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固體物理(山東聯(lián)盟)-知到答案、智慧樹(shù)答案第一章單元測(cè)試1、問(wèn)題:金剛石結(jié)構(gòu)為().選項(xiàng):A:簡(jiǎn)立方B:體心立方C:面心立方答案:【面心立方】2、問(wèn)題:基矢為的晶體為何種結(jié)構(gòu)?選項(xiàng):A:面心立方B:體心立方C:簡(jiǎn)立方D:六角密積答案:【體心立方】3、問(wèn)題:硫化鋅具有與金剛石類(lèi)似的結(jié)構(gòu).選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】4、問(wèn)題:該圖表明黑色線包絡(luò)的晶面到原點(diǎn)的距離為().選項(xiàng):A:a2B:a3C:a1D:ud答案:【ud】5、問(wèn)題:解理面一般比較粗糙.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【錯(cuò)】第二章單元測(cè)試1、問(wèn)題:電負(fù)性的大小受電離能和親和能的共同影響.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】2、問(wèn)題:石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu),同一層內(nèi),原子是通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合.選項(xiàng):A:錯(cuò)B:對(duì)答案:【對(duì)】3、問(wèn)題:銅是金屬,其原子排列為最致密.選項(xiàng):A:錯(cuò)B:對(duì)答案:【對(duì)】4、問(wèn)題:固體也會(huì)有難以壓縮的現(xiàn)象,這是因?yàn)樵又g存在著().選項(xiàng):A:庫(kù)侖力B:排斥力C:吸引力答案:【排斥力】5、問(wèn)題:一維雙原子鏈的馬德龍常數(shù)是為2ln2.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【錯(cuò)】第三章單元測(cè)試1、問(wèn)題:若電子從晶格中獲得一個(gè)聲子的能量,我們稱(chēng)之為()一個(gè)聲子.選項(xiàng):A:產(chǎn)生B:發(fā)射C:吸收答案:【吸收】2、問(wèn)題:一維單原子鏈在短波極限和長(zhǎng)波極限下的振動(dòng)().選項(xiàng):A:不同B:有變化的相位差C:相同答案:【不同】3、問(wèn)題:長(zhǎng)聲學(xué)波的ω與波矢q滿足線性關(guān)系,系數(shù)為速度.選項(xiàng):A:錯(cuò)B:對(duì)答案:【對(duì)】4、問(wèn)題:聲學(xué)波在長(zhǎng)波極限下,代表著原胞質(zhì)心的振動(dòng).選項(xiàng):A:錯(cuò)B:對(duì)答案:【對(duì)】5、問(wèn)題:當(dāng)T→0時(shí),晶格的比熱是按照溫度T的三次方來(lái)進(jìn)行變化,很快趨勢(shì)于零.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】第四章單元測(cè)試1、問(wèn)題:能態(tài)密度的計(jì)算需要考慮電子的自旋.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】2、問(wèn)題:半滿帶電子在有外加電場(chǎng)時(shí)導(dǎo)電.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】3、問(wèn)題:晶體的能帶結(jié)構(gòu)有五種常見(jiàn)表示方法.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【錯(cuò)】4、問(wèn)題:布洛赫函數(shù)中的k具有波矢的意義.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】5、問(wèn)題:有三個(gè)能態(tài)密度與能量E的比例關(guān)系式,()為三維晶體.選項(xiàng):A:B:C:答案:【】第五章單元測(cè)試1、問(wèn)題:溫度升高,費(fèi)密能().選項(xiàng):A:不變B:降低C:升高答案:【降低】2、問(wèn)題:體積膨脹時(shí),費(fèi)密能級(jí)將降低.選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】3、問(wèn)題:f(E)是能量E與溫度T的函數(shù).選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】4、問(wèn)題:統(tǒng)計(jì)物理學(xué)指出,電子占據(jù)能級(jí)的幾率遵循費(fèi)米-狄拉克的統(tǒng)計(jì)分布律.選項(xiàng):A:錯(cuò)B:對(duì)答案:【對(duì)】5、問(wèn)題:特魯?shù)履P筒捎眠\(yùn)動(dòng)學(xué)的方法來(lái)解決問(wèn)題,一個(gè)基本假設(shè)就是碰撞假設(shè).選項(xiàng):A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】第六章單元測(cè)試1、問(wèn)題:GaAs是()帶隙半導(dǎo)體.選項(xiàng):A:直接B:零C:間接答案:【直接】2、問(wèn)題:根據(jù)對(duì)導(dǎo)電的影響,雜質(zhì)態(tài)可區(qū)分為哪兩種類(lèi)型?()選項(xiàng):A:受主B:類(lèi)氫雜質(zhì)能級(jí)C:深能級(jí)D:施主答案:【受主;施主】3、問(wèn)題:半導(dǎo)體中的載流子包括().選項(xiàng):A:光子B:空穴C:電子D:聲子答案:【空穴;電子】4、問(wèn)題:一般地,哪種器件的最高工作溫度最高?()選項(xiàng):A:鍺器件B:硅器件C:砷化鎵

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