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DB51 本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的本文件由四川省經(jīng)濟和信息化廳提出、歸口、解釋并組基于PECVD工藝的TOPCon電池制備技術通則GB/T2297太陽光伏能源GB/T6495.1光伏器件第1部分：光伏電流—電壓Electroluminescenceimagingofcrystallinesiliconsolarcells）TOPCon太陽電池tunneloxidepass4縮略語PECVD：等離子體增強化學氣相沉積（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposi5.1.2厚度5.1.4氧含量5.1.5碳含量PECVD制備超薄氧化硅層及N型摻雜多PECVD工藝路線制備TOPCon太陽電池流程宜符6.2.1使用體積濃度為0.5%～5%的氫氧化鈉（NaOH）或氫氧化將6.2后的N型單晶硅片置于800℃~1080℃的高溫下進行擴散，在正面形成方阻為300Ω/sq～600使用體積濃度為5%～50%氫氟酸溶液對N型單晶硅片背面進行清洗，去除6.3過程中在背面及邊緣使用體積濃度為0.5%～5%的NaOH或KOH溶液對N型單晶硅片背面進行刻蝕拋光，去除6.3過程中在壓強159.99Pa～319.97Pa（1200mTorr～2400mTorr）和溫度400℃~450℃的條件下，通入N2O氣體，在N型單晶硅片背面制備厚度為1nm～3nm的超PH3和H2氣體，在N型單晶硅片背面沉積形成厚度為80nm～120nm的N型摻雜在800℃~950℃的溫度條件下進行退火處理，將通過PECVD制備的N型摻雜非晶硅層轉化為N型摻雜多晶硅層，實現(xiàn)磷原子的有效摻雜，在背面形成方阻為20Ω/sq～60Ω/sq的N型摻雜多晶硅層，并同使用體積濃度為5%～50%的氫氟酸溶液對N型單晶硅片進行清洗，去除6.5和6.6過程中在正面及邊6.7.2.2使用體積濃度為0.5%～5%的氫氟酸溶液對N在N型單晶硅片正面和背面分別沉積厚度為65nm～120nm的氮利用絲網(wǎng)印刷技術，分別在電池片正面和背面印刷金屬漿料，并通過700℃~800℃高溫下形成正按照GB/T6495.1

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