ASY-AE08彈坑作業(yè)與判別指導書

ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08彈坑實驗與判別作業(yè)指導書InternaluseonlyxConfidentialRevision:00PagePAGE1of6TopconfidentialPAGEThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.REV.EFFECTIVEDATEDESCRIPTIONAPPROVECHECKORIGINATOR008/08/2008InitialIssueJinhuachen談紅英沈海軍目的：測試鍵合焊接對產品質量產生的影響，保證產品質量。適用范圍：所有MOSFET芯片系列產品；控制計劃要求做彈坑試驗的產品。三．作業(yè)頻率：每周一鍵合現作業(yè)的產品都要做彈坑，新產品改機后應及時作業(yè)彈坑試驗，調用程序的產品可在做彈坑的同時開機作業(yè)，若彈坑不良請統(tǒng)計數量，批次。彈坑試驗作業(yè)及判斷方法1鹽酸溶液試驗〔主要適用于Mosfet產品，如附圖1所示〕〔附圖1〕1.1將濃度為36％鹽酸與水以1：2.5稀釋后加熱至80±51.2將焊線剪切后的制品完全浸入溶液浸10-15分鐘，剪切方法如下圖：沿框架管腳邊緣（箭頭所示位置）用鋒利的刀片剪切，剪切之后的制品必須在實體顯微鏡下確認第一焊點金球狀況，防止因線弧較短時或者剪切不當將金球帶起，引起彈坑。割線后的制品，需用撥針將金線沿載片臺邊緣〔金球遠端〕將金線輕輕挑起，防止金線黏附在載片臺上，操作過程中絕對禁止金球受力。〔附割線后/撥線后圖片〕割線后產品撥線后產品1.3將已腐蝕干凈的制品分別放入水與酒精中，各用超聲波清洗3～5分鐘，然后晾干或吹干。注意：在整個作業(yè)（包括清洗）過程中，不可以將制品用力在溶液中晃動。不可以采用任何拔線方式去除未腐蝕掉的焊線。1.4將晾干后的制品在200倍或200倍以上顯微鏡下進行判定并填寫《彈坑試驗記錄表》1.5配置的溶液使用12小時必須更換，即溶液使用期限為12小時。1.6產品檢驗判定方法←OK←NG具體內容圖例（實物圖）彈坑判斷標準劈刀壓著處無裂紋、變形時OK.(右圖)OKOKNGNG2氫氧化鉀溶液試驗〔主要適用于IC電路產品，如附圖2所示〕圖2〕2.1在量杯中，用電子稱稱取適量氫氧化鉀2.2以1：10的比例，用水溶解氫氧化鉀后加熱至80±52.3將制品（制品處理同1.2的方法）完全浸入溶液，煮10-20分鐘2.4將已腐蝕干凈的制品分別放入水與酒精中，各用超聲波清洗3～5分鐘，然后晾干或吹干。注意在整個作業(yè)（包括清洗）過程中，不可以將制品用力在溶液中晃動。2.5將晾干后的制品在200倍或200倍以上顯微鏡下進