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大功率變流技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋浙江大學(xué)第一章單元測(cè)試
電力電子是哪三大學(xué)科的交叉融合?()。
A:電力
B:控制
C:電子
D:電機(jī)
答案:電力
;控制
;電子
中壓大容量變流系統(tǒng)中,整流器與逆變器之間的儲(chǔ)能環(huán)節(jié)的電感Ld,大多數(shù)情況下可以使用母排的寄生電感。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)目前風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用場(chǎng)景下,常用的變換器功率等級(jí)是?()。
A:10MW
B:300MW
C:100MW
D:3000MW
答案:10MW
NeutralPointClamped(NPC)、CascadedH-Bridge(CHB)、FlyingCapacitor(FC)都屬于多電平電壓源變換器。()。
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)中壓大容量變流系統(tǒng)中,網(wǎng)側(cè)變流器面臨的主要挑戰(zhàn)包括?()
A:如何抑制PWM斬波引起的dv/dt噪聲以及波反射效應(yīng)
B:如何抑制電網(wǎng)與整流器之間,由于無(wú)源電感和無(wú)源電容引發(fā)的諧振
C:如何降低整流器的非線性因素引起的網(wǎng)側(cè)電流畸變
D:如何提高網(wǎng)側(cè)的功率因數(shù)
答案:如何抑制電網(wǎng)與整流器之間,由于無(wú)源電感和無(wú)源電容引發(fā)的諧振
;如何降低整流器的非線性因素引起的網(wǎng)側(cè)電流畸變
;如何提高網(wǎng)側(cè)的功率因數(shù)
第二章單元測(cè)試
器件串聯(lián)靜態(tài)失衡包括以下哪些原因()。
A:導(dǎo)通電阻
B:漏電流
C:芯片溫度
D:線路寄生電感
答案:漏電流
;芯片溫度
在功率器件串聯(lián)應(yīng)用中,過(guò)壓箝位的主動(dòng)均衡法無(wú)法實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)均壓。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)用正弦波來(lái)等效上升沿信號(hào)的帶寬,信號(hào)的等效頻率與信號(hào)上升時(shí)間滿足怎樣的關(guān)系?()。
A:f=0.5/tr
B:f=2/tr
C:f=4/tr
D:f=0.25/tr
答案:f=0.25/tr
壓接式封裝相比焊接式封裝的功率器件,更加適用于高壓大功率應(yīng)用場(chǎng)景。()。
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)以下哪些屬于隔離檢測(cè)電流的儀器或配件?()
A:羅氏線圈
B:電流探頭
C:電流互感器
D:同軸電阻
答案:羅氏線圈
;電流探頭
;電流互感器
第三章單元測(cè)試
兩電平逆變器同一個(gè)橋臂的上下兩管既不能同時(shí)開通,也要避免長(zhǎng)時(shí)間的同時(shí)關(guān)斷。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)三相兩電平逆變器的正弦波調(diào)制通過(guò)改變每相載波的相位,可以抑制輸出的共模電壓。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)正弦波調(diào)制采用過(guò)調(diào)制的方式可以提升直流電壓利用率。()。
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)空間矢量調(diào)制技術(shù)中五段碼相比于七段碼?()。
A:開關(guān)損耗高
B:開關(guān)損耗低
C:輸出波形THD高
D:輸出波形THD低
答案:開關(guān)損耗低
;輸出波形THD高
空間矢量調(diào)制技術(shù)的開關(guān)序列一般以零矢量作為起始矢量,這是為了保證兩個(gè)開關(guān)周期間切換時(shí)沒(méi)有額外的開關(guān)動(dòng)作。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
第四章單元測(cè)試
對(duì)于CHB拓?fù)?,采用載波層疊調(diào)制的輸出電流諧波更?。ǎ?/p>
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)CHB拓?fù)涞目刂茝?fù)雜,而且隨著級(jí)聯(lián)的級(jí)數(shù)增加,其控制復(fù)雜性會(huì)成倍增加()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)以下關(guān)于CHB拓?fù)涞闹绷髟凑f(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
A:直流電源多由采用移相變壓器供電的多脈沖二極管整流器得到
B:各級(jí)聯(lián)H橋的直流源電壓可以不同
C:CHB拓?fù)湫枰嗦藩?dú)立的直流電源
D:對(duì)于單相m電平的CHB逆變器來(lái)說(shuō),總共需要(m-1)個(gè)直流源
答案:對(duì)于單相m電平的CHB逆變器來(lái)說(shuō),總共需要(m-1)個(gè)直流源
以下關(guān)于H橋拓?fù)湔{(diào)制方法中錯(cuò)誤的是()。
A:單極性調(diào)制的等效開關(guān)頻率可以是雙極性調(diào)制的兩倍
B:單極性調(diào)制輸出的THD比雙極性調(diào)制的更低
C:單極性調(diào)制的開關(guān)損耗比雙極性調(diào)制的更高
D:可以采用雙極性和單極性兩種調(diào)制方法
答案:單極性調(diào)制的開關(guān)損耗比雙極性調(diào)制的更高
關(guān)于載波移相調(diào)制和載波層疊調(diào)制,下列說(shuō)法哪些是正確的()。
A:兩者等效的開關(guān)頻率是相同的
B:載波層疊調(diào)制的控制復(fù)雜比載波移相調(diào)制要高,但是其輸出THD更小一些
C:載波層疊調(diào)制時(shí)需要額外采用開關(guān)模式的輪詢來(lái)使各開關(guān)器件損耗保持均衡
D:這兩種調(diào)制方法均為單極性的調(diào)制方法
答案:載波層疊調(diào)制的控制復(fù)雜比載波移相調(diào)制要高,但是其輸出THD更小一些
;載波層疊調(diào)制時(shí)需要額外采用開關(guān)模式的輪詢來(lái)使各開關(guān)器件損耗保持均衡
;這兩種調(diào)制方法均為單極性的調(diào)制方法
第五章單元測(cè)試
多電平變換器的一個(gè)核心目標(biāo)是要降低器件的電壓應(yīng)力()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)多電平拓?fù)錈o(wú)法采用空間矢量調(diào)制()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)m電平二極管箝位型拓?fù)錁?gòu)成的三相變流器所需開關(guān)數(shù)量是()。
A:3(m-1)(m-2)
B:6(m-2)
C:6(m-1)
D:6(m-1)(m-2)
答案:6(m-1)
以下關(guān)于共直流母線型多電平變流器的敘述中錯(cuò)誤的是()。
A:二極管箝位型多電平拓?fù)涞娜禽d波可以采用交替反相,APOD的方式
B:載波層疊調(diào)制法會(huì)造成二極管箝位型多電平拓?fù)涞拈_關(guān)器件損耗不均
C:五電平飛跨電容拓?fù)錁?gòu)成的三相變流器的線電壓最多為九電平
D:五電平飛跨電容拓?fù)湔{(diào)制時(shí)要用三個(gè)載波
答案:五電平飛跨電容拓?fù)湔{(diào)制時(shí)要用三個(gè)載波
關(guān)于飛跨電容型多電平拓?fù)?,下列說(shuō)法哪些是正確的()。
A:相比于同功率等級(jí)的兩電平拓?fù)?,飛跨電容型多電平拓?fù)涞腅MI比較小
B:飛跨電容型多電平拓?fù)渌桦娙輸?shù)跟電平數(shù)呈平方關(guān)系
C:飛跨電容型多電平拓?fù)渲械娘w跨電容可以不需要預(yù)充電電路
D:飛跨電容型多電平拓?fù)渲谐巳娖胶退碾娖揭酝猓嚯娖降耐負(fù)鋺?yīng)用較少
答案:相比于同功率等級(jí)的兩電平拓?fù)?,飛跨電容型多電平拓?fù)涞腅MI比較小
;飛跨電容型多電平拓?fù)渌桦娙輸?shù)跟電平數(shù)呈平方關(guān)系
;飛跨電容型多電平拓?fù)渲谐巳娖胶退碾娖揭酝?,更多電平的拓?fù)鋺?yīng)用較少
第六章單元測(cè)試
從理論上講,提高拓?fù)涞碾娖綌?shù),能夠降低輸出電壓的THD。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)若功率器件電壓等級(jí)相同,NPC/H-Bridge拓?fù)淇梢暂敵龅碾妷阂葌鹘y(tǒng)的H橋級(jí)聯(lián)拓?fù)涓?。(?/p>
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)以下對(duì)NPC/H-Bridge組合型5電平拓?fù)涿枋鲥e(cuò)誤的是()。
A:相比于CHBInverter,單個(gè)模塊能輸出的功率更大
B:相比于CHBInverter,單個(gè)模塊能輸出的電平更多
C:所需的功率器件數(shù)更多
D:相比于CHBInverter,調(diào)制時(shí)可用的冗余矢量更多
答案:相比于CHBInverter,調(diào)制時(shí)可用的冗余矢量更多
以下對(duì)ANPC/FC拓?fù)涿枋雒枋鲥e(cuò)誤的是()。
A:與同樣電平數(shù)的ANPC相比,所用開關(guān)器件更少
B:模塊化程度高
C:由于結(jié)構(gòu)對(duì)稱,因此調(diào)制較為簡(jiǎn)單
D:飛跨電容限制了裝置容量的提升
答案:由于結(jié)構(gòu)對(duì)稱,因此調(diào)制較為簡(jiǎn)單
關(guān)于混合型多電平拓?fù)涞恼{(diào)制,描述正確的是()。
A:NPC/H-Bridge五電平拓?fù)淇梢圆捎每臻g矢量調(diào)制策略
B:ANPC/FC五電平中一半開關(guān)管和另一半開關(guān)管是互補(bǔ)導(dǎo)通的
C:ANPC/FC五電平中冗余矢量比NPC/H-Bridge五電平的冗余矢量多
D:NPC/H-Bridge五電平拓?fù)洌粯虮鄣膬蓚€(gè)上管不能同時(shí)導(dǎo)通
答案:NPC/H-Bridge五電平拓?fù)淇梢圆捎每臻g矢量調(diào)制策略
;ANPC/FC五電平中一半開關(guān)管和另一半開關(guān)管是互補(bǔ)導(dǎo)通的
第七章單元測(cè)試
模塊化多電平拓?fù)渌哂械膬?yōu)點(diǎn)有()。
A:避免了功率器件的直接串聯(lián)
B:橋臂子模塊電容電壓波動(dòng)小
C:輸出電壓諧波含量低
D:可靈活配置功率和電壓等級(jí)
答案:可靈活配置功率和電壓等級(jí)
MMC半橋子模塊可以輸出正、負(fù)直流電壓兩種電平。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)當(dāng)MMC橋臂子模塊數(shù)較多時(shí),模塊化多電平拓?fù)涑S玫恼{(diào)制方式()。
A:空間矢量調(diào)制
B:載波移相調(diào)制
C:載波層疊調(diào)制
D:最近電平逼近調(diào)制
答案:最近電平逼近調(diào)制
通過(guò)合理分配冗余矢量的方法可以實(shí)現(xiàn)MMC橋臂子模塊電容電壓的均衡()。
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)以下哪種MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不具有直流故障穿越功能。()
A:半橋子模塊MMC拓?fù)?HBSM)
B:二極管箝位型子模塊MMC拓?fù)?CDSM)
C:全橋T型三電平子模塊MMC拓?fù)?FBTSM)
D:全橋子模塊MMC拓?fù)?FBSM)
答案:半橋子模塊MMC拓?fù)?HBSM)
第八章單元測(cè)試
電流源型逆變器的特點(diǎn)有()。
A:每一個(gè)開關(guān)管都需要反并二極管
B:在確定的PWM調(diào)制下,三相輸出電流基本不隨負(fù)荷變化
C:相比于電壓源型逆變器,輸出電壓的正弦度更高
D:每一個(gè)開關(guān)管都有互補(bǔ)導(dǎo)通的開關(guān)管
答案:在確定的PWM調(diào)制下,三相輸出電流基本不隨負(fù)荷變化
;相比于電壓源型逆變器,輸出電壓的正弦度更高
對(duì)于電流源型逆變器,其輸出電流是PWM波,在其輸出端加濾波電感,可以使得端口上的電壓接近于正弦波,電流也更接近正弦波。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)對(duì)于三相6開關(guān)的電流源型逆變器,同一時(shí)刻有且只能有幾個(gè)開關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通()。
A:4
B:3
C:1
D:2
答案:2
對(duì)于電流源型逆變器,如果其輸出端沒(méi)有濾波電容,則電機(jī)繞組電感上的電流變化率很大,會(huì)產(chǎn)生很大的電壓,進(jìn)而將電機(jī)繞組的絕緣擊穿()。
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)對(duì)于電流源型逆變器,在輸出端正確配置濾波器的情況下,其輸出端電流、電機(jī)端電流、電機(jī)端電壓分別為()
A:脈沖波、較好的正弦波、較好的正弦波
B:較好的正弦波、脈沖波、脈沖波
C:較好的正弦波、較好的正弦波、較好的正弦波
D:脈沖波、脈沖波、脈沖波
答案:脈沖波、較好的正弦波、較好的正弦波
第九章單元測(cè)試
二極管六脈波整流技術(shù)有哪些不足?()。
A:不具備直流電壓調(diào)節(jié)能力
B:在大容量應(yīng)用場(chǎng)合,需要器件的直接串聯(lián)或者并聯(lián)
C:功率因數(shù)低
D:THD高
答案:不具備直流電壓調(diào)節(jié)能力
;在大容量應(yīng)用場(chǎng)合,需要器件的直接串聯(lián)或者并聯(lián)
;功率因數(shù)低
;THD高
相比于6脈波整流,
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