【KS5U原創(chuàng)】新課標(biāo)2021年高二暑假化學(xué)作業(yè)(六)

新課標(biāo)2021年高二暑假化學(xué)作業(yè)（六）一、選擇題（本題共7道小題）1.下列各組元素性質(zhì)的遞變狀況錯誤的是（）A．Na、Mg、Al原子最外層電子數(shù)依次增多B．P、S、Cl元素最高正價依次上升C．N、O、F第一電離能依次增大D．Na、K、Rb電負(fù)性漸漸減小2.下列表示式錯誤的是（）A．Na+的軌道表示式：B．Na+的結(jié)構(gòu)示意圖：C．Na的電子排布式：1s22s22p63s1D．Na的簡化電子排布式：[Ne]3s13.短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、w、Y具有如下信息：①R、Y原子的最外層電子數(shù)與電子層數(shù)相同；@Q是地殼中含量最高的元素，R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù)；③w與R同主旅。下列說法正確的是

(

)A．T、Q、w、Y的原子半徑大小為：T<Q<Y<wB．Q與w形成的兩種常見化合物中含有相同比例的陰、陽離子，屬于同種晶體類型C．Q與Y組成的常見物質(zhì)是一種堿性氧化物D．由Y和T組成的物質(zhì)YT是原子晶體，在電子和陶瓷工業(yè)上有廣泛應(yīng)用，可以直接由單質(zhì)Y和T在低溫下合成4.第ⅤA族元素的原子R與A原子結(jié)合形成RA3氣態(tài)分子，其立體結(jié)構(gòu)呈三角錐形．RCl5在氣態(tài)和液態(tài)時，分子結(jié)構(gòu)如圖所示，下列關(guān)于RCl5分子的說法中不正確的是（）A．分子中5個R﹣Cl鍵鍵能不都相同B．鍵角（Cl﹣R﹣Cl）有90°、120、180°幾種C．RCl5受熱后會分解生成分子立體結(jié)構(gòu)呈三角錐形的RCl3D．每個原子都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)5.短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，W、X原子的最外電子層電子數(shù)之比為4：3，Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4．下列說法正確的是（）A．W、Y、Z的電負(fù)性大小挨次確定是Z＞Y＞W(wǎng)B．W、X、Y、Z的原子半徑大小挨次可能是W＞X＞Y＞ZC．Y、Z形成的分子的空間構(gòu)型可能是正四周體D．若有WY2，則WY2分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比是2：16.以下比較中，正確的是（）A.微粒半徑：F﹣＞O2﹣＞Na+＞Li+B.電負(fù)性Cl＞C，酸性：HClO4＞H2CO3C.分子中的鍵角：CH4＞H2O＞CO2D.穩(wěn)定性：LiCl＜NaCl＜KCl＜RbCl7.有M、X、Y、Z、W五種原子序數(shù)依次增大的短周期元素，其中M、Z同主族；X＋與M2－具有相同的電子層結(jié)構(gòu)；原子半徑：Z＞W(wǎng)；Y的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)高、硬度大，是一種重要的半導(dǎo)體材料。下列說法正確的是(

)A．X、M兩種元素形成的化合物只能存在離子鍵B．元素Y、Z、W的單質(zhì)晶體屬于同種類型的晶體C．由于W、Z、M元素的氫化物相對分子質(zhì)量依次減小，所以其沸點(diǎn)依次降低D．元素W和M的某些單質(zhì)可作為水處理中的消毒劑

二、填空題（本題共3道小題）8.（1）肼（N2H4）分子可視為NH3分子中的一個氫原子被﹣NH2（氨基）取代形成的另一種氮的氫化物．①NH3分子的空間構(gòu)型是

；N2H4分子中氮原子軌道的雜化類型是

．②肼可用作火箭燃料，燃燒時發(fā)生的反應(yīng)是：N2O4+2N2H4═3N2+4H2O若該反應(yīng)中有4molN﹣H鍵斷裂，則形成的π鍵有

mol．（2）ⅥA族元素氧、硫、硒（Se）的化合物在爭辯和生產(chǎn)中有很多重要用途．請回答下列問題：①H2Se的酸性比H2S

（填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為

，SO32﹣離子的立體構(gòu)型為

．②請依據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的緣由：

．9.硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)?；卮鹣铝袉栴}：（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為______，該能層具有的原子軌道數(shù)為_____、電子數(shù)為____。（2）硅主要以硅酸鹽、______等化合物的形式存在于地殼中。（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以______相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)______個原子。（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上接受Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________________。（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：

化學(xué)鍵C—CC—HC一OSi—SiSi—HSi一O鍵能／(kJ·mol－1)356413336226318452

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，緣由是_____________。②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，緣由是__________________________。（6）在硅酸鹽中，SiO44－四周體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為__________。Si與O的原子數(shù)之比為__________________。10.I．下表為周期表的一部分，其中的編號代表對應(yīng)的元素。(1)寫出上表中元素I的價層電子排布圖

。元素C、D、E、F的第一電離能由大到小的挨次是

(用元素符號表示)。(2)元素A分別與C、D、E形成最簡潔的常見化合物分子甲、乙和丙。下列有關(guān)敘述不正確的有（

）A．甲、乙和丙分子的空間構(gòu)型分別為正四周體形、三角錐形、V形B．甲、乙和丙分子中，中心原子均實(shí)行sp3的雜化方式C．三種分子中鍵角由大到小的挨次是丙>乙>甲D．甲、乙和丙分子均為由極性鍵構(gòu)成的極性分子(3)由元素J、C、E組成一種化學(xué)式為J(CE)的配位化合物，該物質(zhì)常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為一20．5℃，沸點(diǎn)為103~C，易溶于非極性溶劑。據(jù)此可推斷：該化合物的晶體中存在的作用力有（

）A．

離子鍵B．極性鍵C．非極性鍵D．范德華力E．氫鍵F．配位鍵Ⅱ．(1)BCl3中B原子的雜化方式為

。第一電離能介于B、N之間的其次周期元素有

種。寫出與BCl3結(jié)構(gòu)相同的一種等電子體

(寫離子)。(2)科學(xué)家測得膽礬中既含有配位鍵，又含有氫鍵，其結(jié)構(gòu)示意圖可簡潔表示如下：

①膽礬的化學(xué)式用協(xié)作物的形式表示為的

②膽礬中SO42-的空間構(gòu)型為

評卷人得分三、試驗(yàn)題（本題共0道小題,,共0分）

試卷答案1.C考點(diǎn)：同一周期內(nèi)元素性質(zhì)的遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系；同一主族內(nèi)元素性質(zhì)遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系．分析：A、依據(jù)Na、Mg、Al原子的核外電子排布分析；B、依據(jù)P、S、Cl最外層電子數(shù)目=元素的最高正價（氧、氟除外）；C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小，第IIIA和第VA族反常；D、同主族元素從上到下元素的電負(fù)性漸漸減弱．解答：解：A、Na、Mg、Al原子的核外電子分別為11、12、13，原子最外層電子數(shù)分別為1、2、3，漸漸增多，故A正確；B、P、S、Cl最外層電子數(shù)目分別為5、6、7，最高正化合價分別為+5、+6、+7，故B正確；C、同周期從左到右元素的第一電離能依次減小，第IIIA和第VA族反常，O、N、F第一電離能依次增大，故C錯誤；D．同主族元素從上到下元素的電負(fù)性依次減弱，則Na、K、Rb元素的電負(fù)性漸漸減小，故D正確．故選C．點(diǎn)評：本題考查元素周期律，明確同主族、同周期元素的性質(zhì)變化規(guī)律是解答本題的關(guān)鍵，難度不大．2.A考點(diǎn)：原子核外電子排布；原子結(jié)構(gòu)示意圖．分析：鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1，或?qū)憺閇Ne]3s1，Na+的原子核內(nèi)有11個質(zhì)子，核外有10個電子，Na為金屬元素，易失去電子，所以其價電子排布式為：3s1，軌道表示式用箭頭“↑”或“↓”來區(qū)分自旋方向的不同電子，每個軌道最多容納2個電子且自旋方向相反，據(jù)此分析解答．解答：解：A．軌道表示式用一個方框或圓圈表示能級中的軌道，用箭頭“↑”或“↓”來區(qū)分自旋方向的不同電子，每個軌道最多容納2個電子，2個電子處于同一軌道內(nèi)，且自旋方向相反，所以Na+的軌道表示式：，故A錯誤；B．Na+的原子核內(nèi)有11個質(zhì)子，核外有10個電子，結(jié)構(gòu)示意圖為，故B正確；C．鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1，或?qū)憺閇Ne]3s1，故C正確；D．鈉原子的簡化電子排布式為[Ne]3s1，故D正確；故選A．點(diǎn)評：本題考查原子核外電子排布，為高考常見題型，難度不大，留意把握原子核外電子的排布規(guī)律，把握電子排布式和軌道式的書寫方法．3.B學(xué)問點(diǎn):位置、結(jié)構(gòu)、性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用

答案解析:B解析：短周期原子序數(shù)依次增大的主族元素R、T、Q、W、Y，Q是地殼中含量最高的元素，則Q是O元素；R與T的核電荷數(shù)之和等于Q的核電荷數(shù)，且R原子的最外層電子數(shù)等于其單質(zhì)層數(shù)，則R是H，T是N元素；Y原子的最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù)，且Y的原子序數(shù)大于O元素，則Y電子層數(shù)為3、其最外層電子數(shù)是3，則Y是Al元素；W與R同主族且W原子序數(shù)大于O而小于Al，則W為Na。A．原子的電子層數(shù)越大，其原子半徑越大，同一周期元素中，原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小，所以元素T、Q、W、Y的原子半徑大小為：Q＜T＜Y＜W，錯誤；B．元素Q與W形成的兩種常見化合物分別是Na2O、Na2O2，氧化鈉、過氧化鈉中含有相同比例的陰、陽離子，其陰陽離子之比為1：2，正確；C．Q與Y組成的常見物質(zhì)是Al2O3，氧化鋁是一種兩性物質(zhì)，錯誤；D．由Y和T組成的物質(zhì)AlN，AlN屬于原子晶體，在電子和陶瓷工業(yè)上有廣泛應(yīng)用，可以直接由單質(zhì)Y和T在高溫下生成，錯誤。思路點(diǎn)撥:本題考查了元素位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用，明確原子結(jié)構(gòu)、元素周期表結(jié)構(gòu)是解本題關(guān)鍵，依據(jù)原子結(jié)構(gòu)確定元素，再結(jié)合物質(zhì)結(jié)構(gòu)、元素周期律來分析解答，留意過氧化鈉的陰陽離子分別是過氧根離子和鈉離子，為易錯點(diǎn)。4.D考點(diǎn)：鍵能、鍵長、鍵角及其應(yīng)用；原子核外電子排布；推斷簡潔分子或離子的構(gòu)型．分析：A．依據(jù)鍵長越短，鍵能越大推斷；B．上下兩個頂點(diǎn)與中心R原子形成的鍵角為180°，中間為平面三角形，構(gòu)成三角形的鍵角為120°，頂點(diǎn)與平面形成的鍵角為90°；C．RCl5RCl3+Cl2↑；D．R原子最外層有5個電子，形成5個共用電子對．解答：解：A．鍵長越短，鍵能越大，鍵長不同，所以鍵能不同，故A正確；B．上下兩個頂點(diǎn)與中心R原子形成的鍵角為180°，中間為平面三角形，構(gòu)成三角形的鍵角為120°，頂點(diǎn)與平面形成的鍵角為90°，所以鍵角（Cl﹣R﹣Cl）有90°、120、180°幾種，故B正確；C．RCl5RCl3+Cl2↑，則RCl5受熱后會分解生成分子立體結(jié)構(gòu)呈三角錐形的RCl3，故C正確；D．R原子最外層有5個電子，形成5個共用電子對，所以RCl5中R的最外層電子數(shù)為10，不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故D錯誤．故選D．點(diǎn)評：本題考查了鍵角、鍵能、8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)等，題目難度不大，留意分析題目中分子的立體結(jié)構(gòu)圖．5.C考點(diǎn)：原子結(jié)構(gòu)與元素周期律的關(guān)系；原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)．分析：短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4：3，由于為主族元素，最外層電子數(shù)不能為8，故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3，且X原子序數(shù)較大，故W處于其次周期，X處于第三周期，可推知W為C元素、X為Al元素，Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4，則Z為Cl，Y為Al到Cl之間的元素，據(jù)此解答．解答：解：短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，W、X原子的最外層電子數(shù)之比為4：3，由于為主族元素，最外層電子數(shù)不能為8，故W、X最外層電子數(shù)分別為4、3，且X原子序數(shù)較大，故W處于其次周期，X處于第三周期，可推知W為C元素、X為Al元素，Z原子比X原子的核外電子數(shù)多4，則Z為Cl，Y為Al到Cl之間的元素．A．若Y為Si，則電負(fù)性Si＜C，故A錯誤；B．同周期自左而右原子半徑減小，電子層越多原子半徑越大，故原子半徑X＞Y＞Z＞W(wǎng)，故B錯誤；C．Y、Cl形成的分子可以為SiCl4，為正四周體構(gòu)型，故C正確；D．WY2分子應(yīng)為CS2，結(jié)構(gòu)式為S=C=S，分子中δ鍵與π鍵的數(shù)目之比是1：1，故D錯誤，故選C．點(diǎn)評：本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用，涉及原子電負(fù)性、半徑比較、化學(xué)鍵、分子結(jié)構(gòu)等，推斷元素是解題關(guān)鍵，留意Y元素的不確定性，難度中等．6.B考點(diǎn)：微粒半徑大小的比較；元素周期律的作用；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用；鍵能、鍵長、鍵角及其應(yīng)用．專題：元素周期律與元素周期表專題．分析：A．電子層結(jié)構(gòu)相同，核電荷數(shù)越大離子半徑越小，電子層越多離子半徑越大；B．非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越強(qiáng)，最高價含氧酸的酸性越強(qiáng)；C．甲烷為正四周體，二氧化碳為直線型，水分子為V形，氧原子有2對孤電子對，孤電子對之間排斥大于成鍵電子對，鍵角小于甲烷，據(jù)此推斷鍵角；D．離子電荷相同，離子半徑越大離子鍵越弱，物質(zhì)越不穩(wěn)定．解答：解：A．F﹣、O2﹣、Na+電子層結(jié)構(gòu)相同，核電荷數(shù)越大離子半徑越小，故離子半徑O2﹣＞F﹣＞Na+，Li+電子層最少，故離子半徑最小，則微粒半徑：O2﹣＞F﹣＞Na+＞Li+，故A錯誤；B．非金屬性C＜Cl，非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越強(qiáng)，最高價含氧酸的酸性越強(qiáng)，故電負(fù)性Cl＞C，酸性：HClO4＞H2CO3，故B正確；C．甲烷為正四周體，二氧化碳為直線型，水為V形，氧原子有2對孤電子對，孤電子對之間排斥大于成鍵電子對，故其鍵角小于甲烷，即分子中的鍵角：CO2＞CH4＞H2O，故C錯誤；D．離子電荷相同，自上而下堿金屬離子半徑減小，故離子鍵強(qiáng)度LiCl＞NaCl＞KCl＞RbCl，故穩(wěn)定性LiCl＞NaCl＞KCl＞RbCl，故D錯誤，故選B．點(diǎn)評：本題考查微粒半徑比較、元素周期律、鍵參數(shù)、晶體類型與性質(zhì)等，留意依據(jù)價層電子對互斥理論推斷鍵角．7.D【學(xué)問點(diǎn)】原子結(jié)構(gòu)與元素周期率的關(guān)系解析:X、Y、Z、W、M五種短周期元素，Y的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)高、硬度大，是一種重要的半導(dǎo)體材料，可知Y為Si；X、Y、Z、W同周期，都處于第三周期，由X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，可知X為Na、M為O；Z、M同主族，則Z為S；原子半徑：Z＞W(wǎng)，則W為Cl。A．鈉和氧可以形成Na2O、Na2O2，故A錯誤；C．因水分子中存在氫鍵，所以水的沸點(diǎn)最高，沸點(diǎn)為H2O＞HCl＞H2S，故C錯誤；B．元素Y（Si）、Z（S）、W（Cl）的單質(zhì)晶體分別屬于原子晶體、分子晶體、分子晶體，故B錯誤；D．元素W和M的某些單質(zhì)如氯氣和臭氧可作為水處理中的消毒劑，正確?！舅悸伏c(diǎn)撥】本題考查了位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)關(guān)系應(yīng)用，難度中等，“Y是種重要的半導(dǎo)體材料、X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu)”是推斷突破口，留意D選項(xiàng)中高純硅的制備原理，留意對基礎(chǔ)學(xué)問的積累把握．8.（1）①三角錐型；sp3；②3；（2）①強(qiáng)；平面三角形；三角錐形；②H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）2SeO和（HO）2SeO2，H2SeO3中的Se為+4價，而H2SeO4中的Se為+6價，正電性更高，導(dǎo)致Se﹣O﹣H中O的電子更向Se偏移，更易電離出H+．考點(diǎn)：推斷簡潔分子或離子的構(gòu)型；物質(zhì)的量的相關(guān)計算；同一主族內(nèi)元素性質(zhì)遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系；原子軌道雜化方式及雜化類型推斷．分析：（1）①依據(jù)價層電子對互斥模型推斷分子空間構(gòu)型，依據(jù)中心原子價層電子對數(shù)推斷雜化方式；②依據(jù)化學(xué)方程式計算產(chǎn)生的氮?dú)獾奈镔|(zhì)的量，再依據(jù)每個氮分子中含有2個π鍵計算；（2）①非金屬性越強(qiáng)的元素，其與氫元素的結(jié)合力氣越強(qiáng)，則其氫化物在水溶液中就越難電解，酸性就越弱；依據(jù)價層電子對互斥理論確定氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型、SO32﹣離子的立體構(gòu)型；②依據(jù)中心元素Se的化合價可以推斷電性凹凸，電性越高，對Se﹣O﹣H中O原子的電子吸引越強(qiáng)，越易電離出H+．解答：解：（1）①在NH3分子中，有3個N﹣H鍵，和一對孤電子對，依據(jù)價層電子對互斥模型推斷分子空間構(gòu)型為三角錐型，在N2H4中，氮原子價層電子對數(shù)為=4，所以氮原子的雜化方式為sp3雜化，故答案為：三角錐型；sp3；②反應(yīng)中有4molN﹣H鍵斷裂，即有1molN2H4參與反應(yīng)，依據(jù)化學(xué)方程式可知產(chǎn)生的氮?dú)獾奈镔|(zhì)的量為1.5mol，而每個氮分子中含有2個π鍵，所以形成3molπ鍵，故答案為：3；（2）①非金屬性越強(qiáng)的元素，其與氫元素的結(jié)合力氣越強(qiáng)，則其氫化物在水溶液中就越難電解，酸性就越弱，非金屬性S＞Se，所以H2Se的酸性比H2S強(qiáng)；氣態(tài)SeO3分子中Se原子價層電子對個數(shù)是3且不含孤電子對，所以其立體構(gòu)型為平面三角形；SO32﹣離子中S原子價層電子對個數(shù)=3+（6+2﹣3×2）=4且含有一個孤電子對，所以其立體構(gòu)型為三角錐形，故答案為：強(qiáng)；平面三角形；三角錐形；②H2SeO3和H2SeO4可表示成（HO）2SeO和（HO）2SeO2，H2SeO3中的Se為+4價，而H2SeO4中的Se為+6價，正電性更高，導(dǎo)致Se﹣O﹣H中O的電子更向Se偏移，越易電離出H+，H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)，故答案為：H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）2SeO和（HO）2SeO2，H2SeO3中的Se為+4價，而H2SeO4中的Se為+6價，正電性更高，導(dǎo)致Se﹣O﹣H中O的電子更向Se偏移，更易電離出H+．點(diǎn)評：本題主要考查了原子核外電子排布、分子空間構(gòu)型、原子雜化方式、化學(xué)鍵的計算等學(xué)問，難度不大，（1）解題中留意對分子結(jié)構(gòu)的分析．9.

(1)M

9

4

(2)二氧化硅

(3)共價鍵

3

(4)Mg2Si+4NH4Cl==SiH4+4NH3+2MgCl2

(5)①C—C鍵和C—H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂。導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成

②C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C一H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si—O鍵，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵

(6)sp3

1：3

[SiO3]n2n－(或SiO32－)學(xué)問點(diǎn):物質(zhì)結(jié)構(gòu)與元素周期律解析：（1）硅原子核外有14個電子，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2

，對應(yīng)能層分別別為K、L、M，其中能量最高的是最外層M層，該能層有s、p、d三個能級，s能級有1個軌道，p能級有3個軌道，d能級有5個軌道，所以共有9個原子軌道，硅原子的M能層有4個電子（3s23p2）；（2）硅元素在自然界中主要以化合態(tài)（二氧化硅和硅酸鹽）形式存在;（3）硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體，硅原子之間以共價鍵結(jié)合．在金剛石晶體的晶胞中，每個面心有一個碳原子（晶體硅類似結(jié)構(gòu)），依據(jù)均攤法知面心位置貢獻(xiàn)的原子為6×1/2=3個；（4）Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2，方程式為：Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2;（5）①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能，所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂，導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成；②鍵能越大、物質(zhì)就越穩(wěn)定，C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定，而Si-H鍵的鍵能遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵；（6）硅酸鹽中的硅酸根（SiO44?）為正四周體結(jié)構(gòu)，所以中心原子Si原子實(shí)行了sp3雜化方式；依據(jù)圖（b）的一個結(jié)構(gòu)單元中含有1個硅、3個氧原子，化學(xué)式為SiO32-。思路點(diǎn)撥:雜化方式看物質(zhì)的結(jié)構(gòu)比如：直線型為sp，平面型為sp2，四周體型為sp3,或運(yùn)用價電子對數(shù)計算法：對于ABm型分子(A為中心原子，B為配位原子)，分子的價電子對數(shù)可以通過下列計算確定：n=1/2（中心原子的價電子數(shù)+每個配位原子供應(yīng)的價電子數(shù)×m），配位原子中鹵素原子、氫原子供應(yīng)1個價電子，氧原子和硫原子按不供應(yīng)價電子計算；若為離子，須將離子電荷計算在內(nèi)：n=1/2（中心原子的價電子數(shù)+每個配位原子供應(yīng)的價電子數(shù)×m±離子電荷數(shù)），陽離子取“－”，陰離子取“+”。依據(jù)價電子對數(shù)可以有以下結(jié)論：分子

價電子對數(shù)

幾何構(gòu)型

中心原子雜化類型BeCl2

2

直線型

spBF3

3

平面三角形

sp2SiCl4

4

正四周體

sp3價層

孤

VS

立體

SO3

3

0

sp2

平面三角

CH4

4

0

sp3

正四周體

NH4+

4

0

sp3

正四周體

H2O

4

2

sp3

V

BF3

3

0

sp2

平面三角

CO32-

3

0

sp2

平面三角

SO2

3

1

sp2

V

NH3

4

1

sp3

三角錐10.I．（1）；F＞N＞O＞C（2）CD（3）BDF（3）依據(jù)其性質(zhì)可知應(yīng)為分子晶體，晶體中存在范德華力，Cr（CO）5為配位化合物，其中含有配位鍵，CO中存在碳氧極性鍵。Ⅱ．(1)sp2；3；NO3-或CO32-．(2)①[Cu(H2O)4SO4]·H2O

②正四周體．學(xué)問點(diǎn):原子軌道雜化方式及雜化類型推斷，“等電子原理”的應(yīng)用，不同晶體