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微考點(diǎn)2原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)與投影圖的分析1.(2024·山東卷,16(4))XeF2晶體屬四方晶系,晶胞參數(shù)如圖所示:(1)晶胞棱邊夾角均為90°,該晶胞中有2個XeF2分子。(2)以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),如A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2),\f(1,2),\f(1,2)))。已知Xe—F鍵長為rpm,則B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0,0,\f(r,c)));晶胞中A、B間距d=eq\r(\f(1,2)a2+\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(c,2)-r))2)pm。[解析](1)題圖中大球的個數(shù)為8×eq\f(1,8)+1=2,小球的個數(shù)為8×eq\f(1,4)+2=4,依據(jù)XeF2的原子個數(shù)比推知,大球代表Xe原子,小球代表F原子,該晶胞中有2個XeF2分子。(2)由A點(diǎn)坐標(biāo)知該原子位于晶胞的中心,且每個坐標(biāo)系的單位長度都記為1,B點(diǎn)在棱的eq\f(r,c)處,其原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(0,0,\f(r,c)))。如圖所示,構(gòu)建直角三角形:,AC等于底面對角線的一半,AC=eq\f(\r(2),2)apm,BC=eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(c,2)-r))pm,依據(jù)勾股定理,d=eq\r(AC2+BC2)=eq\r(\f(1,2)a2+\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(c,2)-r))2)pm。2.(2024·廣東卷,20(6))我國科學(xué)家發(fā)展了一種理論計算方法,可利用材料的晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)預(yù)料其熱電性能,該方法有助于加速新型熱電材料的研發(fā)進(jìn)程?;衔颴是通過該方法篩選出的潛在熱電材料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1,沿x、y、z軸方向的投影均為圖2。(1)X的化學(xué)式為K2SeBr6。(2)設(shè)X的最簡式的式量為Mr,晶體密度為ρg·cm-3,則X中相鄰K之間的最短距離為eq\f(1,2)×eq\r(3,\f(4Mr,NAρ))×107nm(列出計算式,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。[思路點(diǎn)撥]解答本題的思路如下:①依據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)及投影圖示eq\o(→,\s\up7(推出))和在晶胞中的位置eq\o(→,\s\up7(推出))利用“均攤法”確定晶胞中K和SeBr6的個數(shù)eq\o(→,\s\up7(推出))X的化學(xué)式②依據(jù)晶體密度及X的最簡式的式量eq\o(→,\s\up7(推出))晶胞參數(shù)eq\o(→,\s\up7(推出))X中相鄰K之間的最短距離[解析](1)晶胞結(jié)構(gòu)中,處于晶胞的8個頂角和6個面心,8個處于晶胞內(nèi)部,利用“均攤法”可知,每個晶胞中含有8個K,含有的個數(shù)為8×eq\f(1,8)+6×eq\f(1,2)=4,即含有4個SeBr6,K和SeBr6的個數(shù)之比為2∶1,故X的化學(xué)式為K2SeBr6。(2)設(shè)X的最簡式的式量為Mr,晶體密度為ρg·cm-3,設(shè)晶胞參數(shù)為anm,由ρ=eq\f(NM,VNA)得eq\f(\f(Mr,NA)×4,a×10-73)g·cm-3=ρg·cm-3,解得a=eq\r(3,\f(4Mr,NAρ))×107。X晶胞結(jié)構(gòu)中,相鄰K之間的最短距離為晶胞參數(shù)的一半,即eq\f(1,2)×eq\r(3,\f(4Mr,NAρ))×107nm?!緦c(diǎn)訓(xùn)練】1.(2024·山東德州模擬)一種由Cu、In、Te組成的晶體屬四方晶系,晶胞參數(shù)如圖所示。(1)晶胞棱邊夾角均為90°,晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中,則四面體空隙的占有率為50%;該晶體的化學(xué)式為CuInTe2。(2)以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),如A點(diǎn)、B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為(0,0,0)、eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(1,2),\f(1,2),\f(1,2))),則C點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3,4),\f(1,4),\f(3,8)));晶胞中C、D間距離d=eq\r(\f(a2,4)+\f(c2,16))pm。[解析](1)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,Cu、In原子形成的四面體空隙有16個,Te原子填充的四面體空隙有8個,則四面體空隙的占有率為eq\f(8,16)×100%=50%;晶胞中位于頂點(diǎn)、面上和體內(nèi)的銅原子個數(shù)為8×eq\f(1,8)+4×eq\f(1,2)+1=4,位于棱上、面心和面上的銦原子個數(shù)為6×eq\f(1,2)+4×eq\f(1,4)=4,位于體內(nèi)的碲原子個數(shù)為8,則銅、銦、碲的原子個數(shù)比為4∶4∶8=1∶1∶2,故晶體的化學(xué)式為CuInTe2。(2)由位于頂點(diǎn)A點(diǎn)和體心B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可知,晶胞邊長為1pm,則位于體對角線的eq\f(3,8)處、面對角線的eq\f(1,4)處的C點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3,4),\f(1,4),\f(3,8)));由晶胞中C、D形成的直角三角形的邊長為eq\f(a,2)pm、eq\f(c,4)pm可知,C、D間距離d=eq\r(\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(a,2)pm))2+\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(c,4)pm))2)=eq\r(\f(a2,4)+\f(c2,16))pm。2.(2024·河北卷,17(7))KH2PO4晶體具有優(yōu)異的非線性光學(xué)性能。分別用、表示H2POeq\o\al(-,4)和K+,KH2PO4晶體的四方晶胞如圖(a)所示,圖(b)、圖(c)分別顯示的是H2POeq\o\al(-,4)、K+在晶胞xz面、yz面上的位置:(1)若晶胞底邊的邊長均為apm、高為cpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,晶體的密度為eq\f(4×136,NA×a2×c×10-30)g·cm-3(寫出表達(dá)式)。(2)晶胞在x軸方向的投影圖為B(填標(biāo)號)。[解析](1)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,H2POeq\o\al(-,4)位于晶胞的8個頂點(diǎn)、4個面上和1個體心,則晶胞中H2POeq\o\al(-,4)的數(shù)目為8×eq\f(1,8)+4×eq\f(1,2)+1=4。K+位于6個面上和4個棱上,則晶胞中K+的數(shù)目為6×eq\f(1,2)
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