半導(dǎo)體器件 柔性可拉伸半導(dǎo)體器件 第5部分：柔性材料熱特性測試方法

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-1半導(dǎo)體器件柔性可拉伸半導(dǎo)體器件第5部分：柔性材料熱特性測試方法適用于可承受彎曲和拉伸的基板和薄膜等柔性半導(dǎo)ρ注1：反射率可定義為反射光通量和入射光通量的比率或反射TlocTavgTavg=GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2n——溫度測試點的總數(shù)；TTi熱時間常數(shù)thermaltimeτ4測試方法薄膜材料的光學(xué)反射率值表現(xiàn)出高度非線性行為，如圖1所示。薄膜材料，非線性的光學(xué)反射率主要和其厚度有關(guān)，如圖2所示。當(dāng)完成不同溫度材料在單一或者多波長的反射率校準(zhǔn)后，即獲得了材料的熱GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-34.2測試裝置本文中波長2=633nm，但可使用其他波長）。對于校準(zhǔn)過程，使用恒定溫度的冷模塊或熱模塊。實GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-4注：本例中激光器的波長2為633nm，但可使GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-5膜材料和基板材料。附錄A給出了雙波長熱反射測試裝置的三維示意圖。對于校準(zhǔn)過程，需采用恒定溫度的熱塊和冷快。實際測量過程，使用直流或交流電源（簡單的正弦周期）對基板進行加熱。對于深聚焦情況（或更小的焦點圖3、4、5和6中，設(shè)備的激d0=······························GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-6通常，5倍的放大就足夠了。反射光反向傳播并進入硅光探測器。硅探測器中產(chǎn)生的光電流通過可調(diào)節(jié)終端或阻抗放大器轉(zhuǎn)換為電壓，并用數(shù)字萬用表或鎖定放大器注：本例中，激光器1和激光器2的波長λ1和λ2分別為633nm和532nm，但也可使用其他波長。GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-7注：本例中，激光器1和激光器2的波長λ1和λ2分別為633nm和532nm，但也可使用其他波長。塊和熱塊在校準(zhǔn)期間工作。溫度塊在校準(zhǔn)期間運行（給定波長下的反射率與溫度的關(guān)系）。圖7給出了GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-8圖7硅薄膜（1526μm）在532nm和633nm處的光學(xué)反射率隨溫度的變化圖8硅薄膜的反射率與溫度的函數(shù)關(guān)系(λ1=633nm和λ2=532nm）可采用焦耳熱以外的方式進行加熱。如圖9所示，通過單軸電動工作臺可以使柔性或可拉伸半導(dǎo)體材料GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-94.3測試程序4.3.1總則用圖3中的測試裝置測量材料在一定范圍內(nèi)反射率和溫度的關(guān)系，以確定樣品是薄膜還是基板。試性，則可將試樣視為基材。如果不是，則應(yīng)將其視為4.3.2基底試樣d)通過校準(zhǔn)曲線和測量目標(biāo)區(qū)域離散點的熱反射率，以獲得樣品局部溫度。測角儀旋轉(zhuǎn)樣品以f)采用交流電源（簡單正弦周期）給樣品通電。通過可調(diào)控終端將數(shù)字萬用表和硅探測器進行度與時間的曲線。為了獲得熱時間常數(shù)τ,按以下公式擬合溫度與時間曲線4.3.3薄膜樣品GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-a)采用圖5所示裝置，分別在兩種波長光源條件下測量樣品反射率與溫度的變化關(guān)系。區(qū)間可由使用者依據(jù)實際情況確定。試樣中點的溫度是冷塊和熱塊的平均溫度。繪制校準(zhǔn)出b)如圖6所示配置薄膜試樣。將熱膏輕輕均勻c)使試樣變形以產(chǎn)生有限的彎曲或拉伸。然后，用直流電源給試樣通電，等待試樣達到穩(wěn)態(tài)溫d)通過測量離散關(guān)注點的反射率并使用校準(zhǔn)圖，獲得局部溫度。使用測角儀保持探測激光的正f)用交流電源（簡單周期正弦）給樣品通電。確保通過可變端子連接到硅探測器的數(shù)字萬用表h)移除任何變形后卸載樣品。4.4成果報告GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-圖A.1顯示了雙波長熱反