(gè)被測(cè)屏蔽袋放置在(12±3)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

b）將電容探針?lè)湃氡粶y(cè)屏蔽袋內(nèi)，確保屏蔽袋與電容探針的兩個(gè)電極之間有很好的接觸連接。在

屏蔽袋外，將電容探針的引線連接到高阻計(jì)測(cè)量端。用高阻計(jì)測(cè)量屏蔽袋內(nèi)兩個(gè)電容電極之

間的電阻。檢測(cè)示意圖如圖3所示。

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圖3屏蔽袋內(nèi)表面電阻檢測(cè)示意圖

c）將被測(cè)屏蔽袋放置在(50±5)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

d）重復(fù)b）檢測(cè)操作，記錄內(nèi)表面電阻值。

5.5.3.2外表面電阻值檢測(cè)方法

a）將至少3個(gè)被測(cè)屏蔽袋放置在(12±3)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

b）將被測(cè)屏蔽袋平鋪在絕緣平板上，使用高阻計(jì)直接測(cè)量表面電阻值。如屏蔽袋尺寸較小時(shí)，可

以沿自封口對(duì)側(cè)底邊拆開其他兩側(cè)封合，展開后變成雙倍表面積后測(cè)量外表面電阻值。

c）將被測(cè)屏蔽袋放置在(50±5)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

d）重復(fù)b）檢測(cè)操作，記錄外表面電阻值。

5.6內(nèi)感應(yīng)電能量檢測(cè)

5.6.1檢測(cè)條件

5.6.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(12±3)%RH、(50±5)%RH；

c）無(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾。

5.6.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)靜電放電模擬器（以下簡(jiǎn)稱“模擬器”）

模擬器等效電路由等效100pF電容與等效1.5kΩ電阻串聯(lián)而成，見圖4。充電電壓為直流1kV。

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圖4模擬器等效電路

b)數(shù)字存儲(chǔ)示波器（以下簡(jiǎn)稱“示波器”）

1)帶寬不小于200MHz；

2)單次采樣速率大于500Msa/s。

c)電流鉗

響應(yīng)頻率不小于500MHz（推薦TektronixCT-1\CT-2\CT-6），測(cè)試線長(zhǎng)不超過(guò)1m。

d)高壓電阻

500Ω±5Ω，耐壓1kV，低電感濺射金屬膜電阻。

e）電容探針

電容探針為平板結(jié)構(gòu)形式，電容值為8pF±2pF。結(jié)構(gòu)如圖5所示。平板之間絕緣物質(zhì)由聚碳酸

酯或丙烯酸等絕緣材料制成。絕緣介質(zhì)的厚度隨材料的不同而不同，應(yīng)根據(jù)實(shí)際制作情況而定。

圖5電容探針結(jié)構(gòu)

f)放電電極與地電極：放電電極和地電極直徑均為38mm±0.25mm，由導(dǎo)體材料制成。

5.6.2檢測(cè)樣品

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于6個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

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5.6.3內(nèi)感應(yīng)電能量檢測(cè)方法

a)屏蔽袋檢測(cè)前，首先應(yīng)進(jìn)行測(cè)試裝置的自檢，自檢分為模擬器波形驗(yàn)證和系統(tǒng)裝置驗(yàn)證兩部分，

具體方法見附錄A。

b)屏蔽袋內(nèi)感應(yīng)電能量檢測(cè)步驟如下：

1)將至少3個(gè)被測(cè)屏蔽袋放置在(12±3)%RH環(huán)境中不少于48h。

2)在被測(cè)屏蔽袋內(nèi)部中間位置放置電容探針，確保屏蔽袋外表面和放電電極與地電極、屏

蔽袋內(nèi)表面與電容探針的兩個(gè)電極之間有良好的接觸連接。在屏蔽袋外部將高壓電阻串

聯(lián)在電容探針的引出導(dǎo)線上，形成閉合回路，電流鉗夾在高壓電阻的引線上，如圖1、圖

6所示。

圖6放電電極與地電極、屏蔽袋與電容探針實(shí)際連接示意圖

3）設(shè)置示波器為50ns/div，如果不能夠完整顯示放電波形，則調(diào)整示波器的設(shè)置。

4）閉合SW1開關(guān)10ms～100ms，放掉放電電極和地電極上面的剩余電荷，打開SW1開關(guān)。

5）設(shè)置模擬器充放電電壓為1kV。

6）模擬器給放電電極放電，用電流鉗和示波器采集流經(jīng)500Ω高壓電阻的電流波形。

7）下載示波器顯示的波形數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)，根據(jù)流過(guò)500Ω高壓電阻上面的電流波形進(jìn)行感應(yīng)

電能量計(jì)算。計(jì)算方法如下：

①將示波器讀取到的波形數(shù)值轉(zhuǎn)換為電流值；

2

②計(jì)算每個(gè)采樣點(diǎn)的電流平方，即Ii；

③按公式（1）計(jì)算電能量。

n

ERtI2（1）

i………

i1

式中：

E——電能量，J；

R——500Ω高壓電阻的實(shí)際阻值，Ω；

t——示波器采樣時(shí)間間隔，s；

Ii——示波器第i次采集得到的電流值，A；

N——采樣總次數(shù)，次。

8）重復(fù)4)～7)的檢測(cè)步驟，連續(xù)測(cè)量三次，計(jì)算平均值。

9）將至少3個(gè)被測(cè)屏蔽袋放置在(50±5)%RH環(huán)境中不少于48h。

10）重復(fù)2)～8)的檢測(cè)步驟，連續(xù)測(cè)量三次，計(jì)算平均值。

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6檢驗(yàn)規(guī)則

6.1檢驗(yàn)分類

檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。

6.2出廠檢驗(yàn)

6.2.1檢驗(yàn)項(xiàng)目

出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目包括外觀、厚度和表面電阻值。

6.2.2抽樣方案

對(duì)出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目中的外觀質(zhì)量進(jìn)行全數(shù)檢驗(yàn)，對(duì)厚度和表面電阻值進(jìn)行抽樣檢驗(yàn)。對(duì)同品種同規(guī)格

的產(chǎn)品，厚度和表面電阻值的抽樣檢驗(yàn)數(shù)應(yīng)不低于10%。

6.2.3判定規(guī)則

經(jīng)檢驗(yàn)所要求項(xiàng)目均合格，則該批產(chǎn)品為合格，凡有一項(xiàng)或一項(xiàng)以上不合格，則判定該批產(chǎn)品不合

格。

6.3型式檢驗(yàn)

6.3.1檢驗(yàn)項(xiàng)目

型式檢驗(yàn)項(xiàng)目包括第4章技術(shù)要求中的全部項(xiàng)目。

6.3.2檢驗(yàn)條件

有下列條件之一時(shí)，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：

a）新產(chǎn)品試制、鑒定時(shí)；

b）正式生產(chǎn)后，結(jié)構(gòu)、材料，工藝有較大變化，可能影響產(chǎn)品質(zhì)量時(shí)；

c）產(chǎn)品停產(chǎn)半年以上，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；

d）同類產(chǎn)品的出廠檢驗(yàn)結(jié)果與上次型式檢驗(yàn)結(jié)果有較大差異時(shí)；

e）有客戶合同要求時(shí)。

正常情況下，每年至少進(jìn)行一次型式檢驗(yàn)。

6.3.3抽樣方案

對(duì)出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目中的外觀質(zhì)量進(jìn)行全數(shù)檢驗(yàn)，對(duì)厚度、封合強(qiáng)度、耐穿刺、表面電阻值、內(nèi)感應(yīng)能

量進(jìn)行抽樣檢驗(yàn)。對(duì)同品種同規(guī)格的產(chǎn)品，厚度和表面電阻值的抽樣檢驗(yàn)數(shù)應(yīng)不低于10%，封合強(qiáng)度、

耐穿刺和內(nèi)感應(yīng)能量的抽樣檢驗(yàn)數(shù)應(yīng)不低于5%。

6.3.4判定規(guī)則

單項(xiàng)判定規(guī)則：表面電阻值、內(nèi)感應(yīng)能量項(xiàng)目中凡有一個(gè)或一個(gè)以上樣品不合格，則判該項(xiàng)目不合

格；其他性能按相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定判定。

綜合判定規(guī)則：經(jīng)檢驗(yàn)所有項(xiàng)目均合格，則判定該批產(chǎn)品為合格；凡有一項(xiàng)或一項(xiàng)以上不合格，則

判定該批產(chǎn)品不合格。

7標(biāo)志

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GB/T×××××—××××

a）制品標(biāo)志應(yīng)按照GB/T16288規(guī)定；

b）包裝、儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志應(yīng)按照GB/T191規(guī)定；

c)屏蔽袋應(yīng)有靜電防護(hù)標(biāo)識(shí)，標(biāo)識(shí)圖例見GB/T32304-2015中5.5.2圖3。

8包裝、運(yùn)輸和貯存

a）產(chǎn)品應(yīng)按品種、規(guī)格分別包裝，包裝應(yīng)牢固；

b）產(chǎn)品裝卸時(shí)應(yīng)輕拿輕放，嚴(yán)禁刮劃，運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)避免劇烈碰撞；

c）產(chǎn)品應(yīng)按品種、規(guī)格分別整齊堆放，貯存環(huán)境按照防靜電產(chǎn)品庫(kù)房相關(guān)要求。

10

GB/T×××××—××××

附錄A

(資料性附錄)

內(nèi)感應(yīng)電能量測(cè)試裝置自檢方法

A.1模擬器波形驗(yàn)證方法

驗(yàn)證模擬器輸出阻抗電流（Ip）波形步驟如下：

a)將500Ω高壓電阻和模擬器的放電端和地端連接，連接線應(yīng)有靜電屏蔽，盡量短。連接電流鉗

使其環(huán)繞在500Ω高壓電阻與地端連接線上。參見圖A.1。

注：放電電極和地電極在這個(gè)測(cè)試中不被使用。

圖A.1模擬器波形驗(yàn)證示意

b)將電流鉗與數(shù)字存儲(chǔ)示波器連接。設(shè)置示波器為5ns/div，示波器的輸入阻抗為50Ω(匹配電

流鉗與示波器輸入阻抗)。

c)設(shè)置ESD放電電壓為1kV。

d)將模擬器內(nèi)100pF電容首先充電1kV，然后通過(guò)模擬器放電開關(guān)S2給1.5kΩ和500Ω高壓電

阻放電。

e)觀察放電電流波形的上升時(shí)間（tr）和峰值電流（IP）。所有參數(shù)均應(yīng)符合圖A.2a）的要求。

即tr在5ns～20ns之間，IR小于IP的15%。

f)如有必要調(diào)整模擬器電壓值，使其輸出波形電流峰值（IP）為0.5A±0.05A。此時(shí)的電壓值等

效為1kV放電電壓，即IP＝0.5A±0.05A。

g)設(shè)置示波器為100ns/div，觀察完整的波形，脈沖的延遲時(shí)間（td）應(yīng)該滿足圖A.2b）的要求。

即輸出電流從峰值下降到峰值的36.8%所用的時(shí)間td應(yīng)滿足200ns±20ns。

h)使用軟件分析測(cè)量電流波形。根據(jù)公式（1）計(jì)算電能量。在此測(cè)試流程中電阻為2kΩ（包括

模擬器的1.5kΩ電阻和500Ω高壓電阻），模擬器內(nèi)部電容（100pF標(biāo)稱）充電到試驗(yàn)電壓后

（標(biāo)稱1kV，實(shí)際電壓由步驟f）調(diào)整而定）的放電能量為50μJ±6μJ。軟件計(jì)算得到放電

的電能量E應(yīng)在50μJ±6μJ范圍內(nèi)，否則調(diào)整測(cè)試裝置。50μJ電能量計(jì)算公式見公式（A.1）。

1

E＝CU2…………(A.1)

2

式中：

E——放電的電能量，J；

C——模擬器內(nèi)部100pF標(biāo)稱電容的實(shí)際值，F(xiàn)；

11

GB/T×××××—××××

U——電容充電電壓的實(shí)際值，V。

P

R

90%

上升時(shí)間正常范圍36.8%延遲時(shí)間正常范圍

d200ns±20ns

r5ns20ns

10%

5ns/div100ns/div

r

d

a)示波器顯示設(shè)置5ns/divb)示波器顯示設(shè)置100ns/div

圖A.2通過(guò)500Ω電阻的電流波形

A.2系統(tǒng)裝置驗(yàn)證方法

系統(tǒng)裝置驗(yàn)證步驟如下：

a)連接500Ω高壓電阻與電容探針的兩端，將電容探針在放電電極與地電極之間，如圖A.3所

示，應(yīng)確保放電電極、電容探針與地電極三者相互垂直，并有良好的接觸。

圖A.3系統(tǒng)裝置驗(yàn)證示意

b)將電流鉗與示波器連接。設(shè)置示波器為5ns/div，示波器的輸入阻抗為50Ω(匹配電流鉗與示

波器輸入阻抗)。

c)設(shè)置ESD放電電壓為1kV。

d)將模擬器內(nèi)100pF電容首先充電1kV，然后通過(guò)模擬器放電開關(guān)S2給1.5kΩ和500Ω高壓

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GB/T×××××—××××

電阻放電。

e)觀察放電電流波形的峰值電流。峰值電流不小于0.42A。否則，更換電容探針或調(diào)整連接線

的長(zhǎng)度，直到滿足要求為止。

13

GB/T×××××—××××

參考文獻(xiàn)

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DischargeSusceptibleItems–PackagingMaterialsforESDSensitiveItems

[2]ANSI/ESDSTM11.11-2015ESDAssociationStandardforProtectionofElectrostatic

DischargeSusceptibleItems–SurfaceResistanceMeasurementofStaticDissipativePlanar

Materials

[3]ANSI/ESDSTM11.31-2018ESDAssociationStandardTestMethodforEvaluatingthe

PerformanceofElectrostaticDischargeShieldingMaterials–Bags

[4]BSEN61340-4-8:2015ElectrostaticsPart4-8:Standardtestmethodsforspecific

applications—Electrostaticdischargeshielding—Bags

[5]MIL-PRF-81705Ew/AMENDMENT1-2010PerformanceSpecificationBarrierMaterials,

Flexible,ElectrostaticDischargeProtective,Heat-Sealable

[6]MIL-STD-3010B-2008TestMethodStandardTestProceduresforPackagingMaterials

[7]Q/QJA122-2013航天電子產(chǎn)品防靜電屏蔽包裝袋檢測(cè)方法

14

GB/T×××××—××××

目次

前言................................................................................Ⅱ

引言................................................................................Ⅲ

1范圍...............................................................................1

2規(guī)范性引用文件.....................................................................1

3術(shù)語(yǔ)和定義.........................................................................1

4技術(shù)要求...........................................................................1

5檢測(cè)方法...........................................................................2

6檢驗(yàn)規(guī)則...........................................................................9

7標(biāo)志...............................................................................9

8包裝、運(yùn)輸和貯存..................................................................10

附錄A（資料性附錄）內(nèi)感應(yīng)電能量測(cè)試裝置自檢方法...............................11

參考文獻(xiàn)............................................................................14

I

GB/T×××××—××××

靜電屏蔽包裝袋要求及檢測(cè)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了靜電屏蔽包裝袋（以下簡(jiǎn)稱“屏蔽袋”）的技術(shù)要求、檢測(cè)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、

包裝、運(yùn)輸和貯存等內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于屏蔽袋生產(chǎn)過(guò)程產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)，也適用于第三方產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)評(píng)價(jià)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T15463靜電安全術(shù)語(yǔ)

GB/T16288塑料制品的標(biāo)志

GB/T32304-2015航天電子產(chǎn)品靜電防護(hù)要求

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T191、GB/T15463、GB/T16288、GB/T32304界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

靜電防護(hù)包裝electrostaticdischargeprotectivepackaging

為靜電敏感電子產(chǎn)品提供防護(hù)的包裝物品或材料，如防靜電的包裝袋、填充物、運(yùn)輸箱、轉(zhuǎn)運(yùn)盒以

及集成電路包裝管等。

3.2

靜電（放電）屏蔽electrostaticdischargeshield

限制靜電放電產(chǎn)生的電流及電磁場(chǎng)影響的屏蔽。

4技術(shù)要求

4.1外觀

屏蔽袋外觀應(yīng)無(wú)破損、無(wú)褶皺、無(wú)污漬等，應(yīng)具有可以全封閉包裝的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；其材料不應(yīng)有易碎、

易脫落或易擦除的物質(zhì)。

4.2厚度

一般按照客戶要求或者產(chǎn)品出廠技術(shù)指標(biāo)。

4.3封合強(qiáng)度

1

GB/T×××××—××××

屏蔽袋產(chǎn)品的封合強(qiáng)度應(yīng)不小于15N/25mm。

4.4耐穿刺

屏蔽袋單面的耐穿刺強(qiáng)度應(yīng)不小于27N。

4.5表面電阻值

a）內(nèi)表面點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻為1.0×103Ω～1.0×1012Ω；

b）外表面點(diǎn)對(duì)點(diǎn)電阻為小于1.0×1012Ω。

4.6內(nèi)感應(yīng)電能量

在圖1所示檢測(cè)裝置和檢測(cè)過(guò)程中，通過(guò)500Ω電阻的屏蔽袋內(nèi)感應(yīng)電能量不大于50nJ。ESD模擬器

首先給100pF電容施加1kV電壓，然后通過(guò)模擬器放電開關(guān)給放電電極放電，檢測(cè)屏蔽袋內(nèi)部電容探針

感應(yīng)的能量，能量通過(guò)500Ω高壓電阻上面的回路電流計(jì)算，此能量值越小說(shuō)明屏蔽袋性能越好（檢測(cè)

原理圖如圖1所示）。

圖1屏蔽袋內(nèi)感應(yīng)電能量檢測(cè)示意圖

5檢測(cè)方法

5.1外觀檢查

屏蔽袋通用要求采用目視法檢查。檢查內(nèi)容包括：

a)外表面干凈，無(wú)雜質(zhì)、塵?；蛴臀郏?/p>

b)無(wú)分層、脆裂、氣孔、切口、皺折、劃痕等工藝缺陷；

c)無(wú)不均勻、針孔、裂紋、沙眼、斑點(diǎn)以及外來(lái)物、魚眼、凝膠點(diǎn)等結(jié)構(gòu)缺陷；

d)標(biāo)識(shí)符號(hào)加工方向、字符大小等應(yīng)符合相關(guān)規(guī)定等。

5.2厚度檢測(cè)

5.2.1檢測(cè)條件

5.2.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

2

GB/T×××××—××××

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(50±5)%RH。

5.2.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)測(cè)厚儀

1)測(cè)量范圍：0～10mm；

2)最大允許誤差：±（0.5%×量程）。

b)直尺

1)測(cè)量范圍：0～200mm；

2)最大允許誤差：±1%。

5.2.2檢測(cè)樣品

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于3個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

沿自封口對(duì)側(cè)底邊拆開其他兩側(cè)封合，在屏蔽袋的上、下兩面各取1個(gè)50mm×50mm檢測(cè)樣品（如果

屏蔽袋尺寸受限，最小檢測(cè)樣品尺寸30mm×30mm）。

5.2.3厚度檢測(cè)方法

a)檢測(cè)前，對(duì)測(cè)厚儀進(jìn)行自校零。

b)使用測(cè)厚儀對(duì)檢測(cè)樣品進(jìn)行逐一測(cè)量，記錄厚度值，應(yīng)滿足4.2要求。

5.3封合強(qiáng)度檢測(cè)

5.3.1檢測(cè)條件

5.3.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(50±5)%RH。

5.3.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀

1)測(cè)量范圍：0～200N；

2)最大允許誤差：±1%；

3)配有平口夾具。

b)直尺

1)測(cè)量范圍：0～200mm；

2)最大允許誤差：±1%。

5.3.2檢測(cè)樣品

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于5個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

自封合區(qū)域外邊緣向內(nèi)、垂直于封合方向，約屏蔽袋中部位置，截取3個(gè)相鄰的寬25mm、長(zhǎng)50mm的

樣品，樣品一側(cè)封合且另一側(cè)是未封合的自由端（尺寸條件不允許情況下，樣品寬度可以調(diào)整在5mm～

25mm之間，且樣品寬厚比應(yīng)大于8）。統(tǒng)一批次的不同樣品可以選擇不同位置的封合區(qū)域，檢測(cè)樣品數(shù)量

不少于10個(gè)。

5.3.3封合強(qiáng)度檢測(cè)方法

a)檢測(cè)前，對(duì)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀及試件夾具進(jìn)行自校，設(shè)置試驗(yàn)探頭移動(dòng)速度約為50cm/min。

b)將檢測(cè)樣品沿封合內(nèi)部邊緣，將未封合的自由端平鋪展開，再將此時(shí)檢測(cè)樣品的兩側(cè)自由端安

裝在平口測(cè)試夾具上。

c)啟動(dòng)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀，直至檢測(cè)樣品被夾具沿封合區(qū)域斷開為止，記錄此時(shí)加力值（N）。

3

GB/T×××××—××××

d)更換樣品，重復(fù)b）和c），直至完成全部樣品檢測(cè)，計(jì)算平均加力值（N），最終封合強(qiáng)度的

檢測(cè)結(jié)果為平均加力值/25mm，滿足4.3的要求。

5.4耐穿刺檢測(cè)

5.4.1檢測(cè)條件

5.4.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(50±5)%RH。

5.4.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀

1)測(cè)量范圍：0～200N；

2)最大允許誤差：±1%；

3)配置試驗(yàn)探頭，直徑12.5mm，長(zhǎng)度125mm，觸頭為1/8球半徑，50mm長(zhǎng)錐度。

b)直尺

1)測(cè)量范圍：0～200mm；

2)最大允許誤差：±1%。

5.4.2檢測(cè)樣品

檢測(cè)樣品尺寸50mm×50mm，樣品數(shù)量不少于6個(gè)，以屏蔽袋內(nèi)、外表面首先接觸試驗(yàn)觸頭平均分成

兩組；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

5.4.3耐穿刺檢測(cè)方法

a)檢測(cè)前，對(duì)拉伸強(qiáng)度測(cè)試儀及試件夾具進(jìn)行自校，設(shè)置試驗(yàn)探頭移動(dòng)速度約為50cm/min。

b)安裝檢測(cè)樣品在穿刺強(qiáng)度測(cè)試夾具并固定，確保樣品水平并垂直于試驗(yàn)探頭。

c)以0.5N為步進(jìn)逐步加大負(fù)載，直至試驗(yàn)探頭完全穿透樣品。

d)更換樣品，重復(fù)b）和c），直至完成全部本組樣品檢測(cè)，計(jì)算平均負(fù)載值（N）。

e)更換另一組樣品，重復(fù)b）~d），直至完成全部本組樣品檢測(cè)，計(jì)算平均負(fù)載值（N）。

f)比較兩組平均負(fù)載值（N），以較小負(fù)載值（N）作為最終檢測(cè)結(jié)果，應(yīng)滿足4.4要求。

5.5表面電阻值檢測(cè)

5.5.1檢測(cè)條件

5.5.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(12±3)%RH、(50±5)%RH；

c)無(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾。

5.5.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)高阻計(jì)

1)電壓范圍：10V～100V；

2)電阻檢測(cè)范圍：1×103Ω～1×1013Ω；

3)最大允許誤差：±（10%×量程）。

b)電容探針

電容探針為平板結(jié)構(gòu)形式，電容值為8pF±2pF。結(jié)構(gòu)如圖2所示。平板之間絕緣物質(zhì)由聚碳酸酯

4

GB/T×××××—××××

或丙烯酸等絕緣材料制成。絕緣介質(zhì)的厚度隨材料的不同而不同，應(yīng)根據(jù)實(shí)際制作情況而定。

圖2電容探針結(jié)構(gòu)

c)絕緣平板

表面電阻大于1×1013Ω，一般為1m×1m。

5.5.2檢測(cè)樣品要求

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于6個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。

5.5.3表面電阻值檢測(cè)方法

5.5.3.1內(nèi)表面電阻值檢測(cè)方法

a）將至少3個(gè)被測(cè)屏蔽袋放置在(12±3)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

b）將電容探針?lè)湃氡粶y(cè)屏蔽袋內(nèi)，確保屏蔽袋與電容探針的兩個(gè)電極之間有很好的接觸連接。在

屏蔽袋外，將電容探針的引線連接到高阻計(jì)測(cè)量端。用高阻計(jì)測(cè)量屏蔽袋內(nèi)兩個(gè)電容電極之

間的電阻。檢測(cè)示意圖如圖3所示。

5

GB/T×××××—××××

圖3屏蔽袋內(nèi)表面電阻檢測(cè)示意圖

c）將被測(cè)屏蔽袋放置在(50±5)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

d）重復(fù)b）檢測(cè)操作，記錄內(nèi)表面電阻值。

5.5.3.2外表面電阻值檢測(cè)方法

a）將至少3個(gè)被測(cè)屏蔽袋放置在(12±3)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

b）將被測(cè)屏蔽袋平鋪在絕緣平板上，使用高阻計(jì)直接測(cè)量表面電阻值。如屏蔽袋尺寸較小時(shí)，可

以沿自封口對(duì)側(cè)底邊拆開其他兩側(cè)封合，展開后變成雙倍表面積后測(cè)量外表面電阻值。

c）將被測(cè)屏蔽袋放置在(50±5)%RH環(huán)境中不少于48h，但不多于72h；

d）重復(fù)b）檢測(cè)操作，記錄外表面電阻值。

5.6內(nèi)感應(yīng)電能量檢測(cè)

5.6.1檢測(cè)條件

5.6.1.1檢測(cè)環(huán)境條件

a)環(huán)境溫度：(23±5)℃；

b)相對(duì)濕度：(12±3)%RH、(50±5)%RH；

c）無(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾。

5.6.1.2檢測(cè)儀器設(shè)備

a)靜電放電模擬器（以下簡(jiǎn)稱“模擬器”）

模擬器等效電路由等效100pF電容與等效1.5kΩ電阻串聯(lián)而成，見圖4。充電電壓為直流1kV。

6

GB/T×××××—××××

圖4模擬器等效電路

b)數(shù)字存儲(chǔ)示波器（以下簡(jiǎn)稱“示波器”）

1)帶寬不小于200MHz；

2)單次采樣速率大于500Msa/s。

c)電流鉗

響應(yīng)頻率不小于500MHz（推薦TektronixCT-1\CT-2\CT-6），測(cè)試線長(zhǎng)不超過(guò)1m。

d)高壓電阻

500Ω±5Ω，耐壓1kV，低電感濺射金屬膜電阻。

e）電容探針

電容探針為平板結(jié)構(gòu)形式，電容值為8pF±2pF。結(jié)構(gòu)如圖5所示。平板之間絕緣物質(zhì)由聚碳酸

酯或丙烯酸等絕緣材料制成。絕緣介質(zhì)的厚度隨材料的不同而不同，應(yīng)根據(jù)實(shí)際制作情況而定。

圖5電容探針結(jié)構(gòu)

f)放電電極與地電極：放電電極和地電極直徑均為38mm±0.25mm，由導(dǎo)體材料制成。

5.6.2檢測(cè)樣品

被測(cè)屏蔽袋樣品數(shù)量不少于6個(gè)；另有情況時(shí)，按照GB/T2828.1相關(guān)規(guī)定。