企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)圖譜：2024年半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組 頭豹詞條報(bào)告系列

信息科技/半導(dǎo)體信息科技/半導(dǎo)體企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)圖譜：2024年半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組頭豹詞條報(bào)告系列馬天奇·頭豹分析師2024-04-09未經(jīng)平臺(tái)授權(quán)，禁止轉(zhuǎn)載版權(quán)有問(wèn)題？點(diǎn)此投訴制造業(yè)/計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)/計(jì)算機(jī)制造/計(jì)算機(jī)零部件制造行業(yè)定義半導(dǎo)體行業(yè)分為多個(gè)子行業(yè)，包括集成電路、光電…AI訪談行業(yè)分類按照功能性及使用的主要存儲(chǔ)芯片類型的分類方式，…AI訪談行業(yè)特征半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)特征包括：1.NANDFlash和…AI訪談發(fā)展歷程半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)目前已達(dá)到3個(gè)階段AI訪談產(chǎn)業(yè)鏈分析AI訪談行業(yè)規(guī)模半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)規(guī)模暫無(wú)評(píng)級(jí)報(bào)告AI訪談SIZE數(shù)據(jù)政策梳理半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)相關(guān)政策5篇AI訪談競(jìng)爭(zhēng)格局AI訪談數(shù)據(jù)圖表中游分析下游分析上游分析摘要存儲(chǔ)器是利用磁性材料或半導(dǎo)體等作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲(chǔ)的器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用半導(dǎo)體介質(zhì)存儲(chǔ)電荷來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)，存儲(chǔ)與讀取過(guò)程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是集成電路的重要分支之一。半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)特征包括：1.NANDFlash和DRAM存儲(chǔ)器占據(jù)99%市場(chǎng)；2.中國(guó)是存儲(chǔ)芯片最大的終端使用地，但國(guó)產(chǎn)化率較低；3.行業(yè)于2023年Q4開(kāi)始復(fù)蘇，當(dāng)前保持平穩(wěn)。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程可以追溯到上世紀(jì)60年代，IBM公司的研究人員提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管制作存儲(chǔ)器芯片的設(shè)想，并成功研發(fā)出了首個(gè)DRAM。摘要隨后，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)逐漸發(fā)展壯大。1984年，東芝公司的工程師首次提出了快速閃存存儲(chǔ)器的概念，并于1988年實(shí)現(xiàn)了NOR閃存的批量生產(chǎn)，這一技術(shù)的推出標(biāo)志著閃存存儲(chǔ)器時(shí)代的開(kāi)始。2006年中芯國(guó)際量產(chǎn)80納米工藝的DRAM后，中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器企業(yè)如晉華集成、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等相繼成立，并取得了一系列重要的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從最初的DRAM到現(xiàn)在的3DNAND的演進(jìn)過(guò)程，中國(guó)大陸存儲(chǔ)器企業(yè)在其中扮演著愈發(fā)重要的角色。2019年—2023年，半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由507.47億美元回落至268.80億美元，期間年復(fù)合增長(zhǎng)率-14.69%。預(yù)計(jì)2024年—2028年，半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由389.30億美元增長(zhǎng)至718.72億美元，期間年復(fù)合增長(zhǎng)率16.56%。半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)定義[1]半導(dǎo)體行業(yè)分為多個(gè)子行業(yè)，包括集成電路、光電器件、分立器件和傳感器等。在集成電路領(lǐng)域，根據(jù)功能的不同，可進(jìn)一步細(xì)分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路和微處理器等不同的領(lǐng)域。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)（WSTS）對(duì)世界半導(dǎo)體貿(mào)易規(guī)模的最新數(shù)據(jù)，2023年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到5,201億美元，同比2022年下降9.4%。其中存儲(chǔ)芯片占比集成電路21%，僅次于邏輯電路的41%。存儲(chǔ)器是利用磁性材料或半導(dǎo)體等作為介質(zhì)閃存模組，主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM（只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持）。和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM（儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新）。閃存模組，主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM（只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持）。和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM（儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新）。易失性存儲(chǔ)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組分類非易失性存儲(chǔ)1：https://baike.baid…3：https://baike.baid…4：江波龍、百度百科存或釋放。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是集成電路的重要分支之一。[1]1：https://www.wsts.…2：WSTS、江波龍半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)分類[2]按照功能性及使用的主要存儲(chǔ)芯片類型的分類方式，半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)可以分為如下類別：半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)基于**的分類內(nèi)存模組，主要包括可編程只讀存儲(chǔ)器PROM（其特性是一旦存儲(chǔ)數(shù)據(jù)就無(wú)法再將之改變或刪除，且內(nèi)容不會(huì)因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而消失閃存存儲(chǔ)器Flash（閃存是一種電子式可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM的形式，允許在操作中被多次擦除或?qū)懭氲拇鎯?chǔ)器。它主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲(chǔ)存卡與U盤(pán)。早期的閃存進(jìn)行一次抹除，就會(huì)清除整顆芯片上的數(shù)據(jù)）和可擦除可編程只讀寄存器EPROM（可利用高電壓將數(shù)據(jù)編程寫(xiě)入，但抹除時(shí)需將存儲(chǔ)器芯片曝露于紫外線下一段時(shí)間，數(shù)據(jù)始可被清空，再供重復(fù)使用。因此，在封裝外殼上會(huì)預(yù)留一個(gè)由石英玻璃制成的透明窗，以便進(jìn)行紫外線曝光。寫(xiě)入程序后通常會(huì)用貼紙遮蓋透明窗，以防長(zhǎng)時(shí)間曝光過(guò)量影響數(shù)據(jù)）/EEPROM等。2：2：https://baike.baid…半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)特征[3]半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)特征包括：1.NANDFlash和DRAM存儲(chǔ)器占據(jù)99%市場(chǎng)；2.中國(guó)是存儲(chǔ)芯片最大的終端使用地，但國(guó)產(chǎn)化率較低；3.行業(yè)于2023年Q4開(kāi)始復(fù)蘇，當(dāng)前保持平穩(wěn)。2：https://www.wsts.2：https://www.wsts.…3：https://www.china…4：https://www.china…6：https://www.china…7：ICInsights、WSTS、C…1NANDFlash和DRAM存儲(chǔ)器占據(jù)99%市場(chǎng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)中，DRAM和NANDFlash占據(jù)主導(dǎo)地位。2022年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中DRAM占比EEPROM/EPROM/ROM/其他占比1%、SRAM占比小于1%。注：占比數(shù)據(jù)存在四舍五入。2中國(guó)是存儲(chǔ)芯片最大的終端使用地，但國(guó)產(chǎn)化率較低根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)主要分為四大區(qū)域，其中美洲占比25.48%、歐洲10.97%、日本9.08%、亞洲54.47%，亞洲規(guī)模排名全球第一。根據(jù)佰維存儲(chǔ)，中國(guó)是全球存儲(chǔ)芯片最大的終端使用市場(chǎng)，但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片目前的市場(chǎng)份額僅不足5%，顯示中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)還有巨大的成長(zhǎng)空間。3行業(yè)于2023年Q4開(kāi)始復(fù)蘇，當(dāng)前處于行業(yè)博弈期在存儲(chǔ)市場(chǎng)最近一輪周期變化中（2019年至2023年經(jīng)歷了供需失衡、大流行沖擊、供應(yīng)短缺、庫(kù)存積壓、價(jià)格暴跌等多個(gè)階段，最終是由原廠主動(dòng)減產(chǎn)來(lái)結(jié)束這一波周期性波動(dòng)。2023上半年行業(yè)供需失衡導(dǎo)致存儲(chǔ)價(jià)格失速下滑，原廠肩負(fù)著巨額虧損的財(cái)務(wù)壓力，上游集體加大減產(chǎn)力度并收縮供應(yīng)，NAND指數(shù)從1月23日的近600下跌至7月的450以下，DRAM指數(shù)從1月23日的約700下跌至8月的500以下。2023年后期原廠通過(guò)減產(chǎn)（據(jù)CFM閃存市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)，各大存儲(chǔ)原廠NANDFlash減產(chǎn)幅度在30%～50%，尤其是產(chǎn)能占比較大的成熟制程產(chǎn)品）和恐慌性備貨（江波龍/德明利/佰維存儲(chǔ)23Q3存貨分別較22年底增長(zhǎng)11.1/8.5/15.6億，較22年底增幅分別達(dá)30%/113%/80%）逐步修復(fù)財(cái)務(wù)水平（2023年Q4江波龍預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收35億元～40億元，同比上升超過(guò)100%，歸母凈利潤(rùn)扭虧為盈，截至2024年1月2日。佰維存儲(chǔ)在第四季度營(yíng)收同樣增長(zhǎng)超過(guò)80%，環(huán)比增長(zhǎng)超50%，毛利率回升13個(gè)百分點(diǎn)）。指數(shù)方面截至2024年1月2日NAND指數(shù)從最低點(diǎn)反彈55.6%；DRAM指數(shù)從最低點(diǎn)反彈14.6%。目前存儲(chǔ)行情仍處于持續(xù)復(fù)蘇過(guò)程芯片合約價(jià)上調(diào)10%～20%），但由于現(xiàn)貨需求端普遍存在一定庫(kù)存，以及終端需求未見(jiàn)明顯好轉(zhuǎn)，備貨需求放緩之下，近期存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)普遍面臨較大的成交壓力。綜合情況分析，當(dāng)前處于復(fù)蘇平穩(wěn)期，短期上游資源的漲幅很難廣泛傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端（PC端需求力度不足存儲(chǔ)現(xiàn)貨價(jià)格基本以持平為主。1：1：https://www.icinsi…5：5：https://m.21jingji.c…半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組發(fā)展歷程[4]存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程可以追溯到上世紀(jì)60年代，IBM公司的研究人員提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管制作存儲(chǔ)器芯片的設(shè)想，并成功研發(fā)出了首個(gè)DRAM。隨后，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)逐漸發(fā)展壯大。1984年，東芝公司的工程師首次提出了快速閃存存儲(chǔ)器的概念，并于1988年實(shí)現(xiàn)了NOR閃存的批量生產(chǎn)，這一技術(shù)的推出標(biāo)志著閃存存儲(chǔ)器時(shí)代的開(kāi)始。2006年中芯國(guó)際量產(chǎn)80納米工藝的DRAM后，中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器企業(yè)如晉華集成、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等相繼成立，并取得了一系列重要的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從最初的DRAM到現(xiàn)在的3DNAND的演進(jìn)過(guò)程，中國(guó)大陸存儲(chǔ)器企業(yè)在其中扮演著愈發(fā)重要的角色。萌芽期1956~19841956年，中央提出“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號(hào)，把半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化和電子學(xué)這四個(gè)在國(guó)際上發(fā)展迅速而中國(guó)急需發(fā)展的高新技術(shù)列為四大緊急措施。1963年，中國(guó)第一個(gè)半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠“109廠”制造出國(guó)產(chǎn)硅平面型晶體管。1966年，IBM公司托馬斯·沃森研究中心的研究人員提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，來(lái)制作存儲(chǔ)器芯片的設(shè)想，同年研發(fā)成功1T/1C結(jié)構(gòu)（一個(gè)晶體管加一個(gè)電容）的DRAM，并在1968年獲得專利。1968年，仙童半導(dǎo)體（Fairchild）推出首個(gè)DRAM，其字節(jié)只有256bit。1969年，先進(jìn)內(nèi)存系統(tǒng)公司正式推出首款1KDRAM。1970年，英特爾推出首款可大規(guī)模生產(chǎn)的1KDRAM芯片C1103，使得1bit只要1美分。1975年，北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組完成硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS三種技術(shù)方案，在109廠采用硅柵NMOS技術(shù)，試制出中國(guó)大陸第一塊1K1978年，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制4KDRAM，1979年在101980年，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制16KDRAM，1981年在109廠成功投產(chǎn)。1984年，東芝公司工程師舛岡富士雄（FujioMasuoka）首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（FlashMemory）的概念。存儲(chǔ)器模組行業(yè)處于早期萌芽階段。當(dāng)時(shí)的存儲(chǔ)器模組存儲(chǔ)容量較小，速度較慢，價(jià)格昂貴。啟動(dòng)期1984~20061985年，中國(guó)科學(xué)院微電子中心成功研制64KDRAM，當(dāng)年在江南無(wú)線電器材廠（742廠）成功投產(chǎn)。1990年，清華大學(xué)李志堅(jiān)院士研制成功具有中國(guó)獨(dú)立自主版權(quán)、在性能指標(biāo)上達(dá)到世界先進(jìn)水平的1兆位漢字只讀存儲(chǔ)器（1MROM）芯片。1：https://www.digiti…3：https://new.qq1：https://www.digiti…3：https://new.qq.co…4：騰訊網(wǎng)、知乎、DIGITI…1993年，無(wú)錫華晶采用2.5微米工藝制造出中國(guó)大陸第一塊256KDRAM。1994年，東芝將NAND實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。1997年，NEC和華虹集團(tuán)合資成立華虹NEC（2004年后退出DRAM市場(chǎng)）。2003年，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊(duì)率先在中國(guó)開(kāi)展相變存儲(chǔ)器的研發(fā)。2004年，中芯國(guó)際在北京建設(shè)中國(guó)大陸第一座12英寸晶圓廠（Fab4）。在全球最大的DRAM生產(chǎn)基地。同年中國(guó)科學(xué)院物理研究所韓秀峰研究組完成的“新型磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）原理型器件”通過(guò)了中科院的鑒定。行業(yè)實(shí)現(xiàn)從DRAM至NANDFlash的飛速發(fā)展，中國(guó)新成立內(nèi)資企業(yè)不斷增加，技術(shù)接連突破。高速發(fā)展期2006~InvalidDate2009年，浪潮集團(tuán)收購(gòu)德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)西安設(shè)計(jì)公司成立西安華芯。2011年，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠研究組研制成功中國(guó)第一款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的相變存儲(chǔ)器（PCRAM）芯片，存儲(chǔ)容量為8Mb。2014年，武漢新芯與賽普拉斯（Cypress）組建了聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開(kāi)始了3DNAND項(xiàng)目的研發(fā)工作。2016年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立，首個(gè)NANDFlash生產(chǎn)線在武漢建設(shè)，一期投資242019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布64層256GbTLC3DNANDFlas2023年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出中國(guó)首款自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5系列產(chǎn)品。2024年，江波龍電子收購(gòu)了Zilia（原SMARTBrazil）和LongforceTechnology蘇州（原力泰科技蘇州）。中國(guó)相繼攻克了3DNANDFlash和DRAM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)器自主研發(fā)生產(chǎn)，并向人工領(lǐng)域拓展。2：2：https://zhuanlan.z…[13]半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組產(chǎn)業(yè)鏈分析存儲(chǔ)器上游為存儲(chǔ)晶圓廠、主控芯片廠和封裝測(cè)試廠，分別提供存儲(chǔ)晶圓與主控芯片的設(shè)計(jì)和制造以及測(cè)試；中游為存儲(chǔ)模組供應(yīng)商和品牌商，將標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓轉(zhuǎn)化為存儲(chǔ)模組產(chǎn)品，并且進(jìn)行銷售；下游為產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，包括智能終端、電腦/服務(wù)器、攝影監(jiān)控等。[7]SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司美光科技有限公司半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈主要有以下核心研究觀點(diǎn)SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司美光科技有限公司上游晶圓集中度較高，利用減產(chǎn)穩(wěn)定價(jià)格。存儲(chǔ)晶圓設(shè)計(jì)與制造行業(yè)技術(shù)門檻高，少數(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)通過(guò)大量資本投入積累競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。消費(fèi)類電子市場(chǎng)下滑，特別是消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器市場(chǎng)持續(xù)下跌，車規(guī)工規(guī)級(jí)和企業(yè)級(jí)市場(chǎng)難以對(duì)沖。自2022年以來(lái)，去庫(kù)存過(guò)程持續(xù)到2023年上半年，晶圓原廠面臨財(cái)務(wù)壓力，收入普遍下滑。各存儲(chǔ)原廠采取減產(chǎn)等措施應(yīng)對(duì)市場(chǎng)不景氣。晶圓原廠與模組廠商共同組成行業(yè)生態(tài)，企業(yè)加快技術(shù)研發(fā)。存儲(chǔ)器行業(yè)以晶圓為核心，針對(duì)不同客戶需求提供個(gè)性化解決方案，存儲(chǔ)模組廠商通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化晶圓轉(zhuǎn)化為具體產(chǎn)品滿足多領(lǐng)域應(yīng)用需求。核心技術(shù)進(jìn)展包括NANDFlash的存儲(chǔ)密度提升和DRAM的制當(dāng)前NANDFlash主要應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)和嵌入式存儲(chǔ)市場(chǎng)，DDR5已成DDR主流，個(gè)人電腦在DRAM下游市場(chǎng)份額持續(xù)下降。NANDFlash主要用于嵌入式存儲(chǔ)和固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域，占據(jù)市場(chǎng)85%以上；DDR/LPD前最廣泛應(yīng)用的DRAM類型，其中DDR4是主流，而DDR5預(yù)計(jì)未來(lái)滲透率將逐步提高。[7]上產(chǎn)業(yè)鏈上游生產(chǎn)制造端存儲(chǔ)晶圓廠、主控芯片廠和封裝測(cè)試廠上游廠商三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司查看全部產(chǎn)業(yè)鏈上游說(shuō)明晶圓市場(chǎng)集中度較高，三星等大廠主導(dǎo)市場(chǎng)。存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)與制造產(chǎn)業(yè)擁有較高的技術(shù)和資本門檻。早期進(jìn)入存儲(chǔ)器領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)通過(guò)大量資本投入（數(shù)據(jù)顯示，自2017年后，全球主要NANDFlash晶圓廠三星、凱俠+西部數(shù)據(jù)、美光科技、英特爾、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)總計(jì)年度固定資產(chǎn)投資額較2016年翻倍增長(zhǎng)，連年保持在300億美元的較高水平）不斷積累市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)晶圓市場(chǎng)被少數(shù)來(lái)自韓國(guó)、美國(guó)和日本的企業(yè)所主導(dǎo)。根據(jù)CFM數(shù)據(jù)，三星電子（SAMSUNG）、海力士（SKHynix）、美光（Micron）、西部數(shù)據(jù)/閃迪（SanDisk）和鎧俠（KIOXIA）的供應(yīng)規(guī)模占全球NANDFlash市場(chǎng)份額的約95%，形成寡頭壟斷市場(chǎng)。2023年下半年開(kāi)始多家晶圓企業(yè)開(kāi)始減產(chǎn)，從而穩(wěn)定產(chǎn)品價(jià)格。2023年，消費(fèi)類電子市場(chǎng)的下滑尤為顯著，尤其是消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器市場(chǎng)持續(xù)大幅下跌。雖然車規(guī)工規(guī)級(jí)以及企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)相對(duì)樂(lè)觀，但其規(guī)模占比較低，難以對(duì)沖消費(fèi)類存儲(chǔ)產(chǎn)品下跌的影響。綜合考慮各方因素，自2022年以來(lái)的去庫(kù)存過(guò)程持續(xù)到2023年上半年。下游不景氣導(dǎo)致晶圓原廠財(cái)務(wù)壓力較大，2023上半年，三星存儲(chǔ)器收入深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司查看全部下滑58.62%至138.24億美元、SK海力士收入下滑54.93%至91.92億美元、美光科技收入下滑深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司查看全部54.41%至74.45億美元。此后存儲(chǔ)原廠均采取了上述各種不同措施以平抑或者對(duì)沖市場(chǎng)疲軟、需求下滑所帶來(lái)的沖擊，SK海力士進(jìn)一步削減NAND產(chǎn)量5%-10%、鎧俠從2022年10月開(kāi)始削減約30%產(chǎn)量、美光科技進(jìn)一步宣布減產(chǎn)30%直至2024年。經(jīng)過(guò)大幅減產(chǎn)后，2023年Q4全球NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比24.6%至122.3億美元，DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)32.1%至172.6億美元。中產(chǎn)業(yè)鏈中游品牌端存儲(chǔ)模組供應(yīng)商和品牌商中游廠商深圳市江波龍電子股份有限公司深圳市德明利技術(shù)股份有限公司產(chǎn)業(yè)鏈中游說(shuō)明現(xiàn)分為原廠和獨(dú)立第三方模組廠兩大陣營(yíng)。晶圓原廠針對(duì)有大宗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的行業(yè)和客戶：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，存儲(chǔ)晶圓標(biāo)準(zhǔn)化程度高，主要晶圓廠仍采用IDM（設(shè)計(jì)-制造垂直整合模式）經(jīng)營(yíng)。各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。存儲(chǔ)器產(chǎn)品的差異化主要體現(xiàn)在晶圓應(yīng)用技術(shù)（晶圓選型、封測(cè)技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)）的差別。由于以上原因，部分存儲(chǔ)原廠憑借晶圓優(yōu)勢(shì)向下游存儲(chǔ)模組產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，同時(shí)獨(dú)立的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（含品牌商）產(chǎn)生，其經(jīng)營(yíng)自主品牌的企業(yè)級(jí)或數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)硬盤(pán)針對(duì)智能手機(jī)、個(gè)人電腦及服務(wù)器行業(yè)的頭部客戶，如騰訊、蘋(píng)果等大型企業(yè)）。模組廠商面向廣泛細(xì)分市場(chǎng)：除了存儲(chǔ)原廠的目標(biāo)市場(chǎng)外，存儲(chǔ)器模組仍然廣泛應(yīng)用于多個(gè)行業(yè)和市場(chǎng)，包括工業(yè)控制、商用設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等。存儲(chǔ)器廠商針對(duì)這些下游細(xì)分行業(yè)客戶的個(gè)性化需求，提供晶圓分析、主控芯片選型與定制、固件開(kāi)發(fā)、封裝設(shè)計(jì)、芯片測(cè)試以及后端技術(shù)支持等服務(wù)，以滿足不同客戶的需求，將標(biāo)準(zhǔn)化的存儲(chǔ)晶圓轉(zhuǎn)化為具體的存儲(chǔ)產(chǎn)品。存儲(chǔ)模組廠商經(jīng)營(yíng)模式一般為（采購(gòu)存儲(chǔ)晶圓或顆粒-與閃存主控芯片等進(jìn)行封裝-測(cè)試后形成存儲(chǔ)模組-將存儲(chǔ)模組銷售給下游品牌（自有/其他）、廠家客戶或渠道分銷商以行業(yè)中企業(yè)佰維存儲(chǔ)和江波龍為例，存儲(chǔ)晶圓占比原材料采購(gòu)額分別達(dá)到了46%和79%，保證長(zhǎng)期、穩(wěn)定、規(guī)模化的存儲(chǔ)顆粒采購(gòu)渠道（受貿(mào)易摩擦、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等因素影響以及自研閃存主控芯片和自建封測(cè)廠成為控制成本的關(guān)鍵。技術(shù)更迭速度快，大廠紛紛搶占先機(jī)。NANDFlash：核心指標(biāo)為存儲(chǔ)密度存儲(chǔ)密度（在更少的空間存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)）。提升的主要技術(shù)路徑包括提高存儲(chǔ)單元的可存儲(chǔ)數(shù)位（bit）量和提升3D/4D中興通訊股份有限公司小米科技有限責(zé)任公司查看全部NANDFlash的堆疊層數(shù)，QLC（Quad-LevelCell）可存儲(chǔ)數(shù)位達(dá)到了4位，是前沿的NAND中興通訊股份有限公司小米科技有限責(zé)任公司查看全部Flash。3D/4DNANDFlash目前已經(jīng)突破200層大關(guān)，三星存儲(chǔ)表示2030年V-NAND可以疊加到DRAM：DRAM技術(shù)核心在于芯片制程，共經(jīng)歷了五個(gè)階段，大約每?jī)赡陮?shí)現(xiàn)一次突破。三星電子于2014年率先實(shí)現(xiàn)20納米制程量產(chǎn)-1Xnm（16nm-19nm）-1Ynm（14n近10nm）-1βnm（小于10nm實(shí)現(xiàn)更小制成的核心設(shè)備為光刻機(jī)。片成為了業(yè)界應(yīng)對(duì)晶體管密度提升與先進(jìn)制程微縮高成本之間矛盾的首選方案，推動(dòng)NorFlash開(kāi)始單元同時(shí)用于計(jì)算和存儲(chǔ)，避免數(shù)據(jù)和計(jì)算結(jié)果在計(jì)算單元和存儲(chǔ)單元之間來(lái)回搬運(yùn)引起的功耗和帶寬瓶頸，基于NorFlash的存算一體方案正是受到多方關(guān)注的一條技術(shù)路線。英特爾、博世、美光、LamResearch、應(yīng)用材料、微軟、亞馬遜、軟銀均投資了基于NorFlash的存內(nèi)計(jì)算芯片。下產(chǎn)業(yè)鏈下游渠道端及終端客戶產(chǎn)品應(yīng)用商渠道端華為技術(shù)有限公司產(chǎn)業(yè)鏈下游說(shuō)明固態(tài)硬盤(pán)和嵌入式存儲(chǔ)是當(dāng)前NANDFlash最主要的應(yīng)用市場(chǎng)。NANDFlash主要用于嵌入式存儲(chǔ)（適用于電子移動(dòng)終端低功耗場(chǎng)景，如eMMC、UFS）、固態(tài)硬盤(pán)（適用于大容SSD、PSSD）和移動(dòng)存儲(chǔ)（適用于便攜式存儲(chǔ)場(chǎng)景）等領(lǐng)域。由于模組廠不斷聚焦經(jīng)濟(jì)最優(yōu)的“二八原則”，主動(dòng)將業(yè)務(wù)聚焦于企業(yè)級(jí)或數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)硬盤(pán)和嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，嵌入式存儲(chǔ)和固態(tài)硬盤(pán)現(xiàn)成為NANDFlash的主要產(chǎn)品類別，其市場(chǎng)規(guī)模占據(jù)了NANDFlash市場(chǎng)的85%以上。DDR5成為主流；個(gè)人電腦在DRAM下游占比持續(xù)下降。DRAM按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM，DDR/LPDDR為DRAM目前應(yīng)用最廣的類型，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，兩者合計(jì)占DRAM應(yīng)用比例約為90%。DDR主要應(yīng)用在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器上、現(xiàn)主流的DDR標(biāo)準(zhǔn)是DDR4，隨著技術(shù)進(jìn)步預(yù)計(jì)未來(lái)DDR5滲透率會(huì)逐步提高（第五代DRAM）。DRAM下游需求市場(chǎng)格局較為穩(wěn)定，移動(dòng)端電子產(chǎn)品為首，服務(wù)器次之。個(gè)人電腦占比近年來(lái)呈現(xiàn)緩慢下降的趨勢(shì)（從25%降低至約15%）。3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z…[6]1：https://www.eefoc…2：https://www.bnext…5：江波龍、佰維存儲(chǔ)、與5：江波龍、佰維存儲(chǔ)、與…[7]1：江波龍、德明利、佰維…[8]1：德明利、江波龍[9]1：https://www.china…2：江波龍、CFM[10]1：江波龍、佰維存儲(chǔ)3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z…[11]1：https://www.eefoc3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z…5：與非網(wǎng)、江波龍5：與非網(wǎng)、江波龍[12]1：江波龍、德明利[13]1：佰維存儲(chǔ)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)規(guī)模2019年—2023年，半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由507.47億美元回落至268.80億美元，期間年復(fù)合增長(zhǎng)率-14.69%。預(yù)計(jì)2024年—2028年，半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模由389.30億美元增長(zhǎng)至718.72億美元，期間半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模歷史變化的原因如下：[17]智能手機(jī)&個(gè)人電腦需求萎靡，行業(yè)周期轉(zhuǎn)至衰退。自2017年起，隨著4G通信普及，智能手機(jī)市場(chǎng)趨向飽和。增量市場(chǎng)受限于4G智能手機(jī)的天花板，因此整體出貨量增長(zhǎng)受阻。2021年開(kāi)始，全球芯片供應(yīng)不足，影響了智能手機(jī)的齊套生產(chǎn)，手機(jī)出貨量出現(xiàn)明顯下滑。全球智能手機(jī)出貨量方面，2023年第一季度和第二季度分別同比下降14.59%和7.75%，2023年上半年同比下降11.38%。在全球個(gè)人電腦市場(chǎng)的出貨量方面，2023年第一季度和第二季度分別同比下降29.32%和13.36%，2023年上半年同比下降21.83%；盡管第二季度較第一季度跌勢(shì)有所放緩，但2023年上半年整體出貨量仍錄得超過(guò)大幅同比下降。廠商供給周期性波動(dòng)特征明顯。以NANDFlash為例，2018年后行業(yè)波段下降，主要原因?yàn)樵瓘S經(jīng)過(guò)前期的技術(shù)開(kāi)發(fā)，3DNANDFlash技術(shù)走向成熟，行業(yè)技術(shù)革新難度加大。供給端廠商提高36層、72層等更高層產(chǎn)品堆疊更新速度，存儲(chǔ)產(chǎn)能和存儲(chǔ)當(dāng)量迅速增加。需求端受中美貿(mào)易摩擦影響，5G產(chǎn)業(yè)化建設(shè)受阻，智能手機(jī)難以進(jìn)一步迭代，市場(chǎng)需求不足。[17]半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模未來(lái)變化的原因主要包括：[17]數(shù)據(jù)中心&服務(wù)器市場(chǎng)需求爆發(fā)。近年來(lái)，云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級(jí)增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心固定投資不斷增加。中國(guó)的數(shù)據(jù)量在2021年到2023年，從18.5ZB(十萬(wàn)億億字節(jié))增長(zhǎng)到28.4ZB，預(yù)計(jì)在2026年達(dá)到56.2ZB，將位居全球第二，且未來(lái)依然保持爆發(fā)式增長(zhǎng)。隨著大數(shù)據(jù)的爆炸式增長(zhǎng)，企業(yè)和組織對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)/服務(wù)器的需求在急劇增加。此外當(dāng)前中國(guó)各地掀起人工智能計(jì)算中心“落地潮”，智算中心所承載的AI算力將是驅(qū)動(dòng)智慧時(shí)代發(fā)展的核心動(dòng)力，為服務(wù)器市場(chǎng)帶來(lái)巨大的增長(zhǎng)空間，為半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)帶來(lái)了巨大的機(jī)會(huì)。智能網(wǎng)聯(lián)汽車催化ADAS閃存市場(chǎng)。美國(guó)、歐洲、日本等國(guó)家和地區(qū)在智能網(wǎng)聯(lián)汽車領(lǐng)域的發(fā)展較早，并出臺(tái)了推動(dòng)該產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一系列政策。據(jù)美國(guó)IHS，2022年全球聯(lián)網(wǎng)汽車保有量將達(dá)到3.5億臺(tái)，市場(chǎng)占比達(dá)到24%，新車銷量中具備聯(lián)網(wǎng)功能的占比將達(dá)到94%；而到2035年，全球智能駕駛汽車銷量將超過(guò)1,000萬(wàn)輛。近年來(lái)，中國(guó)政府開(kāi)始重視智能網(wǎng)聯(lián)汽車發(fā)展，制定了相應(yīng)的發(fā)展戰(zhàn)略，旨在到2025年實(shí)現(xiàn)有條件自能汽車規(guī)模化生產(chǎn)，并在特定環(huán)境下市場(chǎng)化應(yīng)用。據(jù)佰維存儲(chǔ)，2019年全球ADAS領(lǐng)域的NANDFlash存儲(chǔ)消費(fèi)達(dá)到2.2億GB，同比增長(zhǎng)214.29%，預(yù)計(jì)至2024年，該領(lǐng)域的存儲(chǔ)消費(fèi)將達(dá)到41.5億GB，半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)規(guī)模半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)規(guī)模數(shù)據(jù)來(lái)源：WSTS、CFM、ICinsights[14]1：佰維存儲(chǔ)、江波龍[15]1：https://www.leadle…2：弗若斯特沙利文、佰維…[16]1：佰維存儲(chǔ)[17]1：德明利半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組政策梳理[18]政策名稱頒布主體生效日期影響《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見(jiàn)》國(guó)務(wù)院2024-039政策內(nèi)容深入推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新發(fā)展。制定支持?jǐn)?shù)字經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展政策，積極推進(jìn)數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化，促進(jìn)數(shù)字技術(shù)和實(shí)體經(jīng)濟(jì)深度融合。深化大數(shù)據(jù)、人工智能等研發(fā)應(yīng)用，開(kāi)展“人工智能+”行動(dòng)，打造具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的數(shù)字產(chǎn)業(yè)集群。政策解讀以上政策將有助于推動(dòng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)的創(chuàng)新發(fā)展，加速產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，促進(jìn)人工智能、大數(shù)據(jù)等技術(shù)與實(shí)體經(jīng)濟(jì)的深度融合，從而提升對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組的需求。此外，未來(lái)產(chǎn)業(yè)的培育和發(fā)展將為半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)提供更廣闊的市場(chǎng)空間和應(yīng)用場(chǎng)景。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見(jiàn)》工業(yè)和信息化部等五部門2023-068政策內(nèi)容重點(diǎn)提升電子整機(jī)裝備用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化鎵/碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件、高適應(yīng)性傳感器模組等工藝水平，加強(qiáng)材料分析、破壞性物理分析、可靠性試驗(yàn)分析、板級(jí)可靠性分析、失效分析等分析評(píng)價(jià)技術(shù)研發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)，推動(dòng)在相關(guān)行業(yè)中的應(yīng)用。政策解讀以上政策的實(shí)施將促進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組的發(fā)展。通過(guò)提升通用芯片、功率器件、傳感器等元器件的可靠性和性能，以及改善電子材料的性能和工藝水平，將有效提升存儲(chǔ)模組的整體質(zhì)量和穩(wěn)定性。此外，加強(qiáng)分析評(píng)價(jià)技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)將幫助提高存儲(chǔ)模組的研發(fā)質(zhì)量和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，從而推動(dòng)其在各個(gè)行業(yè)中的廣泛應(yīng)用。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《關(guān)于做好2022年享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)或項(xiàng)目、軟件國(guó)家發(fā)展改革委等五部門2022-039企業(yè)清單制定工作有關(guān)要求的通政策內(nèi)容涉及國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和軟件企業(yè)涉及國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)和軟件企業(yè)，集成電路線寬小于65納米（含）的邏輯電路、存儲(chǔ)器生產(chǎn)企業(yè)，線寬小于0.25微米（含）的特色工藝集成電路生產(chǎn)等符合規(guī)定的企業(yè)。政策解讀以上政策將鼓勵(lì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組企業(yè)發(fā)展。通過(guò)稅收優(yōu)惠政策、企業(yè)條件和項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)定，以及加強(qiáng)監(jiān)管，促進(jìn)了集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。這將帶動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組企業(yè)，從而推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。政策性質(zhì)鼓勵(lì)性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《關(guān)于印發(fā)促進(jìn)工業(yè)經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)增長(zhǎng)的若干政策的通知》國(guó)家發(fā)展改革委等十二部門2022-027政策內(nèi)容加快新型基礎(chǔ)設(shè)施重大項(xiàng)目建設(shè)，引導(dǎo)電信運(yùn)營(yíng)商加快5G建設(shè)進(jìn)度，支持工業(yè)企業(yè)加快數(shù)字化改造升級(jí)，推進(jìn)制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型；啟動(dòng)實(shí)施北斗產(chǎn)業(yè)化重大工程，推動(dòng)重大戰(zhàn)略區(qū)域北斗規(guī)?；瘧?yīng)用；加快實(shí)施大數(shù)據(jù)中心建設(shè)專項(xiàng)行動(dòng)，實(shí)施“東數(shù)西算”工程，加快長(zhǎng)三角、京津冀、粵港澳大灣區(qū)等8個(gè)國(guó)家級(jí)數(shù)據(jù)中心樞紐節(jié)點(diǎn)建設(shè)。政策解讀政策將促進(jìn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組的發(fā)展。通過(guò)推動(dòng)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升制造業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力、加快數(shù)字化轉(zhuǎn)型和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等舉措，將帶動(dòng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組需求增長(zhǎng)，并促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的投資和發(fā)展。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《“十四五”國(guó)家信息化規(guī)劃》中央網(wǎng)絡(luò)安全和信息化委員會(huì)2021-127政策內(nèi)容加快集成電路關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。推動(dòng)計(jì)算芯片、存儲(chǔ)芯片等創(chuàng)新，加快集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，推動(dòng)絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破。政策解讀以上政策將推動(dòng)集成電路關(guān)鍵技術(shù)和重點(diǎn)軟件的研發(fā)水平提升，為半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)提供更先進(jìn)的計(jì)算芯片、存儲(chǔ)芯片等創(chuàng)新產(chǎn)品，同時(shí)加速了軟件在云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等領(lǐng)域的發(fā)展，為半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組的應(yīng)用場(chǎng)景提供更廣闊的空間，推動(dòng)了行業(yè)的發(fā)展。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策3：https://www.waizi.…4：中國(guó)政府網(wǎng)、鄭州威馳…[18]1：.c…3：https://www.waizi.…4：中國(guó)政府網(wǎng)、鄭州威馳…半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組競(jìng)爭(zhēng)格局[19]全球/中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，DRAM模組市場(chǎng)與NAND模組市場(chǎng)均由存儲(chǔ)晶圓原廠占據(jù)主要份額。NANDFlash市場(chǎng)主要由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士+Solidigm（SK海力士收購(gòu)英特爾業(yè)務(wù)部門后成立的子公司）主導(dǎo)，合計(jì)市占率約95%。DRAM市場(chǎng)相較于NANDFlash更為集中，2023年Q4營(yíng)收數(shù)據(jù)顯示由三星電子、SK海力士、美光科技、南亞科技、華邦電子五家主導(dǎo)（總市占率98.9%）。NorFlash：五家主要廠商（旺宏、華邦電、美光、Cypress、兆易創(chuàng)新）壟斷了全球90%的NorFlash市場(chǎng)。在這些廠商中，美光和Cypress主要提供高容量NorFlash，廣泛應(yīng)用于汽車、工控和航天領(lǐng)域；而華邦和旺宏主要生產(chǎn)中等容量的NorFlash；兆易創(chuàng)新則初期專注于低容量產(chǎn)品，目前家則主要專注于消費(fèi)類電子產(chǎn)品市場(chǎng)。[23]半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)呈現(xiàn)以下梯隊(duì)情況：第一梯隊(duì)公司有三星電子、SK海力士等大型存儲(chǔ)模組和晶圓企業(yè)，壟斷了存儲(chǔ)模組絕大部分市場(chǎng)；第二梯隊(duì)公司為江波龍、深科技、群聯(lián)電子、兆易創(chuàng)新、威剛、長(zhǎng)江存儲(chǔ)（技術(shù)領(lǐng)先）、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等具備自研能力以及整合封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)能力的國(guó)產(chǎn)企業(yè)；第三梯隊(duì)有佰維存儲(chǔ)、創(chuàng)見(jiàn)信息等具備一定研發(fā)能力，但渠道及產(chǎn)品接受度還不足的國(guó)產(chǎn)企業(yè)。[23]半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的形成主要包括以下原因：[23]主流存儲(chǔ)原廠通過(guò)高端晶圓技術(shù)，逐步建立起護(hù)城河。以DRAM市場(chǎng)為例，2023年10月美光宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的DDR5內(nèi)存，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá)50%，每瓦性能提升33%。能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（IMDB）等應(yīng)用。2023年9月，三星開(kāi)發(fā)出基于12nm級(jí)工藝技術(shù)的32GbDDR5DRAM。2023年5月SK海力程和產(chǎn)品進(jìn)度上與國(guó)際大廠依舊存在差距。晶圓大廠不斷收購(gòu)，擴(kuò)大市場(chǎng)份額。2012年03月12日，西部數(shù)據(jù)宣布完成收購(gòu)VivitiTechnolo（原日立環(huán)球存儲(chǔ)科技公司）。此次收購(gòu)以39億美元現(xiàn)金以及2,500萬(wàn)股西部數(shù)據(jù)普通股（價(jià)值約9億美元）的價(jià)格成交。2017年9月，西部數(shù)據(jù)以183億美元收購(gòu)東芝的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2020年10月20日，SK海力士宣布以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)在2025年3月份最終交割時(shí)，SK海力士將支付20億美元余款從英特爾收購(gòu)其余相關(guān)資產(chǎn)。2023年年初，西部數(shù)據(jù)計(jì)劃與存儲(chǔ)巨頭鎧俠合并（暫時(shí)中止）。企業(yè)通過(guò)不斷收購(gòu)擴(kuò)大原有業(yè)務(wù)版圖，對(duì)市場(chǎng)份額提升具有立竿見(jiàn)影的效果。[23]半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的變化主要有以下幾方面原因：[23]閃存主控芯片主要由中國(guó)企業(yè)供應(yīng)，更有利于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)模組廠商高效生產(chǎn)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)主控芯片是存儲(chǔ)器的大腦，負(fù)責(zé)調(diào)配存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)空間與速率，在存儲(chǔ)器中與存儲(chǔ)芯片搭配使用。現(xiàn)如今存儲(chǔ)模組使用的閃存主控芯片包括Fabless自研芯片代工生產(chǎn)和外部采購(gòu)（包括由封裝廠商配供市場(chǎng)主流閃存主控芯片）閃存主控芯片兩種方式，2022年NAND原廠自研自用SSD控制器芯片出貨量預(yù)計(jì)1.946億顆，占比約51.34%；獨(dú)立SSD控片廠商（主要包括慧榮科技、聯(lián)蕓科技、得一微電子等）出貨量預(yù)計(jì)1.406億顆，占比約37.11%；其余還有一些非NAND原廠自研自用SSD主控芯片廠商（群聯(lián)股份等）出貨量預(yù)計(jì)0.438億顆，占比約11.56%。2022年全球獨(dú)立SSD控制器芯片廠商排名前三為慧榮科技、聯(lián)蕓科技、得一微，市占率分別為56.34%、17.88%、生產(chǎn)有較大的促進(jìn)作用（降低渠道成本、技術(shù)支持等)。模組廠創(chuàng)立自主品牌，搶占外商市場(chǎng)。早期存儲(chǔ)模組產(chǎn)品分封測(cè)的廠商主要以賺取封裝加工費(fèi)為盈利方式，后逐漸轉(zhuǎn)型為向行業(yè)上游自主采購(gòu)存儲(chǔ)晶圓和主控芯片并封裝成存儲(chǔ)模組產(chǎn)品的業(yè)務(wù)模式，同時(shí)創(chuàng)立自主品牌從而獲得品牌溢價(jià)。對(duì)于芯片自主水平較低的存儲(chǔ)模組企業(yè)（如未自主研發(fā)主控芯片）獲取產(chǎn)品溢價(jià)是最重要的目標(biāo)，由于晶圓采購(gòu)占比成本較高，單位產(chǎn)品毛利率較低，業(yè)績(jī)受市場(chǎng)價(jià)格周期性波動(dòng)。未來(lái)隨著國(guó)產(chǎn)企業(yè)不斷提高自研主控芯片等能力，單位產(chǎn)品毛利率有望顯著提升，撼動(dòng)歐美韓企業(yè)的壟斷地位。[23][27]上市公司速覽深圳市江波龍電子股份有限公司(301308)深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司(688525)1：https://www.1：https://www.china…3：CFM、36氪[19][20][21]1：https://cloud.tenc…3：全球半導(dǎo)體觀察、騰訊云1：https://www.china…總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)389.0億元65.8億元-0.732.62226.0億元21.2億元-2.88-3.48深圳市德明利技術(shù)股份有限公司(001309)協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)技術(shù)股份有限公司(300857)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)157.0億元9.8億元145.0億元32.3億元46.37深圳市朗科科技股份有限公司(300042)北京君正集成電路股份有限公司(300223)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)56.0億元10.3億元-19.286.02295.0億元34.2億元-18.9436.68深圳長(zhǎng)城開(kāi)發(fā)科技股份有限公司(000021)美光科技(MU.O)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)212.0億元109.7億元-8.6614.691.4千億美元155.0億美元-49.5-9.11SK海力士(000660.KS)創(chuàng)見(jiàn)信息(2451.TW)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)7.2千億元29.1萬(wàn)億韓元-41.92-12.8685.0億元105.0億臺(tái)幣-24.229.01群聯(lián)電子(8299.TWO)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)321.0億元610.0億臺(tái)幣-30.28毛利率(%)32.40兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司(603986)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)480.0億元43.9億元-35.0834.38總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)14.0億美元14.4億美元3.25毛利率(%)28.81威剛(3260.TWO)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)65.0億人民幣337.0億臺(tái)幣-3.73毛利率(%)三星電子(005930.KS)總市值營(yíng)收規(guī)模同比增長(zhǎng)(%)毛利率(%)2.7萬(wàn)億人民2590萬(wàn)億韓-14330332：2：https://www.36kr.c…2：2：https://www.dram…2：德明利、2：德明利、CFM、聯(lián)蕓科技[22]1：德明利3：新浪財(cái)經(jīng)、東方財(cái)富[23]1：https://finance.sin…2：https://finance.eas…3：新浪財(cái)經(jīng)、東方財(cái)富[24]1：Wind[25]1：Wind[26]1：Wind[27]1：Wind半導(dǎo)體存儲(chǔ)模組代表企業(yè)分析[28]1深圳市江波龍電子股份有限公司【301308】公司信息企業(yè)狀態(tài)存續(xù)注冊(cè)資本41286.4254萬(wàn)人民幣企業(yè)總部深圳市行業(yè)軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)法人蔡華波統(tǒng)一社會(huì)信用代碼91440300708499732H企業(yè)類型股份有限公司(上市、自然人投資或控股)成立時(shí)間1999-04-27品牌名稱深圳市江波龍電子股份有限公司股票類型A股經(jīng)營(yíng)范圍一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)及外圍設(shè)備、音視頻播放器及其他電子器件的技術(shù)開(kāi)發(fā)…查看更多2023年上半年市場(chǎng)表現(xiàn)2023年后，宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境并未在短期內(nèi)明顯好轉(zhuǎn)，行業(yè)下游市場(chǎng)持續(xù)承壓，特別是消費(fèi)類電子市場(chǎng)下滑尤為明顯。消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器市場(chǎng)仍持續(xù)顯著下跌，車規(guī)工規(guī)級(jí)以及企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)雖相對(duì)樂(lè)觀，但其規(guī)模占比較低，無(wú)力對(duì)沖消費(fèi)類存儲(chǔ)產(chǎn)品下跌帶來(lái)的負(fù)面影響。綜合作用之下，2022年以來(lái)的去庫(kù)存進(jìn)程持續(xù)至2023年上半年。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析財(cái)務(wù)指標(biāo)銷售現(xiàn)金流/營(yíng)業(yè)收入201820192020202120220.981.031.0410.99資產(chǎn)負(fù)債率(%)營(yíng)業(yè)總收入同比增長(zhǎng)(%)歸屬凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)(%)25.666322.918131.491928.945125.9379-35.2927.189333.9877-14.5544-326.7345115.4835266.7275-92.814應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)流動(dòng)比率每股經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流(元)毛利率(%)流動(dòng)負(fù)債/總負(fù)債(%)速動(dòng)比率攤薄總資產(chǎn)收益率(%)加權(quán)凈資產(chǎn)收益率(%)基本每股收益(元)凈利率(%)總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率(次)每股公積金(元)存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)營(yíng)業(yè)總收入(元)每股未分配利潤(rùn)(元)稀釋每股收益(元)歸屬凈利潤(rùn)(元)經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流/營(yíng)業(yè)收入34.683825.684819.643218.477633.04783.59763.94582.75632.87353.673-3.8299-0.471.1445-2.19-0.79057.619210.714411.959919.970412.401991.614595.284697.981496.932685.90981.53751.8731.31640.79331.7985-2.12413.75526.079218.07330.963-3.375.128.325.89--0.180.370.742.730.19-1.3822.22663.796610.39150.87391.53691.68651.60121.73921.101917.86574.24974.68134.68139.3957122.8252111.2973114.4066134.7005180.977342.28億57.21億72.76億97.49億83.30億17.65122.95843.69836.1765.2268-0.180.370.742.730.19-56539673.21.28億2.76億10.13億7279.70萬(wàn)-3.8299-0.471.1445-2.19-0.7905競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)技術(shù)優(yōu)勢(shì)：公司晶圓分析團(tuán)隊(duì)能夠?qū)lash進(jìn)行全方位品質(zhì)畫(huà)像、分級(jí)，深入進(jìn)行產(chǎn)品應(yīng)用仿真；形成了自主可控的Flash固件開(kāi)發(fā)技術(shù)；在存儲(chǔ)芯片F(xiàn)T測(cè)試，特別是DRAM存儲(chǔ)芯片測(cè)試，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的實(shí)力。供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)：公司與上游主要存儲(chǔ)晶圓原廠、主控芯片廠商建立了長(zhǎng)期、穩(wěn)定和緊密的業(yè)務(wù)合作關(guān)系：首先，公司憑借應(yīng)用技術(shù)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)和市場(chǎng)銷售優(yōu)勢(shì)，幫助晶圓原廠快速實(shí)現(xiàn)晶圓的產(chǎn)品化；其次，公司與三星電子、SK海力士、西部數(shù)據(jù)等主要存儲(chǔ)晶圓原廠簽署了長(zhǎng)期合約，確保存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)的穩(wěn)定性。2深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司【688525】公司信息企業(yè)狀態(tài)存續(xù)注冊(cè)資本43032.9136萬(wàn)人民幣企業(yè)總部深圳市行業(yè)計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)法人孫成思統(tǒng)一社會(huì)信用代碼91440300561500443T企業(yè)類型股份有限公司(上市、自然人投資或控股)成立時(shí)間2010-09-06品牌名稱深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司股票類型科創(chuàng)板經(jīng)營(yíng)范圍一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：經(jīng)營(yíng)進(jìn)出口業(yè)務(wù)（法律、行政法規(guī)、國(guó)務(wù)院決定禁止的項(xiàng)目除外，限制的…查看更多2023年上半年市場(chǎng)情況2022年以來(lái)，在宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境持續(xù)走弱的影響下，半導(dǎo)體行業(yè)下游終端需求不振，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)陷入下行周期。CFM閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)2023年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將同比減少40%至830億美元。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)分析財(cái)務(wù)指標(biāo)銷售現(xiàn)金流/營(yíng)業(yè)收入資產(chǎn)負(fù)債率(%)營(yíng)業(yè)總收入同比增長(zhǎng)(%)歸屬凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)(%)應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)流動(dòng)比率每股經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流(元)毛利率(%)流動(dòng)負(fù)債/總負(fù)債(%)速動(dòng)比率201820192020202120221.031.010.931.080.9767.973843.939937.866735.243745.1043--7.947839.89858.922314.4362-113.67746.7431325.6939-38.906113.362318.775533.022826.867941.63241.05641.92742.26642.5472.19890.25-0.8676-1.8-1.32-1.60946.619315.620111.207117.545213.734798.595991.492488.085385.922980.53150.18690.69830.97790.67170.9794攤薄總資產(chǎn)收益率(%)加權(quán)凈資產(chǎn)收益率(%)基本每股收益(元)凈利率(%)總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率(次)每股公積金(元)存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)營(yíng)業(yè)總收入(元)每股未分配利潤(rùn)(元)稀釋每股收益(元)歸屬凈利潤(rùn)(元)扣非每股收益(元)經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流/營(yíng)業(yè)收入-19.57171.95091.83655.09531.9726-50.235.943.158.58--1.320.18-10.70281.59021.6684.4682.38531.82871.22681.1011.14040.8271.88644.33845.73523.4534.2386122.8499183.0671167.9261197.012248.070612.75億11.74億16.42億26.09億29.86億-0.7019-0.3785-0.14550.20160.3318-1.320.18-136442432.341866.13萬(wàn)2738.41萬(wàn)1.17億7121.87萬(wàn)--0.110.32-0.25-0.8676-1.8-1.32-1.6094競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)技術(shù)優(yōu)勢(shì)：公司擁有資深封裝設(shè)計(jì)和工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)，全面掌握BGA、FlipChip、3D、SiP等封裝設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)。公司高度重視芯片可靠性設(shè)計(jì)，通過(guò)多年來(lái)在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、用戶場(chǎng)景、芯片失效分析等領(lǐng)域不斷探索和創(chuàng)新，有能力進(jìn)行完備的基板級(jí)和封裝級(jí)仿真和芯片參數(shù)提取。3深圳市德明利技術(shù)股份有限公司【001309】公司信息企業(yè)狀態(tài)存續(xù)注冊(cè)資本11224.752萬(wàn)人民幣企業(yè)總部深圳市行業(yè)研究和試驗(yàn)發(fā)展法人李虎統(tǒng)一社會(huì)信用代碼914403006820084202企業(yè)類型股份有限公司（外商投資、上市）成立時(shí)間2008-11-20品牌名稱深圳市德明利技術(shù)股份有限公司股票類型A股經(jīng)營(yíng)范圍一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：計(jì)算機(jī)系統(tǒng)集成、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)軟件、計(jì)算機(jī)應(yīng)用軟件的…查看更多2023年市場(chǎng)情況NANDFlash價(jià)格指數(shù)在2022、2023年上半年下跌調(diào)整后，走勢(shì)逐步