電路基礎知識Vss,-VDD,-VEE,-Vcc-的區(qū)別

1.電路基礎知識

1.1Vss,VDD,VEE,Vcc的區(qū)別

說法一：

VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解電路的電源集結點，具體接電源的極性需視器件材料

而定。VCC一般是指直接連接到集成或分解電路內部的三極管C極，VEE是指連接到集成或

分解電路內部三極管的E極。同樣，VDD、VSS就是指連接到集成內部、分解電路的場效應

管的D和S極。例如是采用P溝E/DMOS工藝制成的集成，那么它的VDD就應接電源的負，

而VSS應接正電源。

它們是這樣得名的：

VCC表示連接到三極管集電極（C）的電源。

VEE表示連接到三極管發(fā)射極（E）的電源。

VDD表示連接到場效應管的漏極（D）的電源。

VSS表示連接到場效應管的源極（S）的電源。

通常VCC和VDD為電源正，而VEE和VSS為電源負或者地。

說法二：

VDD,VCC,VSS,VEE,VPP區(qū)別

VDD:電源電壓（單極器件）；電源電壓（4000系列數字電路）；漏極電壓（場效應管）

VCC：電源電壓（雙極器件）；電源電壓（74系列數字電路）；聲控載波（VoiceControlled

Carrier）

VSS:地或電源負極

VEE：負電壓供電；場效應管的源極（S）

VPP：編程/擦除電壓。

詳解：

在電子電路中，VCC是電路的供電電壓,VDD是芯片的工作電壓：

VCC：C=circuit表示電路的意思，即接入電路的電壓，D=device表示器件的意思，即器件

內部的工作電壓，在普通的電子電路中，一般Vcc>Vdd!

VSS：S=series表示公共連接的意思，也就是負極。

有些IC同時有VCC和VDD,這種器件帶有電壓轉換功能。

在“場效應”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏極引腳，VSS乃CMOS的源極引腳，這

是元件引腳符號，它沒有“VCC”的名稱，你的問題包含3個符號，VCC/VDD/VSS,這顯

然是電路符號。

1.2TTL電平與CMOS電平的區(qū)別

1,TTL電平:

輸出高電平＞2.4V,輸出低電平〈0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平

是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平＞=2.0V,輸入低電平＜=0.8V,噪聲容限是

0.4V。

2,CMOS電平：

1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。

3,電平轉換電路：

因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣(ttl5V＜==＞cmos3.3v),所以互相連接

時需

要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什么高深的東西。哈哈

4,0C門，即集電極開路門電路，0D門，即漏極開路門電路，必須外界上拉電阻和電源

才能

將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅

動門電路。

5,TTL和COMS電路比較：

1)TTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。

2)TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns),但是功耗大。

COMS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。

COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，芯片集越熱，這是正

常

現象。

3)COMS電路的鎖定效應：

COMS電路由于輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增

大

。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，COMS的內部電流能達到40mA以上，很

容易

燒毀芯片。

防御措施：

1)在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。

2)芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。

3)在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。

4)當系統(tǒng)由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟COMS電路得

電

源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉COMS

電路的電源。

6,COMS電路的使用注意事項

1)COMS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所

以

,不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恒定的電平。

2）輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的

電流限制在1mA之內。

3）當接長信號傳輸線時，在COMS電路端接匹配電阻。

4）當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0

是

外界電容上的電壓。

5）COMS的輸入電流超過1mA,就有可能燒壞COMS。

7,TTL門電路中輸入端負載特性（輸入端帶電阻特殊情況的處理）：

1）懸空時相當于輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。

2）在門電路輸入端串聯10K電阻后再輸入低電平，輸入端出呈現的是高電平而不是低

電

平。因為山TTL門電路的輸入端負載特性可知，只有在輸入端接的串聯電阻小于910歐時,

它輸入來的低電平信號才能被門電路識別出來，串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電

平。這個一定要注意。COMS門電路就不用考慮這些了。

8,TTL電路有集電極開路OC門，MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門，它的

輸出就叫

做開漏輸出。

OC門在截止時有漏電流輸出，那就是漏電流，為什么有漏電流呢？那是因為當三機管

截

止的時候，它的基極電流約等于0,但是并不是真正的為0,經過三極管的集電極的電流也

就不是真正的0,而是約0。而這個就是漏電流。開漏輸出：0c門的輸出就是開漏輸出；

OD

門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流，但是不能向外輸出的電流。所以，為了

能輸入和輸出電流，它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩沖/

驅

動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。

9,什么叫做圖騰柱，它與開漏電路有什么區(qū)別？

TTL集成電路中，輸出有接上拉三極管的輸出叫做圖騰柱輸出，沒有的叫做OC門。因

為

TTL就是一個三級關，圖騰柱也就是兩個三級管推挽相連。所以推挽就是圖騰。一般圖騰式

輸出，高電平400UA,低電平8MA

1.3LSB的定義

當選擇模數轉換器（ADC）時，最低有效位（LSB）這一參數的含義是什么？有位工程師

告訴我某某生產商的某款12位轉換器只有7個可用位。也就是說，所謂12位的轉

換器實際上只有7位。他的結論是根據器件的失調誤差和增益誤差參數得出的，這兩

個參數的最大值如下：

失調誤差=±3LSB,

增益誤差=±5LSB,

乍一看，覺得他似乎是對的。從上面列出的參數可知最差的技術參數是增益誤差

（±5LSB）o進行簡單的數學運算，12位減去5位分辨率等于7位，對嗎？果真如此

的話，ADC生產商為何還要推出這樣的器件呢？增益誤差參數似乎表明只要購買成

本更低的8位轉換器就可以了，但看起來這又有點不對勁了。正如您所判斷的，上面

的說法是錯誤的。

讓我們重新來看一下LSB的定義?？紤]一個12位串行轉換器，它會輸出由1或

0組成的12位數串。通常，轉換器首先送出的是最高有效位（MSB）（即LSB+11）。

有些轉換器也會先送出LSB。在下面的討論中，我們假設先送出的是MSB（如圖1所

示），然后依次送出MSB-1（即LSB+10）和MSB-2（即LSB+9）并依次類推。轉

換器最終送出MSB-11（即LSB）作為位串的末位。

LSB這一術語有著特定的含義，它表示的是數字流中的最后一位，也表示組成滿

量程輸入范圍的最小單位。對于12位轉換器來說，LSB的值相當于模擬信號滿量程

輸入范圍除以212或4,096的商。如果用真實的數字來表示的話，對于滿量程輸入

范圍為4.096V的情況，■個12位轉換器對應的LSB大小為1mV。但是，將LSB

定義為4096個可能編碼中的一個編碼對于我們的理解是有好處的。

讓我們回到開頭的技術指標，并將其轉換到滿量程輸入范圍為4.096V的12位

轉換器中：

失調誤差=±3LSB=±3mV,

增益誤差=±5LSB=±5mV,

這些技術參數表明轉換器轉換過程引入的誤差最大僅為8mV（或8個編碼）。這

絕不是說誤差發(fā)生在轉換器輸出位流的LSB、LSB-1、LSB-2、LSB-3、LSB-4、LSB-5、

LSB-6和LSB-7八個位上，而是表示誤差最大是一個LSB的八倍（或8mV）。準確地

說，轉換器的傳遞函數可能造成在4,096個編碼中丟失最多8個編碼。丟失的只可能

是最低端或最高端的編碼。例如，誤差為+8LSB（（+3LSB失調誤差）+（+5LSB增益

誤差））的一個12位轉換器可能輸出的編碼范圍為0至4,088。丟失的編碼為4088

至4095。相對于滿量程這一誤差很小僅為其0.2%。與此相對，一個誤差為

-3LSB（（-3LSB失調誤差）（-5LSB增益誤差））的12位轉換器輸出的編碼范圍為3至

4,095。此時增益誤差會造成精度下降，但不會使編碼丟失。丟失的編碼為0、1和2。

這兩個例子給出的都是最壞情況。在實際的轉換器中，失調誤差和增益誤差很少會如

此接近最大值。

1.4場效應管及三級管型號大全

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

NMOS場效

IRFU02050V15A42W**

應

NMOS場效

IRFPG421000V4A150W**

NMOS場效

IRFPF40900V4.7A150W**

應

PMOS場效

IRFP9240200V12A150W**

應

PMOS場效

IRFP9140100V19A150W**

應

NMOS場效

IRFP460500V20A250W**

NMOS場效

IRFP450500V14A180W**

應

NMOS場效

IRFP440500V8A150W**

應

NMOS場效

IRFP353350V14A180W**

應

NMOS場效

IRFP350400V16A180W**

NMOS場效

IRFP340400V10A150W**

應

NMOS場效

IRFP250200V33A180W**

應

NMOS場效

IRFP240200V19A150W**

NMOS場效

IRFP150100V40A180W**

應

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

NMOS場效

IRFP140100V30A150W**

應

NMOS場效

IRFP05460V65A180W**

應

IRFI744400V4A32W**NMOS場效

應

NMOS場效

IRFI730400V4A32W**

I'V

NMOS場效

IRFD9120100V1A1W**

NMOS場效

IRFD12380V1.1A1W**

應

NMOS場效

IRFD120100V1.3A1W**

應

NMOS場效

IRFD11360V0.8A1W**

應

NMOS場效

IRFBE30800V2.8A75W**

NMOS場效

IRFBC40600V6.2A125W**

應

NMOS場效

IRFBC30600V3.6A74W**

應

NMOS場效

IRFBC20600V2.5A50W**

應

PMOS場效

IRFS9630200V6.5A75W**

PMOS場效

IRF9630200V6.5A75W**

應

PMOS場效

IRF9610200V1A20W**

應

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

PMOS場效

IRF954160V19A125W**

應

PMOS場效

IRF953160V12A75W**

應

PMOS場效

IRF9530100V12A75W**

I'V.

NMOS場效

IRF840500V8A125W**

應

NMOS場效

IRF830500V4.5A75W**

應

NMOS場效

IRF740400V10A125W**

應

IRF730400V5.5A75W**NMOS場效

應

NMOS場效

IRF720400V3.3A50W**

I'V

NMOS場效

IRF640200V18A125W**

NMOS場效

IRF630200V9A75W**

應

NMOS場效

IRF610200V3.3A43W**

應

NMOS場效

IRF54180V28A150W**

應

NMOS場效

IRF540100V28A150W**

NMOS場效

IRF530100V14A79W**

應

NMOS場效

IRF440500V8A125W**

應

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

NMOS場效

IRF230200V9A79W**

應

NMOS場效

IRF130100V14A79W**

應

NMOS場效

BUZ20100V12A75W**

應

NMOS場效

BUZ11A50V25A75W**

NMOS場效

BS17060V0.3A0.63W**

應

2SC4582600V15A75W**NPN

2SC4517550V3A30W**NPN

2SC44291100V8A60W**NPN

2SC4297500V12A75W**NPN

2SC42881400V12A200W**NPN

2SC4242450V7A40W**NPN

2SC4231800V2A30W**NPN

2SC4H91500V15A250W**NPN

2SC41111500V10A250W**NPN

2SC4106500V7A50W*20MHZNPN

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

2SC4059600V15ABOW**NPN

2SC403850V().1A0.3W*180MHZNPN

2SC4024100V10A35W**NPN

2SC39981500V25A250W**NPN

2SC39971500V15A250W**NPN

NPN（達林

2SC398750V3A20W1000*

頓）

2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPN

2SC3907180V12ABOW*30MHZNPN

2SC38931400V8A50W*8MHZNPN

2SC38861400V8A50W*8MHZNPN

2SC3873500V12A75W*30MHZNPN

2SC3866900V3A40W**NPN

2SC3858200V17A200W*20MHZNPN

2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN

2SC3783900V5A100W**NPN

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

2SC37201200V10A200W**NPN

2SC3680900V7A120W**NPN

2SC3679900V5A100W**NPN

2SC359530V0.5A1.2W90*NPN

2SC3527500V15A100W13*NPN

2SC3505900V6A80W12*NPN

2SC34601100V6A100W12*NPN

2SC34571100V3A50W12*NPN

2SC335820V0.15A**7000MHZNPN

2SC335520V0.15A**6500MHZNPN

2SC3320500V15A80W**NPN

2SC3310500V5A40W20*NPN

2SC3300100V15A100W**NPN

2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPN

2SC1507300V0.2A15W**NPN

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

2SC149436V6A40W*175MHZNPN

2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN

2SC116235V1.5A10W**NPN

2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN

2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPN

2SC82845V0.05A0.25W**NPN

2SC81560V0.2A0.25W**NPN

2SC38035V0.03A0.25W**NPN

2SC10660V1.5A15W**NPN

PNP（達林

2SB1494120V25A120W**

頓）

2SB1429180V15A150W**PNP

PNP（達林

2SB1400120V6A25W1000-20000*

頓）

2SB137560V3A2W?*PNP

2SB133580V4A30W**PNP

2SB1317180V15A150W**PNP

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

PNP（達林

2SBI316100V2AIOW15000*

頓）

2SB124340V3AIW*70MHZPNP

2SB124040V2A1W*100MHZPNP

2SB123880V0.7AIW*100MHZPNP

2SB118560V3A25W*75MHZPNP

PNP（達林

2SB1079100V20A100W5000*

頓）

PNP（達林

2SB1020100V7A40W6000*

頓）

2SB83460V3A30W**PNP

2SB817160V12A100W**PNP

2SB77240V3AIOW**PNP

2SB74470V3AIOW**PNP

2SB73460V1AIW**PNP

2SB688120V8A80W**PNP

PNP（達林

2SB67560V7A40W**

頓）

2SB66970V4A40W**PNP（達林

頓）

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

2SB649180V1.5A1W**PNP

2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP

2SB44950V3.5A22W**PNP

2SA1943230V15A150W**PNP

2SA1785400V1A1W*140MHZPNP

2SA1668200V2A25W*20MHZPNP

2SA1516180V12A130W*25MHZPNP

2SA1494200V17A200W*20MHZPNP

2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNP

2SA1358120V1A10W*120MHZPNP

2SA1302200V15A150W**PNP

2SA1301200V10A100W**PNP

2SA1295230V17A200W**PNP

2SA1265140V10A30W**PNP

2SA1216180V17A200W**PNP

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

2SA116250V0.15A0.15W**PNP

2SA1123150V0.05A0.75W**PNP

2SA102050V2A0.9W**PNP

2SA1009350V2A15W**PNP

2N6678650V15A175W**NPN

2N568560V50A300W**NPN

2N6277180V50A300W**NPN

2N5551160V0.6A0.6W*100MHZNPN

2N5401160V0.6A0.6W*100MHZPNP

2N3773160V16A150W**NPN

2N3440450V1A1W*?NPN

2N3055100V15A115W**NPN

2N290760V0.6A0.4W200*NPN

2N236940V0.5A0.3W*800MHZNPN

2N222260V0.8A0.5W45*NPN

晶體管型號反壓VbeO電流Icm功率Pcm放大系數特征頻率管子類型

901830V0.05A0.4W*1GNPN

901550V0.1A0.4W*150MHZPNP

901450V0.1A0.4W*150MHZNPN

901350V0.5A0.6W**NPN

901250V0.5A0.6W**PNP

901150V0.03A0.4W*150MHZNPN

TIP147100V10A125W**PNP

TIP142100V