標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 44928-2024 微電子學(xué)微光刻技術(shù)術(shù)語》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在為微電子領(lǐng)域內(nèi)的微光刻技術(shù)提供一套統(tǒng)一且規(guī)范的專業(yè)術(shù)語。該標(biāo)準(zhǔn)覆蓋了從基本概念到具體工藝流程中涉及的各種專業(yè)詞匯,對(duì)于促進(jìn)國內(nèi)外學(xué)術(shù)交流、技術(shù)研發(fā)以及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化具有重要意義。

在內(nèi)容上,《GB/T 44928-2024》定義了一系列與微光刻相關(guān)的基礎(chǔ)術(shù)語,如掩模版(Mask)、曝光(Exposure)、分辨率(Resolution)等,并對(duì)這些術(shù)語給出了明確的中文名稱及其英文對(duì)應(yīng)詞。此外,還詳細(xì)描述了一些關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備,例如步進(jìn)掃描投影系統(tǒng)(Step-and-scan projection system)、極紫外光刻(Extreme ultraviolet lithography, EUV)等,確保行業(yè)內(nèi)人員能夠準(zhǔn)確理解并使用這些術(shù)語。


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....

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  • 2024-12-31 頒布
  • 2024-12-31 實(shí)施
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GB/T 44928-2024微電子學(xué)微光刻技術(shù)術(shù)語_第1頁
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GB/T 44928-2024微電子學(xué)微光刻技術(shù)術(shù)語_第3頁
GB/T 44928-2024微電子學(xué)微光刻技術(shù)術(shù)語_第4頁
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31030

CCSL.90

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T44928—2024

微電子學(xué)微光刻技術(shù)術(shù)語

Termsofmicrolithographytechnologyformicroelectronics

2024-12-31發(fā)布2024-12-31實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T44928—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

微電子學(xué)光刻技術(shù)

3.1…………………1

先進(jìn)光刻技術(shù)

3.2………………………11

微光刻圖形化和圖形數(shù)據(jù)處理技術(shù)

3.3………………47

微光刻感光材料鉻板與基板材料

3.4、………………55

光掩模技術(shù)

3.5…………………………60

光刻工藝曝光蝕刻與微納米加工技術(shù)

3.6(、)………63

電子束掩模制造與直寫技術(shù)

3.7………………………84

光刻及掩模質(zhì)量參數(shù)測(cè)量和評(píng)定

3.8…………………89

掩模制造設(shè)備和微光刻設(shè)備

3.9……………………100

索引

…………………………132

GB/T44928—2024

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本文件起草單位中國科學(xué)院微電子研究所

:。

本文件主要起草人陳寶欽王香李和委王力玉李新濤馮伯儒薛麗君郝美玲薛彩榮

:、、、、、、、、。

GB/T44928—2024

微電子學(xué)微光刻技術(shù)術(shù)語

1范圍

本文件界定了微電子學(xué)微光刻技術(shù)有關(guān)的微電子光刻技術(shù)先進(jìn)光刻技術(shù)微光刻圖形化和圖形數(shù)

,,

據(jù)處理技術(shù)微光刻感光材料鉻板與基板材料光掩模技術(shù)光刻工藝曝光刻蝕與微納米加工技

,、,,(、)

術(shù)電子束掩模制造與直寫技術(shù)光刻及掩模質(zhì)量參數(shù)測(cè)量和評(píng)定掩模制造設(shè)備和微光刻設(shè)備等術(shù)語

,,,

和定義

。

本文件適用于微電子學(xué)微光刻技術(shù)領(lǐng)域的教學(xué)科研生產(chǎn)應(yīng)用貿(mào)易和技術(shù)交流

、、、、。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

3術(shù)語和定義

31微電子學(xué)光刻技術(shù)

.

311

..

微電子學(xué)microelectronics

研究固體功能材料主要是半導(dǎo)體材料及基于這些功能材料的微型電子元器件研制及生產(chǎn)技術(shù)的

()

學(xué)科包括其物理特性工作原理電路集成和系統(tǒng)集成的設(shè)計(jì)理論及生產(chǎn)工藝制造技術(shù)

,、、。

注研究內(nèi)容主要包括半導(dǎo)體科學(xué)理論基礎(chǔ)微電子材料科學(xué)

:,(semiconductorsciencetheories)、(microelectron-

集成電路設(shè)計(jì)微光刻與微納米加工技術(shù)

icsmaterialsscience)、(integratedcircuitdesign)、/(microlithography

集成電路芯片加工工藝技術(shù)

andmicro-nanofabricationtechnologies)、(integratedcircuitchipprocessingtech-

測(cè)試技術(shù)組裝與封裝技術(shù)微電

nology)、(measuringandtestingtechnique)、(assemblyandpackagingtechnique)、

子裝備的研發(fā)以及微機(jī)械電子學(xué)

(microelectronicsequipmentresearchanddevelopment),(micromechanical

微納機(jī)電系統(tǒng)真空微電子學(xué)

electronics)、(micro-nanoelectromechanicalsystems,MEMS)、(vacuummicroelec-

超導(dǎo)微電子學(xué)納米電子學(xué)有機(jī)電子學(xué)

tronics)、(superconductingmicroelectronics)、(nanoelectronics)、(organic

生物電子學(xué)分子電子學(xué)

electronics)、(biomedicalelectronics,bioelectronics)、(molecularelectronics,molelectron-

量子電子學(xué)等交叉學(xué)科

ics)、(quantumelectronics)。

312

..

半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)semiconductorscienceandtechnology

半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體器件微電子學(xué)的半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)與制造工藝技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化

、、、

技術(shù)融為一體的一門綜合性科學(xué)

注相關(guān)的熱點(diǎn)研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體硅材料寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件

::(semiconductorsilicon)、(optoelectronic

寬禁帶半導(dǎo)體電子器件

deviceofwidebandgapsemiconductor)、(electronicdeviceofwidebandgapsemiconduc-

紅外半導(dǎo)體材料和器件低維半導(dǎo)體材料和器件

tor)、(infraredsemiconductormaterialanddevice)、(lowdimen-

射頻系統(tǒng)與射頻集成電路設(shè)計(jì)功

sional

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