2023年智慧樹(shù)知道網(wǎng)課《芯片基礎(chǔ)模擬集成電路設(shè)計(jì)(山東聯(lián)盟)》課后章節(jié)測(cè)試滿分答案

第一章測(cè)試1【推斷題】(10分)集成電路，又簡(jiǎn)寫(xiě)為IC，其英文全稱(chēng)為IntegratedCircutA.對(duì)B.錯(cuò)2【推斷題】(10分)跟數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)一樣，目前高性能模擬集成電路的設(shè)計(jì)已經(jīng)能自動(dòng)完成。A.對(duì)B.錯(cuò)3【推斷題】(10分)模擬電路很多效應(yīng)的建模和仿真照舊存在問(wèn)題，模擬設(shè)計(jì)需要設(shè)計(jì)者利用閱歷和直覺(jué)來(lái)分析仿真結(jié)果A.錯(cuò)B.對(duì)4【推斷題】(10分)模擬設(shè)計(jì)涉及到在速度、功耗、增益、精度、電源電壓等多種因素間進(jìn)展折衷A.對(duì)B.錯(cuò)5【推斷題】(10分)CMOS SOC設(shè)計(jì)的主流制造技術(shù)。A.對(duì)B.錯(cuò)6【推斷題】(10分)MOSFET 的特征尺寸越來(lái)越小，本征速度越來(lái)越快〔已可與雙極器件相比較〕，現(xiàn)在幾GHz～幾十GHz的CMOS 模擬集成電路已經(jīng)可批量生產(chǎn)。A.對(duì)B.錯(cuò)7【推斷題】(10分)相對(duì)于數(shù)字電路來(lái)說(shuō)，模擬集成電路的設(shè)計(jì)更加根底，更加靈敏。A.對(duì)B.錯(cuò)8【單項(xiàng)選擇題】(10分)片上系統(tǒng)，又稱(chēng)SOC，其英文全稱(chēng)是：A.SystemonChipB.SystemOperationsCenterC.SystemofcomputerD.Separationofconcerns9【單項(xiàng)選擇題】(10分)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，英文簡(jiǎn)稱(chēng)CMOS，其英文全稱(chēng)為：A.ComplementaryMetalOxideSystemB.CargoMachineOfSemiconductorC.ComplementaryMetalOxideSemiconductorD.ComplementaryMachineOfSemiconductor10【單項(xiàng)選擇題】(10分)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器英文簡(jiǎn)稱(chēng)ADC,英文全稱(chēng)為：A.Analog-to-DestinationConverterB.AmbulancetoDigitalConverterC.AmbulancetoDestinationConverterD.Analog-to-DigitalConverter其次章測(cè)試1【推斷題】(10分)MOS器件的源端和漏端不行以共用，不行以互換。A.對(duì)B.錯(cuò)2【推斷題】(10分)假設(shè)一個(gè)電路的最高電壓是 ，最低電壓是 ，那么NMOS 器件的襯底應(yīng)當(dāng)接 。A.錯(cuò)B.對(duì)3【推斷題】(10分)MOS器件的源漏是對(duì)稱(chēng)的，這告知我們要依據(jù)實(shí)際集成電路的狀況來(lái)推斷電路的源極和漏極。A.對(duì)B.錯(cuò)4【單項(xiàng)選擇題】(10分)MOS幅員說(shuō)法不正確的選項(xiàng)是〔〕A.柵極的接觸孔應(yīng)當(dāng)開(kāi)在溝道區(qū)外B.幅員中柵極的接觸孔可以開(kāi)在溝道區(qū)里C.L的最小值由工藝打算D.源結(jié)和漏結(jié)的一個(gè)尺寸等于W，另外一個(gè)尺寸要滿足接觸孔的需要，并且要滿足設(shè)計(jì)規(guī)章5【單項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于閾值電壓的說(shuō)法，不正確的選項(xiàng)是〔〕A.當(dāng) 時(shí)，NMOS器件導(dǎo)通B.在器件制造過(guò)程中，可通過(guò)向溝道區(qū)注入雜質(zhì)來(lái)調(diào)整閾值電壓C.假設(shè) ，則NMOS器件關(guān)斷D.NFETp型襯底的多子濃度時(shí)的柵源電壓6【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于NMOS 器件的伏安特性說(shuō)法正確的選項(xiàng)是〔〕A.當(dāng) ， 時(shí)，NMOS 器件工作在飽和區(qū)B.當(dāng) 時(shí)，且 時(shí)，NMOS器件工作在深線性區(qū)C.當(dāng) ，并且 NMOS器件工作在線性區(qū)D.當(dāng) 時(shí)，NMOS器件工作在截止區(qū)7【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下對(duì)器件尺寸參數(shù)描述正確的有〔〕A.90nm90nm是指器件的最小溝道長(zhǎng)度LB.90nm90nm是指器件的柵氧化層的厚度toxC.W是器件的寬度D.tox是器件柵氧化層的厚度，由工藝打算8【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于體效應(yīng)的說(shuō)法，正確的選項(xiàng)是〔〕A.源電壓相對(duì)于襯底電勢(shì)體效應(yīng)。B.

發(fā)生轉(zhuǎn)變，使得源襯電勢(shì)差 不為0，就會(huì)產(chǎn)生轉(zhuǎn)變襯底電勢(shì) 可能會(huì)產(chǎn)生體效應(yīng)。C.不轉(zhuǎn)變襯底電勢(shì) 也可能會(huì)產(chǎn)生體效應(yīng)。D.體效應(yīng)導(dǎo)致設(shè)計(jì)參數(shù)簡(jiǎn)潔，模擬集成電路設(shè)計(jì)往往不期望其存在，但也有利用體效應(yīng)的電路。9【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于亞閾值導(dǎo)電特性的說(shuō)法正確的選項(xiàng)是〔〕A.MOS管 由0增大到大于閾值電壓 ，經(jīng)受截止--弱反型--強(qiáng)反型，這是一個(gè)漸進(jìn)的過(guò)程，故當(dāng) 時(shí)，仍有 存在B.亞閾值區(qū)的跨導(dǎo)比飽和區(qū)〔強(qiáng)反型區(qū)〕跨導(dǎo)大，有利于實(shí)現(xiàn)大的放大倍數(shù)C.當(dāng) 時(shí)，漏極電流 以有限速度下降，導(dǎo)致功率損耗或模擬信息的喪失D.MOS管亞閾值電流 一般為幾十~幾百nA，常用于低功耗放大器、帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)10【多項(xiàng)選擇題】(10分)MOS模型的說(shuō)法正確的有〔〕A.MOSA.MOS器件的低頻小信號(hào)模型，主要考慮了跨導(dǎo)，體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)B.I/V特性關(guān)系式，各寄生電容計(jì)算式等推導(dǎo)建立C.當(dāng)信號(hào)相對(duì)直流偏置工作點(diǎn)而言較小且不會(huì)顯著影響直流工作點(diǎn)時(shí)，可用小信號(hào)模型簡(jiǎn)化計(jì)算D.MOS器件的高頻小信號(hào)模型，除考慮跨導(dǎo)、體效應(yīng)以及溝道調(diào)制效應(yīng)等參數(shù)，還需要考慮各個(gè)寄生電容和寄生電阻的影響1【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于放大的說(shuō)法，正確的選項(xiàng)是〔〕A.放大不能為數(shù)字電路供給規(guī)律電平。B.放大在反響系統(tǒng)中起著重要作用。C.我們放大一個(gè)模擬或數(shù)字信號(hào)是由于這個(gè)信號(hào)太小而不能驅(qū)動(dòng)負(fù)載，或者不能抑制后繼的噪聲D.在大多數(shù)模擬電路和很多數(shù)字電路中，放大是一個(gè)根本功能。2第三章測(cè)試【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于小信號(hào)的說(shuō)法，正確的選項(xiàng)是〔〕A.小信號(hào)使電路偏置點(diǎn)受到的擾動(dòng)可無(wú)視不記B.MOSVGSVTH=0.5V，則|vgs(t|0.5VC.假設(shè)小信號(hào)變化幅度過(guò)大，則會(huì)影響直流偏置點(diǎn)，需用大信號(hào)分析D.一般小信號(hào)是溝通信號(hào)3【多項(xiàng)選擇題】(10分)以電阻 為負(fù)載的共源極電路的小信號(hào)增益的表達(dá)式有〔〕A.B.C.D.4【多項(xiàng)選擇題】(10分)對(duì)于以電阻 為負(fù)載、以一個(gè)NMOS 器件為主放大管的共源極電路，增大其小信號(hào)增益的措施有〔〕A.NMOS器件的漏極電流B.減?。危蚈S器件 的寬長(zhǎng)比W/LC.增大電阻 上的電壓D.增大NMOS器件 的寬長(zhǎng)比W/L5【推斷題】(10分)圖中的 被偏置在飽和區(qū)，則電路的小信號(hào)電壓增益，說(shuō)明使用電流源作負(fù)載可提高增益。A.錯(cuò)B.對(duì)6【多項(xiàng)選擇題】(10分)關(guān)于二極管連接的MOS器件的說(shuō)法正確的有〔〕A.PMOS管作負(fù)載的共源極電路的小信號(hào)增益只與W/L有關(guān)，與偏置電流無(wú)關(guān)，即輸入與輸出呈線性B.AV越大，最Voutmax越小C.MOSNMOSPMOS管均工作在飽和區(qū)D.MOSMOS器件的柵極和源極短接，起到小信號(hào)電阻的作用7【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于源極跟隨器的說(shuō)法正確的有〔〕A.源極跟隨器可用來(lái)構(gòu)成電平位移電路B.源極跟隨器的C.相對(duì)于共源級(jí)電路來(lái)說(shuō)，源極跟隨器增益很大，輸出阻抗很高D.8【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于共柵放大器的說(shuō)法正確的有〔〕A.常同共源級(jí)聯(lián)合構(gòu)成共源共柵放大器，用于高速運(yùn)放的差分輸入放大級(jí)B.其增益與共源級(jí)放大電路增益一樣C.輸出阻抗高，可用于提高增益和構(gòu)成高性能恒流源D.輸入阻抗與 有關(guān)，有阻抗變換特性9【單項(xiàng)選擇題】(10分)如圖(a)(b)(c個(gè)電路，假設(shè)電路中ID相等，輸出阻抗最大的是〔〕A.三個(gè)電路的輸出阻抗一樣B.圖(b)C.圖(a)D.圖(c)10【多項(xiàng)選擇題】(10分)關(guān)于共源共柵電路以下說(shuō)法正確的有〔〕A.共源共柵電流源可近似代替抱負(fù)恒流源B.共源共柵構(gòu)造具有屏蔽特性C.C.共源共柵構(gòu)造具有高輸出擺幅D.共源共柵構(gòu)造具有高輸出阻抗特性第四章測(cè)試1【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于差動(dòng)放大電路的描述正確的選項(xiàng)是A.差動(dòng)模式使電路的偏置電路更簡(jiǎn)潔，輸出線性度更高B.差動(dòng)電路增大了輸出電壓擺幅C.差動(dòng)電路相對(duì)于單端電路，其芯片面積和功耗有所增加D.差動(dòng)電路能有效抑制共模噪聲2【多項(xiàng)選擇題】(10分)對(duì)于差分放大電路，以下說(shuō)法正確的選項(xiàng)是A.輸入共模電平越大,允許輸出的輸出擺幅就越大。B.輸入共模電平越大，利于實(shí)現(xiàn)高增益C.輸入共模電平越小，輸出擺幅越大，利于實(shí)現(xiàn)高增益D.輸入共模電平越大,允許輸出的輸出擺幅就越小。3【推斷題】(10分)抱負(fù)差分只放大輸入信號(hào)的差模局部，不放大共模局部對(duì)錯(cuò)4【單項(xiàng)選擇題】(10分)差分放大電路如圖，輸出端的電壓范圍為〔〕image.pngA.image.pngB.image.pngC.image.pngD.image.png5【多項(xiàng)選擇題】(10分)如圖電路，以下說(shuō)法正確的選項(xiàng)是〔〕image.pngA.當(dāng)足夠負(fù)時(shí),截止B.當(dāng)足夠負(fù)時(shí),導(dǎo)通C.D.當(dāng)時(shí)，小信號(hào)增益(即斜率)最大，線性度最好6【單項(xiàng)選擇題】(10分)如圖電路完全對(duì)稱(chēng)，考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)后，其差模小信號(hào)增益為〔〕image.pngA.image.pngB.image.pngC.image.pngD.image.png7【多項(xiàng)選擇題】(10分)關(guān)于差分信號(hào)和差分放大電路的說(shuō)法正確的選項(xiàng)是〔〕A.任意輸入信號(hào)Vin1和Vin2的差模重量是正負(fù)B.任意輸入信號(hào)Vin1和Vin2的共模重量是二者的平均值C.假設(shè)輸入信號(hào)和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信號(hào)。D.差分放大電路對(duì)任意輸入信號(hào)的響應(yīng)包含差模響應(yīng)和共模響應(yīng)兩局部8【推斷題】(10分)實(shí)際差分放大電路由于工藝誤差存在而非抱負(fù)，因此必定會(huì)消滅共模響應(yīng)對(duì)錯(cuò)9【推斷題】(10分)制共模噪聲力氣減弱。對(duì)錯(cuò)10【單項(xiàng)選擇題】(10分)關(guān)于差分放大器的說(shuō)法的是〔〕11【多項(xiàng)選擇題】(10分)以下關(guān)于共源共柵電流鏡的說(shuō)法正確的選項(xiàng)是〔〕A.共源共柵級(jí)屏蔽了輸出電壓變化的影響B(tài).犧牲了電壓余度C.提高了電流復(fù)制精度D.提高了電路的輸出阻抗2【推斷題】(10分)有源負(fù)載差動(dòng)對(duì)的輸出端是不對(duì)稱(chēng)的。A.A.差分放大電路只放大輸入信號(hào)的差模局部，不放大共模局部B.Gilbert單元是增益可變的放大器C.VGA是一種可變?cè)鲆娣糯笃鱀.共源共柵差分放大器的增益更大，但輸出共模電平難以確定第五章測(cè)試錯(cuò)B.對(duì)3【推斷題】(10分)有源負(fù)載差動(dòng)電路的小信號(hào)增益也可以使用半邊電路法來(lái)分析。A.對(duì)B.錯(cuò)4【多項(xiàng)選擇題】(10分)如圖電流鏡電路，說(shuō)法正確的有〔〕A.有 管時(shí)的電流復(fù)制精度比沒(méi)有 管時(shí)的電流復(fù)制精度高。B.沒(méi)有 管時(shí)，C.有 管時(shí)，D.有 管時(shí)，5【單項(xiàng)選擇題】(10分)如圖電路， 的最大值為〔〕A.B.C.D.6【單項(xiàng)選擇題】(10分)假設(shè)電路完全對(duì)稱(chēng)，且=〔〕

時(shí)，全部器件都飽和，那么A.B.1.5VC.2.3VD.7【單項(xiàng)選擇題】(10分)如圖使用有源電流鏡負(fù)載的差分放大電路，實(shí)現(xiàn)了將差動(dòng)輸入信號(hào)變成了輸出信號(hào)，完成了“雙端—單端”變換。A.雙端B.差動(dòng)C.差分D.單端8【推斷題】(10分)承受共源共柵構(gòu)造，不能提高輸出阻抗。A.對(duì)B.錯(cuò)9【推斷題】(10分)實(shí)際模擬集成電路通過(guò)根本電流鏡產(chǎn)生眾多的偏置電流電壓。A.對(duì)B.錯(cuò)10【推斷題】(10分)共源共柵電流鏡屏蔽了輸出電壓變化的影響，不能提高電流復(fù)制精度。A.對(duì)B.錯(cuò)第六章測(cè)試1【推斷題】(10分)假設(shè)系統(tǒng)傳輸函數(shù)H〔s〕的全部零點(diǎn)都位于左半平面時(shí)，系統(tǒng)是穩(wěn)定的A.錯(cuò)B.對(duì)2【推斷題】(10分)利用米勒效應(yīng)以及極點(diǎn)和結(jié)點(diǎn)的關(guān)聯(lián)關(guān)系分析電路的頻率特性時(shí)，可能漏掉電路中的零點(diǎn)。A.錯(cuò)B.對(duì)3【推斷題】(10分)由于下面的電路中結(jié)點(diǎn)XY之間只有一條信號(hào)通路，所以適用密勒定理。A.對(duì)B.錯(cuò)4【單項(xiàng)選擇題】(10分)的彌勒效應(yīng)〔〕CS放大器的 帶寬A.增大B.減小5【推斷題】(10分)由于零點(diǎn)在運(yùn)放的穩(wěn)定性中不起作用，因此在放大器頻率特性中可以無(wú)視。A.錯(cuò)B.對(duì)6【單項(xiàng)選擇題】(10分)零點(diǎn)意味著存在某一頻率fZ使輸出Vout等于〔〕A.1B.0C.27【單項(xiàng)選擇題】(10分)假設(shè)兩條通路到達(dá)輸出結(jié)點(diǎn)時(shí)信號(hào)極性一樣且傳輸函數(shù)存在零點(diǎn)，則為〔〕平面零點(diǎn)A.左半B.右半8【推斷題】(10分)該圖中， 不會(huì)產(chǎn)生密勒效應(yīng)。A.錯(cuò)B.對(duì)9【推斷題】(10分)輸入信號(hào)頻率從低頻到高頻變化過(guò)程中，線性電路的增益、輸入阻抗、噪聲等指標(biāo)不會(huì)隨頻率發(fā)生變化。A.對(duì)B.錯(cuò)10【單項(xiàng)選擇題】(10分)求該電路的極點(diǎn)A.1/(RC)A.1/(RC)B.1/(sRC)1【推斷題】(10分)反響可以提高電路增益的穩(wěn)定性。A.錯(cuò)B.對(duì)2【推斷題】(10分)由于增益帶寬之積為常數(shù)，故反響電路帶寬增加的同時(shí)，其增益必減小。A.對(duì)B.錯(cuò)第七章測(cè)試3【推斷題】(10分)放大器一般有四種，分別為電壓放大器，跨阻放大器，跨導(dǎo)放大器和電流放大器。A.對(duì)B.錯(cuò)4【單項(xiàng)選擇題】(10分)共源電路屬于〔〕類(lèi)型放大器。A.電壓放大器B.跨阻放大器5【單項(xiàng)選擇題】(10分)為了檢測(cè)輸出電壓，可以通過(guò)〔〕的方法實(shí)現(xiàn)。A.在相應(yīng)接口并聯(lián)電壓表B.串聯(lián)電流表6【單項(xiàng)選擇題】(10分)〔〕方法能夠使兩個(gè)電流信號(hào)相加。A.并聯(lián)B.串聯(lián)7【單項(xiàng)選擇題】(10分)引入電壓電壓反響后，電路的輸出阻抗變?yōu)闆](méi)有反響時(shí)的〔〕倍。A.B.8【推斷題】(10分)-倍。A.錯(cuò)B.對(duì)9【單項(xiàng)選擇題】(10分)電壓電流反響機(jī)制能夠使電路的輸入阻抗減小為無(wú)反響時(shí)的〔〕。A.B.10【推斷題】(10分)電流-電流反響可使電路的輸入阻抗轉(zhuǎn)變?yōu)橐M(jìn)反響機(jī)制之前的倍。第八章測(cè)試1【單項(xiàng)選擇題】(10分)10A1的