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《紅外探測(cè)材料型號(hào)命名方法》（征求意見(jiàn)稿）編制說(shuō)明本文件代替GB/T11296-1989《紅外探測(cè)材料型號(hào)命名方法》，與GB/T11296-1989相比，除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外，主要技術(shù)變a）更改了產(chǎn)品型號(hào)組成結(jié)構(gòu)，由之前的“材料主要成分摻雜物質(zhì)-同一組分中不同的配比或不同的技術(shù)參數(shù)”改為化合物半第四特征值”以及熱釋電材料的“材料尺寸-材料名稱/第一特征值-b）更改了材料名稱中銻化銦、碲鎘汞材料的縮寫符號(hào)，銻化銦c）將命名方法分為化合物半導(dǎo)體材料和熱釋電材料兩類，分別）；d）化合物半導(dǎo)體材料中增加了碲鋅鎘、銻化鎵、銦鎵砷、二類）；e）刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)各型號(hào)結(jié)構(gòu)部分的說(shuō)明（見(jiàn)1989年版第1）；f）增加了對(duì)每種材料的材料尺寸、材料名稱、各特征值的代表）；考了GB/T14844-2018半導(dǎo)體材料牌號(hào)表號(hào)結(jié)構(gòu)生產(chǎn)制造以及材料特性關(guān)鍵信息，例如制備方法、摻雜物質(zhì)、圖1銻化銦拋光晶片型號(hào)命名圖2碲鋅鎘拋光晶片型號(hào)命名圖3硫化鎘晶片型號(hào)命名圖4半導(dǎo)體材料牌號(hào)命名方法中晶片的牌號(hào)表示方法圖5半導(dǎo)體材料牌號(hào)命名方法中外延片的牌號(hào)表示方法圖6紅外探測(cè)半導(dǎo)體材料型號(hào)結(jié)構(gòu)圖6紅外探測(cè)熱釋電材料型號(hào)結(jié)構(gòu)從標(biāo)準(zhǔn)本身來(lái)看，GB/T11296-1989《紅外探測(cè)材料型號(hào)命名方國(guó)際認(rèn)可度來(lái)看，GB/T11296-1989作為國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，在國(guó)際

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