微電子器件期末復(fù)習(xí)題含答案

電子科技大學(xué)/命題【習(xí)題壓得準(zhǔn)五殺跑不了】微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為(NNA=1.5×1016cm-3)和(NNA=1.5×1014cm-3場(chǎng)的方向是從（N）區(qū)指向（P）區(qū)。[發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng)，空穴向P區(qū)，電子向N區(qū)]P18。若P型區(qū)的摻雜濃度NA=1.5×1017cm-3，外加電微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)25、晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（基區(qū)中28、晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)α是指發(fā)射結(jié)（正）偏、集電結(jié)（零）偏31、某長(zhǎng)方形薄層材料的方塊電阻為100Ω,長(zhǎng)度和寬度分別為300μm和60μm，則微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)46、基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)54、晶體管的共基極電流放大系數(shù)αw隨頻率的（增加）而下降。當(dāng)晶體管的αw下降到時(shí)的頻率，稱為α的截止頻率，記為（fα)。55、晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)βw隨頻率的（增加）而下降。當(dāng)晶體管的βw下降到β0時(shí)的頻率，稱為β的（截止頻率記為（fβ)。p到原來(lái)的(?)。p58、當(dāng)βw降到（1）時(shí)的頻率稱為特征頻率fT。當(dāng)Kpmax降到（1）時(shí)的頻率稱為最高振蕩頻率fM。59、晶體管的高頻優(yōu)值M是（功率增益）與（帶60、晶體管的高頻小信號(hào)等效電路與直流小信號(hào)等效電路相比，增加了三個(gè)元件，它IbIb微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)72、由于電子的遷移率μn比空穴的遷移率μp（大所以在其它條件相同時(shí)N）溝微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)77、為提高跨導(dǎo)gm的截止角頻率gm，應(yīng)當(dāng)（增大）μ,（減?。㎜增大）VG微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)NDND-NAND -NA00xND-NA-xd0xd22xIEEmaxxEE-xd0xdx22微電子器件（第三版）陳星弼電子科技大學(xué)中山學(xué)非平衡少數(shù)載流子濃度Δnp遠(yuǎn)小于原來(lái)的平衡多數(shù)載流子濃度pp0摻雜濃度）微電子器件（第三版）陳星弼區(qū)的空間電荷的變化，這樣所表現(xiàn)出的電容是勢(shì)34343434微電子器件（第三版）陳星弼prnrnepepc+P微電子器件（第三版）陳星弼VCE<VBE18、什么是雙極晶體管的特征頻率fT？寫出fT的表達(dá)式，并說(shuō)明提高fT的各項(xiàng)措施。微電子器件（第三版）陳星弼20、說(shuō)明特征頻率fT的測(cè)量方法。21、什么是雙極晶體管的最高振蕩頻率fM？寫出fM的表達(dá)式，說(shuō)明提高fM的措施。微電子器件（第三版）陳星弼4)耗盡區(qū)電離雜質(zhì)電荷面密度QAD：由于φFB與摻雜濃度N的關(guān)系不大，故可 1 地得到QAD∞N隨V微電子器件（第三版）陳星弼隨著L的縮短，將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET1、某突變PN結(jié)的ND=1.5×1015cm-3,NA=1.5×1018cm-3，試求nn0、pn0、pp0和np0的值，并求當(dāng)外加0.5V正向電壓和（-0.5V）反向電壓時(shí)的np(-xp)和pn(xn)的值。pn(xn)=pn0exp()=3.37×1013cm-3;pn(xn)=pn0exp()=6.67×10-4cm-3微電子器件（第三版）陳星弼2、突變PN結(jié)的ND=1.5×1015cm-3,NA=1.5×1018cm-3計(jì)算該P(yáng)N結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)Vbi之的襯底摻雜濃度為NA=1.5×1018cm-3。試分別求這兩個(gè)MOSFET的襯底費(fèi)米勢(shì)，并ΦFn=-ln≈0.299VΦFp+ΦFn=0.479-0.299=0.18<Vbi4、某突變PN結(jié)的ND=1.5×1015cm-3,NA=1.5×1018cm-3，試問(wèn)Jdp是Jdn的多少倍？7、某硅單邊突變結(jié)的雪崩擊穿臨界電場(chǎng)EC=3.5×105Vcm-1，開(kāi)始發(fā)生雪崩擊穿時(shí)的微電子器件（第三版）陳星弼若將此管的基區(qū)摻雜改為如式（3-28）的指數(shù)分布，場(chǎng)因子η=6，則其β*變?yōu)槎辔㈦娮悠骷ǖ谌妫╆愋清鰰r(shí),I10s22、某高頻晶體管的fβ=20MHz，當(dāng)信號(hào)頻率為f=100MHz時(shí)測(cè)得其最大功率增益為Kpmax=24，則當(dāng)f=200MHz時(shí)Kpmax為多少？該管的最高振蕩頻率fM為多少？微電子器件（第三版）陳星弼微電子器件（第三版）陳星弼微電子器件（第三版）陳星弼EG(Ge)=0.66eV,ni(Ge)=2.4×1013cm3,εOX=312.PN結(jié)總的擴(kuò)散電流密度Jd微電子器件（第三版）陳星弼(LpLn,L(kT,」(LpNDLnNA,L(kT,」Jdp0)(LpLn,L(kT,」(LpNDLnNA,L(kT,」2.7PN結(jié)的開(kāi)關(guān)特性1.超量存儲(chǔ)電荷Q(0)=τ×If3.2均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)微電子器件（第三版）陳星弼 3.4雙極晶體管的直流電流電壓方程3.5雙極晶體管的反向特性微電子器件（第三版）陳星弼3.6基極電阻R口B3+R口B2+R口B1T)=τsCTCQA=qNAxd=(4qNAεsφFP)2Rong=βV(非飽和區(qū))g=βV(非飽和區(qū))gdsGVV）微電子器件（第三版）陳星弼7、對(duì)于頻率不是特別高的一般高頻管，提高特征頻率fT的主要措施是。A基區(qū)濃度B基區(qū)電阻率和基區(qū)少子壽命C基區(qū)微電子器件（第三版）陳星弼