2022-2023學年高二物理競賽課件：半導體超晶格_第1頁
2022-2023學年高二物理競賽課件：半導體超晶格_第2頁
2022-2023學年高二物理競賽課件：半導體超晶格_第3頁
2022-2023學年高二物理競賽課件：半導體超晶格_第4頁
2022-2023學年高二物理競賽課件：半導體超晶格_第5頁
已閱讀5頁，還剩6頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

半導體超晶格

半導體超晶格半導體超晶格一種人造材料，由交替生長的兩種半導體材料薄層組成的一維周期性結構，其薄層厚度的真氣小于電子的平均自由層。生長超晶格的技術MBE,MOCVD理想超晶格結構弛豫當外延層的厚度超過臨界厚度時，則外延層的應變消失，恢復原來的晶格常數(shù)。贗晶生長應變異質結的無界面失配應變層的生長模式。贗晶生長的臨界厚度隨生長溫度的升高而減小，隨贗晶組分的不同而改變。應變異質結的應用

擴展了異質結材料的種類

實現(xiàn)材料人工改性超晶格材料III-V/III-V,IV/III-V,II-VI/II-VI,IV-VI/IV-VI

化合物超晶格材料

元素半導體超晶格材料IV/IV

非晶態(tài)半導體超晶格材料超晶格材料的應用量子阱激光器、量子阱光電探測器、光學雙穩(wěn)態(tài)器件、調制摻雜場效應晶體管超晶格材料的分類成分超晶格：周期性改變薄層的成分。摻雜超晶格：周期性改變同一成分的各薄層中的摻雜類型。Ga1-xAlxAs/GaAsGaAsGa1-xAlxAsGa1-xAlxAs/GaAs能帶圖bcECEVGaAsGa1-xAlxAszZ方向周期性勢場為n為整數(shù)超晶格中電子運動的方程

硅：α=4.73×10-4eV/Kβ=636K

鍺：α=4.774×10-4eV/Kβ=235KT=300K時，EgSi=1.12eV，EgGe=0.67eV

溫度系數(shù)α和β分別為：所以Eg具有負溫度系數(shù)。對半導體來說，導帶底和價帶頂?shù)哪芰坎睿唇麕挾菶g是十分重要的量.Ⅲ-Ⅴ化合物半導體的能帶結構GaAs化合物半導體的能帶結構導帶極小值位于k=0處，等能面試球面，導帶電子有效質量mn*=0.067m0,禁帶寬度Eg=1.424eV,價帶頂也位于k=0處，分

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論