




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文檔簡(jiǎn)介
(5)原子坐標(biāo)與投影圖(A卷)一高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)
1.研究人員制備了一種具有鋰離子通道的導(dǎo)電氧化物(LixL、,TiC)3),其立方晶胞和導(dǎo)電時(shí)LI
遷移過程如下圖所示。已知該氧化物中Ti為+4價(jià),La為+3價(jià)。下列說法錯(cuò)誤的是()
*Ti
oO
OLa或Li或空位
?Li
□空位
立方晶胞(LlLaJiCh)
A.Ti位于O原子形成的正八面體空隙
B.若x=0.25,Li+與空位的個(gè)數(shù)比為2:3
C.Li,LavTiC)3立方晶胞在體對(duì)角線方向上的投影圖為
D.導(dǎo)電時(shí),空位移動(dòng)方向與電流方向相反
2.(Lio6Fe020H)FeSe晶體結(jié)構(gòu)由鐵硒層和鋰鐵氫氧層交替堆垛而成.晶胞中鐵硒層在yz、xz和
xy平面投影如圖,1號(hào)Fe原子的原子坐標(biāo)為(0,0,]。下列說法錯(cuò)誤的是()
anm
?Se
OFe
A.鐵硒層中Fe的配位數(shù)為4
B.1個(gè)晶胞中含有2個(gè)Se原子
C.2號(hào)Fe原子的原子坐標(biāo)為口
1.688x1023
D.晶體密度為g-cm-3
2
abNA
3.某立方晶系的錨鉀(Sb-K)合金可作為鉀離子電池的電極材料,該合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所
示。下列說法不正確的是()
A.K均位于由Sb構(gòu)成的八面體空隙
B.與Sb最鄰近的Sb原子數(shù)為12
C.K和Sb之間的最短距離為16apm
D.沿晶胞面對(duì)角線投影,所得的投影如圖2
4.下列說法正確的是()
圖3
A.圖1為[。1(?叫)4(應(yīng)。)2『結(jié)構(gòu)示意圖,該物質(zhì)加熱時(shí)首先失去NH3
B.圖2晶體磷化硼晶胞沿Z軸方向上的投影圖為i
C.圖2晶胞參數(shù)為曲m,則晶體的密度為RRX及&cm"
D.圖3為C聯(lián)晶體的晶胞示意圖,廣填充在由Ca2+構(gòu)成的正八面體空隙中
5.銘、鈣、氧可形成一種具有特殊導(dǎo)電性的復(fù)合氧化物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,氧離子與
鈣離子的最近距離為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,下列說法正確的是()
。氧離子
?鈣離子
。銘離子
圖甲圖乙
A.鈣離子的配位數(shù)為8
B.氧離子與銘離子間的最短距離為走apm
2
C.該晶胞沿z軸方向的投影如圖乙
140-3
D?該復(fù)合氧化物晶體的密度為港小戶7曲
6.含有桐的稀土金屬化合物可應(yīng)用于照明和投影等。金屬La的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知:
La晶胞棱長(zhǎng)為apm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。a原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),c原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)
為(1」」),已知位于面對(duì)角線上的三個(gè)原子相切。下列敘述正確的是()
B.b原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(了
C.La原子的配位數(shù)為4
7.石墨是層狀結(jié)構(gòu),許多分子和離子可以滲入石墨層間形成插層化合物。Li+插入石墨層中
間,形成晶體結(jié)構(gòu)如圖(a),晶體投影圖如圖(b)。若該結(jié)構(gòu)中碳碳鍵鍵長(zhǎng)為apm,碳層和鋰層
相距dpm(用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。下列說法錯(cuò)誤的是()
?c
+
。Li+oLi
(b)
A.石墨的二維結(jié)構(gòu)中,每個(gè)碳原子配位數(shù)為3
B.該插層化合物的化學(xué)式為L(zhǎng)iCf
C.該插層化合物中同層Li+最近距離為3apm
D.該插層化合物的密度為卓xl030gxcm3
27A^Aa-d
8.離子化合物L(fēng)i?CN2是一種高活性氮物種,可以作為合成子用于多種高附加值含氮化合物的
合成,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,沿z軸方向Li+的投影如圖乙所示(設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)
的值)。下列敘述正確的是()
圖甲圖乙
A.電負(fù)性:Li>N>C
B.CN)的電子式為匚N:C:N:],-
C.CN;的配位數(shù)是8
4x54oio
D.該晶胞的密度/=/6.N'I。g'cm-'
9.如圖為7-AgI立方晶胞結(jié)構(gòu)(Ag+未畫出),晶胞中「處于頂點(diǎn)和面心;7-AgI晶胞沿工、
八z軸方向的投影均如圖所示,已知NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。7-AgI晶胞的密度為
pg-cm-3,下列說法正確的是()
A.Ag與Cu同族,Ag在元素周期表中位于d區(qū)
B.Ag+填充在「構(gòu)成的正四面體空隙中
C.與r等距離且最近的「有6個(gè)
出1940
D.晶胞中兩個(gè)最近的Ag+之間的距離為苛行xlCTnm
10.四氧化三鐵是一種常用的磁性材料,是制作錄音磁帶和電訊器材的原料。O原子呈面心立
方最密堆積,F(xiàn)e原子隨機(jī)分布在由O原子構(gòu)成的正四面體空隙和八面體空隙中(圖1),下
列說法不正確的是()
圖1
(1,1,1),k2號(hào)原子之間的距離為如nm
A.12號(hào)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為
2
B.基態(tài)Fe?+在原子核外空間占據(jù)的最高能層符號(hào)為M,該能層的電子云在空間有9個(gè)伸展方
向
C.Fe3O4中O原子沿面對(duì)角線的投影為
D.題圖中正四面體空隙和正八面體空隙中Fe原子的填充率為25%
U.CuInS2(摩爾質(zhì)量為Mg.moL)是生物醫(yī)藥、太陽能電池領(lǐng)域的理想熒光材料,其晶胞結(jié)構(gòu)
如圖所示,A原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0)。下列說法正確的是()
八
OCu
O——?——O
oo
O?O
oo
O——?——O
晶胞投影圖②
A.距離Cu最近的原子為InB.沿y軸投影可得晶胞投影圖②
C.晶胞中B原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為];,O,o]>曰………4X1CPM.
D.該晶體的密度為一―gem3-
12.立方氮化硼(BN)是特殊的耐磨和切削材料,其晶胞結(jié)構(gòu)(如圖所示)與金剛石相似。
下列說法錯(cuò)誤的是()
已知:晶胞的棱長(zhǎng)為anm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。
A.原子半徑:N<B
B.氮化硼晶體的微觀空間里存在BN分子
C.立方氮化硼的密度夕=看'xlO23g-cm-3
13.硒(Se)是一種有抗癌、抗氧化作用的元素,可形成多種化合物.某化合物是潛在熱電材料
之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1,沿X、>、z軸方向的投影均為圖2。
下列說法錯(cuò)誤的是()
A.Se的基態(tài)原子價(jià)電子排布式為4s24P4
B.該化合物的晶體類型是離子晶體
C.該化合物的化學(xué)式為KgSeB4
D.距離K最近的Se-Br八面體有4個(gè)
14.下列有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的說法正確的是()
A.圖①中18-冠-6通過離子鍵與K+作用,體現(xiàn)了超分子“分子識(shí)別”的特征
B.圖②物質(zhì)相較NaB弓摩爾質(zhì)量更大,具有更高的熔沸點(diǎn)
C.圖③晶體磷化硼晶胞沿z軸方向上的投影圖為
D.圖③晶胞參數(shù)為dnm,則晶體的密度為瓦方?義IC^g/cm3
15.一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖1所示,圖中一和廣共同占據(jù)晶胞的上下底面位
置,若兩者的比例依次用n和1-n表示,晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示.下列說
法錯(cuò)誤的是()
圖1圖2。
A.晶胞中Sm的原子個(gè)數(shù)為2
B.基態(tài)Fe原子核外存在15種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子
C.該化合物的化學(xué)式為SmFeAsOn耳_n
300-3n
?21
D.設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,該晶體的密度為a?。/Xi。-。cnT
答案以及解析
1.答案:B
解析:Ti周圍有6個(gè)0原子,Ti位于形成的正八面體空隙,A項(xiàng)正確;
根據(jù)“均攤法”,1個(gè)晶胞中含Ti:8義:=1個(gè),含O:12xJ=3個(gè),含La或Li或空位共:1
個(gè),若%=0.25,則La和空位共0.75,n(La)+n(空位)=0.75,結(jié)合正負(fù)化合價(jià)代數(shù)和為
0,(+l)x0.25+(+3)x〃(La)+(M)xl+(—2)x3=0,解得鞏(La)=7/12、〃(空位)=l/6,Li+與空
位數(shù)目之比為3:2,B項(xiàng)錯(cuò)誤;
Ti位于頂點(diǎn),。位于棱心,La或Li或空位位于體心,投影圖為EJ},C項(xiàng)正確;
導(dǎo)電時(shí)LT移動(dòng)方向與電流方向相同,則空位移動(dòng)方向與電流方向相反,D項(xiàng)正確;
故選B
2.答案:D
解析:A.根據(jù)圖中信息可知,鐵硒層中Se的配位數(shù)為4,Se與原子的個(gè)數(shù)比為1:1,所以Fe
原子的配位數(shù)也為4,故A正確;B.由平面投影圖可知,硒原子4個(gè)位于側(cè)面上,其個(gè)數(shù)為
4x;=2,故B正確;C.由平面投影圖可推知,1號(hào)Fe原子位于側(cè)豎棱上2號(hào)Fe原子位于體
心,坐標(biāo)為故C正確;D.鐵硒層中鐵、硒個(gè)數(shù)均為2,再結(jié)合化學(xué)式可知個(gè)晶胞
(7x0.8+56x0.2+17+56+79)x2
的質(zhì)量為1------------3---------------------g,一個(gè)晶胞的體積為^="3x10-21cm3,則該晶體
(7x0.8+56x0.2+17+56+79)x2
密度為司g3.336X10233-故D錯(cuò)誤。
P=---------^xlO-cm3--------------=.嘰g<m
3.答案:A
解析:A.該晶胞中K均位于棱心、體心和八個(gè)小正方體的體心上,Sb均位于頂點(diǎn)和面心上;
棱心、體心的K位于由Sb構(gòu)成的八面體空隙種,八個(gè)小正方體的體心上的K位于由Sb構(gòu)成
的四面體空隙中,A選項(xiàng)錯(cuò)誤;
B.Sb原子間滿足最密堆積,與Sb最鄰近的Sb有12個(gè),B選項(xiàng)正確;
C.K和Sb之間的最短距離為小立方體體心的Sb和小立方體頂點(diǎn)的K之間的距離為晶胞體對(duì)
角線的:,距離為叵pm,C選項(xiàng)正確;
44
D.沿晶胞面對(duì)角線投影的方法:選擇晶胞一個(gè)角到其對(duì)角頂點(diǎn)的線為視角,沿著選定的對(duì)角
線方向,繪制一個(gè)垂直于該對(duì)角線的虛擬平面,這個(gè)平面就是投影面,將晶胞中的原子投影
到這個(gè)平面上。對(duì)于位于投影面附近的原子,它們會(huì)直接投影到平面上,對(duì)于位于晶胞內(nèi)部
但不在投影面上的原子,需要通過延長(zhǎng)連接它們的晶胞邊來找到它們?cè)谕队懊嫔系耐队包c(diǎn),
所得的投影如圖2,D選項(xiàng)正確;
故選擇A選項(xiàng)。
4.答案:C
解析:A.圖1為[Cu(NH3)4(H2O)2『結(jié)構(gòu)示意圖,中心原子銅與氮原子、氧原子間形成配位
鍵,由結(jié)構(gòu)可知兩個(gè)水分子距離Cu2+較遠(yuǎn)因此先失去水,錯(cuò)誤;B.磷化硼晶胞沿Z軸方向上
錯(cuò)誤;C.該晶胞中,B的個(gè)數(shù)為4,P的個(gè)數(shù)為8義:+6義:=4,該晶體
的投影圖為
o2
NM16833一
的密度為十7=元一二萬xlO-g-cm-,正確;D.圖4為C嗎晶體的晶胞示意圖,F(xiàn)填充在位
7V*VIVAX〃
于一個(gè)頂點(diǎn)、三個(gè)面心的Ca2+構(gòu)成的正四面體空隙中,錯(cuò)誤。
5.答案:D
解析:圖甲中,鈣離子的配位數(shù)為12,A項(xiàng)錯(cuò)誤;晶胞的邊長(zhǎng)為0apm,氧離子與倍離子間
的最短距離為KZapm,B項(xiàng)錯(cuò)誤;該晶胞沿z軸方向的投影圖的中心離子不可能為鈣離子,
2
C項(xiàng)錯(cuò)誤。
6.答案:A
解析:本題主要考查晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì),側(cè)重考查學(xué)生對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的理解和計(jì)算能力。b原子
位于面心,分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為B項(xiàng)錯(cuò)誤;金屬La的晶胞為面心立方堆積,配位數(shù)為12,
32
4x13935.56xlO3
C項(xiàng)錯(cuò)誤;1個(gè)晶胞含4個(gè)La,晶體密度夕=Nx/xlO03g.加=孤g..,D項(xiàng)
錯(cuò)誤。
7.答案:D
解析:A.石墨的二維結(jié)構(gòu)中,每個(gè)碳原子最近的碳原子為3,配位數(shù)為3,故A正確;
B.根據(jù)均推原則,四棱柱單元中Li+個(gè)數(shù)=4x;=l,C原子個(gè)數(shù)=16X,+4X2=6,所以該化合
442
物的化學(xué)式為L(zhǎng)iCf,故B正確;
C.同層Li+最近距離為金爰柱頂面邊長(zhǎng),同層Li+最近距離為3apm,故C正確;
-
D.晶胞質(zhì)量為rg,晶胞體積為32*32*曰*2(1*10-30(:1113,密度為二,10°目;故
D錯(cuò)誤;
故選D。
8.答案:C
解析:電負(fù)性:N>C>Li,A項(xiàng)錯(cuò)誤;
由圖可知,CN;的空間結(jié)構(gòu)為直線形,其電子式不可能是匚N:C:N:?,B項(xiàng)錯(cuò)誤;
由圖分析判斷,與CN:最近且距離相等的Li+有8個(gè),即CN;的配位數(shù)是8,C項(xiàng)正確;
2x54
一個(gè)晶胞中含有2個(gè)Li?CN2,故一個(gè)晶胞的質(zhì)量為;1g,
NA
2x54,_i_
一個(gè)晶胞的體積為^^xlO^cn?,晶胞的密度小二,二丁xl(T2g-cm3,D項(xiàng)錯(cuò)誤。故選C。
9.答案:B
解析:A.第IB和IIB族為ds區(qū),Ag與Cu位于同一族,屬于第IB族,所以屬于ds區(qū),A錯(cuò)
誤;
B.由圖2可知,Ag+填充在晶胞平分切割成的8個(gè)小立方體的體心且交錯(cuò)分布在其中4個(gè)小
立方體的體心,則Ag+填充在「構(gòu)成的正四面體空隙中,B正確;
B.由圖1可知,與「等距離且最近的「有12個(gè),C錯(cuò)誤;
D.由圖1可知,晶胞中兩個(gè)最近的Ag+之間的距離為面對(duì)角線的;,即
7nm,D錯(cuò)誤;
故選Bo
10.答案:A
解析:i、2號(hào)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為(i,i,i);實(shí)際坐標(biāo)分別為
(a,a,a),因此1、2號(hào)原子之間的距離為逅anm,A錯(cuò)誤基態(tài)Fe?+在原子核外空間占據(jù)的
2
最高能層為第3層,符號(hào)為M,該能層的電子云在空間有1+3+5=9個(gè)伸展方向,B正確;
FeO中0原子采取面心立方最密堆積,因此,氧原子沿面對(duì)角線的投影為C
34函
正確;題圖中,0原子的數(shù)目為8X:+6X4=4,正四面體空隙有8個(gè)(8個(gè)體內(nèi)),正八面
o2
體空隙有12X±+1=4個(gè)(棱心和體心即為正八面體空隙的中心),正四面體空隙和正八面體
空隙總數(shù)為8+4=12,有3個(gè)空隙填充了Fe原子,因此正四面體空隙和正八面體空隙中Fe原
3
子的填充率為一xl00%=25%,D正確。
12
本題考查晶胞結(jié)構(gòu)等知識(shí),難度較大,要注意面心立方最密堆積中,正四面體空隙有8個(gè)(8
個(gè)體內(nèi)),正八面體空隙有12x」+l=4個(gè)(棱心和體心即為正八面體空隙的中心)。
4
1L答案:D
解析:A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知距離Cu最近的原子是S,故A錯(cuò)誤;B.沿y軸投影,晶胞左側(cè)面頂
點(diǎn)上的原子投影為長(zhǎng)方形的頂點(diǎn),棱邊中點(diǎn)及上小底面面心的原子投影為邊長(zhǎng)的中點(diǎn),體心
投影為長(zhǎng)方形的對(duì)角線交點(diǎn)(面心),晶胞左側(cè)面上下2個(gè)面心、晶胞內(nèi)的原子投影在長(zhǎng)方形
內(nèi),故無法得到圖②投影,故B錯(cuò)誤;C.晶胞中B原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為故C錯(cuò)誤;D.
該晶胞中Cu有8個(gè)位于頂點(diǎn),4個(gè)位于面上,1個(gè)位于體心,個(gè)數(shù)為:8x1+4x1+l=4;S
原子有8個(gè)位于體內(nèi),In原子有6個(gè)位于面上,4個(gè)位于棱心,個(gè)數(shù)為:4XJ+6X!=4;則
42
4M4X1021M:
2213
晶胞質(zhì)量為:=g;晶胞體積為:abl0-cm;該晶體的密度為2nzg<m.3,故D正
N2
AabNA
確;故選:D?
12.答案:B
解析:A.同周期從左到右原子半徑依次減小,故原子半徑:N<B,選項(xiàng)A正確;
B.氮化硼(BN)是由氮原子和硼原子通過不同雜化方式所構(gòu)成的晶體,為共價(jià)晶體,不存在
BN分子,選項(xiàng)B錯(cuò)誤;
C.根據(jù)均攤法可知,晶胞中含有8X:+6X:=4個(gè)B,4個(gè)N,立方氮化硼的密度
o2
14x4+11x4
p=—"一xl021g-cm-3=xlO23g-cm-3,選項(xiàng)。正確;
aN、-a
a---o----a?-------------
D.根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知,氮化硼晶胞的俯視投影圖為B,,以、\,選
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