模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬綜合試卷12附答案

第頁模擬綜合試卷12答案一、填空（24分，每空1分）1．半導體中存在兩種載流子，分別為電子和空穴。雜質(zhì)半導體分為兩種，分別為N型半導體和P型半導體。2、雙極性晶體三極管工作于放大模式的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。3．從信號的傳輸途徑看，集成運放由輸入級、中間級、輸出級、偏置電路這幾個部分組成。4．某放大器的下限角頻率，上限角頻率，則帶寬為（-）/2πHz。5．共發(fā)射極電路中采用恒流源做有源負載是利用其交流電阻大的特點以獲得較高增益。6．在RC橋式正弦波振蕩電路中，當滿足相位起振條件時，則其中電壓放大電路的放大倍數(shù)要略大于3才能起振。7．電壓比較器工作時，在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生1次躍變，遲滯比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生1次躍變。8、乙類推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，應改用甲乙類推挽放大器。9、負反饋系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是，相應的振幅條件是，相位條件是。10、若三級放大電路中AU1=AU2=30dB，AU3=20dB，則其總電壓增益為80dB，折合為104倍。11、差分放大電路，若兩個輸入信號uI1=uI2，則輸出電壓，uO=0V；若uI1=100V，uI2=80V則差模輸入電壓uId=20V；共模輸入電壓uIc=90V。二、按要求選其中正確的一項填入括號（26分，每小題2分）1．當環(huán)境溫度升高時，二極管的反向飽和電流Is將增大，是因為此時PN結(jié)內(nèi)部的。（B）A多數(shù)載流子濃度增大B少數(shù)載流子濃度增大C多數(shù)載流子濃度減小D少數(shù)載流子濃度減小2、晶體三極管的各極電流是由（C）形成的。A、多數(shù)載流子B、少數(shù)載流子C、兩種載流子D、熱運動3、若要提高某放大器的輸入電阻且使輸出電壓穩(wěn)定，可以加入下列負反饋：(B)A、電流串聯(lián)B、電壓串聯(lián)C、電流并聯(lián)D、電壓并聯(lián)4、在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為12V，3.7V，3V，則它是（A）。A．NPN型硅管B.NPN型鍺管C.PNP型硅管D.PNP型鍺管5.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（D）。A、基本共射放大電路B、基本共集放大電路C、反相比例運算電路D、同相比例運算電路6、直接耦合放大電路存在零點漂移的原因主要是（C）。A電阻阻值有誤差B晶體管參數(shù)的分散性C晶體管參數(shù)受溫度影響D受輸入信號變化的影響7、某只硅穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Vz=4v，其兩端施加的電壓分別為+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）時，穩(wěn)壓管兩端的最終電壓分別為（D）。A+5v和-5vB-5v和+4vC+4v和-0.7vD+0.7v和-4v8、差分放大電路的長尾電阻的主要功能是（A），而提高共模抑制比。A抑制共模信號；B抑制差模信號；C放大共模信號；D既抑制共模信號又抑制差模信號；9、組合放大電路的輸出級采用射極輸出方式是為了使（D）。A電壓放大倍數(shù)高B輸出電流小C輸出電阻增大D帶負載能力強10、由NPN型三極管組成的基本共射放大電路的靜態(tài)工作點設(shè)置不當時，輸出波形容易產(chǎn)生失真，Q點偏高時的失真叫做失真，對應的輸出電壓波形將出現(xiàn)失真。（B）A飽和；頂部B飽和；底部C截止；底部D截止；頂部11、當我們想要放大頻率為10KHZ以上的信號時，應采用（B）濾波器。A、低通B、高通C、帶阻D、帶通0iD/mA0iD/mA-4uGS/V5A體積小B品質(zhì)因數(shù)高C振蕩頻率高D有兩個振蕩頻率13、某場效應管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（D）。A．P溝道增強型MOS管B、P溝道結(jié)型場效應管C、N溝道增強型MOS管D、N溝道耗盡型MOS管三、電路分析（16分）1、判斷圖3.1.1，圖3.1.2電路的反饋極性及組態(tài)（6分）圖3.1.1圖3.1.2（瞬時極性標圖1上）（瞬時極性標圖2上）電流并聯(lián)負反饋電壓串聯(lián)負反饋+VCCR+VCCR2R1+C1（1）圖3.2.1電路如下圖示，請回答問題：圖1電路無（填有或無）放大作用。簡單說明理由：因電容隔直作用，該電路中基極靜態(tài)偏置電流為零，所以放大電路處于截止狀態(tài)，無法對交流信號進行放大。圖3.2.1（2）圖3.2.2電路如下圖示，試判斷各三極管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)，并說明理由。圖3.2.2解：圖A、晶體管為PNP，因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏，所以三級管工作在放大區(qū)；圖B、晶體管為NPN，因發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏，所以三級管工作在截止區(qū)；圖C、晶體管為PNP，因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)偏置電壓為零伏，所以三級管工作在臨界飽和區(qū)；四、電路分析和計算（34分）1、如下圖所示的電壓串聯(lián)負反饋電路中，假設(shè)集成運放的開環(huán)電壓放大倍數(shù)A=100000，電阻R1=2KΩ，RF=18KΩ。（15分）1)估算反饋系數(shù)和反饋深度；2)估算閉環(huán)放大倍數(shù)；3)如果開環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對變化量為±10%，求閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對變化量。圖4.1解：該電路為電壓串聯(lián)負反饋電路，1）反饋系數(shù)為；反饋深度為。2）因反饋類型為電壓串聯(lián)負反饋，所以閉環(huán)放大倍數(shù)即為閉環(huán)電壓放大倍數(shù)。3）因，所以閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對變化量為C2Ui-+RL+++VCCRCRbCC2Ui-+RL+++VCCRCRbC1UO（1）試估算靜態(tài)工作點；（2）計算三極管的值；（3）求出中頻時的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻；圖4.2解：（1）（2）（3）中頻時的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻為（微變等效