成都市飛宇達實業(yè)fyd0801-1世界

ChengduGlobalIndustrialNo.102BEISEN WEB:E-ChengduGlobalIndustrialNo.102BEISEN WEB:E- Fax：FYD0801-1電源電壓，低功耗、長壽命、高可靠性內(nèi)置192種字符（16057點陣字符）64RAM858點陣字符S反射、黃綠膜、正顯1MC51M6800系列MPU45.6(W)X0.83X45.6(W)X0.83X12 符條LCD-- LCD 符LCDVdd12 符條LCD-- LCD 符LCDVdd–-1 Valid 電源地電源電壓LCD驅動電壓(可調(diào)RS=0MPU進行寫模塊操作，指向指令寄存器；MPU進行讀模塊操作，指向地址計數(shù)器； 讀操作 寫操MPU讀/寫模塊操作使能信號：4位方式通訊時不使用DB0-1 Valid 電源地電源電壓LCD驅動電壓(可調(diào)RS=0MPU進行寫模塊操作，指向指令寄存器；MPU進行讀模塊操作，指向地址計數(shù)器； 讀操作 寫操MPU讀/寫模塊操作使能信號：4位方式通訊時不使用DB0-五MPU2MHz； EE脈寬（高電平E上升/ Valid E五MPU2MHz； EE脈寬（高電平E上升/ Valid EE脈寬（高電平E上升/5X85X7點陣、帶光標顯示的字符結構的顯示模式，用戶通過指本模塊提供了顯示數(shù)據(jù)緩沖區(qū)DDRAM、字符發(fā)生器CGROMCGRAM；CGRAM85X8點陣的圖形字符的字模數(shù)據(jù)；本模塊字符在LCD顯示屏上的顯示位置與該字符的字符代碼在顯示緩沖區(qū)DDRAM內(nèi)5X85X7點陣、帶光標顯示的字符結構的顯示模式，用戶通過指本模塊提供了顯示數(shù)據(jù)緩沖區(qū)DDRAM、字符發(fā)生器CGROMCGRAM；CGRAM85X8點陣的圖形字符的字模數(shù)據(jù)；本模塊字符在LCD顯示屏上的顯示位置與該字符的字符代碼在顯示緩沖區(qū)DDRAM內(nèi)5X8點陣字符帶光標顯示：1/8panel（controllerLCDcommonsegment5×8點陣的字符結構模式和LCDE控制。segment交流掃描驅動信號。MPUCGROM、CGRAMDDRAM等字符存儲區(qū)域、以及與MPUI/O接口、指令寄存和譯碼機構、地址計數(shù)器等部分組成。在控制器的控制下，模塊通過數(shù)據(jù)總線DB0~DB7E、R/W、RS數(shù)據(jù)總線DBMPUCGROM中找到欲顯示字符的字符碼，送DDRAMLCD顯示屏上與DDRAM存儲單元對應的規(guī)定位置顯示出該字符?？刂破鱉PU的指令，實現(xiàn)字符的顯示、閃爍和移位等顯示效果。CGROM、CGRAM以及時序發(fā)生電路組成：（DRRSR/W輸入信號的組合選擇指定的寄存器，進行相應的操作。下表中列出了組合選 IRDDRAMCGRAM中的數(shù)據(jù)顯示的指令代碼和地址信息，MPU對其執(zhí)行寫操作；DRMPU與模塊內(nèi)部DDRAMCGRAM之間的傳送數(shù)據(jù)，內(nèi)部操作使DRDDRAMCGRAM之間的數(shù)據(jù)傳送自動進行：忙標志BF=1時，表明模塊正在進行內(nèi)部操作，此時不接受任何外部指令和數(shù)據(jù)。當RS=0、R/W=1E為高電平時，BFDB7。每次操作之前最好先進行狀態(tài)字檢測，BF=0之后，MPU才能訪問模塊；AC地址計數(shù)器是DDRAMCGRAMIR中指令碼的寫入，指令IRDDRAMCGRAM中的數(shù)據(jù)顯示的指令代碼和地址信息，MPU對其執(zhí)行寫操作；DRMPU與模塊內(nèi)部DDRAMCGRAM之間的傳送數(shù)據(jù)，內(nèi)部操作使DRDDRAMCGRAM之間的數(shù)據(jù)傳送自動進行：忙標志BF=1時，表明模塊正在進行內(nèi)部操作，此時不接受任何外部指令和數(shù)據(jù)。當RS=0、R/W=1E為高電平時，BFDB7。每次操作之前最好先進行狀態(tài)字檢測，BF=0之后，MPU才能訪問模塊；AC地址計數(shù)器是DDRAMCGRAMIR中指令碼的寫入，指令AC11DR與DDRAMCGRAM之間完成一次數(shù)據(jù)ACACDDRAM兩行顯示（16*188個字符對應第二行執(zhí)行顯示移位操作時，對應的DDRAM8個字符的顯示為例，DDRAM34DDRAMCGRAM中的數(shù)據(jù)送入數(shù)據(jù)寄存器中DB0~DB7的數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)寄存器中，模塊的內(nèi)部操作DDRAMCGRAM中0E控制，因而各結構部分間字符的發(fā)生互不CGRAM中生成的自定義圖形字符的字模組相對應。CGRAM中，用戶可以生成自定義圖形字符的字模組。就單屏結構的模塊而言，可5×88CGROM00H~07H范圍內(nèi)選擇；E控5×8點8組，相對應的字符碼從本結構部分中CGROM00H~07H范圍內(nèi)選擇。5X8CGROM地址、字符字模和字符碼三者之間的關系示意圖例如下：Cursorposition光標位置Charactercode字符碼Lineposition行地址CGROMAddressData0E控制，因而各結構部分間字符的發(fā)生互不CGRAM中生成的自定義圖形字符的字模組相對應。CGRAM中，用戶可以生成自定義圖形字符的字模組。就單屏結構的模塊而言，可5×88CGROM00H~07H范圍內(nèi)選擇；E控5×8點8組，相對應的字符碼從本結構部分中CGROM00H~07H范圍內(nèi)選擇。5X8CGROM地址、字符字模和字符碼三者之間的關系示意圖例如下：Cursorposition光標位置Charactercode字符碼Lineposition行地址CGROMAddressDataCGROMA3~A0定義字模數(shù)據(jù)存儲行地址；O4~O0為字符字模數(shù)據(jù)；必須將高三位數(shù)據(jù)O5~O70；1的位置為顯示位（黑；Charactercode字符碼Characterpatterns字符字模CGRAaddress5 2 *Characterpatterns0 字符字模Cursorposition光標位置CGROMA3~A0定義字模數(shù)據(jù)存儲行地址；O4~O0為字符字模數(shù)據(jù)；必須將高三位數(shù)據(jù)O5~O70；1的位置為顯示位（黑；Charactercode字符碼Characterpatterns字符字模CGRAaddress5 2 *Characterpatterns0 字符字模Cursorposition光標位置Characterpatterns00字符字模*0Cursorposition光標位置0~2CGRAM3~5CGRAM0~208H對應同一組用戶自定義字符字模；CGRAM12000 * 1 10 01101011 1 *指令RSR/WDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1 L LAC 指令RSR/WDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1 L LAC L LDDRAM地址為零，顯 L L I/D LL LH DC（D，光符閃耀 LL S/C時不改變DDRAM內(nèi)容 L DL CG L CGRAMRAMDD DDRAMRAML CGDD3MPUMPU和外圍控制設備的選MPU的RS、R/W、E以及數(shù)據(jù)信號DB決定，3MPUMPU和外圍控制設備的選MPU的RS、R/W、E以及數(shù)據(jù)信號DB決定，RAM地址；RAM數(shù)據(jù)傳送；RAM的數(shù)據(jù)傳送的功能使用最為頻繁，因此，RAM中的地址指針所具備的自動加一或減一功能，在一定程度上減輕了MPU編程負擔。此外，由于數(shù)據(jù)移位Cleardisplay20HDDRAM地址中，使DDRAM CGDDI/D1：增量方式，0：減量方式 DL1：8位，0：4位 1：2行，0：1行 DDRAMRAMCGRAMRAMACDDCGRAMfcp或Fosc為BF1：內(nèi)部操作，0：接收指令RS：寄存器選擇R/W：讀/ReturnhomeEntrymodesetI/D：字符碼寫入或者讀出DDRAMDDRAMACI/D=1，完成一個字符碼傳送后，AC1；ReturnhomeEntrymodesetI/D：字符碼寫入或者讀出DDRAMDDRAMACI/D=1，完成一個字符碼傳送后，AC1；Displayon/offcontrol顯示開/示5X10點陣字符時，光標在第十一行顯示；CursorordisplayshiftAC的內(nèi)容不會發(fā)生改Function LCDMPU與模塊接口數(shù)據(jù)總48位、LCD顯示行數(shù)和顯示字符點陣規(guī)格；所以建議用戶最好在執(zhí)行其它DB3~DB0不用，使用此方式傳送數(shù)據(jù)，需分兩次進行；SetCGRAM CGRAMCGRAMCGRAMCGRAM存儲用戶自定義顯示字符的CGRAM中讀出；SetDDRAM DDRAMAC的內(nèi)容不會發(fā)生改Function LCDMPU與模塊接口數(shù)據(jù)總48位、LCD顯示行數(shù)和顯示字符點陣規(guī)格；所以建議用戶最好在執(zhí)行其它DB3~DB0不用，使用此方式傳送數(shù)據(jù)，需分兩次進行；SetCGRAM CGRAMCGRAMCGRAMCGRAM存儲用戶自定義顯示字符的CGRAM中讀出；SetDDRAM DDRAM 光標向左移動，AC光標向右移動，ACDDRAMDDRAMDDRAM存儲顯示字符的字符碼的首地址ADD6~ADD0送入AC中，于是顯示字符的字符碼就可以寫入DDRAM中或者從DDRAM中讀出；LCD顯示屏一行顯示方式下，DDRAM的地址范圍為：00H~4FH；兩行顯示方式下，DDRAM00H~27H40H~67H；Readbusyflagand BF當RS=0和R/W=1EBF和AC6~AC0被讀到數(shù)據(jù)總線BF=0為止；AC6~AC0ACDDRAMDDRAMDDRAM存儲顯示字符的字符碼的首地址ADD6~ADD0送入AC中，于是顯示字符的字符碼就可以寫入DDRAM中或者從DDRAM中讀出；LCD顯示屏一行顯示方式下，DDRAM的地址范圍為：00H~4FH；兩行顯示方式下，DDRAM00H~27H40H~67H；Readbusyflagand BF當RS=0和R/W=1EBF和AC6~AC0被讀到數(shù)據(jù)總線BF=0為止；AC6~AC0ACACCGROM、CGRAM和BF=0時，送到DB7~DB0AC6~AC0才有效；WritedatatoCGRAMor CGRAM 寫數(shù)據(jù)到CGRAM或DDRAM指令，是將用戶自定義字符的字模數(shù)據(jù)寫到已經(jīng)設置好的CGRAMDDRAMD7~D0首先暫存在DR中，再由模塊的內(nèi)部操作自動寫入地址指針所指定的CGRAM單元或者DDRAM單元中；ReaddatafromCGRAMor CGRAMDDRAM4DL=1：8位數(shù)據(jù)接口；F=0：5X8點陣字符字體；4DL=1：8位數(shù)據(jù)接口；F=0：5X8點陣字符字體；I/D=1：AC1；5MPURSR/WDB7~DB0DB6 IR③寫數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)寄存器DR IR③寫數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)寄存器DR 65msWCG：MOV LCALLBFLCALLWD INI：DB1FH，00H，00H，00H，00H，00H，00H，00HDB00H，1FH，00H，00H，00H，00H，00H，00HDB00H，00H，1FH，00H，00H，00H，00H，00HDB00H，00H，00H，1FH，00H，00H，00H，00HDB00H，00H，00H，00H，1FH，00H，00H，00HDB00H，00H，00H，00H，00H，1FH，00H，00HDB00H，00H，00H，00H，00H，00H，1FH，00HDBDB1FH，00H，00H，00H，00H，00H，00H，00HDB00H，1FH，00H，00H，00H，00H，00H，00HDB00H，00H，1FH，00H，00H，00H，00H，00HDB00H，00H，00H，1FH，00H，00H，00H，00HDB00H，00H，00H，00H，1FH，00H，00H，00HDB00H，00H，00H，00H，00H，1FH，00H，00HDB00H，00H，00H，00H，00H，00H，1FH，00HDBWDD：16WDD：1640LCALLBF LCALLBF ORGDB00H，01H，02H，03