BOOST電路參數(shù)計算公式

(完整word版)BOOST電路參數(shù)計算公式(完整word版)BOOST電路參數(shù)計算公式(完整word版)BOOST電路參數(shù)計算公式輸出電容的選擇和你的開關(guān)頻率占空比還有紋波的要求有關(guān),和電感量沒有直接關(guān)系。也就說沒有所謂的搭配關(guān)系影響效率和MOS發(fā)熱。我感覺你的電感選小了，或者頻率選低了。電感選小了電感充電迅速完成,之后管子沒有關(guān)斷導(dǎo)致電感成了直流電阻負(fù)載，消耗電能并導(dǎo)致MOS發(fā)熱.如果頻率高的話可以緩解這種狀況，但是增加電感量是根本。再有Mos發(fā)熱還跟你的開關(guān)時間有關(guān)系，就是說加在mos管G極的信號是不是很好的方波，因為mos從截至到飽和必須劃過放大區(qū)，而放大區(qū)的結(jié)功耗要大的多。所以要求換過放大區(qū)的時間越短越好，就要求信號的上升下降沿要足夠陡峭。而mos管本G極和與DS之間是由比較的結(jié)電容的.所以要求mos前面的電路要有一定的驅(qū)動能力.下面是從網(wǎng)上看到的一個計算用例。你試一下。已知參數(shù):輸入電壓：12V———Vi輸出電壓：18V———Vo輸出電流：1A---Io輸出紋波:36mV—--Vpp工作頻率：100KHz-——f*＊***＊＊**＊*＊＊*＊*＊＊*＊＊＊＊＊***＊********＊＊*＊＊***＊＊＊＊＊**＊＊＊＊*******＊＊＊****＊*＊1：占空比穩(wěn)定工作時，每個開關(guān)周期，導(dǎo)通期間電感電流的增加等于關(guān)斷期間電感電流的減少，即Vi*don/(f＊L）=(Vo+Vd-Vi)＊（1-don)/（f*L），整理后有don=(Vo+Vd-Vi)/（Vo+Vd),參數(shù)帶入,don=0.5722：電感量先求每個開關(guān)周期內(nèi)電感初始電流等于輸出電流時的對應(yīng)電感的電感量其值為Vi*(1—don)/（f＊2＊Io)，參數(shù)帶入,Lx=38。5uH,deltaI=Vi*don/(L*f),參數(shù)帶入，deltaI=1.1A當(dāng)電感的電感量小于此值Lx時，輸出紋波隨電感量的增加變化較明顯，當(dāng)電感的電感量大于此值Lx時，輸出紋波隨電感量的增加幾乎不再變小，由于增加電感量可以減小磁滯損耗，另外考慮輸入波動等其他方面影響取L=60uH，deltaI=Vi*don/(L＊f）,參數(shù)帶入，deltaI=0.72A,I1=Io/(1—don)—（1/2）＊deltaI,I2=Io/（1-don)+（1/2）＊deltaI，參數(shù)帶入，I1=1。2A，I2=1。92A3:輸出電容:此例中輸出電容選擇位陶瓷電容，故ESR可以忽略C=Io＊don/（f*Vpp），參數(shù)帶入,C=99.5uF，3個33uF/25V陶瓷電容并聯(lián)4:磁環(huán)及線徑：查找磁環(huán)手冊選擇對應(yīng)峰值電流I2=1。92A時磁環(huán)不飽和的適合磁環(huán)Irms^2=（1/3)＊（I1^2+I2^2-I1＊I2)，參數(shù)帶入，irms=1.6A按此電流有效值及工作頻率選擇線徑其他參數(shù):電感：L占空比：don初始電流：I1