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文檔簡介

電力電子技術(shù)

PowerElectronicTechnology教師:陳柬(ChenJian)復(fù)習(xí):半導(dǎo)體三極管1基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型BECNPN型三極管BECPNP型三極管三極管符號(hào)NPNCBEPNPCBEBECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū):較薄,摻雜濃度低集電區(qū):面積較大發(fā)射區(qū):摻雜濃度較高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極+++++++++++++__________________________+++++++++++++2電流放大原理BECNNPEBRBEc發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散,形成發(fā)射極電流IE。IE1進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合,形成電流IB,多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。IBBECNNPEBRBEcIE從基區(qū)擴(kuò)散來的電子漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集,形成IC。IC2ICIB要使三極管能放大電流,必須使發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。靜態(tài)電流放大倍數(shù)靜態(tài)電流放大倍數(shù),動(dòng)態(tài)電流放大倍數(shù)

=IC/

IBIC=

IB動(dòng)態(tài)電流放大倍數(shù)IB:IB+

IBIC:IC+

IC

=

IC/

IB一般認(rèn)為:

==,近似為一常數(shù),值范圍:20~100

IC=

IB3特性曲線ICmA

AVVUCEUBERBIBUSCUSB

實(shí)驗(yàn)線路(共發(fā)射極接法)CBERCIB

與UBE的關(guān)系曲線(同二極管)(1)輸入特性IB(

A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V

死區(qū)電壓,硅管0.5V工作壓降:硅管UBE0.7V(2)輸出特性(IC與UCE的關(guān)系曲線)IC(mA)1234UCE(V)3691240A60AQQ’

=IC/

IB=2mA/40A=50

=

IC/

IB

=(3-2)mA/(60-40)A=50

=IC/

IB=3mA/60A=50輸出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A當(dāng)UCE大于一定的數(shù)值時(shí),IC只與IB有關(guān),IC=IB,且

IC=

IB

。此區(qū)域稱為線性放大區(qū)。此區(qū)域中UCEUBE,集電結(jié)正偏,IB>IC,UCE0.3V稱為飽和區(qū)。此區(qū)域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死區(qū)電壓,,稱為截止區(qū)。輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn):(1)放大區(qū)

BE結(jié)正偏,BC結(jié)反偏,IC=IB,且

IC=

IB(2)飽和區(qū)

BE結(jié)正偏,BC結(jié)正偏,即UCEUBE

,

IB>IC,UCE0.3V

(3)截止區(qū)

UBE<死區(qū)電壓,IB=0,IC=ICEO0

例:

=50,USC=12V,

RB=70k,RC=6k

當(dāng)USB=-2V,2V,5V時(shí),晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q位于哪個(gè)區(qū)?USB=-2V,IB=0,IC=0,Q位于截止區(qū)

USB=2V,IB=(USB-UBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mAIC=IB=500.019=0.95mA<

ICS=2mA

,Q位于放大區(qū)

。IC最大飽和電流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mA

ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEICUCEIBUSCRBUSBCBERC例:

=50,USC=12V,

RB=70k,RC=6k

當(dāng)USB=-2V,2V,5V時(shí),晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q位于哪個(gè)區(qū)?USB=5V,IB=(USB-UBE)/RB=(5-0.7)/70=0.061mAIC=IB=500.061=3.05mA>

ICS=2mA

,Q位于飽和區(qū)(實(shí)際上,此時(shí)IC和IB已不

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