電子級八甲基環(huán)四硅氧烷 編制說明

《電子級八甲基環(huán)四硅氧烷》征求意見稿編制說明2一、工作簡況2023年國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會下達(dá)了“2023年第四批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃”號），《電子級八甲基環(huán)四硅氧烷》正式立項，計劃號：20232462-T-469，由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。為保證項目順利實施，全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會組織南大光電半導(dǎo)體材料有限公司、南大光電其它子公司等相關(guān)單位做了大量的前期調(diào)研及草案起草工作。本標(biāo)準(zhǔn)由TC203（全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口上報及執(zhí)行，主管部門為國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會。1.2工作過程的說明1.2.1資料收集、初期調(diào)研、標(biāo)準(zhǔn)起草標(biāo)準(zhǔn)編制組成立后立即開展了資料收集、初期調(diào)研等工作。編制組進(jìn)行了內(nèi)部討論，經(jīng)編制組內(nèi)部討論，于2024年4月初形成了《電子級八甲基環(huán)四硅氧烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說明。1.2.3研討會2024年5月在標(biāo)委會秘書處的組織下，電子級八甲基環(huán)四硅氧烷國家標(biāo)準(zhǔn)起草小組以及電子化學(xué)品領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)專家召開標(biāo)準(zhǔn)研討及啟動會，會上參會專家對《電子級八甲基環(huán)四硅氧烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說明進(jìn)行了研討，提出了修改意見和建議，會后編制組根據(jù)研討會專家意見，對標(biāo)準(zhǔn)草案和編制說明進(jìn)行了修改，在2024年7月形成了《電子級八甲基環(huán)四硅氧烷》的征求意見稿及編制說明。二國家標(biāo)準(zhǔn)的制定原則本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1－2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。積極采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國外先進(jìn)技術(shù)指標(biāo)，本著促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，提高產(chǎn)品質(zhì)量；合理利用資源，提高經(jīng)濟(jì)效益的原則編寫。三標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容本標(biāo)準(zhǔn)是在國內(nèi)高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及集成電路制造業(yè)的前提下，結(jié)合目前行業(yè)缺乏相應(yīng)電子級八甲基環(huán)四硅氧烷標(biāo)準(zhǔn)及測量方法的情況下，開展電子級八甲基環(huán)四硅氧烷的痕量金屬離子檢測技術(shù)研究，通過對國外典型產(chǎn)品的指標(biāo)進(jìn)行測試驗證，并進(jìn)行整理分析，參照國內(nèi)外類似標(biāo)準(zhǔn)，綜合考量后確定各項技術(shù)指標(biāo)范圍，具備廣泛性、代表性和合理性。3.1技術(shù)要求3電子級八甲基環(huán)四硅氧烷產(chǎn)品的質(zhì)量應(yīng)符合表1的要求。表1技術(shù)要求≥≤55≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤114≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11以元素雜質(zhì)占比計無機(jī)純度≥≤≤5555顆粒度指標(biāo)（Particle≥0.2u≤3.2檢驗規(guī)則規(guī)定了批次定義及抽樣和合格判定標(biāo)準(zhǔn)等內(nèi)容。八甲基環(huán)四硅氧烷的采樣安全應(yīng)符合GB/T3723中對危險物質(zhì)的具體規(guī)定，采樣方法方式則應(yīng)符合GB6680中采樣操作方法的相關(guān)規(guī)定。3.3試驗方法對八甲基環(huán)四硅氧烷有機(jī)純度、無機(jī)純度、水份含量、元素雜質(zhì)含量、顆粒度含量和色度測試方法進(jìn)行了規(guī)定。3.4標(biāo)志、包裝、運輸及貯存的要求四與國外標(biāo)準(zhǔn)對比情況標(biāo)準(zhǔn)起草小組搜集到相關(guān)的資料，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）制定的國際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中并無該產(chǎn)品的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。五預(yù)期效果本標(biāo)準(zhǔn)適用于沉積SiO2、SiN、SiCN、SiOC等硅基膜的電子級八甲基環(huán)四硅氧烷，以其優(yōu)異的絕緣性和耐高溫性在半導(dǎo)體領(lǐng)域用作封裝、絕緣層和介電層等。本標(biāo)準(zhǔn)的頒布實施將為生產(chǎn)、使用、貿(mào)易三方提供了技術(shù)依據(jù)；制定的標(biāo)準(zhǔn)對我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義，能更好地引領(lǐng)中國半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展，推動行業(yè)整體水平的提高。六建議本標(biāo)準(zhǔn)是結(jié)合國內(nèi)市場需求變化和技術(shù)進(jìn)步而進(jìn)行的修訂；為生產(chǎn)、使用、貿(mào)易三方提供了基本的技術(shù)依據(jù)；建議作為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)。七與我國有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系該標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定與目前我國現(xiàn)行的法律法規(guī)、相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)配套。本次國標(biāo)