高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)3晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件新人教版選修3

第三節(jié)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考向一晶體常識(shí)常見(jiàn)四類(lèi)晶體性質(zhì)【考點(diǎn)精析】(一)晶體類(lèi)型判斷5方法1.依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間的作用判斷(1)離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽(yáng)離子,微粒間的作用是離子鍵。(2)原子晶體的構(gòu)成微粒是原子,微粒間的作用是共價(jià)鍵。(3)分子晶體的構(gòu)成微粒是分子,微粒間的作用為分子間作用力。(4)金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽(yáng)離子和自由電子,微粒間的作用是金屬鍵。2.依據(jù)物質(zhì)的分類(lèi)判斷(1)金屬氧化物(如K2O等)、強(qiáng)堿(NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類(lèi)是離子晶體。(2)大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼等)、非金屬氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。(3)常見(jiàn)的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等,常見(jiàn)的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅等。(4)金屬單質(zhì)(汞在常溫為液體)與合金是金屬晶體。3.依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷(1)離子晶體的熔點(diǎn)較高,常在數(shù)百至一千攝氏度以上。(2)原子晶體熔點(diǎn)高,常在一千攝氏度至幾千攝氏度。(3)分子晶體熔點(diǎn)低,常在數(shù)百攝氏度以下至很低溫度。(4)金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高,但也有相當(dāng)?shù)偷摹?.依據(jù)導(dǎo)電性判斷(1)離子晶體溶于水形成的溶液及熔融狀態(tài)時(shí)能導(dǎo)電。(2)原子晶體一般為非導(dǎo)體。(3)分子晶體為非導(dǎo)體,而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物)溶于水,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由移動(dòng)的離子,也能導(dǎo)電。(4)金屬晶體是電的良導(dǎo)體。5.依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷(1)離子晶體硬度較大且脆。(2)原子晶體硬度大。(3)分子晶體硬度小且較脆。(4)金屬晶體多數(shù)硬度大,但也有較低的,且具有延展性。(二)分類(lèi)比較晶體的熔、沸點(diǎn)1.看物質(zhì)狀態(tài):一般情況下固體>液體>氣體。2.看物質(zhì)所屬類(lèi)型:一般是原子晶體>離子晶體>分子晶體,結(jié)構(gòu)類(lèi)型相同時(shí)再根據(jù)相應(yīng)規(guī)律進(jìn)行判斷。3.同類(lèi)晶體熔、沸點(diǎn)比較:原子晶體→共價(jià)鍵鍵能→鍵長(zhǎng)→原子半徑;分子晶體→分子間作用力→相對(duì)分子質(zhì)量;離子晶體→離子鍵強(qiáng)弱→離子所帶電荷數(shù)、離子半徑?？枷蚨w結(jié)構(gòu)晶胞計(jì)算【考點(diǎn)精析】1.晶胞計(jì)算的思維方法(1)晶胞質(zhì)量=晶胞占有的微粒的質(zhì)量=晶胞占有的微粒數(shù)×(2)空間利用率=(3)金屬晶體中體心立方堆積、面心立方堆積中的幾組公式(設(shè)棱長(zhǎng)為a)。①面對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)=a。②體對(duì)角線(xiàn)長(zhǎng)=a。③體心立方堆積4r=a(r為原子半徑)。④面心立方堆積4r=a(r為原子半徑)。2.晶胞參數(shù)及相關(guān)計(jì)算(1)晶胞參數(shù)晶胞的形狀和大小可以用6個(gè)參數(shù)來(lái)表示,包括晶胞的3組棱長(zhǎng)a、b、c和3組棱相互間的夾角α、β、γ,此即晶格特征參數(shù),簡(jiǎn)稱(chēng)晶胞參數(shù)。(2)相關(guān)計(jì)算①晶胞參數(shù)的計(jì)算方法

②晶體密度的計(jì)算方法③金屬晶體空間利用率的計(jì)算方法空間利用率=×100%,球體積:金屬所含原子的總體積3.四種堆積方式晶胞計(jì)算(1)簡(jiǎn)單立方堆積。如圖所示立方體的棱長(zhǎng)為2r,球的半徑為r,V(球)=πr3

V(晶胞)=(2r)3=8r3

空間利用率=×100%=52%(2)體心立方堆積(如圖)。b2=a2+a2

(4r)2=a2+b2=3a2,所以:a=

空間利用率=(3)六方最密堆積(如圖)。(4)面心立方