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【MOOC】半導(dǎo)體物理與器件-常熟理工學(xué)院中國大學(xué)慕課MOOC答案緒論小測驗(yàn)1、【判斷題】半導(dǎo)體電阻率和電阻是相同的概念。本題答案:【錯(cuò)誤】2、【填空題】半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和()之間?本題答案:【絕緣體】量子力學(xué)基礎(chǔ)11、【單選題】量子力學(xué)是物理學(xué)朝()領(lǐng)域發(fā)展的結(jié)果。本題答案:【微觀】2、【填空題】德布羅意物質(zhì)波的本質(zhì)是什么波?本題答案:【概率波##%_YZPRLFH_%##幾率波】晶體能帶隨堂測驗(yàn)1、【多選題】下列哪些屬于晶體能帶的特點(diǎn)?本題答案:【禁帶#允帶#能帶是由若干能級組成的不連續(xù)能帶】2、【判斷題】通常絕緣體的禁帶寬度比半導(dǎo)體禁帶寬度大。本題答案:【正確】3、【填空題】()定理用于描述晶體中電子的運(yùn)動(dòng)行為。本題答案:【布洛赫】有效質(zhì)量隨堂測驗(yàn)1、【單選題】半導(dǎo)體能帶頂部極值附近的電子有效質(zhì)量具有什么特點(diǎn)?本題答案:【有效質(zhì)量為負(fù)】2、【判斷題】半導(dǎo)體內(nèi)層電子所處的能帶較窄,二次微商小,具有較大的有效質(zhì)量。本題答案:【正確】3、【填空題】()質(zhì)量可以概括半導(dǎo)體內(nèi)部周期性勢場的作用。本題答案:【有效】半導(dǎo)體空穴隨堂測驗(yàn)1、【多選題】下列說話正確的是?本題答案:【空穴是價(jià)帶中少量的空狀態(tài)#空穴帶正電,具有正的有效質(zhì)量#空穴的移動(dòng)實(shí)質(zhì)上是共價(jià)鍵中電子的移動(dòng)?!侩S堂測驗(yàn)1、【單選題】室溫時(shí),下列半導(dǎo)體禁帶寬度的大小順序排列正確的是?本題答案:【砷化鎵硅鍺】2、【填空題】根據(jù)半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),可以將半導(dǎo)體分為直接帶隙半導(dǎo)體和()帶隙半導(dǎo)體。本題答案:【間接】隨堂測驗(yàn)1、【多選題】下列半導(dǎo)體分類,對應(yīng)關(guān)系正確的有?本題答案:【元素半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體#直接帶隙半導(dǎo)體與間接帶隙半導(dǎo)體#寬禁帶半導(dǎo)體與窄禁帶半導(dǎo)體#本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體】階段測試11、【單選題】試計(jì)算質(zhì)量為1×10^(-30)kg,速度為1×10^6m/s的微觀粒子的德布羅意物質(zhì)波波長?本題答案:【6.62×10^(-9)m】2、【單選題】多晶可以看成是由若干個(gè)()組成的。本題答案:【小單晶?!?、【單選題】下圖中(三條紅線圍成的)晶面的的晶面指數(shù)是?本題答案:【(322)】4、【單選題】原胞是晶體結(jié)構(gòu)中體積最小的重復(fù)單元,它只包含()個(gè)格點(diǎn)。本題答案:【1】5、【單選題】當(dāng)晶體中原子的間距越來越近時(shí),開始出現(xiàn)(),能級越(),分裂的程度越顯著。本題答案:【電子共有化運(yùn)動(dòng),高】6、【單選題】布洛赫波函數(shù)可以看著是振幅()的平面波,波函數(shù)在某一點(diǎn)的強(qiáng)度代表電子出現(xiàn)的()。本題答案:【周期性變化,概率】7、【單選題】絕緣體和半導(dǎo)體的能帶類似,但絕緣體的禁帶寬度一般要()半導(dǎo)體的禁帶寬度。本題答案:【大于】8、【單選題】一般把禁帶寬度大于或等于()的半導(dǎo)體材料歸類為寬禁帶半導(dǎo)體材料。本題答案:【2.3eV】9、【單選題】當(dāng)半導(dǎo)體硅中摻入磷原子時(shí),如果磷原子替代硅原子,電離后其效果是形成一個(gè)()中心和一個(gè)多余的()。本題答案:【正電中心,電子】10、【單選題】下列哪個(gè)能級是屬于淺能級?本題答案:【EA1】11、【多選題】根據(jù)導(dǎo)電能力的大小,可以將物質(zhì)分為哪幾類?本題答案:【絕緣體#半導(dǎo)體#導(dǎo)體】12、【多選題】集成電路的行業(yè)模式可以分為哪幾種?本題答案:【IDM#Fab#Fabless】13、【多選題】半導(dǎo)體晶體具有哪些特征?本題答案:【周期性#各向異性】14、【多選題】晶體結(jié)構(gòu)可以抽象為()加()?本題答案:【晶格點(diǎn)陣#基元】15、【多選題】晶體中能帶的特點(diǎn)有?本題答案:【能帶與能帶之間存在禁帶#低能級形成的能帶寬度一般小于高能級形成的能帶寬度#能帶是準(zhǔn)連續(xù)的】16、【填空題】利用()模型,可以對淺能級雜質(zhì)的電離能進(jìn)行估算?本題答案:【類氫】17、【填空題】若半導(dǎo)體中同時(shí)存在施主和受主摻雜,且施主摻雜濃度近似等于受主摻雜濃度,則該半導(dǎo)體稱為()半導(dǎo)體?本題答案:【高度補(bǔ)償】18、【填空題】金剛石結(jié)構(gòu)是由()組成復(fù)式格子。本題答案:【面心立方】19、【填空題】()是將雜質(zhì)離子通過電場加速、磁場選擇注入到半導(dǎo)體晶片以調(diào)控半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)的摻雜手段。本題答案:【離子注入】20、【填空題】根據(jù)能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),可以將半導(dǎo)體分為直接帶隙和()半導(dǎo)體。本題答案:【間接帶隙】隨堂測驗(yàn)1、【多選題】下列說法正確的有?本題答案:【絕對0K時(shí),費(fèi)米能級以下的量子態(tài)全部被電子占據(jù)#溫度不太高的情況下,費(fèi)米能級以上的量子態(tài)幾乎是空的】隨堂測驗(yàn)1、【單選題】本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級位于()。本題答案:【禁帶中線】2、【多選題】關(guān)于本征半導(dǎo)體,下列說法哪些是正確的?本題答案:【本征半導(dǎo)體的載流子濃度來源于本征激發(fā)#本征半導(dǎo)體,電子濃度等于空穴濃度#一定溫度下,半導(dǎo)體的禁帶寬度越大,本征載流子濃度越小】3、【判斷題】本征半導(dǎo)體是雜質(zhì)半導(dǎo)體中的一種。本題答案:【錯(cuò)誤】隨堂測驗(yàn)1、【單選題】對于單一摻雜的n型半導(dǎo)體,低溫下,其載流子主要來源于?本題答案:【施主雜質(zhì)電離】2、【多選題】下列說法正確的有?本題答案:【半導(dǎo)體器件一般工作在強(qiáng)電離區(qū)#雜質(zhì)半導(dǎo)體處于強(qiáng)電離狀態(tài)時(shí),其載流子濃度基本不變】3、【判斷題】雜質(zhì)能級上電子的分布規(guī)律與能帶中的電子分布規(guī)律一致。本題答案:【錯(cuò)誤】隨堂測驗(yàn)1、【單選題】服從玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)律的半導(dǎo)體具有哪個(gè)特征?本題答案:【其費(fèi)米能級位于禁帶內(nèi),且同導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂?shù)木嚯x較遠(yuǎn)】隨堂測驗(yàn)1、【單選題】下列哪個(gè)式子代表微分歐姆定律?本題答案:【】2、【多選題】下列哪些是電阻率的單位?本題答案:【#】3、【判斷題】空穴的漂移運(yùn)動(dòng)方向與電場方向一致。本題答案:【錯(cuò)誤】隨堂測驗(yàn)1、【多選題】下列說法正確的是?本題答案:【半導(dǎo)體的電阻率決定于載流子濃度和遷移率#本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度增加而單調(diào)下降】2、【填空題】在低于室溫的條件下,雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度主要由提供?本題答案:【雜質(zhì)電離】階段測驗(yàn)21、【單選題】簡并半導(dǎo)體,必須要用()分布函數(shù)來描述電子和空穴的統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律。本題答案:【費(fèi)米】2、【單選題】費(fèi)米能級越高,代表系統(tǒng)中有更多()能量的電子,費(fèi)米能級以上的量子態(tài)幾乎是()。本題答案:【高,空的】3、【單選題】電子直接從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶的過程稱為()。本題答案:【本征激發(fā)】4、【單選題】本征半導(dǎo)體的載流子來源于()。本題答案:【本征激發(fā)】5、【單選題】電子占據(jù)雜質(zhì)能級不可能發(fā)生的的情況是()。本題答案:【2個(gè)電子同時(shí)占據(jù)1個(gè)雜質(zhì)能級】6、【單選題】對于單一摻雜的n型半導(dǎo)體,其一般的電中性條件是()。本題答案:【】7、【單選題】高溫本征激發(fā)區(qū),單一摻雜的n型半導(dǎo)體,其電中性條件可以簡化為()。本題答案:【】8、【單選題】電離雜質(zhì)的散射幾率與溫度的關(guān)系為()。本題答案:【】9、【單選題】晶格聲學(xué)波振動(dòng),代表()的振動(dòng)。本題答案:【原胞質(zhì)心的振動(dòng)】10、【單選題】強(qiáng)電場情況下,載流子溫度()與晶格溫度()的關(guān)系為()。本題答案:【】11、【多選題】處于強(qiáng)電離區(qū)的單一摻雜n型半導(dǎo)體,具有哪些特征?本題答案:【##】12、【多選題】質(zhì)量作用定律體現(xiàn)在哪些方面()?本題答案:【與費(fèi)米能級無關(guān)#對于給定的半導(dǎo)體材料,只取決于溫度#】13、【多選題】下列關(guān)于本征半導(dǎo)體,說法正確的有?本題答案:【本征半導(dǎo)體是一塊沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體#本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級位于禁帶的中線附近#本征半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子濃度等于價(jià)帶空穴濃度#本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而單調(diào)下降】14、【多選題】半導(dǎo)體的散射機(jī)構(gòu)包括()。本題答案:【電離雜質(zhì)散射#聲學(xué)波散射#光學(xué)波散射#晶格振動(dòng)散射】15、【多選題】關(guān)于雜質(zhì)半導(dǎo)體電阻率隨溫度的變化關(guān)系描述正確的有()。本題答案:【低溫下,半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高而下降,主要因?yàn)檩d流子濃度隨溫度升高而升高,且雜質(zhì)電離散射幾率隨溫度升高而下降#高溫下,當(dāng)本征激發(fā)稱為主要矛盾時(shí),其電阻率隨溫度升高而下降#當(dāng)溫度升高到雜質(zhì)基本電離,且本征激發(fā)不顯著時(shí),晶格振動(dòng)散射成為影響電阻率的主要因素】16、【判斷題】對于給定的半導(dǎo)體,其費(fèi)米能級不隨溫度變化而變化。本題答案:【錯(cuò)誤】17、【判斷題】本征半導(dǎo)體制作的器件,其電學(xué)性質(zhì)具有較好的溫度穩(wěn)定性。本題答案:【錯(cuò)誤】18、【判斷題】一般情況下,禁帶寬度越大的半導(dǎo)體,其器件的極限工作溫度越高。本題答案:【正確】19、【判斷題】本征激發(fā)占主導(dǎo)地位時(shí),非簡并半導(dǎo)體的費(fèi)米能級趨于禁帶的中線位置。本題答案:【正確】20、【判斷題】特定溫度下,對于給定的半導(dǎo)體材料,電導(dǎo)率是常數(shù),與電場無關(guān)。本題答案:【錯(cuò)誤】21、【填空題】單位場強(qiáng)下的平均漂移速度稱為(),它反映了載流子做漂移運(yùn)動(dòng)的能力。本題答案:【遷移率】22、【填空題】()是一把標(biāo)尺,標(biāo)志著半導(dǎo)體中電子填充能
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