【MOOC】半導(dǎo)體物理與器件-常熟理工學院 中國大學慕課MOOC答案

【MOOC】半導(dǎo)體物理與器件-常熟理工學院中國大學慕課MOOC答案緒論小測驗1、【判斷題】半導(dǎo)體電阻率和電阻是相同的概念。本題答案：【錯誤】2、【填空題】半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和（）之間？本題答案：【絕緣體】量子力學基礎(chǔ)11、【單選題】量子力學是物理學朝（）領(lǐng)域發(fā)展的結(jié)果。本題答案：【微觀】2、【填空題】德布羅意物質(zhì)波的本質(zhì)是什么波？本題答案：【概率波##%_YZPRLFH_%##幾率波】晶體能帶隨堂測驗1、【多選題】下列哪些屬于晶體能帶的特點？本題答案：【禁帶#允帶#能帶是由若干能級組成的不連續(xù)能帶】2、【判斷題】通常絕緣體的禁帶寬度比半導(dǎo)體禁帶寬度大。本題答案：【正確】3、【填空題】（）定理用于描述晶體中電子的運動行為。本題答案：【布洛赫】有效質(zhì)量隨堂測驗1、【單選題】半導(dǎo)體能帶頂部極值附近的電子有效質(zhì)量具有什么特點？本題答案：【有效質(zhì)量為負】2、【判斷題】半導(dǎo)體內(nèi)層電子所處的能帶較窄，二次微商小，具有較大的有效質(zhì)量。本題答案：【正確】3、【填空題】（）質(zhì)量可以概括半導(dǎo)體內(nèi)部周期性勢場的作用。本題答案：【有效】半導(dǎo)體空穴隨堂測驗1、【多選題】下列說話正確的是？本題答案：【空穴是價帶中少量的空狀態(tài)#空穴帶正電，具有正的有效質(zhì)量#空穴的移動實質(zhì)上是共價鍵中電子的移動。】隨堂測驗1、【單選題】室溫時，下列半導(dǎo)體禁帶寬度的大小順序排列正確的是？本題答案：【砷化鎵硅鍺】2、【填空題】根據(jù)半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的特點，可以將半導(dǎo)體分為直接帶隙半導(dǎo)體和（）帶隙半導(dǎo)體。本題答案：【間接】隨堂測驗1、【多選題】下列半導(dǎo)體分類，對應(yīng)關(guān)系正確的有？本題答案：【元素半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體#直接帶隙半導(dǎo)體與間接帶隙半導(dǎo)體#寬禁帶半導(dǎo)體與窄禁帶半導(dǎo)體#本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體】階段測試11、【單選題】試計算質(zhì)量為1×10^(-30)kg,速度為1×10^6m/s的微觀粒子的德布羅意物質(zhì)波波長？本題答案：【6.62×10^（-9）m】2、【單選題】多晶可以看成是由若干個（）組成的。本題答案：【小單晶粒】3、【單選題】下圖中（三條紅線圍成的）晶面的的晶面指數(shù)是？本題答案：【（322）】4、【單選題】原胞是晶體結(jié)構(gòu)中體積最小的重復(fù)單元，它只包含（）個格點。本題答案：【1】5、【單選題】當晶體中原子的間距越來越近時，開始出現(xiàn)（），能級越（），分裂的程度越顯著。本題答案：【電子共有化運動，高】6、【單選題】布洛赫波函數(shù)可以看著是振幅（）的平面波，波函數(shù)在某一點的強度代表電子出現(xiàn)的（）。本題答案：【周期性變化，概率】7、【單選題】絕緣體和半導(dǎo)體的能帶類似，但絕緣體的禁帶寬度一般要（）半導(dǎo)體的禁帶寬度。本題答案：【大于】8、【單選題】一般把禁帶寬度大于或等于（）的半導(dǎo)體材料歸類為寬禁帶半導(dǎo)體材料。本題答案：【2.3eV】9、【單選題】當半導(dǎo)體硅中摻入磷原子時，如果磷原子替代硅原子，電離后其效果是形成一個（）中心和一個多余的（）。本題答案：【正電中心，電子】10、【單選題】下列哪個能級是屬于淺能級？本題答案：【EA1】11、【多選題】根據(jù)導(dǎo)電能力的大小，可以將物質(zhì)分為哪幾類？本題答案：【絕緣體#半導(dǎo)體#導(dǎo)體】12、【多選題】集成電路的行業(yè)模式可以分為哪幾種？本題答案：【IDM#Fab#Fabless】13、【多選題】半導(dǎo)體晶體具有哪些特征？本題答案：【周期性#各向異性】14、【多選題】晶體結(jié)構(gòu)可以抽象為（）加（）？本題答案：【晶格點陣#基元】15、【多選題】晶體中能帶的特點有？本題答案：【能帶與能帶之間存在禁帶#低能級形成的能帶寬度一般小于高能級形成的能帶寬度#能帶是準連續(xù)的】16、【填空題】利用（）模型，可以對淺能級雜質(zhì)的電離能進行估算？本題答案：【類氫】17、【填空題】若半導(dǎo)體中同時存在施主和受主摻雜，且施主摻雜濃度近似等于受主摻雜濃度，則該半導(dǎo)體稱為（）半導(dǎo)體？本題答案：【高度補償】18、【填空題】金剛石結(jié)構(gòu)是由（）組成復(fù)式格子。本題答案：【面心立方】19、【填空題】（）是將雜質(zhì)離子通過電場加速、磁場選擇注入到半導(dǎo)體晶片以調(diào)控半導(dǎo)體電學性質(zhì)的摻雜手段。本題答案：【離子注入】20、【填空題】根據(jù)能帶結(jié)構(gòu)的特點，可以將半導(dǎo)體分為直接帶隙和（）半導(dǎo)體。本題答案：【間接帶隙】隨堂測驗1、【多選題】下列說法正確的有？本題答案：【絕對0K時，費米能級以下的量子態(tài)全部被電子占據(jù)#溫度不太高的情況下，費米能級以上的量子態(tài)幾乎是空的】隨堂測驗1、【單選題】本征半導(dǎo)體的費米能級位于（）。本題答案：【禁帶中線】2、【多選題】關(guān)于本征半導(dǎo)體，下列說法哪些是正確的？本題答案：【本征半導(dǎo)體的載流子濃度來源于本征激發(fā)#本征半導(dǎo)體，電子濃度等于空穴濃度#一定溫度下，半導(dǎo)體的禁帶寬度越大，本征載流子濃度越小】3、【判斷題】本征半導(dǎo)體是雜質(zhì)半導(dǎo)體中的一種。本題答案：【錯誤】隨堂測驗1、【單選題】對于單一摻雜的n型半導(dǎo)體，低溫下，其載流子主要來源于？本題答案：【施主雜質(zhì)電離】2、【多選題】下列說法正確的有？本題答案：【半導(dǎo)體器件一般工作在強電離區(qū)#雜質(zhì)半導(dǎo)體處于強電離狀態(tài)時，其載流子濃度基本不變】3、【判斷題】雜質(zhì)能級上電子的分布規(guī)律與能帶中的電子分布規(guī)律一致。本題答案：【錯誤】隨堂測驗1、【單選題】服從玻爾茲曼統(tǒng)計律的半導(dǎo)體具有哪個特征？本題答案：【其費米能級位于禁帶內(nèi)，且同導(dǎo)帶底、價帶頂?shù)木嚯x較遠】隨堂測驗1、【單選題】下列哪個式子代表微分歐姆定律？本題答案：【】2、【多選題】下列哪些是電阻率的單位？本題答案：【#】3、【判斷題】空穴的漂移運動方向與電場方向一致。本題答案：【錯誤】隨堂測驗1、【多選題】下列說法正確的是？本題答案：【半導(dǎo)體的電阻率決定于載流子濃度和遷移率#本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度增加而單調(diào)下降】2、【填空題】在低于室溫的條件下，雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度主要由提供？本題答案：【雜質(zhì)電離】階段測驗21、【單選題】簡并半導(dǎo)體，必須要用（）分布函數(shù)來描述電子和空穴的統(tǒng)計分布規(guī)律。本題答案：【費米】2、【單選題】費米能級越高，代表系統(tǒng)中有更多（）能量的電子，費米能級以上的量子態(tài)幾乎是（）。本題答案：【高，空的】3、【單選題】電子直接從價帶躍遷到導(dǎo)帶的過程稱為（）。本題答案：【本征激發(fā)】4、【單選題】本征半導(dǎo)體的載流子來源于（）。本題答案：【本征激發(fā)】5、【單選題】電子占據(jù)雜質(zhì)能級不可能發(fā)生的的情況是（）。本題答案：【2個電子同時占據(jù)1個雜質(zhì)能級】6、【單選題】對于單一摻雜的n型半導(dǎo)體，其一般的電中性條件是（）。本題答案：【】7、【單選題】高溫本征激發(fā)區(qū)，單一摻雜的n型半導(dǎo)體，其電中性條件可以簡化為（）。本題答案：【】8、【單選題】電離雜質(zhì)的散射幾率與溫度的關(guān)系為（）。本題答案：【】9、【單選題】晶格聲學波振動，代表（）的振動。本題答案：【原胞質(zhì)心的振動】10、【單選題】強電場情況下，載流子溫度()與晶格溫度()的關(guān)系為（）。本題答案：【】11、【多選題】處于強電離區(qū)的單一摻雜n型半導(dǎo)體，具有哪些特征？本題答案：【##】12、【多選題】質(zhì)量作用定律體現(xiàn)在哪些方面（）？本題答案：【與費米能級無關(guān)#對于給定的半導(dǎo)體材料，只取決于溫度#】13、【多選題】下列關(guān)于本征半導(dǎo)體，說法正確的有？本題答案：【本征半導(dǎo)體是一塊沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體#本征半導(dǎo)體的費米能級位于禁帶的中線附近#本征半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子濃度等于價帶空穴濃度#本征半導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而單調(diào)下降】14、【多選題】半導(dǎo)體的散射機構(gòu)包括（）。本題答案：【電離雜質(zhì)散射#聲學波散射#光學波散射#晶格振動散射】15、【多選題】關(guān)于雜質(zhì)半導(dǎo)體電阻率隨溫度的變化關(guān)系描述正確的有（）。本題答案：【低溫下，半導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高而下降，主要因為載流子濃度隨溫度升高而升高，且雜質(zhì)電離散射幾率隨溫度升高而下降#高溫下，當本征激發(fā)稱為主要矛盾時，其電阻率隨溫度升高而下降#當溫度升高到雜質(zhì)基本電離，且本征激發(fā)不顯著時，晶格振動散射成為影響電阻率的主要因素】16、【判斷題】對于給定的半導(dǎo)體，其費米能級不隨溫度變化而變化。本題答案：【錯誤】17、【判斷題】本征半導(dǎo)體制作的器件，其電學性質(zhì)具有較好的溫度穩(wěn)定性。本題答案：【錯誤】18、【判斷題】一般情況下，禁帶寬度越大的半導(dǎo)體，其器件的極限工作溫度越高。本題答案：【正確】19、【判斷題】本征激發(fā)占主導(dǎo)地位時，非簡并半導(dǎo)體的費米能級趨于禁帶的中線位置。本題答案：【正確】20、【判斷題】特定溫度下，對于給定的半導(dǎo)體材料，電導(dǎo)率是常數(shù)，與電場無關(guān)。本題答案：【錯誤】21、【填空題】單位場強下的平均漂移速度稱為（），它反映了載流子做漂移運動的能力。本題答案：【遷移率】22、【填空題】（）是一把標尺，標志著半導(dǎo)體中電子填充能