GBT 14112-2015 半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

ICS31.200代替GB/T14112—1993半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范SpecificationforstampedleadframesofplasticDIP中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局IGB/T14112—2015 1 1 1 1 14.2引線框架形狀和位置公差 24.3引線框架外觀 34.4引線框架鍍層 34.5引線框架外引線強(qiáng)度 44.6銅剝離試驗(yàn) 44.7銀剝離試驗(yàn) 4 45.1檢驗(yàn)批的構(gòu)成 4 45.3質(zhì)量一致性檢驗(yàn) 4 7 7 7 7附錄A(規(guī)范性附錄)引線框架機(jī)械測量 8附錄B(規(guī)范性附錄)引線框架高溫和機(jī)械試驗(yàn) 附錄C(資料性附錄)批允許不合格率(LTPD)抽樣方案 Ⅲ本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14112—1993相比主要變化如下：——關(guān)于規(guī)范性引用文件：增加引導(dǎo)語；抽樣標(biāo)準(zhǔn)由GB/T2828.1—2012代替IEC410;增加引用文件GB/T2423.60—2008、SJ20129;有關(guān)要求；準(zhǔn)在整個(gè)標(biāo)稱長度上進(jìn)行規(guī)定； 本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)材料的厚度進(jìn)行規(guī)定； -修改了標(biāo)準(zhǔn)中對“精壓區(qū)共面性”的要求(見4.2.8):原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線框架條寬大于 并對Ala、A1b,B2a、B2b分組進(jìn)行合并；原標(biāo)準(zhǔn)中B組采用LTPD抽樣方案，本標(biāo)準(zhǔn)將B1、 月(見7.2)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC78)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：——GB/T14112—1993。1半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架(以下簡稱引線框架)的技術(shù)要求及檢本標(biāo)準(zhǔn)適用于雙列(DIP)沖制型引線框架。單列沖制型引線框架亦可參照使用。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T2423.60—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T7092半導(dǎo)體集成電路外形尺寸GB/T14113半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語SJ20129金屬鍍覆層厚度測量方法GB/T14113中界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1標(biāo)稱長度nominallength精壓區(qū)共面性atotalareaofprecisionpressure引線框架內(nèi)引線端部精壓區(qū)域相對于基準(zhǔn)高度的高度差。3.3引線框架芯片粘接區(qū)受壓下陷的程度，即為芯片粘接區(qū)與未受壓前的高度差，俗稱打凹或打彎4技術(shù)要求2側(cè)彎在整個(gè)標(biāo)稱長度上不超過0.05mm。卷曲在整個(gè)標(biāo)稱長度上不超過材料厚度的2倍。橫彎小于標(biāo)稱條寬的0.5%。條帶扭曲在整個(gè)標(biāo)稱長度上不超過材料厚度的2倍。圖紙上表明的尺寸為精壓前尺寸，在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下，精壓深度不大于材料厚度的30%。最小精壓深度受最小鍵合區(qū)要求的限制，最大精壓深度受最小引線間距要求的限相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于0.1mm。材料厚度為0.25mm時(shí)，精壓區(qū)共面性應(yīng)符合表1的規(guī)定。表1精壓區(qū)共面性單位為毫米引線框架條寬精壓區(qū)共面性<25.4士0.1025.4～50.8>50.8在長或?qū)捗?.54mm尺寸最大傾斜0.05mm,測試從角到角進(jìn)行。30.005mm。所有引線框架的特征中心相對于邊框上定位孔中心線實(shí)際位置公差應(yīng)在±0.05mm之內(nèi)。垂直毛刺最大為0.025mm,水平毛刺最大為0.05mm。內(nèi)，凹坑和壓痕深度不應(yīng)超過0.025mm,最大表面尺寸不應(yīng)超過0.051mm;劃痕最大尺寸寬×深；0.075mm×0.030mm,數(shù)量不超過1個(gè)。全部鍍銀的軌條部分允許有不明顯的發(fā)花。4GB/T14112—20154.5引線框架外引線強(qiáng)度引線框架的外引線經(jīng)彎曲試驗(yàn)后不應(yīng)出現(xiàn)斷裂。4.6銅剝離試驗(yàn)?zāi)z帶上的銅覆蓋面積超過引線框面積之10%即判為不合格。4.7銀剝離試驗(yàn)?zāi)z帶上不允許銀層粘附。5檢驗(yàn)規(guī)則5.1檢驗(yàn)批的構(gòu)成一個(gè)檢驗(yàn)批可由一個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成，或由符合下述條件的幾個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成：a)這些生產(chǎn)批是采用基本相同的材料、工藝、設(shè)備等制造出來的；b)每個(gè)生產(chǎn)批的檢驗(yàn)結(jié)果表明，材料和工序的質(zhì)量均能保證所生產(chǎn)的引線框架達(dá)到預(yù)先規(guī)定的質(zhì)量要求；c)若干個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成一個(gè)檢驗(yàn)批的時(shí)間通常不超過一周，除另有規(guī)定外，最長不得超過一個(gè)月。5.2鑒定批準(zhǔn)程序5.2.2鑒定后的引線框架應(yīng)按5.3的規(guī)定進(jìn)行質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。5.2.3對于已鑒定的引線框架，當(dāng)發(fā)生以下任一情況時(shí)，應(yīng)重新進(jìn)行鑒定：a)修改了引線框架設(shè)計(jì)圖紙；b)生產(chǎn)制造技術(shù)改變(包括生產(chǎn)場地的改變c)停止生產(chǎn)半年以上(如果該生產(chǎn)線生產(chǎn)另一種已鑒定的引線框架，且主要工藝未作改變，則可以認(rèn)為生產(chǎn)是連續(xù)的)。組檢驗(yàn)。在檢驗(yàn)沒有結(jié)果之前，這些引線框架不得交付使用。5.3質(zhì)量一致性檢驗(yàn)5.3.2A組檢驗(yàn)A組檢驗(yàn)應(yīng)逐批進(jìn)行，其檢驗(yàn)中的分組見表2。表2A組檢驗(yàn)分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)方法章條號檢驗(yàn)要求章條號Al引線框架外觀毛刺檢驗(yàn)按附錄A中A.13,其他用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量4.3.1～4.3.3A2鍍層外觀4.4.25分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)方法章條號檢驗(yàn)要求章條號B1引線框架尺寸用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量4.1B2引線框架形狀和位置公差附錄A中A.1～A.124.2.1～4.2.12B3鍍層厚度其試驗(yàn)方法引用SJ201294.4.1B4鍍層耐熱性附錄B中B.14.4.3表4C組檢驗(yàn)分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)方法章條號檢驗(yàn)要求章條號鍵合強(qiáng)度附錄B中B.24.4.4外引線強(qiáng)度GB/T2423.60—2008試驗(yàn)Ual4.5銅剝離試驗(yàn)附錄B中B.34.6銀剝離試驗(yàn)附錄B中B.44.7A組和B1～B3組檢驗(yàn)采用AQL抽樣方案見表5。B4和C組檢驗(yàn)采用LTPD抽樣方案見表6。抽樣以條為計(jì)數(shù)單位。分組正常檢驗(yàn)一次抽樣IL(檢驗(yàn)水平)AQLA1ⅡA2ⅡB1IB2B36分組采用AQL抽樣方案時(shí)，應(yīng)根據(jù)GB/T2828.1—2012正常檢驗(yàn)一次抽樣；采用LTPD抽樣方案時(shí)，應(yīng)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)附錄C確定抽樣方案。AQL(和檢查水平)及LTPD值是對整個(gè)分組而言，而不是對其中某一單項(xiàng)試驗(yàn)而言。逐批檢驗(yàn)的樣品應(yīng)從該檢驗(yàn)批中抽取。周期檢驗(yàn)的樣品應(yīng)從通過了A組和B組檢驗(yàn)的一個(gè)或幾個(gè)檢驗(yàn)批中抽取。不符合A組和B組檢驗(yàn)要求的批為不合格批。如果引線框架在質(zhì)量一致性檢驗(yàn)中不能符合某一經(jīng)返工后重新提交。重新提交的批應(yīng)只包括原批中的那些引線框架。每個(gè)檢驗(yàn)組(A組或B組)只能重新提交一次。重新提交的批應(yīng)與其他批分開，并清楚標(biāo)明為重新提交的批。重新提交的批對初次提A組檢驗(yàn)。如果確認(rèn)引線框架失效是由于試驗(yàn)設(shè)備故障或操作人員失誤引起的，應(yīng)將失效記入試驗(yàn)記錄。質(zhì)量管理部門應(yīng)決定是否可從同一檢驗(yàn)批中抽取別的引線框架代替樣品中被損壞的引線框架，替代的引a)立即停止引線框架的放行；c)從以后各檢驗(yàn)批中逐批抽取樣品進(jìn)行周期檢驗(yàn)中不合格分組的全部試驗(yàn)。試驗(yàn)合格的批可以放行批證明記錄的內(nèi)容應(yīng)包括：7b)引線框架的型號和規(guī)格；c)放行批證明記錄周期的起止日期；d)所做的試驗(yàn)項(xiàng)目及試驗(yàn)結(jié)果。6訂貨資料b)設(shè)計(jì)圖紙的編號；產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為10℃~35℃,相對濕度小于60%,周圍無腐蝕性氣體的庫房內(nèi)。自生產(chǎn)日期起算，鍍金引線框架保存期為6個(gè)月，鍍銀引線框架保存期為6個(gè)月。8引線框架機(jī)械測量A.1側(cè)彎測量引線框架側(cè)面的直線度。條長可A.2卷曲A.2.1目的條長卷曲值精壓面9GB/T14112—2015A.3橫彎A.3.1目的測量引線框架寬度方向的平面度。A.3.2測量方法用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量，其測量部位見圖A.3。條寬條寬橫彎值毛邊橫彎值A(chǔ).4條帶扭曲A.4.1目的測量引線框架的翹曲度。A.4.2測量方法用滿足測量精度的量具或工具進(jìn)行測量。被測端的一邊扭曲時(shí)，測量部位見圖A.4a);被測端的兩邊扭曲時(shí)，測量部位見圖A.4b)。壓住壓住圖A.4引線框架條帶扭曲A.5引線扭曲A.5.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)把顯微鏡聚焦在內(nèi)引線精壓表面的邊緣上，在距內(nèi)引線端點(diǎn)0.25mm處對內(nèi)引線進(jìn)行測量。圖A.5引線框架引線扭曲A.6精壓深度A.6.2測量方法A.7絕緣間隙A.7.1目的A.7.2測量方法測量步驟如下：a)用投影儀的零中心線對準(zhǔn)如圖A.7“1”處的端點(diǎn)邊，記錄在零線的數(shù)據(jù)。再用投影儀的零中心線對準(zhǔn)如圖A.7“2”處的端點(diǎn)邊，測微計(jì)讀數(shù)之差即為相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔。A.8精壓區(qū)共面性A.8.1目的測量引線框架精壓區(qū)是否處于同一平面。A.8.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)把顯微鏡聚焦在如圖A.8引線連筋1處的中點(diǎn)，焦點(diǎn)高度為零。再將焦點(diǎn)移至另一引線連筋2處的相應(yīng)點(diǎn)上，并重新聚焦。兩個(gè)焦點(diǎn)高度的平均值為基準(zhǔn)高度。d)將焦點(diǎn)移至精壓區(qū)3處，并在距端點(diǎn)0.254mm處重新聚焦，記錄相對于基準(zhǔn)高度的高度差，GB/T14112—2015圖A.8引線框架精壓區(qū)共面性A.9芯片粘接區(qū)斜度A.9.1目的測量引線框架芯片粘接區(qū)的傾斜程度。A.9.2測量方法a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)測試點(diǎn)應(yīng)在距芯片粘接區(qū)切割邊緣0.127mm處。把顯微鏡聚焦在如圖A.9的目標(biāo)1處，其焦點(diǎn)高度為零。d)轉(zhuǎn)動測微計(jì)的軸使其移至目標(biāo)2處，重新調(diào)節(jié)顯微鏡焦距，測出焦點(diǎn)高度即為芯片粘接區(qū)的e)用同樣方法分別測量目標(biāo)3和目標(biāo)4,得出芯片粘接區(qū)的最大斜度。圖A.9引線框架芯片粘接區(qū)斜度GB/T14112—2015A.10芯片粘接區(qū)下陷A.10.1目的測量引線框架芯片粘接區(qū)受壓下陷的程度。A.10.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)把顯微鏡聚焦在如圖A.10的目標(biāo)1處(1.27mm的中點(diǎn)),焦點(diǎn)高度為零。再將焦點(diǎn)移至2處(1.27mm的中點(diǎn)),并重新聚焦。兩個(gè)焦點(diǎn)的高度差即為芯片粘接區(qū)下陷值。d)用同樣的方法測量目標(biāo)3和目標(biāo)4處的芯片粘接區(qū)下陷值。AA部放大2322o引線連筋芯片連接區(qū)連筋A(yù)部放大3圖A.10引線框架芯片粘接區(qū)下陷A.11芯片粘接區(qū)平面度A.11.1目的測量引線框架芯片粘接區(qū)的平面程度。A.11.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)把顯微鏡聚焦在如圖A.11芯片粘接區(qū)的中心點(diǎn)，其焦點(diǎn)高度為零。再將焦點(diǎn)移至目標(biāo)1處(距芯片粘接區(qū)切割邊緣0.127mm),測出焦點(diǎn)高度即為芯片粘接區(qū)該點(diǎn)的高度。d)用同樣的方法分別測量目標(biāo)2、目標(biāo)3和目標(biāo)4,分別得出芯片粘接區(qū)在該點(diǎn)的高度。點(diǎn)中的最大值即為該區(qū)域的芯片粘接區(qū)平面度。GB/T14112—2015中心點(diǎn)芯片連接區(qū)2葉343引線連筋圖A.11引線框架芯片粘接區(qū)平面度A.12引線框架內(nèi)部位置公差測量引線框架內(nèi)部位置公差。A.12.2測量方法測量步驟如下：a)將夾具在儀器分辨率范圍內(nèi)與鏡片垂直，并與X、Y移動軸平行。b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座軌條上后確定Z平面。c)把顯微鏡聚焦在如圖A.12邊框上定位孔的中心點(diǎn)，其坐標(biāo)尺寸為零。d)分別移動顯微鏡至如圖A.12引線框架的特征中心1、2、3,分別讀出其X或Y坐標(biāo)特征值，該值與圖標(biāo)尺寸的實(shí)際誤差即為該部位的引線框架內(nèi)部位置公差。圖A.12引線框架內(nèi)部位置公差GB/T14112—2015A.13毛刺測量引線框架邊緣垂直和水平方向上多余的母體材料的高度和長度。A.13.2測量方法A.13.2.1垂直毛刺測量步驟如下：a)把顯微鏡聚焦在如圖A.13的A點(diǎn)，焦點(diǎn)高度為零；b)將顯微鏡移至毛刺尖部B點(diǎn)，并重新聚焦，焦點(diǎn)的高度差即為垂直毛刺值。A.13.2.2水平毛刺測量步驟如下：a)調(diào)節(jié)顯微鏡的零中心線，使其對準(zhǔn)如圖A.13的C點(diǎn)，記錄讀數(shù)；b)水平移動顯微鏡的載物臺，對準(zhǔn)毛刺尖D點(diǎn)，該橫向移動量即為水平毛刺值。圖A.13引線框架毛刺B.1鍍層高溫試驗(yàn)B.1.2試驗(yàn)方法a)將鍍層表面質(zhì)量合格的受試引線框架放入450℃±10℃的烘箱內(nèi)保持2min;B.2鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)確定引線框架鍍層能否符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的鍵合強(qiáng)度的要求。B.2.2試驗(yàn)方法a)從每條受試引線框架中任選2個(gè)單元框架，每個(gè)單元框架任取2個(gè)精壓區(qū)；B.3銅剝離試驗(yàn)B.3.2試驗(yàn)方法試驗(yàn)步驟如下：a)將受試引線框架放置在氮?dú)獗Ｗo(hù)條件下、熱傳導(dǎo)方式為金屬間直接接觸的240℃±10℃烘箱內(nèi)保持10min;從烘箱內(nèi)取出在正常大氣條件下恢復(fù)至室溫；B.4銀剝離試驗(yàn)GB/T14112—2015B.4.2試驗(yàn)方法試驗(yàn)步驟如下：a)將受試引線框架放置在熱傳導(dǎo)方式為金屬間直接接觸的450℃±10℃烘箱內(nèi)保持2min,從烘箱內(nèi)取出在正常大氣條件下冷卻3min;b)用粘著力(10±1)N/25mm的測試膠帶粘在引線框鍍銀區(qū)，過1min后以45°快速將膠帶從框GB/T14112—2015(資料性附錄)批允許不合格率(LTPD)抽樣方案C.1概述本附錄中規(guī)定的程序適用于所有的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)要求。應(yīng)從檢驗(yàn)批或子批中隨機(jī)抽取樣品。在連續(xù)生產(chǎn)的情況下，只要符合檢驗(yàn)批的構(gòu)成要求，制造單位可在生產(chǎn)期間按確定的周期方式抽取樣品。一個(gè)樣品在一個(gè)分組的一項(xiàng)或幾項(xiàng)試驗(yàn)中不合格，則應(yīng)判為一個(gè)不合格品。C.2抽樣方法C.2.1樣品量每個(gè)分組的樣品量根據(jù)規(guī)定的LTPD值由本附錄的表C.1中查得。制造單位可以選取多于規(guī)定的樣品量，但允許不合格品數(shù)不得超過表C.1中與所規(guī)定的樣品量相應(yīng)的合格判定數(shù)。C.2.2合格判定程序第一次抽樣時(shí)，選定一個(gè)合格判定數(shù)，根據(jù)判定的LTPD值確定相應(yīng)的樣品量并進(jìn)行試驗(yàn)。如果樣品中出現(xiàn)的不合格數(shù)不超過預(yù)先選定的合格判定數(shù)，則判為該檢驗(yàn)合格。如果出現(xiàn)的不合格數(shù)超過預(yù)選的合格判定數(shù)，可確定一個(gè)追加樣品量，使總的樣品量符合C.2.1的規(guī)定。表C.1使用于給定檢驗(yàn)批給定分組的第一次抽樣，也使用于包括追加樣品量在內(nèi)的總樣品量的確定。C.3追加樣品制造單位可在原有樣品的基礎(chǔ)上追加一定的樣品量，但每一檢驗(yàn)分組只能追加一次，且追加的樣品應(yīng)經(jīng)受該分組所包括的全部試驗(yàn)。總的樣品量(最初的加上追加的樣品量)應(yīng)根據(jù)表C.1中選定的新的合格判定數(shù)確定。C.4多重判據(jù)如果一組樣品有一個(gè)以上的合格判據(jù)，則這一組樣品中的全部樣品應(yīng)受約于這一分組的全部判據(jù)。在表C.1中，合格判定數(shù)應(yīng)對于規(guī)定的LTPD列中小于或等于實(shí)際樣品量的最大樣品量。C.5百分之百檢驗(yàn)允許制造單位對“非破壞性”的各檢驗(yàn)分組進(jìn)行百分之百檢驗(yàn)。如果檢驗(yàn)批的不合格率超過規(guī)定的LTPD值，則該分組檢驗(yàn)不合格。經(jīng)百分之百檢驗(yàn)的批重新提交時(shí)，必須按加嚴(yán)檢驗(yàn)的LTPD值進(jìn)行C.6加嚴(yán)檢驗(yàn)加嚴(yán)檢驗(yàn)應(yīng)按表C.1中比規(guī)定的嚴(yán)一級的LTPD值進(jìn)行。8能保證不合格品率等于所規(guī)定的LTPD的批量不會被接收的最小的被試驗(yàn)樣品量(置信度為90%)(