1+X集成電路理論考試模擬題（含答案）

1+X集成電路理論考試模擬題（含答案）一、單選題（共40題，每題1分，共40分）1、扎針測試時，完成晶圓信息的輸入后，需要核對()上的信息，確保三者的信息一致。A、MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單B、MAP圖、探針臺界面、晶圓測試隨件單C、MAP圖、軟件檢測程序、晶圓測試隨件單D、MAP圖、軟件版本、晶圓測試隨件單正確答案：A答案解析：扎針測試時，完成測試機操作界面的晶圓信息輸入后，需要核對MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單上的信息，確保三者的信息一致。2、重力式分選機進行芯片檢測時，如果出現(xiàn)上料槽無料管，應(yīng)采取()的處理方式。A、人工加待測料管B、人工換料管C、人工加空料管D、人工將卡料取出正確答案：A答案解析：重力式分選機進行芯片檢測時，如果出現(xiàn)上料槽無料，需要人工加待測料管。3、使用平移式分選設(shè)備進行芯片檢測時，測試環(huán)節(jié)的流程是：（）。A、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→搬運、吹放芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→吸取、搬運芯片B、吸取、搬運芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運、吹放芯片C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運、吹放芯片D、搬運、吹放芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結(jié)果正確答案：C4、下列選項中不屬于芯片外觀不良的是（）。A、塑封體開裂B、電源電流過大C、管腳壓傷D、印章不良正確答案：B5、下列描述錯誤的是（）。A、平移式分選機是在水平面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測試與分選的設(shè)備B、重力式分選機為斜背式雙工位或多工位自動測試分選機C、轉(zhuǎn)塔式分選機分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行D、以上描述都不對正確答案：D6、一般情況下，待編至()顆時，需更換卷盤，并在完成編帶的卷盤上貼上小標簽，便于后期識別。A、2000B、4000C、6000D、8000正確答案：B答案解析：一般情況下，待編至4000顆左右時，需要更換卷盤，即一盤編帶一般裝有4000顆的芯片。7、請根據(jù)下列圖片判斷哪幅圖片是合格針跡？（）A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片正確答案：B8、通常被用于深紫外光刻膠的準分子激光器的光源材料是（）。A、KrFB、F2C、ArFD、XeF正確答案：A答案解析：通常被用于深紫外光刻膠的準分子激光器的光源材料是氟化氪KrF。9、關(guān)于全自動探針臺扎針調(diào)試的步驟，下列說法正確的是：（）。A、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測MAP圖→自動對焦→扎針調(diào)試B、輸入晶圓信息→自動對焦→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試C、輸入晶圓信息→自動對焦→扎針調(diào)試→調(diào)出檢測MAP圖D、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試→自動對焦正確答案：B答案解析：全自動探針臺扎針調(diào)試步驟：輸入晶圓信息→自動對焦→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試。10、裝片機上料區(qū)上料時，是將（）的引線框架傳送到進料槽。A、最頂層B、中間層C、任意位置D、最底層正確答案：D11、進行芯片檢測工藝的芯片外觀檢查時，將工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的（）到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。A、晶圓測試隨件單B、芯片名稱C、芯片測試隨件單D、中轉(zhuǎn)箱號正確答案：D12、若想取下藍膜上的晶圓或晶粒，需要照射適量（），能降低藍膜的黏著力。A、紅外線B、太陽光C、藍色光源D、紫外線正確答案：D答案解析：對需要重新貼膜或加工結(jié)束后的晶圓，需要從藍膜上取下，此時只需照射適量紫外線，就能瞬間降低藍膜黏著力，輕松取下晶圓或晶粒。13、雙極型與單極型集成電路在性能上的主要差別是（）。A、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性好、輸入電阻大，而單極型器件正好相反B、雙極型器件工作頻率高、功耗低、溫度特性好、輸入電阻小，而單極型器件正好相反C、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性差、輸入電阻小，而單極型器件正好相反D、雙極型器件工作頻率低、功耗大、溫度特性好、輸入電阻小，而單極型器件正好相反正確答案：C14、轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備的上料步驟正確的是：()。A、待測芯片上料→芯片篩選→芯片吸取B、芯片篩選→待測芯片上料→芯片吸取C、待測芯片上料→芯片吸取→芯片篩選D、芯片篩選→芯片吸取→待測芯片上料正確答案：A答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備的上料步驟為：待測芯片上料→芯片篩選→芯片吸取。15、封裝工藝中，裝片機上料區(qū)上料時，是將（）的引線框架傳送到進料槽。A、底層B、頂層C、中間位置D、任意位置正確答案：A16、切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進行初步的清理。A、不良晶粒B、切割時產(chǎn)生的火花C、晶圓碎片D、去離子水正確答案：D17、芯片檢測工藝中，管裝裝內(nèi)盒時，在內(nèi)盒上貼有（）種類型的標簽。A、4B、2C、1D、3正確答案：B18、在用萬用表測量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時，必須注意（）。A、選擇歐姆擋位B、選擇較大量程C、注意兩支筆的極性D、以上都是正確答案：C19、晶圓烘烤時長一般為()分鐘。A、1B、5C、10D、20正確答案：B答案解析：晶圓烘烤長一般為5分鐘。烘烤時間太長會導(dǎo)致墨點開裂，時間太短可能會使墨點不足以抵抗后續(xù)封裝工藝中的液體沖刷，導(dǎo)致墨點消失。20、若采用全自動探針臺對晶圓進行扎針測試，需把承載的晶圓花籃放到探針臺相應(yīng)位置等待檢測，假如位置放置不正確，會造成（）后果。A、晶圓撞擊探針測試卡B、晶圓探針錯位、破片C、探針臺死機D、位置指示燈異常正確答案：B21、一般情況下，制造晶圓的原材料是()。A、硼B(yǎng)、鍺C、硅D、硒正確答案：C答案解析：晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。22、引線鍵合機內(nèi)完成鍵合的框架送至出料口的引線框架盒內(nèi)，引線框架盒每接收完一個引線框架會（）。A、保持不動B、自動上移一定位置C、自動下移一定位置D、自動后移一定位置正確答案：C答案解析：完成引線鍵合的框架由傳輸裝置送進出料口的引線框架盒內(nèi)?？蚣芎忻拷邮胀暌粋€引線框架，自動下移一定位置，等待接收下一個引線框架。23、利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）。A、擴散爐B、離子注入機C、加熱平板D、對流烘箱正確答案：A答案解析：利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)的工序為熱擴散，熱擴散采用的設(shè)備為擴散爐。24、晶圓貼膜過程中，需要外加一個（），它起到支撐的作用。A、晶圓基底圓片B、晶圓貼片環(huán)C、藍膜支撐架D、固定掛鉤正確答案：B答案解析：在貼膜過程中，需要外加一個厚度與晶圓一致但環(huán)內(nèi)徑比晶圓直徑大的金屬環(huán)，也就是晶圓貼片環(huán)。它起到支撐的作用，可以使切割后的晶圓保持原來的形狀，避免晶粒相互碰撞，便于搬運。25、料盤完成外觀檢查后,需要進入()環(huán)節(jié)。A、分選B、上料C、測試D、真空包裝正確答案：D答案解析：平移式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為:上料→測試一分選一外觀檢查-真空包裝。26、8英寸的晶圓直徑大小為：()。A、125mmB、150mmC、200mmD、300mm正確答案：C答案解析：5英寸：125mm，6英寸：150mm，8英寸：200mm，12英寸：300mm。27、以立式氧化擴散爐為例，以下氧化擴散方式正確的是（）。①產(chǎn)品放置完成后在電腦終端輸入控制片ID。②在電腦終端輸入操作設(shè)備ID、硅片批號等。③放置硅片盒后，在設(shè)備上確認硅片批號等信息后按下確認按鈕。④將一定數(shù)量的硅片盒放在立式氧化擴散爐設(shè)備的loader窗口，確認放好后按下按鈕進行操作。⑤等待設(shè)備傳片，傳完片后石英舟上升進入爐管。⑥按同樣的方法將控制片放置在氧化爐窗口。⑦等待工藝完成后，設(shè)備傳片結(jié)束，此時設(shè)備黃燈閃爍。A、②④③①⑥⑤⑦B、②①④③⑥⑤⑦C、②④⑥③①⑤⑦D、②⑥⑤④③①⑦正確答案：A28、晶圓進行扎針測試時，完成晶圓信息的輸入后，需要核對（）上的信息，確保三者的信息一致。A、MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單B、MAP圖、探針臺界面、晶圓測試隨件單C、MAP圖、軟件檢測程序、晶圓測試隨件單D、MAP圖、軟件版本、晶圓測試隨件單正確答案：A29、在電子產(chǎn)品測試中需保證測試環(huán)境穩(wěn)定，其中使用環(huán)境穩(wěn)定是指（）。A、軟件的工作參數(shù)穩(wěn)定B、使用人員操作得當C、硬件的工作參數(shù)穩(wěn)定D、模擬真實用戶使用時的場景正確答案：D30、4英寸的單晶硅錠的切割方式為：()。A、外圓切割B、內(nèi)圓切割C、線鋸切割D、以上均可正確答案：B答案解析：直徑＜300mm時采用內(nèi)圓切割，直徑≥300mm時采用外圓切割、線鋸切割。4英寸的單晶硅錠直徑為100mm，切割方式為內(nèi)圓切割。31、管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊()處貼上“合格”標簽。A、左側(cè)B、右側(cè)C、中央D、任意位置正確答案：C答案解析：管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊中央處貼上“合格”標簽。32、晶圓切割的作用是（）。A、對晶圓邊緣進行修正B、將完整的晶圓分割成單獨的晶粒C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續(xù)晶粒的分離D、切除電氣性能不良的晶粒正確答案：B答案解析：晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨立的晶粒，用于后續(xù)集成電路的制造。33、在目檢過程中，篩選后出現(xiàn)嚴重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經(jīng)分析屬于批次性質(zhì)量問題的，應(yīng)()。A、淘汰超過規(guī)范值的部分，同時附上分析報告B、整批淘汰，同時附上分析報告C、留下該批次中的合格品D、不做處理正確答案：B答案解析：在目檢過程中，篩選后出現(xiàn)嚴重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經(jīng)分析屬于批次性質(zhì)量問題的，應(yīng)整批淘汰，同時附上分析報告。34、切筋成型工序中，設(shè)備在完成模具內(nèi)的切筋與成型步驟后，下一步是（）。A、裝料B、下料C、核對數(shù)量D、人工目檢正確答案：B35、如果焊接面上有（），不能生成兩種金屬材料的合金層。A、阻隔浸潤的污垢B、氧化層C、沒有充分融化的焊料D、以上都是正確答案：D36、封裝按材料分一般可分為塑料封裝、（）和陶瓷封裝等。A、金屬封裝B、橡膠封裝C、泡沫封裝D、DIP封裝正確答案：A37、電子產(chǎn)品的幾何測試的主要用到的工具是（）。A、鍍層測厚儀B、千分尺C、量規(guī)D、以上都是正確答案：D38、芯片的耐壓度是指()，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結(jié)構(gòu)。A、所能承受的最大應(yīng)力B、承受電壓的能力C、所能承受的最大壓強D、所能承受的極限載荷正確答案：B答案解析：耐壓度是承受電壓的能力，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結(jié)構(gòu)。39、一般來說，()封裝形式會采用平移式分選機進行測試。A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正確答案：D答案解析：一般來說，LGA/TO會采用轉(zhuǎn)塔式分選機進行測試，DIP/SOP會采用重力式分選機進行測試，QFP/QFN會采用平移式分選機進行測試。40、防靜電點檢的目的是（）。A、檢測進入車間人員的體重與身體狀況B、指紋檢測C、檢測人體帶有的靜電是否超出進入車間的標準D、防止灰塵或靜電的產(chǎn)生正確答案：C答案解析：防靜電點檢的目的是檢測人體帶有的靜電是否超出進入車間的標準，沒有A、B、D選項所述的功能；規(guī)范著裝的目的是防止人體灰塵的散落或靜電的產(chǎn)生。二、多選題（共20題，每題1分，共20分）1、在將原理圖導(dǎo)入到目標PCB文件的步驟中：單擊ValidateChanges按鈕，沒有錯誤，則單擊ExecuteChanges按鈕，將信息發(fā)送到PCB。當完成后，被標記的有（）。A、DoneB、MessageC、CheckD、Add正確答案：AC2、一般情況下，轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備可以實現(xiàn)()環(huán)節(jié)。A、光檢B、測試C、分選D、編帶正確答案：ABCD答案解析：一般情況下，轉(zhuǎn)塔式分選機的工作原理是先將待測芯片上料，然后經(jīng)過主轉(zhuǎn)盤工位進行光檢、測試、分選等流程，最終將符合條件的合格品放入載帶進行編帶包裝。3、電鍍的主要目的是增強暴露在塑封體外面的引線的（）和（）。A、抗氧化性B、耐高溫能力C、防水性D、美觀性E、抗腐蝕性正確答案：AE4、版圖設(shè)計前需要注意的事項有（）。A、精度B、電流密度C、匹配性D、分辨率正確答案：ABC5、下列屬于晶圓外檢的步驟的是：()。A、從待檢花籃中取出晶圓，核對晶圓批號隨件單一致B、檢查晶圓背面有無沾污、受損等情況C、用油墨筆剔除指紋等印記D、在顯微鏡下檢查晶圓有無墨點沾污等異常情況正確答案：ABCD答案解析：晶圓外檢步驟為：從待檢測花籃中取出晶圓，檢查晶圓的批號是否與晶圓測試隨件單一致。對晶圓背面進行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。發(fā)現(xiàn)晶圓周邊有指紋等印記時，用油墨筆進行剔除。將晶圓放入顯微鏡下進行檢查，移動晶圓，檢查是否有墨點沾污、扎針異常等情況，若發(fā)現(xiàn)異常，需用打點器進行打點標記。6、每盤卷盤完成編帶后，需要在卷盤上()。整批芯片編帶完成后，需要進行()。A、熱封B、貼標簽C、清料D、切帶正確答案：BC答案解析：每盤卷盤編帶完成后，需要在卷盤上貼上小標簽，標簽上包含產(chǎn)品名稱、產(chǎn)品批號等信息，以便后面環(huán)節(jié)的信息核對。整批芯片編帶完成后，需要核對芯片的總數(shù)、合格數(shù)與不合格數(shù)與觸摸屏上的計數(shù)是否一致。核對一致后將結(jié)果記錄在隨件單上，并在編帶機顯示界面進行結(jié)批。7、當花籃的卡槽與承重臺的上片槽密貼時，()。A、下降指示燈亮B、前后移動花籃，花籃固定不動C、下降指示燈滅D、位置指示燈亮正確答案：BD答案解析：當花籃的卡槽與承重臺的上片槽密貼時，即花籃位置放置正確時，承重臺上的位置指示燈亮，此時前后移動花籃，花籃不會發(fā)生移動。8、在LED燈閃爍的任務(wù)中，不是點亮8個燈的程序語句是（）。A、PB->OUTEN=0xff00;B、PB->OUTEN=0x00ff;C、PB->OUT=0xff00;D、PB->OUT=0x00ff;正確答案：ABD9、下面屬于激光打字時的注意事項的是（）。A、打標之前框架條要先進行預(yù)熱B、選擇的打標文件必須與該批次產(chǎn)品相對應(yīng)C、框架條進入打標區(qū)禁止拉動框架條D、激光打開后，禁止人體直接接觸激光區(qū)域正確答案：BCD答案解析：塑封時框架條需要進行預(yù)熱，激光打字時框架條不需要預(yù)熱，故A選項不選。10、下列描述正確的是（）。A、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列大B、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列小C、LS系列速度比HC系列快D、HC系列速度比LS系列快正確答案：AC11、編帶外觀檢查前需要準備的工具是（）。A、放大鏡B、防靜電鋁箔袋C、保護帶D、紙膠帶正確答案：ACD12、在設(shè)計限流電阻版圖時要考慮以下方面：（）。A、電阻盡量做的寬一些B、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣近一些C、電阻盡量做的窄一些D、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣遠一些正確答案：AD13、在繪制總體電路圖的過程中，對電路圖的要求是（）。A、反映出電路的工作原理B、表現(xiàn)出各個信號的流向C、表現(xiàn)出電路各部分的關(guān)系D、清楚地反映出電路的組成正確答案：ABCD14、以下刻蝕方法中，不屬于各向同性的刻蝕是（）。A、濕法刻蝕B、濺射刻蝕C、等離子體刻蝕D、反應(yīng)離子刻蝕正確答案：BD答案解析：濕法刻蝕和等離子體刻蝕是各向同性的，濺射刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕屬于各向異性。15、封裝按材料分一般可分為（）等封裝形式。A、橡膠封裝B、金屬封裝C、塑料封裝D、泡沫封裝E、玻璃封裝F、陶瓷封裝正確答案：BCEF答案解析：按照封裝材料的不同，IC封裝可分為塑料封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、和玻璃封裝等，其中塑料封裝為常用的封裝形式，約占IC封裝市場的90%。16、抑制通道效應(yīng)的方法有（）。A、破壞表面硅原子的排列（預(yù)先淺注入）B、將晶圓傾斜一定的角度C、表面鋪一層非結(jié)晶材質(zhì)SiO2D、進行快速熱退火正確答案：ABC答案解析：快速熱退火使為了消除晶格損傷。17、LK32T102單片機的時鐘系統(tǒng)有（）。A、1~24MHz晶體振蕩器B、內(nèi)置32KHz低頻RCLC、內(nèi)置16MHz高精度RCHD、PLL最高支持72MHz正確答案：ABC18、使用探針臺進行晶圓扎針測試的上片操作時，當花籃的卡槽與承重臺的上片槽密貼時，（）。A、位置指示燈亮B、前后移動花籃，花籃固定不動C、下降指示燈滅D、下降指示燈亮正確答案：AB19、一般情況下，30mil的墨管適用于直徑為（）的晶圓。A、200mmB、150mmC、300mmD、125mm正確答案：AC20、在使用信號發(fā)生器的注意事項包括（）。A、注意使用環(huán)境，避免在灰塵過大環(huán)境使用設(shè)備B、嚴格限制接入信號幅度，有大信號接入示波器時,需要先預(yù)估信號電平,并選用合適的衰減器對信號進行衰減,防止大信號燒毀示波器輸入通道C、示波器探頭接入時，宜用力接入，避免接插端口松動D、注意儀器通道接口靜電防護正確答案：ABD三、判斷題（共40題，每題1分，共40分）1、編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有：載帶是否有破裂、沾污、破損；蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠；編帶中有無不良品或放反芯片等不合格情況。（）A、正確B、錯誤正確答案：A2、調(diào)整扎針位置時，需利用要搖桿的“粗調(diào)”檔位進行位置的確定。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：調(diào)整扎針位置時，需利用要搖桿的“微調(diào)”檔位進行位置的確定。3、金線采用的是98%的高純度金。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：金線采用的是99.99%的高純度金。4、在設(shè)計帶隙基準源版圖時，必須采用CMOS工藝實現(xiàn)PNP雙極型晶體管。A、正確B、錯誤正確答案：A5、電子電路試驗的步驟：先局部，后整體。即先對每個單元電路進行試驗，重點是主電路的單元電路試驗。可以先易后難，亦可依次進行，視具體情況而定。A、正確B、錯誤正確答案：A6、<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對稱的棱線。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對稱的棱線。7、PCB文件是所有電路設(shè)計軟件都可以產(chǎn)生的一種文件格式，在電子組裝行業(yè)又稱為模版文件（stencil.data）,在PCB制造業(yè)又稱為光繪文件。A、正確B、錯誤正確答案：B8、重力式分選機常見故障包括：IC定位錯誤、IC放置位置不良、機械組件故障等。（）A、正確B、錯誤正確答案：B9、輸入差分對版圖設(shè)計過程中，采用的是二維共質(zhì)心方式設(shè)計。A、正確B、錯誤正確答案：A10、切筋成型工藝，在裝料前先對框架條進行檢驗，把不合格的芯片進行剔除，把合格的鍍錫框架條裝盒并放置于切筋機的上料區(qū)。A、正確B、錯誤正確答案：A11、氮化硅薄膜作為集成電路芯片的鈍化保護層，可以保護芯片避免劃傷，降低芯片對外界環(huán)境的敏感性。A、正確B、錯誤正確答案：A12、LK32T102單片機的系統(tǒng)內(nèi)核是ARM32位Cortex-M0內(nèi)核。A、正確B、錯誤正確答案：A13、芯片檢測工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標簽。A、正確B、錯誤正確答案：B14、切筋和成型是屬于兩道工序，但一般都是在一個設(shè)備上一起完成。A、正確B、錯誤正確答案：A15、風(fēng)淋時到達設(shè)定時間后風(fēng)淋結(jié)束，風(fēng)淋室自動解鎖,此時可打開風(fēng)淋室內(nèi)門，進入車間。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：風(fēng)淋到達設(shè)定值后,風(fēng)淋室的門]自動由關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)殚_啟，此時可打開風(fēng)淋室的門進入車間。16、當項目被編譯后，任何錯誤都將顯示在Messages面板上，如果電路圖有嚴重的錯誤，Messages面板將自動彈出，否則Messages面板不出現(xiàn)。A、正確B、錯誤正確答案：A17、封裝管理器檢查對話框的元件列表（ComponeneList）區(qū)域，顯示原理圖內(nèi)的所有元件。用鼠標左鍵選擇每一個元件，當選中一個元件時，在對話框的右邊的封裝管理編輯框內(nèi)設(shè)計者可以添加、刪除、編輯、復(fù)制當前選中元件的封裝。A、正確B、錯誤正確答案：B18、激光打字時激光聚焦后的面積較大，可以在部件表面打印出清晰的標識A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：激光聚焦后的尺寸很小，所以熱影響區(qū)域小，加工精細。19、LK32T102單片機的片上存儲器具有32字節(jié)FLASH，數(shù)據(jù)保持時間大于10年，4K字節(jié)RAM，帶奇偶校驗。A、正確B、錯誤正確答案：A20、電路符號可以告訴我們電路功能和特性，不能說明內(nèi)部結(jié)構(gòu)。A、正確B、錯誤正確答案：A21、根據(jù)晶圓大小的不同，需要采用不同規(guī)格的墨管。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：根據(jù)晶粒大小的不同，需要采用不同規(guī)格的墨管。22、平移式分選機是采用壓測的方式進行的。A、正確B、錯誤正確答案：A23、排片機完成自動排片后，工作人員將排完片的模具放置到模具加熱座上進行加熱。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：排片機完成自動排片后，直接在排片機上預(yù)熱。24、平移式分選機上料需要將芯片放在標準容器中。A、正確B、錯誤正確答案：A25、測壓手臂的設(shè)置是為了保證引腳完好，使芯片與測試座的引腳正確接觸。A、正確B、錯誤正確答案：A26、平移式分選機進行分選時，吸嘴同時吸取出料梭上的芯片。A、正確B、錯誤正確答案：A27、編帶工藝操作時，用蓋帶進行熱封，是為了防止載帶中的芯片掉落。（）A、正確B、錯誤正確答案：A28、重力式分選機測試過程中，串行測試進行的是單項測試。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：重力式分選機測試過