模擬電路教材中文資料

1.2.1異形半導(dǎo)體接觸現(xiàn)象

在形成的P-N結(jié)中，由于兩側(cè)的電子和空穴的濃度相差很大，因此它們會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：電

子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散;空穴從P去向N區(qū)擴(kuò)散。因?yàn)樗鼈兌际菐щ娏Ｗ?，它們向另一?cè)擴(kuò)散的同時(shí)在N區(qū)

留下了帶正電的空穴，在P區(qū)留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子，這樣就形成了空間電荷區(qū)，也就是形成了電場(chǎng)

（自建場(chǎng)）.

它們的形成過程如圖（D,（2）所示

空間電荷區(qū)

。一ee一??:??

e°

?o一??i???

e00一；十?

co?

?一一?e??

空間自搴場(chǎng)的形成<2）

---------1---------

0e>硝女群電.W⑥十

ou

。一一。十■十十“十

一一一?十■十?*?

0oo___

000?一十[十④?①

多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)（1）

在電場(chǎng)的作用下，載流子將作漂移運(yùn)動(dòng)，它的運(yùn)動(dòng)方向與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向相反，阻止擴(kuò)散運(yùn)

動(dòng)。電場(chǎng)的強(qiáng)弱與擴(kuò)散的程度有關(guān)，擴(kuò)散的越多，電場(chǎng)越強(qiáng)，同時(shí)對(duì)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻力也越大，當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

與漂移運(yùn)動(dòng)相等時(shí)，通過界面的載流子為0。此時(shí)，PN結(jié)的交界區(qū)就形成一個(gè)缺少載流子的高阻區(qū)，我們

又把它稱為阻擋層或耗盡層。

1.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

1.PN結(jié)外加正向電壓

PN結(jié)外加正向電壓的接法是P區(qū)接電源的正極，N區(qū)接電源的負(fù)極。這時(shí)外加電壓形成電場(chǎng)的

方向與自建場(chǎng)的方向相反，從而使阻擋層變窄，擴(kuò)散作用大于漂移作用，多數(shù)載流子向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散形成

正向電流，方向是從P區(qū)指向N區(qū)。如圖（1）所示

這時(shí)的PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)，它所呈現(xiàn)的電阻為正向電阻，正向電壓越大,電流也越大。它的

關(guān)系是指數(shù)關(guān)系：

其中：ID為流過PN結(jié)的電流，U為PN結(jié)兩端的電壓，

UT=kT/q稱為溫度電壓當(dāng)量，其中，k為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對(duì)溫度，q為電子電量，在室溫

下(300K)時(shí)UT=26mv,IS為反向飽和電流。

2.PN結(jié)外加反向電壓

它的接法與正向相反,即P區(qū)接電源的負(fù)極，N區(qū)接電源的正極。此時(shí)的外加電壓形成電場(chǎng)的

方向與自建場(chǎng)的方向相同，從而使阻擋層變寬’漂移作用大于擴(kuò)散作用，少數(shù)載流子在電場(chǎng)的作用下，形

成漂移電流，它的方向與正向電壓的方向相反，所以又稱為反向電流。因反向電流是少數(shù)載流子形成，故

反向電流很小，即使反向電壓再增加，少數(shù)載流子也不會(huì)增加，反向電壓也不會(huì)增加，因此它又被稱為反

向飽和電流。即：ID=-IS

此時(shí)，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)，呈現(xiàn)的電阻為反向電阻,而且阻值很高“

由以上我們可以看出：PN結(jié)在正向電壓作用下，處于導(dǎo)通狀態(tài)，在反向電壓的作用下，處于截

止?fàn)顟B(tài)，因此PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴Ｋ碾娏骱碗妷旱年P(guān)系通式為：它被稱為伏安特性方程，如圖(3)

所示為伏安特性曲線。

3.PN結(jié)的擊穿

PN結(jié)處于反向偏置時(shí)，在一定的電壓范圍內(nèi)，流過PN結(jié)的電流很小，但電壓超過某一數(shù)值

時(shí)，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象我們就稱為反向擊穿。

擊穿形式分為兩種：雪崩擊穿和齊納擊穿。

對(duì)于硅材料的PN結(jié)來說，擊穿電壓〉7V時(shí)為雪崩擊穿，＜4v時(shí)為齊納擊穿。在4V與7V之

間，兩種擊穿都有。由于擊穿破壞了PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，因此一般使用時(shí)要避免。

需要指出的是，發(fā)生擊穿并不意味著PN結(jié)燒壞。

4.PN結(jié)的電容效應(yīng)

由于電壓的變化將引起電荷的變化，從而出現(xiàn)電容效應(yīng)，PN結(jié)內(nèi)部有電荷的變化，因此它具有

電容效應(yīng)，它的電容效應(yīng)有兩種：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。

勢(shì)壘電容是由阻擋層內(nèi)的空間電荷引起的。

擴(kuò)散電容是PN結(jié)在正向電壓的作用下，多數(shù)載流子在擴(kuò)散過程中引起電荷的積累而產(chǎn)生的。

PN結(jié)正偏時(shí)，擴(kuò)散電容起主要作用，PN結(jié)反偏時(shí)，勢(shì)壘電容起主要作用。

5.半導(dǎo)體二極管

(1)二極管的結(jié)構(gòu)和分類

半導(dǎo)體二極管是由PN結(jié)加上引線和管殼構(gòu)成的。它的類型很多。

按制造材料分：硅二極管和褚二極管。

按管子的結(jié)構(gòu)來分有：點(diǎn)接觸型二極管和面接觸型二極管。

二極管的邏輯邏輯符號(hào)為：(2)二極管的特性

正向特性

當(dāng)正向電壓低于某一數(shù)值時(shí)，正向電流很小，只有當(dāng)正向電壓高于某一值時(shí)，二極管才有明顯

的正向電流，這個(gè)電壓被稱為導(dǎo)通電壓，我們又稱它為門限電壓或死區(qū)電壓，一般用UON表示，在室溫

下，硅管的UON約為0.6-—0.8V,錯(cuò)管的U0N約為0.1—0.3v,我們一般認(rèn)為當(dāng)正向電壓大于U0N時(shí)，

二極管才導(dǎo)通。否則截止。

反向特性

二極管的反向電壓一定時(shí)，反向電流很小，而且變化不大(反向飽和電流)，但反向電壓大于某

一數(shù)值時(shí)，反向電流急劇變大，產(chǎn)生擊穿。

溫度特性

二極管對(duì)溫度很敏感，在室溫附近，溫度每升高1度，正向壓將減小2—2.5mV,溫度每升高

10度,反向電流約增加一倍。

(3)二極管的主要參數(shù)

我們描述器件特性的物理量，稱為器件的特性。二極管的特性有：

最大整流電流IF它是二極管允許通過的最大正向平均電流。

最大整流電流IF它是二極管允許通過的最大正向平均電流

最大反向工作電壓UR它是二極管允許的最大工作電壓，我們一般取擊穿電壓的一般作UR

反向電流IR二極管未擊穿時(shí)的電流，它越小，二極管的單向?qū)щ娦栽胶谩?/p>

最高工作頻率fM它的值取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小，電容越大，頻率約高。

二極管的直流電阻RD加在管子兩端的直流電壓與直流電流之比，我們就稱為直流電阻.它可

表示為：RD=UF/IF它是非線性的，正反向阻值相差越大，二極管的性能越好。

二極管的交流電阻rd在二極管工作點(diǎn)附近電壓的微變化與相應(yīng)的微變化電流值之比，就稱為

該點(diǎn)的交流電阻。

(4)穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，其特性和普通二極管類似，但它的反向擊穿是可逆

的，不會(huì)發(fā)生"熱擊穿“，而且其反向擊穿后的特性曲線比較陡直，即反向電壓基本不隨反向電流變化而

變化，這就是穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓特性。穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)為穩(wěn)壓值UZ和最大穩(wěn)定電流IZM,穩(wěn)壓值

UZ一般取反向擊穿電壓。穩(wěn)壓二極管使用時(shí)一般需串聯(lián)限流電阻,以確保工作電流不超過最大穩(wěn)定電流

IZMo

(5)二極管的應(yīng)用

二極管的運(yùn)用，主要是利用它的單向?qū)щ娦浴Ｋ鼘?dǎo)通時(shí)，我們可用短線來代替它，它截止時(shí)，

我們可認(rèn)為它斷路。因此，在應(yīng)用電路中,關(guān)鍵是判斷二極管的導(dǎo)通或截止。

a.限幅電路

當(dāng)輸入信號(hào)電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，輸出電壓也隨著輸入電壓相應(yīng)的變化;當(dāng)輸入電壓高于

某一個(gè)數(shù)值時(shí)，輸出電壓保持不變，這就是限幅電路。我們把開始不變的電壓稱為限幅電平。它分為上限

幅和下限幅。

限幅電路如圖(1)所示。改變E值就可以改變限幅電平。如輸入電壓波形圖如圖(2)。

⑴

當(dāng)E=0時(shí)限幅電平為Ov。ui>0時(shí)二極管導(dǎo)通，uo=0,ui<0時(shí)，二極管截止，uo=ui,它的波形

圖為：如圖⑶所示

當(dāng)時(shí)，限幅電平為+e。ui+E時(shí)，二極管導(dǎo)通,uo二E,它的波形圖為：如圖(4)所示

時(shí)，限幅電平為+e。ui

<e<um時(shí)，限幅電平為時(shí)，限幅電平為+e°ui

幅電平為負(fù)數(shù)，它的波形圖為:如圖(5)所示(p="〃X/e〈O時(shí)，限幅電平為負(fù)數(shù),它的波形圖為：如圖(5)所示

<>

<e<0時(shí)，限幅電平為負(fù)數(shù),它的波形圖為:如圖(5)所示<p=〃〃style=〃color:

rgb(95,95,95);font-family:宋體，arial;font-size:12px;font-

style:normal;font-variant:normal;font-weight:normal;letter-

spacing:normal;line-height:18px;orphans:2;text-align:-webkit-

auto;text-indent:Opx;text-transform:none;white-space:normal;

widows:2;word-spacing:Opx;一webkit-text-size-adjust:auto;一

webkit-text-stroke-width:Opx;background-color:rgb(255,255,255);

〃〉

b.二極管門電路

二極管組成的門電路，可實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算。如圖⑹所示的電路，只要有

一條電路輸入為低電平時(shí)，輸出即為低電平，僅當(dāng)全部輸入為高電平時(shí)，輸出

才為高電平。實(shí)現(xiàn)邏輯''與”運(yùn)算.

(6)

C.其他二極管

發(fā)光二極管

發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱LED,它是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件，主

要是由M-V族化合物半導(dǎo)體如碑化錢(GaAs),磷化錢(GaP)制成。

光電二極管

光電二極管是將光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。

光電耦合器件

光電耦合器件是由光電二極管和發(fā)光二極管組合起來的。

變?nèi)荻O管

變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)的勢(shì)壘電容隨外加反向電壓的變化特性制成

的。

</e<0時(shí)，限幅電平為負(fù)數(shù),它的波形圖為:如圖(5)所示?

1.3.1三極管的結(jié)構(gòu)和分類

通俗來講，三極管內(nèi)部為由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的三層結(jié)構(gòu)，根據(jù)分層次序分為NPN

型和PNP型兩大類。

不管是什么樣的三極管，它們均包含三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)，基區(qū)，集電區(qū)，同時(shí)相應(yīng)的引出三個(gè)電

極：發(fā)射極，基極，集電極。同時(shí)又在兩兩交界區(qū)形成PN結(jié)，分別是發(fā)射結(jié)和基點(diǎn)結(jié)?

基電極c]

基電極c|

p

基板b吟

p

發(fā)射板e(cuò).⑴發(fā)射極e.

三極管的三種連接方式

1.3.2三極管的放大作用

把兩個(gè)二極管背靠背的連在一起，是沒有放大作用的，要想使它具有放大作用，必須滿足以下

條件：1。發(fā)射區(qū)中進(jìn)行重?fù)诫s;2?；鶇^(qū)做得很薄;3。集電極面積大。

1.載流子的傳輸過程

因?yàn)榘l(fā)射結(jié)正向偏置，且發(fā)射區(qū)進(jìn)行重?fù)诫s，所以發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子擴(kuò)散注入至基區(qū)，又由

于集電結(jié)的反向作用，故注入至基區(qū)的載流子在基區(qū)形成濃度差，因此這些載流子從基區(qū)擴(kuò)散至集電結(jié)，

被電場(chǎng)拉至集電區(qū)形成集電極電流。而留在基區(qū)的很少。因?yàn)榛鶇^(qū)做的很薄。

此外，因?yàn)榧娊Y(jié)反向偏置，所以集電區(qū)中的空穴和基區(qū)中的電子（均為少數(shù)載流子）在結(jié)電場(chǎng)

作用下做漂移運(yùn)動(dòng)。

上述載流子的傳輸過程如圖（3）所示。

2.電流的分配關(guān)系

由于載流子的運(yùn)動(dòng)，從而產(chǎn)生相應(yīng)電流，它們的關(guān)系如下：

其中：ICEO為發(fā)射結(jié)少數(shù)載流子形成的反向飽和電流;ICBO為IB=O時(shí)，集電極和發(fā)射極之間

的穿透電流。為共基極電流的放大系數(shù)，為共發(fā)射極電流的放大系數(shù)。它們可定義為：

放大系數(shù)有兩種(直流和交流)，但我們一般認(rèn)為，它們二者是相等的，不區(qū)分它們。

3.三極管的特性曲線

以NPN管共發(fā)射極為例

(1).輸入特性

它與PN結(jié)的正向特性相似，三極管的兩個(gè)PN結(jié)相互影響，因此，輸出電壓UCE對(duì)輸入特性有

膨響，且UCE>1,時(shí)這兩個(gè)PN結(jié)的輸入特性基本重合。我們用UCE=O和UCE>=1,兩條曲線表示，如圖(4)所

示

(2).輸出特性

它的輸出特性可分為三個(gè)區(qū)：(如圖(5)的特性曲線)

(1)截止區(qū)：IB<=0時(shí)，此時(shí)的集電極電流近似為零，管子的集電極電壓等于電源電壓，兩個(gè)結(jié)

均反偏

(2)飽和區(qū)：此時(shí)兩個(gè)結(jié)均處于正向偏置，UCE=O.3V

(3)放大區(qū):此時(shí)IC=BIB,IC基本不隨UCE變化而變化，此時(shí)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

4.三級(jí)管主要參數(shù)

(1).放大系數(shù)

它主要是表征管子放大能力。它有共基極的放大系數(shù)和共發(fā)射極的放大系數(shù)。它們二者的關(guān)系

是：

(2).極間的反向電流

(a)集電極基極間反向飽和電流ICBO

發(fā)射極開路時(shí)，在其集電結(jié)上加反向電壓，得到反向電流。它實(shí)際上就是一個(gè)PN結(jié)的反向電

流。其大小與溫度有關(guān)。

錯(cuò)管：【CBO為mA(10-6)數(shù)量級(jí)，

硅管：ICBO為nA(10-9)數(shù)量級(jí)。

(b)集電極發(fā)射極間的穿透電流ICEO

基極開路時(shí)，集電極到發(fā)射極間的電流一一穿透電流。

其大小與溫度有關(guān)。ICEO與ICBO關(guān)系為：ICEO=(1+B)ICBO

(3).極限參數(shù)

(a)集電極最大允許電流ICM

Ic增加時(shí)，b要下降。當(dāng)b值下降到線性放大區(qū)b值的70%時(shí)，所對(duì)應(yīng)的集電極電流稱為集電

極最大允許電流ICM?

(b)集電極最大允許功率損耗PCM

集電極電流通過集電結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的功耗，

PC=ICUCE

(c)基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間允許的最大反向電壓U(BR)CE0。

(4).參數(shù)與溫度的關(guān)系

由于半導(dǎo)體的載流子受溫度影響，因此三極管的參數(shù)受溫度影響，溫度上升，輸入特性曲線向

左移，基極的電流不變，基極與發(fā)射極之間的電壓降低。輸出特性曲線上移。

溫度升高，放大系數(shù)也增加I。

-:放大電路的組成原理

基本共發(fā)射極電路如圖右所示。圖中v是NPN型三極管，擔(dān)負(fù)放大作用，是整個(gè)電路的核心器

件。

放大電路的組成原則是：（D：放大器件工作在放大區(qū)（三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反

向偏置）（2）:輸入信號(hào)能輸送至放大器件的輸入端（三極管的發(fā)射結(jié)）（3）：有信號(hào)電壓輸出。

我們判斷一個(gè)放大電路能否放大輸入，可按上述原則進(jìn)行。

如用PNP三極管，則電源和電容Cl,C2的極性均反向。

基本放大電路的習(xí)慣畫法

（1）（2）

二：直流通路和交流通路在分析放大電路時(shí)有兩類問題：直流問題和交流問題。（1）直流通

路：將放大電路中的電容視為開路，電感視為短路即得。它又被稱為靜態(tài)分析。（2）交流通路：將放大電

路中的電容視為短路，電感視為開路，直流電源視為短路即得。它又被稱為動(dòng)態(tài)分析。

按上述原則，可畫出圖（2）的直流通路和交流通路。如圖所示（3）和（4）。

⑷

直流工作點(diǎn)，又稱為靜態(tài)工作點(diǎn)，簡(jiǎn)稱Q點(diǎn)。它可以通過公式求出，也可以通過作圖的方法求出。

一:公式法計(jì)算Q點(diǎn)

根據(jù)放大電路的直流通路，估算出放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。下面把求IB,IC.I'CE的公式列出

來

三極管導(dǎo)通時(shí)，UBE的變化很小，可視為常數(shù)，我們一般認(rèn)為：硅管為0.7V褚管為0.2V

例：用估算法計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)。

已知：VCC=12V,RC=4KQ,Rb=300KQ,p=37.5O

二：圖解法計(jì)算Q點(diǎn)

三極管的電流、電壓關(guān)系可用輸入特性曲線和輸出特性曲線表示，我們可以在特性曲線上，直

接用作圖的方法來確定靜態(tài)工作點(diǎn)。用圖解法的關(guān)鍵是正確的作出直流負(fù)載線，通過直流負(fù)載線與

iB=IBQ的特性曲線的交點(diǎn)，即為Q點(diǎn)。讀出它的坐標(biāo)即得IC和UCE

圖解法求Q點(diǎn)的步驟為：(1)：通過直流負(fù)載方程畫出直流負(fù)載線，(直流負(fù)載方程為

UCE=UCC-iCRC)(2):由基極回路求出IB(3):找出iB=IB這一條輸出特性曲線與直流負(fù)載線的交點(diǎn)就是

Q點(diǎn)。讀出Q點(diǎn)的坐標(biāo)即為所求。

例2:如圖⑸所示電路，已知Rb=280千歐，Rc=3千歐，Ucc=12伏，三極管的輸出特性曲線如

圖(6)所示，試用圖解法確定靜態(tài)工作點(diǎn)。

Vcz12

ZB?----=-----=0.04mA=40LLA

R300

/crapis=37.5x0.04=1.5mA

心=Pcc-IcRc=12-1.5x4=6V

(5)(6)

解：(1)畫直流負(fù)載線：因直流負(fù)載方程為UCE=UCC-iCRCiC=O,UCE=UCC=12V;L'CE=4niA,

iC=UCC/RC=4mA,連接這兩點(diǎn)，即得直流負(fù)載線：如圖(3)中的蘭線(2)通過基極輸入回路,求得

1B=(UCC-UBE)/RC=40uA(3)找出Q點(diǎn)(如圖(3)所示)，因此IC=2mA;UCE=6V

三：Q點(diǎn)的影響電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作

靜態(tài)工作點(diǎn)的位置在實(shí)際應(yīng)用中很重要,它與電路參數(shù)有關(guān)。下面我們分析一下電路參數(shù)Rb,

Rc.Ucc對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響。

改變Rb改變Rc改變Ucc

Rb變化，只對(duì)I,有影響。Rb增Rc變化，只改變負(fù)載線的縱坐標(biāo)Rc增大，Ucc變化,1■和直流負(fù)載線同時(shí)變化Ucc^

大，I0減小，工作點(diǎn)沿直流負(fù)載線負(fù)載線的縱坐標(biāo)上移，工作點(diǎn)沿h=I二條特性大,IB增大，直流負(fù)載線水平向右移動(dòng)，工作點(diǎn)向

下移。曲線右移右上方移動(dòng)

Rb減小，I西大，工作點(diǎn)沿直流RC減小,負(fù)載線的縱坐標(biāo)下移，工作點(diǎn)沿岸I.Ucc減小,IB減小，宜流負(fù)載線水平向左移動(dòng)，工

負(fù)載線上移這條特性曲線左移作點(diǎn)向左下方移動(dòng)

-:圖解法分析動(dòng)態(tài)特性

1.交流負(fù)載線的畫法解：畫微變等效電路.UO.ill解:

交流負(fù)載線的特點(diǎn)：

*

必須通過靜態(tài)工作點(diǎn)

?

交流負(fù)載線的斜率由R"L表示（R"L=Rc〃RD交流負(fù)載線的畫法（有兩種）：（1）

■

先作出直流負(fù)載線，找出Q點(diǎn)；

■

作出一條斜率為R”的輔助線，然后過Q點(diǎn)作它的平行線即得。（此法為點(diǎn)斜式）（2）

9

先求出UCE坐標(biāo)的截距（通過方程U"CC=UCE+1CR"L）

連接Q點(diǎn)和U"CC點(diǎn)即為交流負(fù)載線。（此法為兩點(diǎn)式）

例1：作出圖（D所示電路的交流負(fù)載線。已知特性曲線如圖（2）所示，Ucc=12V,Rc=3千歐，

RL=3千歐,Rb=280千歐。

解：（1）作出直流負(fù)載線，求出點(diǎn)Q。（2）求出點(diǎn)U"cc。U"cc=Uce+IcR"L=6+1.5*2=9V（3）連接

點(diǎn)Q和點(diǎn)U"cc即得交流負(fù)載線（圖中黑線即為所求）

放大電路的非線性失真

作為對(duì)放大電路的要求,應(yīng)使輸出電壓盡可能的大，但它受到三極管非線性的限制。當(dāng)信號(hào)過

大或者工作點(diǎn)選擇不合適，輸出電壓波形將產(chǎn)生失真。由于是三極管非線性引起的失真，所以稱為非線性

失真。

1.由三極管特性曲線非線性引起的失真

這主要表現(xiàn)在輸入特性的起始彎曲部分，輸出特性的間距不勻當(dāng)輸入又比較大時(shí)，就會(huì)使lb、

Uce和Ic的正負(fù)半周不對(duì)稱，即產(chǎn)生非線性失真。如圖（1）所示

2.工作點(diǎn)不合適引起的失真

(1)工作點(diǎn)Q點(diǎn)設(shè)置偏高會(huì)產(chǎn)生飽和失真

若工作點(diǎn)Q點(diǎn)設(shè)置偏高，雖然基極動(dòng)態(tài)電流ib為不失真的正弦波，但是由于在輸入信號(hào)正半

周，靠近峰值的某段時(shí)間內(nèi)晶體管進(jìn)入了飽和區(qū)，導(dǎo)致集電極動(dòng)態(tài)電流iC產(chǎn)生頂部失真，集電極電阻Rc

上的電壓波形必然隨之產(chǎn)生同樣的失真。由于輸出電壓vo與Rc上電壓的變化相位相反，從而導(dǎo)致vo波

形產(chǎn)生底部失真，此種由于晶體管進(jìn)入飽和區(qū)工作而產(chǎn)生的失真現(xiàn)象稱為飽和失真。

如圖⑶所示

(2)工作點(diǎn)Q點(diǎn)設(shè)置偏低會(huì)產(chǎn)生截止失真。

若工作點(diǎn)Q點(diǎn)設(shè)置偏低，在輸入信號(hào)負(fù)半周靠近峰值的某段時(shí)間內(nèi)，晶體管b-e間電壓總量

vBE小于其導(dǎo)通電壓(開啟電壓)，BJT截止。因此基極電流ib將產(chǎn)生底部失真。集電極電流iC和集電極

電阻Rc上電壓的波形必然會(huì)隨之產(chǎn)生同樣的失真,從而導(dǎo)致vo波形產(chǎn)生頂部失真。這種由于BJT

進(jìn)入截止區(qū)工作而產(chǎn)生的失真稱為截止失真。

如圖⑵所示。

應(yīng)當(dāng)指出，截止失真和飽和失真都是比較極

端的情況。實(shí)際上，在輸入信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)，即使晶體管始終工作在放大區(qū)域，也會(huì)因?yàn)檩?/p>

入特性和輸出特性的非線性而使輸出波形產(chǎn)生失真，只不過當(dāng)輸入信號(hào)幅值較小時(shí)，這種失真非常小，可

忽略不計(jì)而已。

三.微變等效電路

微變等效電路的基本思想是，當(dāng)輸入信號(hào)變化的范圍很小(微變)時(shí)，可以認(rèn)為三極管電壓，電

流變化量之間的關(guān)心基本上是線性的。即在一個(gè)很小的范圍內(nèi).輸入特性，輸出特性均可近似的看作是一

段直線。因此，就可給三極管建立一個(gè)小信號(hào)的線性模型，這就是微變等效電路。利用微變等效電路，可

以將含有非線性元件(三極管)的放大電路轉(zhuǎn)化成為我們熟悉的線性電路，然后，就可以利用電路分析課程

中的學(xué)習(xí)的有關(guān)方法來求解。

四.三種基本組態(tài)放大電路的分析

微變等效電路，主要用于對(duì)放大電路的動(dòng)態(tài)特性分析。三極管有三種接法，故放大電路也有三

種基本組態(tài)。一個(gè)放大電路的性能怎樣，是通過性能指標(biāo)來描述的！

1.放大電路的性能指標(biāo)

(1)電壓放大倍數(shù)Au

它是用來衡量放大電路的電壓放大能力的指標(biāo)。它可定義為輸出電壓的幅值或有效值與輸入電

壓的幅值或有效值之比，有時(shí)也稱為增益。即

Au=Uo/UiAus=Uo/Us

電壓源放大倍數(shù)Aus是表示輸出電壓幅值或有效值與信號(hào)源電壓值比。顯然，當(dāng)信號(hào)源內(nèi)阻

R=0時(shí)，Aus=Au。它就是考慮了信號(hào)源內(nèi)阻Rs影響時(shí)的Au。

(2)電流放大倍數(shù)Ai

它是用來衡量放大電路的電流放大能力。它可定義為輸出電流I。與輸入電流曾幅值或有效值

之比即Ai=Io/Ii

Ai越大表明放大能力越好.

(3)功率放大倍數(shù)Ap.

它定義為輸出功率與輸入功率之比。即

Ap=Po/Pi=IUolo1/1UiIi=|AuAi

(4)輸入電阻ri

放大電路由信號(hào)源提供輸入信號(hào)，當(dāng)放大電路與信號(hào)院相連時(shí)，就要從信號(hào)源索取電流。索取

電流的大小表明了放大電路對(duì)信號(hào)源的影響，所以定義輸入電阻來衡量放大電路對(duì)輸入信號(hào)源的影響。當(dāng)

信號(hào)頻率不高時(shí)，電抗效應(yīng)不考慮,則ri=Ui/Ii

(5)輸出電阻ro

從輸出端看進(jìn)去的放大電路的等效電阻，稱為輸出電阻ro。輸出電阻的高低表明放大電路所能

驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力。ro越小表明帶負(fù)載能力越強(qiáng)。則ro=U2/I2

下面我們用微變等效電路法計(jì)算放大電路的Au,ri,ro

1.共e極放大電路

對(duì)放大電路進(jìn)行靜態(tài)分析，主要是確定其靜態(tài)工作點(diǎn)Q,即求出IBQ,ICQ,UCEQ。對(duì)放大電路

進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析，主要是計(jì)算放大電路的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。

共射放大電路

(a)共射放大電路(b)微變等效電路

靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算

ICQ二？IBQ

UCEQ=VCC-ICQRC

交流性能參數(shù)的計(jì)算

電壓放大倍數(shù)

6

輸入電阻

輸出電阻Ro=Rc

2.共c極放大電路

共集放大電路信號(hào)從基極輸入，從發(fā)射極輸出，集電極作為輸入輸出的公共端。該電路又稱為

射極輸出器，或稱射極跟隨器，也是最常用的一種基本電路。共集電極電路的特點(diǎn)是：輸入阻抗高，輸出

阻抗低，電壓放大倍數(shù)小于1接近于1,主要用作輸入極、輸出極和極間緩沖極。

用微變等效電路分析共集放大電路

(a)共集放大電路(b)h參數(shù)微變等效電路

靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算

心-r.q?%?勺―+。?刃&]

,%-喂

%+Q+種4

再由1CQ邛1BQ,UCEQ=VCCTCQRe可求出靜態(tài)工作點(diǎn)。

交流性能的計(jì)算

,皆

&K

⑹cb)

37

共集電路的輸入電阻很大而輸出電阻很小;另外它的電壓放大倍數(shù)雖然小于1,但它的電流放大

倍數(shù)仍較大，約為（1+B）倍。

3.共b極放大電路

共基極電路的輸入信號(hào)加在晶體管的發(fā)射極，輸出是集電極，基極是輸入輸出的公共端。

用微變等效電路分析共基極放大電路

（a）共基極放大電路（b）微變等效電路

靜態(tài)工作點(diǎn)分析

1姆-勺

交流性能分析

其中

?

與共射放大電路比較，共基放大電路的特點(diǎn)是：（1）電壓放大倍數(shù)數(shù)值上同相,而共基電路是

正值，表明輸入與輸出同相；電流放大倍數(shù)共基電路是略小于1。（2）輸入電阻比共射電路小，輸出電阻相

同。（3）共基電路的頻率響應(yīng)好.在要求頻率特性高的場(chǎng)合多采用共基電路。

三種電路的比較

連接方式性能比較（大、中、?。?/p>

公共端輸入端輸出端

國(guó)

RiRo其它

共射電路ebc大大小大

共集電路cbe小大大小

共基電路bec大小小大頻帶寬

2、3放大電路的動(dòng)態(tài)分析

-：圖解法分析動(dòng)態(tài)特性

1.交流負(fù)載線的畫法解：畫微變等效電路4。/〃解：

交流負(fù)載線的特點(diǎn)：必須通過靜態(tài)工作點(diǎn)交流負(fù)載線的斜率由R"表示（R"=Rc〃R）

交流負(fù)載線的畫法（有兩種）：（1）先作出直流負(fù)載線，找出Q點(diǎn)；作出一條斜率

為R”的輔助線，然后過Q點(diǎn)作它的平行線即得。（此法為點(diǎn)斜式）（2）先求出U.坐標(biāo)的

截距（通過方程UJ=U.+IR"）連接Q點(diǎn)和U”.點(diǎn)即為交流負(fù)載線。（此法為兩點(diǎn)式）

例1:作出圖（1）所示電路的交流負(fù)載線。已知特性曲線如圖（2）所示，Ucc=12V,

Rc=3千歐,R.=3千歐,Rb=280千歐。

解：（1）作出直流負(fù)載線，求出點(diǎn)Q。（2）求出點(diǎn)U"cc。

U"cc=Uce+IcR"L=6+l.5*2=9V（3）連接點(diǎn)Q和點(diǎn)U"cc即得交流負(fù)載線（圖中黑線即為所求）

二.放大電路的非線性失真

作為對(duì)放大電路的要求，應(yīng)使輸出電壓盡可能的大，但它受到三極管非線性的限制。當(dāng)信

號(hào)過大或者工作點(diǎn)選擇不合適，輸出電壓波形將產(chǎn)生失真。由于是三極管非線性引起的失真，

所以稱為非線性失真。

1.由三極管特性曲線非線性引起的失真

這主要表現(xiàn)在輸入特性的起始彎曲部分，輸出特性的間距不勻當(dāng)輸入又比較大時(shí)，就會(huì)使

Ib、Uce和Tc的正負(fù)半周不對(duì)稱，即產(chǎn)生非線性失真。如圖（1）所示

2.工作點(diǎn)不合適引起的失真

(1)工作點(diǎn)Q點(diǎn)設(shè)置偏高會(huì)產(chǎn)生飽和失真

若工作點(diǎn)。點(diǎn)設(shè)置偏高，雖然基極動(dòng)態(tài)電流/為不失真的正弦波，但是由于在輸入信號(hào)正

半周，靠近峰值的某段時(shí)間內(nèi)晶體管進(jìn)入了飽和區(qū)，導(dǎo)致集電極動(dòng)態(tài)電流，產(chǎn)生頂部失真，集

電極電阻月上的電壓波形必然隨之產(chǎn)生同樣的失真。由于輸出電壓匕與用上電壓的變化相位相

反，從而導(dǎo)致口波形產(chǎn)生底部失真，此種由于晶體管進(jìn)入飽和區(qū)工作而產(chǎn)生的失真現(xiàn)象稱為飽

和失真。

如圖(3)所示

(2)工作點(diǎn)Q點(diǎn)設(shè)置偏低會(huì)產(chǎn)生截止失真。

若工作點(diǎn)Q點(diǎn)設(shè)置偏低，在輸入信號(hào)負(fù)半周靠近峰值的某段時(shí)間內(nèi)，晶體管b-e間電壓總

量V"小于其導(dǎo)通電壓(開啟電壓)，BJT截止。因此基極電流i,將產(chǎn)生底部失真。集電極電流i：

和集電極電阻R上電壓的波形必然會(huì)隨之產(chǎn)生同樣的失真，從而導(dǎo)致V。波形產(chǎn)生頂部失真。這

種由于BJT

進(jìn)入截止區(qū)工作而產(chǎn)生的失真稱為截止失真。

如圖（2）所示。

應(yīng)當(dāng)指出，截止失真和飽和失真都是比較極

端的情況。實(shí)際上，在輸入信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)，即使晶體管始終工作在放大區(qū)域，也會(huì)因

為輸入特性和輸出特性的非線性而使輸出波形產(chǎn)生失真，只不過當(dāng)輸入信號(hào)幅值較小時(shí)，這種

失真非常小，可忽略不計(jì)而已。

三.微變等效電路

微變等效電路的基本思想是，當(dāng)輸入信號(hào)變化的范圍很?。ㄎ⒆儯r(shí)，可以認(rèn)為三極管電

壓，電流變化量之間的關(guān)心基本上是線性的。即在一個(gè)很小的范圍內(nèi)，輸入特性，輸出特性均

可近似的看作是一段直線。因此，就可給三極管建立一個(gè)小信號(hào)的線性模型，這就是微變等效

電路。利用微變等效電路，可以將含有非線性元件（三極管）的放大電路轉(zhuǎn)化成為我們熟悉的

線性電路，然后，就可以利用電路分析課程中的學(xué)習(xí)的有關(guān)方法來求解。

四.三種基本組態(tài)放大電路的分析

微變等效電路，主要用于對(duì)放大電路的動(dòng)態(tài)特性分析。三極管有三種接法，故放大電路也

有三種基本組態(tài)。一個(gè)放大電路的性能怎樣，是通過性能指標(biāo)來描述的！

1.放大電路的性能指標(biāo)

（1）電壓放大倍數(shù)Au

它是用來衡量放大電路的電壓放大能力的指標(biāo)。它可定義為輸出電壓的幅值或有效值與輸

入電壓的幅值或有效值之比，有時(shí)也稱為增益。即

Au=Uo/UiA.=Uo/Us

電壓源放大倍數(shù)Aus是表示輸出電壓幅值或有效值與信號(hào)源電壓值比。顯然，當(dāng)信號(hào)源內(nèi)

阻R=0時(shí)，A..=Au。它就是考慮了信號(hào)源內(nèi)阻Rs影響時(shí)的Au。

(2)電流放大倍數(shù)Ai

它是用來衡量放大電路的電流放大能力。它可定義為輸出電流Io與輸入電流li幅值或有

效值之比即Ai=Io/Ii

Ai越大表明放大能力越好.

(3)功率放大倍數(shù)Ap.

它定義為輸出功率與輸入功率之比。即

Ap=Po/Pi=|Uolo|/|UiIi|=|AuAi|

(4)輸入電阻r

放大電路由信號(hào)源提供輸入信號(hào)，當(dāng)放大電路與信號(hào)院相連時(shí)，就要從信號(hào)源索取電流。

索取電流的大小表明了放大電路對(duì)信號(hào)源的影響，所以定義輸入電阻來衡量放大電路對(duì)輸入信

號(hào)源的影響。當(dāng)信號(hào)頻率不高時(shí)，電抗效應(yīng)不考慮，則r=Ui/li

(5)輸出電阻r

從輸出端看進(jìn)去的放大電路的等效電阻，稱為輸出電阻r輸出電阻的高低表明放大電路

所能驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力。r越小表明帶負(fù)載能力越強(qiáng)。則ro=U2/I2

下面我們用微變等效電路法計(jì)算放大電路的Au,rro

1.共e極放大電路

對(duì)放大電路進(jìn)行靜態(tài)分析，主要是確定其靜態(tài)工作點(diǎn)Q,即求出L,L,U、。對(duì)放大電路

進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析，主要是計(jì)算放大電路的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。

共射放大電路

(a)共射放大電路(b)微變等效電路

靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算

1.=?1,

U.=V,-L,R.

交流性能參數(shù)的計(jì)算

電壓放大倍數(shù)

輸入電阻

輸出電阻R=R

2.共c極放大電路

共集放大電路信號(hào)從基極輸入，從發(fā)射極輸出，集電極作為輸入輸出的公共端。該電路又

稱為射極輸出器，或稱射極跟隨器，也是最常用的一種基本電路。共集電極電路的特點(diǎn)是：輸

入阻抗高，輸出阻抗低，電壓放大倍數(shù)小于1接近于1,主要用作輸入極、輸出極和極間緩沖

極。

用微變等效電路分析共集放大電路

(a)共集放大電路(b)h參數(shù)微變等效電路

靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算

,%一"■

再由L邛L,IL=V-LR可求出靜態(tài)工作點(diǎn)。

交流性能的計(jì)算

駕機(jī)/麾P

共集電路的輸入電阻很大而輸出電阻很小；另外它的電壓放大倍數(shù)雖然小于1,但它的電

流放大倍數(shù)仍較大，約為（1+B）倍。

3.共b極放大電路

共基極電路的輸入信號(hào)加在晶體管的發(fā)射極，輸出是集電極，基極是輸入輸出的公共端。

用微變等效電路分析共基極放大電路

（a）共基極放大電路（b）微變等效電路

靜態(tài)工作點(diǎn)分析

i.1

交流性能分析

…,…侏

4?W.4

其中

與共射放大電路比較，共基放大電路的特點(diǎn)是：（D電壓放大倍數(shù)數(shù)值上同相，而共基電

路是正值，表明輸入與輸出同相；電流放大倍數(shù)共基電路是略小于1。（2）輸入電阻比共射電路

小，輸出電阻相同。（3）共基電路的頻率響應(yīng)好，在要求頻率特性高的場(chǎng)合多采用共基電路。

三種電路的比較

2、4多極放大電路

--多極放大電路的耦合的方式

常用的耦合方式有三種，即阻容耦合、直接耦合和變壓器耦合。

1.多極放大電路的耦合方式

多極放大電路方框如下圖

2、估算電路的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻用和輸出電阻以。

蟀：畫微變等效電路

〃EQ=《C-/C遙=12V-2mAx3k=6V

信負(fù)

號(hào)

源

載

其中，輸入級(jí)與中間級(jí)的主要作用是實(shí)現(xiàn)電壓放大，輸出級(jí)的主要作用是功率放大,以推動(dòng)

負(fù)載工作。

在計(jì)算多級(jí)放大電路交流參數(shù)時(shí)常采用兩種方法，一是畫出多級(jí)放大電路的微變等效電

路，然后用電路方面知識(shí)直接求出U.和U之比，即整個(gè)多級(jí)放大電路的總電壓放大倍，以及輸

入電阻和輸出電阻。另一方法是先求出每級(jí)電壓放大倍數(shù)（利用基本放大電路的一些公式），

然后相乘得到總電壓放大倍數(shù)。但在求單級(jí)放大電路的放大倍數(shù)時(shí)，要考慮到它后面一級(jí)的輸

入電阻應(yīng)看作為它的負(fù)載電阻，而它前面一級(jí)的輸出電阻對(duì)它而言應(yīng)看作為是信號(hào)源的內(nèi)阻。

在求多級(jí)放大電路輸入電阻和輸出電阻時(shí)也應(yīng)考慮前后級(jí)的影響。

2阻容耦合

阻容耦合電路級(jí)與級(jí)之間由電容、電阻來連接的。如圖右所示。

優(yōu)點(diǎn)：各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)是相對(duì)獨(dú)立，不互相影響

缺點(diǎn)：不使用于傳送緩慢變化的信號(hào)(電容容抗過大，使信號(hào)衰減很大)；不能傳送直流

信號(hào)；在集成電路難于制造。

3.直接耦合

為了避免電容對(duì)緩慢變化的信號(hào)在傳輸過程中帶來的不良影響連接起來，這種連接方式稱

為直接耦合。其電路如圖右所示。

直接耦合的特點(diǎn)：

⑴優(yōu)點(diǎn):既可以放大交流信號(hào)也可以放大直流和變化非常緩慢的信號(hào);電路簡(jiǎn)單便于集成，

所以集成電路中多采用這種耦合方式。

(2)缺點(diǎn):存在著各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)相互牽制和零點(diǎn)漂移這兩個(gè)問題。

4.變壓器耦合

我們把級(jí)與級(jí)之間通過變壓器連接的方式稱為變壓器耦合。其電路如下圖所示。

二,多極放大電路的指標(biāo)計(jì)算

1,電壓放大倍數(shù)

根據(jù)電壓放大倍數(shù)的定義式

多級(jí)放大電路的倍數(shù)等于各級(jí)放大電路倍數(shù)的乘積.即：

Au=A,AAA?

2.輸入電阻

多級(jí)放大電路的輸入電阻，就是輸入級(jí)的輸入電阻。計(jì)算時(shí)要注意：當(dāng)輸入級(jí)為共集電極放

大電路時(shí),要考慮第二級(jí)的輸入電阻作為前級(jí)負(fù)載時(shí)對(duì)輸入電阻的影響。

3.輸出電阻

多級(jí)放大電路的輸出電阻就是輸出級(jí)的輸出電阻。計(jì)算時(shí)要注意：當(dāng)輸出級(jí)為共集電極放

大電路時(shí),要考慮其前級(jí)對(duì)輸出電阻的影響。

分析圖P3.1所示是一個(gè)二級(jí)阻容耦合放大電路。

解:它第一級(jí)是共集放大電路，第二級(jí)是共射放大電路，因此它是共集一共射組態(tài)的二級(jí)

放大電路。

下面我們來分析這個(gè)放大電路，設(shè)

片=魚=50歹闋津=uag2=07匕…」200Q

電容c,c,c,C均為足夠大。

1.靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算

I=?0.0L

囪的+("&】

工富4】?%：7

&21+Rg

2.交流性能計(jì)算

先求出每級(jí)電壓放大倍數(shù)，再求出總的電壓放大倍數(shù)。晶體管的h參數(shù)為

.叼一^砧耳=001襁

津樂+(l+￡)&i

KJ

?我方一展?84/

/21.勺22

第二級(jí)的輸入電阻r相當(dāng)于是第一級(jí)的負(fù)載電阻，它為

麗=物'+￡學(xué)匕2.8《

3.不密夕瀏

限2山必必?專平,；，J；36K

lCQl

輸入電阻和輸出電阻為

H.」V'L1J'3)小〃記卜445K

」＜-4；-1/

分析圖P3.2所示是一個(gè)兩級(jí)直接耦合放大電路。

解：T、T分別為共集、共射放大組態(tài)。共集電路具有阻抗變換作用，取其輸入電阻

高，輸出電阻低，共射電路電壓放大倍數(shù)較大，兩者結(jié)合后放大電路的性能較好。

圖P3.2

靜態(tài)工作點(diǎn)的確定不能每級(jí)分別計(jì)算，可以通過下面的聯(lián)立電路方程來求得：

第一級(jí)的電壓放大倍

A_4（1/"2）

%1+聞（凡1/2）

其中r為第二級(jí)的輸入電阻，它為

F*2Ml1晨求

42?工2制+2）凡2

4,-A<2

在B>>1、p?i時(shí)

.RC2

42

輸入電阻和輸出電阻分別為

A-%〃依aUi1角;R：，巾3

3.1頻率特性的一般概念

一.頻率特性的概念

對(duì)低頻段，由于耦合電容的容抗變大,高頻時(shí)l/?c?R,可視為短路，低頻段時(shí)1/?C?R不

成立。我們定義：當(dāng)放大倍數(shù)下降到中頻區(qū)放大倍數(shù)的0.707倍時(shí);即

時(shí)的頻率稱為下限頻率fl。如圖右是考慮頻率特性時(shí)的等效電路

對(duì)高頻段，由于三極管極間電容或分布電容的容抗較小，低頻段視為開路，高頻段處113c

較小,此時(shí)考慮極間電容影響的等效電路如圖3-1(b)所示。當(dāng)頻率上升時(shí)，容抗減小，使加至放大

電路的輸入信號(hào)減小,輸出電壓減小,從而使放大倍數(shù)下降。同時(shí)也會(huì)在輸出電壓與輸入電壓間

產(chǎn)生附加相移。同樣我們定義：當(dāng)放大倍數(shù)下降到中頻區(qū)放大倍數(shù)的0.707倍,即

Auh=(l/)Aum時(shí)的頻率稱為上限頻率fh。2

共發(fā)射極放大電路的甩壓放大倍數(shù)將是一個(gè)復(fù)數(shù),即

其中幅度Au和相角小都是頻率的函數(shù),分別稱為放大電路的幅頻特性和相頻特性?？捎脠D

3-2(a)和(b)表示。我們稱上、下限頻率之差為通頻帶ibw,即

fbw=fh-fl

通頻帶的寬度,表征放大電路對(duì)不同頻率的輸入信號(hào)的響應(yīng)能力,它是放大電路的重要技術(shù)

指標(biāo)之一。

二.線性失真

線性失真有兩種形式：相頻失真和幅頻失真

一個(gè)周期信號(hào)經(jīng)傅里葉級(jí)數(shù)展開后，可以分解為基波、一次諧波、二次諧波等多次諧波。

設(shè)輸入信號(hào)5(。由基波和二次諧波組成，如圖(a)所示，經(jīng)過線性電路后，基波與二次諧波振

幅之間的比例沒有變化，但是它們之間的時(shí)間對(duì)應(yīng)關(guān)系變了，疊加合成后同樣引起輸出波形不

同于輸入波形，這種線性失真稱之為相頻失真。

線性失真的第一種形式如圖（b）所示。假設(shè)輸入波形Ui⑴僅由基波、二次諧波構(gòu)成，它

們之間的振幅比例為10：6,如圖（b）上所示。該輸入波形經(jīng)過線性放大電路后，由于放大電路

對(duì)不同頻率信號(hào)的不同放大倍數(shù)，使得這些信號(hào)之間的比例發(fā)生了變化，變成了10:3,這二者

累加后所得的輸出信號(hào)U。⑴如圖（b）下所示。對(duì)比Ui⑴,可見兩者波形發(fā)生了很大的變化，這就

是線性失真的第一種形式，即幅頻失真。

低綾段喝合電容的影響

U.

（6）高領(lǐng)段極間電容的彩響

4=（I/VLU）

42

4=44

3.2三極管的頻率參數(shù)

(1)

(2)

(3)

B的幅頻特性

-.共發(fā)射極電流放大系數(shù)B的截止頻率力

將值下降到時(shí)的0.707倍時(shí)的頻率隼定義為B的截止頻率。按公式(3-4)也可計(jì)算出，當(dāng)f=f

6時(shí),

二,特征頻率f

定義值降為1時(shí)的頻率仃為三極管的特征頻率。將f=fl和代入⑵式,則得1=

由于通常fT/fp?l,所以上式可簡(jiǎn)化為

fT=30fp上式表示了fT和電的關(guān)系。

物.

血=(1/收成之0.7074

問左孑小選之網(wǎng)

p\

大系數(shù)Q的截止頻率fa

由上述的關(guān)系得

(4)(5)

定義當(dāng)下降為中頻aO的0.707倍時(shí)的頻率fa為a的截止頻率。

fa、電、仃之間有何關(guān)系？將式(1)代入式(4)得

四.三極管混合參數(shù)TT型等效電路

1.完整的混合TT型模型

(1)混合n型參數(shù)和h參數(shù)之間的關(guān)系

hl

A

?1+-51+4

~7

（1+也）%

<0)不考慮c;敕c.的齡化泡令型.等效電路。)檢化路多數(shù)籥效電路

2.簡(jiǎn)化的混合II型模型

(2)卬的等效過程

此式表明，從b，、e兩端看進(jìn)去,跨接在b，、c之間的電容Cu的作用，和一個(gè)并聯(lián)在b，、e

兩端，其電容值為的電容等效。這就是密勒定理。如圖（2）中（c）所示。照町=

八小2626/7

lSQ1CQ

g./工=g/%=餌

5式1+犬)Us,

11

/夕，ja)(l+K)Cp

3.3共e極放大電路的頻率特性

(1)共e極放大電路及其混合7T型等效電路

具體分析時(shí),通常分成三個(gè)頻段考慮：

(1)中頻段:全部電容均不考慮,耦合電容視為短路,極間電容視為開路。

(2)低頻段:耦合電容的容抗不能忽略,而極間電容視為開路。

(3)高頻段:耦合電容視為短路,而極間電容的容抗不能忽略。

這樣求得三個(gè)頻段的頻率響應(yīng),然后再進(jìn)行