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§17-18人為雙折射以人為(外界)條件使某些非晶體變成各向異性,從而顯示出雙折射性質(zhì),稱(chēng)人為雙折射。1.光彈性效應(yīng)應(yīng)力→各向異性→
各向不同→n各向不同P1P2
··dS干涉有機(jī)玻璃cFF在一定應(yīng)力范圍內(nèi):各處不同→各處不同→出現(xiàn)干涉條紋
變→變→干涉情況變。光彈性效應(yīng)經(jīng)人為雙折射產(chǎn)生的e光與o光的位相差為光測(cè)彈性學(xué):利用光彈性效應(yīng)來(lái)研究應(yīng)力分布的方法。光彈性效應(yīng)2.電光效應(yīng)
各向同性介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下變?yōu)楦飨虍愋远a(chǎn)生雙折射,稱(chēng)為克爾效應(yīng);各向異性介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下要改變?cè)械碾p折射性質(zhì),稱(chēng)為泡克爾斯效應(yīng);這兩種現(xiàn)象都稱(chēng)為電光效應(yīng),也叫電致雙折射效應(yīng)。(1)克爾效應(yīng)
(1875年)
不加電場(chǎng)→液體各向同性→P2無(wú)透射光
加電場(chǎng)→液體呈單軸雙折射晶體性質(zhì),其光軸平行于外電場(chǎng)
P2有透射光l+-45
45
P1P2克爾盒d電光效應(yīng)——二次電光效應(yīng)其中
E—電場(chǎng)強(qiáng)度,k
—克爾常數(shù)??藸栃?yīng)引起的e光與o光的相位差為:當(dāng)時(shí),克爾盒相當(dāng)于一個(gè)半波片,P2透光最強(qiáng)。克爾效應(yīng)引起的e光與o光的光程差為:電光效應(yīng)若l=3cm,d=0.8cm,入射光為λ=600nm的黃光,則可得發(fā)生
k=
時(shí)的電壓為:克爾盒的應(yīng)用:高速電光開(kāi)關(guān),電光調(diào)制器。硝基苯溶液的克爾常數(shù)為克爾盒的缺點(diǎn):所用液體常有劇毒,易爆炸。電光效應(yīng)(2)泡克爾斯效應(yīng)(1893年)。泡克爾斯盒電光晶體+。-P1P2KK
··
不加電場(chǎng)→P2
無(wú)透射光
加電場(chǎng)→晶體變雙軸晶體→原光軸方向附加了雙折射效應(yīng)→P2
有透射光。電光效應(yīng)泡克爾斯效應(yīng)引起的相位差:——線性電光效應(yīng)其中no—o光在晶體中的折射率;
V
—電壓;
r
—電光常數(shù)。應(yīng)用:電光開(kāi)關(guān)、電光調(diào)制器。如軍用固體激光測(cè)距機(jī)。優(yōu)點(diǎn):響應(yīng)時(shí)間短,外加電壓低,克爾效應(yīng)的十分之一。電光效應(yīng)佛克脫效應(yīng):發(fā)生于蒸汽中科頓-穆頓效應(yīng):發(fā)生于液體中
o—光在真空中的波長(zhǎng);H—磁場(chǎng)強(qiáng)度;C—常數(shù)。3.
磁致雙折射效應(yīng)在外磁場(chǎng)作用下,某些非晶體也會(huì)顯示出雙折射性質(zhì),稱(chēng)人為磁致雙折射效應(yīng)。電光效應(yīng)佛克脫效應(yīng):發(fā)生于蒸汽中科頓-穆頓效應(yīng):發(fā)生于液體中
o—光在真空中的波長(zhǎng);H—磁場(chǎng)強(qiáng)度;C—
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