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概述化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)是在集成電路制造中實(shí)現(xiàn)全局平整度的一種手段,該工藝專門(mén)設(shè)計(jì)用于獲得平整,無(wú)劃痕和無(wú)污染的表面,是目前公認(rèn)的納米級(jí)全球矯平精密加工技術(shù)。在制作集成電路的整個(gè)過(guò)程中,除了集成電路設(shè)計(jì)連接、硅片制造、集成電路制造外,封裝和測(cè)試過(guò)程也必須使用CMP工藝,集成電路的生產(chǎn)是CMP工藝的主要應(yīng)用場(chǎng)景。CMP工藝在當(dāng)前芯片制造中的典型應(yīng)用包括溝槽絕緣平坦化(STICMP),多晶硅展平化(PolyCMP),中間層介電展平化(ILDCMP),金屬對(duì)金屬介電壓平化(IMDCMP),銅化合物平坦化(CuCMP)等。相關(guān)工藝CMP工藝中使用的設(shè)備和耗材包括拋光機(jī),拋光液,拋光墊,CMP后清洗設(shè)備,測(cè)試和過(guò)程控制設(shè)備,廢物處理和測(cè)試設(shè)備等。CMP耗材主要包括磨料、拋光墊、調(diào)節(jié)器、CMP清洗液等耗材,以及磨料液和拋光墊,占CMP耗材細(xì)分市場(chǎng)的80%以上,是CMP工藝的核心耗材。化學(xué)機(jī)械拋光使用結(jié)合了機(jī)械摩擦和化學(xué)腐蝕的工藝:化學(xué)腐蝕-拋光液:首先,工件表面與拋光墊之間的拋光液中的氧化劑和催化劑等于工件表面材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),并在工件表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)膜;機(jī)械摩擦-拋光墊:隨后,通過(guò)機(jī)械作用從由高分子材料制成的磨料流體和拋光板的磨料顆粒中除去該化學(xué)反應(yīng)膜層,使工件表面再次暴露,然后進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。整個(gè)過(guò)程通過(guò)化學(xué)和機(jī)械作用交替進(jìn)行,最后完成工件表面的拋光,并緩慢控制拋光速度。產(chǎn)業(yè)鏈CMP拋光材料下游主要為晶圓加工和芯片制造,最后應(yīng)用到計(jì)算機(jī)、通訊、汽車(chē)電子、工控醫(yī)療等方面。發(fā)展現(xiàn)狀長(zhǎng)期以來(lái),全球化學(xué)機(jī)械拋光市場(chǎng)主要由美國(guó)和日本公司壟斷。全球CM拋光材料行業(yè)的三大市場(chǎng)是卡博特,市場(chǎng)份額為33%,日立市市場(chǎng)份額為13%,富士美市場(chǎng)份額為10%。其中,卡博特微電子在全球拋光材料中的市場(chǎng)份額最高,但已從2000年的80%左右下降到2017年的35%左右,因此未來(lái)全球拋光材料市場(chǎng)將多元化,區(qū)域本地化自給自足性將提高,行業(yè)發(fā)展前景廣闊。從2014年到2020年,全球CMP拋光材料市場(chǎng)從15.7億美元增加到24.8億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)約為8%。其中,2020年國(guó)內(nèi)CMP拋光材料市場(chǎng)規(guī)模在32億元左右,近五年復(fù)合增長(zhǎng)率保持在10%左右。1.17-22市場(chǎng)規(guī)模數(shù)據(jù)圖表:統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2017年中國(guó)CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模2.35億美元,2022年中國(guó)CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模3.96億美元。2017-2022年中國(guó)CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模如下:圖表:2017-2022年中國(guó)CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模數(shù)據(jù)來(lái)源:智研瞻產(chǎn)業(yè)研究院2.23-29市場(chǎng)規(guī)模數(shù)據(jù)預(yù)測(cè),2029年中國(guó)CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模8億美元。2023-2029年中國(guó)CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)如下:圖表:2023-2029年中國(guó)CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)來(lái)源:智研瞻產(chǎn)業(yè)研究院國(guó)家政策2018年3月,《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問(wèn)題的通知》中指出,2017年12月31日前設(shè)立但未獲利的集成電路線寬小于0.25微米或投資額超過(guò)80億元,且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè),自獲利年度起第一年至第五年免征企業(yè)所得稅,第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅,并享受至期滿為止。國(guó)內(nèi)加速追趕,政策和大資金支持,國(guó)內(nèi)硅片制造業(yè)進(jìn)入高速增長(zhǎng)期。作為國(guó)內(nèi)集成電路和晶圓制造所必需的CMP拋光材料,有望得到穩(wěn)定發(fā)展。發(fā)展趨勢(shì)隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸的加速轉(zhuǎn)移,以及半導(dǎo)體市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大和工藝的不斷進(jìn)步,需要大量的新型半導(dǎo)體材料。未來(lái),隨著半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性增加和CMP的廣泛使用,全球CMP拋光材料市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)。隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠的快速投產(chǎn),未來(lái)上游材料消耗的增長(zhǎng)速度將領(lǐng)先全球。國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快:未來(lái),隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)和國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)政策的支持,CMP拋光液在中國(guó)的國(guó)產(chǎn)化將加速。專業(yè)化和定制化是CMP拋光液未來(lái)的發(fā)展方向:專業(yè)化和定制化將為后期國(guó)內(nèi)廠商帶來(lái)機(jī)遇。一方面,國(guó)內(nèi)制造商可以集中有限的資源
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