PERC電池電性能問題分析方法

電性能參數(shù)對于運營現(xiàn)場人員來說，就如同人們到醫(yī)院體檢的檢查結(jié)果一樣，可以反映出制程過程中的各種問題，通過各種參數(shù)的對比分析、跟蹤，來判斷問題是否得到真正解決，今天"光伏技術(shù)”將介紹電性能異常分析方法，期待與您共同進(jìn)步。1.電性能偏低原因分析1.1開路電壓UOC偏低a.燒結(jié)燒穿；b.未擴(kuò)散片；c.濕刻放反片；d.PE放反片；e.來料“黑心片”；f.污染片（工序衛(wèi)生沒搞好）；g.合金不共融片；h.來料氧含量超標(biāo)；i.微晶片。1.2短路電流ISC偏低a.燒結(jié)沒燒透（接觸電阻大）；b.燒結(jié)燒穿；c.未擴(kuò)散片；d.來料“黑心片”；e.PE放反片；f.背面絨面拋光效果差；g.正面絨面效果不理想；h.擴(kuò)散方阻?。籭.來料氧含量超標(biāo)；j.絲印效果差（高寬比異常、斷柵多、虛印嚴(yán)重）；k.濕刻放反片；l.微晶片。1.3串聯(lián)電阻RS偏大a.燒結(jié)沒燒透；b.擴(kuò)散方阻偏大；c.濕刻放反片；d.濕刻方阻上升過大；e.死層去除不夠干凈；f.測試探針接觸不良；g.漿料過于干燥；h.絲印效果差（高寬比異常、柵線粗細(xì)不均、虛印嚴(yán)重）；i.微晶片。1.4并聯(lián)電阻Rsh偏小a.燒結(jié)燒穿；b.漏漿；c.濕刻邊緣沒完全干凈；d.擴(kuò)散污染；e.來料污染；f.濕刻過刻；g.PE放反片；h.微晶片。1.5暗電流Irev偏大a.燒結(jié)燒穿；b.漏漿；c.擴(kuò)散污染；d.來料污染；e.濕刻邊緣沒完全干凈；f.濕刻放反片；g.PE放反片；h.絲印返工片；i.濕刻過刻；j.微晶片。2.異常原因分析2.1燒結(jié)燒穿測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；2.2PE放反片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；2.3來料“黑心片”測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；2.4擴(kuò)散污染片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；2.5正銀漿料污染片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：四探針測試儀和EL-C。c.分析判斷方法：1.首先用四探針測試電池片背面沒有印上漿料的地方，看其方阻是否正常，當(dāng)方阻在50左右時，可以判斷為PE放反；2.如果方阻正常，則用EL進(jìn)行正偏和反偏測試，根據(jù)圖案形狀來做判斷，如果圖像是以電池片中心，出現(xiàn)橢圓或近圓狀暗色圖形的，一般可判為來料“黑心”片；3.如果顯示暗色的出現(xiàn)在印刷柵線重合地方，可認(rèn)為是燒結(jié)燒穿或者是正銀漿料污染；4.如果出現(xiàn)雜亂的，或者出現(xiàn)點狀暗淡的圖形或者在晶界邊緣，一般可認(rèn)為是擴(kuò)散污染片。2.6

未擴(kuò)散片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低；2.7氧含量超標(biāo)測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：用EL-C；c.分析判斷方法：1.直接用EL-C測試電池片，如果正反偏圖象顯示為全黑的，可認(rèn)為是未擴(kuò)散片；2.如果圖象均勻跟正常片沒什么區(qū)別，只是顏色偏淡，一般認(rèn)為是光譜響應(yīng)不夠,也可以用D8儀來測試其反射率；3.對于氧含量超標(biāo)用專門檢測設(shè)備來判定,不過由于缺乏設(shè)備,我們可以按上面的順序來排查確定；2.8濕刻放反片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、串聯(lián)電阻偏大、暗電流偏大；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：用EL-C；c.分析判斷方法：用EL-C正偏測試，如果圖象顯示的是中間偏暗，而片子四周顯示的偏亮，反片圖象均勻，偏暗；(這是因為放反的片子四周有PN結(jié),而中間沒有)所以可判定為放反片；2.9合金不共融片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低、短路電流偏低、串聯(lián)電阻偏大；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：用EL-C；c.分析判斷方法：使用破壞測試，先沿著柵線處斷開，然后用EL-C測試柵線與氮化硅膜接觸面，利用圖象來分析判斷，如果柵線內(nèi)部結(jié)合不緊湊有空洞，接觸面能明顯分離，沒有緊密接觸，可認(rèn)為是燒結(jié)不透；2.10微晶片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：開路電壓偏低；串聯(lián)電阻偏大、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：WT-2000、EL-C；c.分析判斷方法：用EL-C測試電池片，其圖像一般都是在某個局部有一塊地方出現(xiàn)偏暗的，(跟漏電圖像大體相似)但仔細(xì)觀察，里面分布不一樣，如果是微晶片，其圖像四周有一部分出現(xiàn)密集的星點分布狀，而偏暗內(nèi)部就幾乎不出現(xiàn)星點出現(xiàn)。(漏電的則有稀疏的星點)；2.11背面絨面拋光效果差測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低；2.12正面絨面效果不理想測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低；2.13擴(kuò)散方阻小測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低；2.14絲印效果差（高寬比異常、柵線粗細(xì)不均、虛印嚴(yán)重）測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏低；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：用EL-Cc.分析判斷方法：用EL-C進(jìn)行測試，可以根據(jù)圖像來判定其類型，如果背面圖像的絨面刻粒過大可劃為拋光效果差；如果正面圖像的絨面大小,均勻性等不在我們工藝控制要求內(nèi)的可作為效果不理想；如果看柵線圖像可以判斷印刷質(zhì)量，就可以判斷其絲印效果；對于方阻小的就要進(jìn)行破壞測試，先去除氮化硅膜，然后測試方阻來確定；2.15濕刻過刻測試指標(biāo)表現(xiàn)為：短路電流偏小、串聯(lián)電阻偏大、并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：用EL-C；c.分析判斷方法：用EL-C測試電池片，其正偏圖像剛好跟放反片相反，中間偏亮，而四周偏暗(一般偏暗距離邊緣的尺寸大于2mm)；2.16死層去除不干凈測試指標(biāo)表現(xiàn)為：串聯(lián)電阻偏大、短路電流偏低；2.17測試探針接觸不良測試指標(biāo)表現(xiàn)為：串聯(lián)電阻偏大；短路電流偏低；2.18漿料過于干燥測試指標(biāo)表現(xiàn)為：串聯(lián)電阻偏大；短路電流偏低；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：其他設(shè)備(暫時沒有)c.分析判斷方法：根據(jù)我們工藝參數(shù)來測算我們的網(wǎng)版設(shè)計，和現(xiàn)場檢查操作控制有無異常來做判斷；2.19漏漿測試指標(biāo)表現(xiàn)為：并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；2.20濕刻邊緣沒完全干凈測試指標(biāo)表現(xiàn)為：并聯(lián)電阻偏小、暗電流偏大；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變化相對小，異常是指指標(biāo)變化相對大。b.使用檢測設(shè)備：用冷熱探針或者萬用表c.分析判斷方法：先觀察片子四周有無明顯的漏漿現(xiàn)象，二是用冷熱探針或者萬用表來測試片子四周邊緣，看其是否有異常來判斷；2.21絲印返工片測試指標(biāo)表現(xiàn)為：暗電流偏大；a.備注說明：正常是指指標(biāo)變