（高清版）DB37∕T 3142-2018 小徑管焊接接頭相控陣超聲檢測技術(shù)規(guī)程

DB37/T3142—2018小徑管焊接接頭相控陣超聲檢測技術(shù)規(guī)程2018-02-13發(fā)布2018-03-13實施I本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1所給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由山東省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電建集團(tuán)山東電力建設(shè)第一工程有限公司、山東豐匯工程檢測有限公司、山東省特種設(shè)備協(xié)會、神華國能山東建設(shè)集團(tuán)有限公司、中國石化總公司濟南煉油廠、華電國際電力股份有限公司鄒縣發(fā)電廠、山東科捷工程檢測有限公司、武漢中科創(chuàng)新技術(shù)股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王耀禮、杜傳國、顧顯方、張波、郭懷力、蘇敏、張勇、徐學(xué)堃、郭相吉、丁成海、齊高君、梁玉梅、魏玉忠、李向前、徐祇宏、苑廣存、林光輝、戴憲洲、鞠煥強、王敬昌。1DB37/T3142—2018小徑管焊接接頭相控陣超聲檢測技術(shù)規(guī)程本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鋼制承壓設(shè)備小徑管焊接接頭相控陣超聲檢測方法及質(zhì)量評定。測。對厚度大于或者小于以上范圍的工件，若經(jīng)過工藝驗證試驗，能夠滿足檢測靈敏度要求的，可參照本標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T9445無損檢測人員資格鑒定與認(rèn)證GB/T12604.1無損檢測術(shù)語超聲檢測GB/T29302—2012無損檢測儀器相控陣超聲檢測系統(tǒng)的性能與檢驗GB/T32563—2016無損檢測超聲檢測相控陣超聲檢測方法NB/T47013.3—2015承壓設(shè)備無損檢測DL/T820管道焊接接頭超聲波檢驗技術(shù)規(guī)程JB/T11731—2013無損檢測超聲相控陣探頭通用技術(shù)條件JJF1338—2012相控陣超聲探傷儀校準(zhǔn)規(guī)范下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。3.1規(guī)定檢測起始參考點0點以及X、Y和Z坐標(biāo)的含義，如圖1所示。圖1坐標(biāo)定義2DB37/T3142—2018掃查面scanningsurface放置探頭的工件表面，超聲波聲束從該面進(jìn)入工件內(nèi)部。如圖1中的XOY面。由缺陷引起的顯示為相關(guān)顯示。非相關(guān)顯示non-relevantindication由于工件結(jié)構(gòu)(例如焊縫余高或根部)或者材料冶金結(jié)構(gòu)的偏差(例如金屬母材和覆蓋層界面)引起的顯示為非相關(guān)顯示。通過控制激發(fā)晶片數(shù)量，以及施加到每個晶片上的發(fā)射和接收延時，實現(xiàn)波束的偏轉(zhuǎn)和聚焦的算法或相應(yīng)程序。角度增益修正anglecorrectedgain使扇形掃描角度范圍內(nèi)不同角度的聲束檢測同一深度相同尺寸的反射體回波幅度等量化的增益補償。也稱做角度修正增益或ACG。時間增益修正timecorrectedgain對不同聲程處相同尺寸反射體的回波進(jìn)行增益修正，使之達(dá)到相同幅值，也稱做TCG。相控陣超聲檢測phasearrayultrasonictesting將按一定規(guī)律排列的相控陣探頭中多個壓電元件(晶片),按預(yù)先規(guī)定的設(shè)置(延時、增益、振幅等)激發(fā)，利用被激發(fā)晶片發(fā)射(或接收)的偏轉(zhuǎn)和聚焦聲束檢測工件中的缺陷，并對缺陷進(jìn)行成像。在一定范圍內(nèi)，相控陣超聲能有效控制發(fā)射(或接收)聲束在材料中的偏轉(zhuǎn)和聚焦，為確定缺陷的形狀、大小和方向提供了比單個探頭系統(tǒng)更強的檢測能力。扇形掃描sectorscanning采用特定的聚焦法則激發(fā)相控陣探頭中的部分相鄰或全部晶片，使激發(fā)晶片組形成的聲束在設(shè)定的角度范圍內(nèi)以一定的步進(jìn)值變換角度掃過扇形區(qū)域。也稱作變角度掃描或S掃描。3DB37/T3142—2018線性掃查是指探頭在距焊縫邊緣(或焊縫中心)一定距離的位置上，平行于焊縫方向進(jìn)行的直線移(a)采用一個相控陣探頭的線性掃查(b)采用兩個相控陣探頭的線性掃查3.11多次沿線掃查，探頭按照柵格式的軌跡行進(jìn)，以實現(xiàn)對檢測部位的全面覆蓋或多重覆蓋。3.12主動孔徑(A)是相控陣探頭激發(fā)晶片數(shù)的有效長度。主動孔徑長度按照公式(1)計算，如圖3所示。A=n×e+g×(n-1)..................................(1)n—晶片數(shù)量e—晶片寬度g—晶片間隙A—主動孔徑g—相鄰晶片之間的間隙e—晶片寬度n—晶片數(shù)量p—相鄰兩晶片中心線間距W—被動孔徑圖3主動孔徑3.13時基掃查timebasesweep位置傳感器按時間(時鐘)調(diào)節(jié)，則數(shù)據(jù)采集基于掃查時間(秒)。時基模式的數(shù)據(jù)采集時間T等于采3.144DB37/T3142—2018可將位于同深度的相鄰兩缺陷分辨開的相鄰兩A掃描之間的最小角度值。3.15成像橫向分辨力lateralimagingresolution成像系統(tǒng)在與聲束軸線垂直方向的分辨力。3.16成像系統(tǒng)在聲束軸線方向的分辨力。3.17相控陣超聲成像視圖有多種視圖顯示：分別為A顯示(波型顯示)、B/D顯示(橫斷面顯示)、C顯示(水平面顯示)、S顯示(扇形顯示)等多種形式來顯示結(jié)果，利用不同形式的掃描組合可獲得整體檢測圖像，如圖4所示。B簽示wmC顯示4.1檢測人員4.1.1從事相控陣超聲檢測的人員至少應(yīng)持有超聲波檢測Ⅱ級(中級)及以上資格證書，并通過相控陣超聲檢測技術(shù)培訓(xùn)，取得相應(yīng)證書。4.1.2相控陣超聲檢測人員應(yīng)熟悉所使用的檢測設(shè)備。4.1.3相控陣超聲檢測人員應(yīng)具有實際檢測經(jīng)驗并掌握一定的金屬材料及加工的基礎(chǔ)知識。相控陣超聲檢測設(shè)備主要包括儀器主機、軟件、掃查裝置、探頭，上述各項應(yīng)成套或單獨具有產(chǎn)品質(zhì)量合格證或制造廠出具的合格文件。4.2.2相控陣超聲儀器a)其放大器的增益調(diào)節(jié)步進(jìn)不應(yīng)大于1dB。b)相控陣儀器應(yīng)配備與其硬件相匹配的延時控制和成像軟件。5DB37/T3142—2018c)-3dB帶寬下限不高于1d)采樣頻率不應(yīng)小于探頭中心頻率的6倍。e)幅度模數(shù)轉(zhuǎn)換位數(shù)應(yīng)不小于8位。f)儀器的水平線性誤差不大于1%,垂直線性誤差不大于5%。g)所有激勵通道的發(fā)射脈沖電壓具有一致性，最大偏移量應(yīng)不大于設(shè)置值的5%。h)各通道的發(fā)射脈沖延遲精度不大于5ns。b)能夠存儲、調(diào)出A、B、C、D、S圖像，并能將存儲的檢測數(shù)據(jù)拷貝到外部存儲空間中；d)儀器的數(shù)據(jù)采集應(yīng)與掃查裝置的移動同步，掃查步進(jìn)值應(yīng)可調(diào)，其最小值應(yīng)不大于0.5mm;e)儀器應(yīng)能存儲和分辨各A掃描信號之間相對位置的信息，如位置傳感器位置；f)離線分析軟件應(yīng)能對檢測時設(shè)置的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行查看。a)探頭應(yīng)符合JB/T11731標(biāo)準(zhǔn)要求，探頭可加裝用以輔助聲束偏轉(zhuǎn)的楔塊或延遲塊。楔塊形狀b)小徑管焊接接頭相控陣探頭宜采用自聚焦橫波相控陣探頭；c)探頭實測中心頻率與標(biāo)稱頻率間的誤差應(yīng)不大于10%;d)探頭的-6dB相對頻帶寬度不小于55%;e)同一探頭晶片間靈敏度差值應(yīng)不大于4dB。晶片靈敏度的均勻性應(yīng)滿足均方差不大于1dB。相控陣探頭晶片的靈敏度差異及有效性測試可參照附錄A;則要求在掃查使用的每個聲束組中，損壞晶片不應(yīng)超過總使用晶片數(shù)的12.5%,且沒有連續(xù)損壞晶片；如果晶片的損壞超過上述規(guī)定，可通過仿真軟件計算且通過試塊測試，確認(rèn)壞晶片對聲場和檢測靈敏度、信噪比無明顯不利影響，才允許使用。4.2.5.1試塊分為校準(zhǔn)試塊、對比試塊及模擬試塊。4.2.5.2校準(zhǔn)試塊型試塊和相控陣B型試塊(聲束控制評定試塊)見附錄B。4.2.5.3對比試塊a)本標(biāo)準(zhǔn)采用的對比試塊型號為GS-1、GS-2、GS-3(見附錄D);b)試塊型號的選擇應(yīng)與被檢工件的曲率半徑相對應(yīng)。4.2.5.4模擬試塊模擬試塊與被檢測工件在材質(zhì)、形狀、主要幾何尺寸、坡口型式和焊接工藝等方面應(yīng)相同或相近。主要用于檢測工藝驗證、掃查靈敏度的確定，按缺陷制作方式可分為人工焊接缺陷試塊和機加工缺陷試a)人工焊接缺陷試塊：其缺陷類型主要包括裂紋、未熔合、未焊透、條形缺陷、圓形缺陷等典型焊接缺陷；6DB37/T3142—2018b)機加工缺陷試塊：其缺陷類型主要包括橫孔、V形槽及其他線切割槽等人工反射體。4.2.6耦合劑4.2.6.1應(yīng)選用具有良好的透聲性、易清洗、無毒無害，有適宜流動性的材料；對工件、人體及環(huán)境無損害，同時應(yīng)便于檢測后清理。典型的耦合劑包括水、化學(xué)耀糊、洗滌劑、機油和甘油，在零度以下建議使用機油或相近的液體。4.2.6.2實際檢測采用的耦合劑應(yīng)與檢測系統(tǒng)設(shè)置和校準(zhǔn)時的耦合劑相同。4.2.7掃查裝置4.2.7.1探頭夾持部分在掃查時應(yīng)保證聲束與焊縫長度方向垂直。4.2.7.2導(dǎo)向部分應(yīng)能在掃查時使探頭運動軌跡與擬掃查軌跡保持一致。4.2.7.3掃查裝置可以采用電動或人工驅(qū)動。4.2.7.4掃查裝置應(yīng)具有確定探頭位置的功能，可通過步進(jìn)電機或位置傳感器實現(xiàn)對位置的探測與控4.2.8儀器設(shè)備的校準(zhǔn)、核查及檢查要求4.2.8.1相控陣儀器的性能指標(biāo)應(yīng)每年進(jìn)行一次校準(zhǔn)。儀器的水平線性和垂直線性應(yīng)每隔六個月至少進(jìn)行一次運行核查。4.2.8.2在新探頭開始使用時，應(yīng)對探頭進(jìn)行一次全面的性能校準(zhǔn)，具體校準(zhǔn)方法見JB/T11731。4.2.8.3校準(zhǔn)應(yīng)在相應(yīng)的試塊上進(jìn)行，扇掃成像分辨力在A型試塊上進(jìn)行，幾何尺寸測量誤差在B試塊上進(jìn)行，具體調(diào)校方法見GB/T29302校準(zhǔn)規(guī)范。4.2.8.4位置傳感器在檢測前及結(jié)束時，均應(yīng)進(jìn)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)方法是使位置傳感器移動一定距離，將檢測設(shè)備顯示的位移與實際位移相比較，要求誤差應(yīng)小于1%,最大值不超過10mm。4.2.8.5檢查每次檢測前應(yīng)檢查儀器設(shè)備器材外觀、線纜連接接頭、儀器鍵盤及觸摸屏等是否正常。4.3掃描類型及顯示方式4.3.1檢測時，一般采用扇形掃描?？筛鶕?jù)被檢產(chǎn)品的焊縫類型、工作介質(zhì)，預(yù)計可能產(chǎn)生的缺陷種類、形狀、部位和取向，選擇其他掃描類型。4.3.2扇形掃描的顯示方式分為按聲程顯示和按實際幾何結(jié)構(gòu)顯示兩種方式(見圖5),工作中顯示方式的選擇應(yīng)根據(jù)使用的相控陣超聲設(shè)備而定。圖5扇形掃描檢測示意圖4.3.3掃查數(shù)據(jù)以圖像形式顯示，可用S掃描、B掃描、C掃描、D掃描及P掃描等顯示形式。4.3.4在掃查數(shù)據(jù)的圖像中應(yīng)有位置傳感器掃查位置顯示。7DB37/T3142—20184.4.1相控陣探頭參數(shù)a)晶片參數(shù)：晶片數(shù)量、晶片寬度、晶片間隙及主動孔徑；b)楔塊參數(shù)：楔塊尺寸、楔塊角度及楔塊聲速。a)晶片數(shù)量：聚焦法則使用的晶片數(shù)量不低于16個；b)晶片位置：設(shè)定激發(fā)晶片的起始位置；c)角度參數(shù)：在工件中所用聲束的固定角度、聲束的角度范圍(35°~75°);d)距離參數(shù)：在工件中的聲程或深度；e)聲速參數(shù)：在工件中的聲速；f)工件厚度：被檢工件的厚度；g)焊縫參數(shù)：坡口角度、對口間隙、余高、焊縫寬度；h)聚焦深度：根據(jù)工件厚度及聚焦法則設(shè)定相應(yīng)數(shù)值；i)探頭位置：設(shè)定探頭前端至焊縫邊緣(或焊縫中心)的距離。4.5.1檢測前，應(yīng)根據(jù)被檢工件情況按照本標(biāo)準(zhǔn)的要求編制相控陣檢測工藝規(guī)程和操作指導(dǎo)書。4.5.1.1相控陣檢測工藝規(guī)程至少應(yīng)包括以下內(nèi)容：a)適用范圍和對被檢工件的要求；b)遵循的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范；c)被檢工件情況(名稱、材質(zhì)、成型方法、坡口形狀尺寸、焊接情況、熱處理情況、母材檢測情況等);d)檢測的目的、檢測覆蓋區(qū)域、檢測時機；e)對檢測人員資格和能力的要求，檢測人員培訓(xùn)和工藝驗證試驗要求；f)對檢測設(shè)備(儀器、探頭、試塊)的要求；g)檢測參數(shù)及要求：包括檢測覆蓋區(qū)域、檢測時機、儀器、探頭及楔塊的參數(shù)設(shè)置或選擇、掃查方法的選擇、掃查面的確定、探頭位置的確定、掃查面的準(zhǔn)備等，以及檢測系統(tǒng)的設(shè)置(激發(fā)孔徑、扇掃角度和步進(jìn)、線掃步進(jìn)、聚焦、時間窗口、靈敏度等)和校準(zhǔn)(靈敏度、位置傳感器等)方法；h)掃查示意圖：圖中應(yīng)標(biāo)明工件厚度、坡口參數(shù)、掃查面、探頭位置、掃查移動方向和移動范圍、掃描波束角度和覆蓋范圍等；i)檢測溫度、掃查速度、數(shù)據(jù)質(zhì)量要求；j)掃查和數(shù)據(jù)采集過程的一般要求；k)對數(shù)據(jù)分析、缺陷評定與記錄報告的一般要求。4.5.1.2操作指導(dǎo)書至少應(yīng)包括以下內(nèi)容：a)被檢工件情況；b)檢測設(shè)備器材；c)檢測準(zhǔn)備：包括確定檢測區(qū)域、掃查面的確定及準(zhǔn)備、探頭及楔塊的選取、掃描方式及掃查方式的選擇、探頭位置的確定等；d)檢測系統(tǒng)的設(shè)置和校準(zhǔn)；e)掃查和數(shù)據(jù)采集要求；8DB37/T3142—2018f)數(shù)據(jù)分析、缺陷評定及出具報告的要求。4.5.2操作指導(dǎo)書在首次應(yīng)用前應(yīng)進(jìn)行工藝驗證，驗證方式可在相關(guān)試塊或軟件上進(jìn)行，驗證內(nèi)容包括檢測范圍內(nèi)靈敏度、信噪比等是否滿足檢測要求。4.6.1工藝驗證試驗應(yīng)制作與被檢工件相同或相似的帶有缺陷的模擬試塊，將擬采用的檢測工藝應(yīng)用到模擬試塊上，工藝驗證試驗結(jié)果應(yīng)清楚地顯示和測量模擬試塊中的缺陷或反射體。4.6.2符合以下情況之一時應(yīng)在模擬試塊上進(jìn)行工藝驗證試驗：a)信噪比和聲速與細(xì)晶粒鋼差異明顯的非細(xì)晶粒鋼工件檢測；b)合同約定要求進(jìn)行。4.6.3經(jīng)合同雙方同意，可使用相控陣仿真軟件計算部分或全部代替工藝驗證試驗內(nèi)容。4.7.1系統(tǒng)校準(zhǔn)與實際檢測間的溫度差應(yīng)控制在±15°C之內(nèi)。4.7.2檢測時，被檢工件表面溫度應(yīng)控制在0°C~50°C。若超出此范圍應(yīng)通過實驗驗證設(shè)備的適用性，同時驗證檢測的可操作性和可靠性。當(dāng)檢測條件不符合本標(biāo)準(zhǔn)的工藝要求或不具備安全作業(yè)條件時，檢測人員應(yīng)停止工作，待條件改善檢測區(qū)域高度為工件厚度；檢測區(qū)域?qū)挾葹楹缚p本身加上焊縫兩側(cè)各相當(dāng)于母材厚度30%的一段區(qū)5.1.2掃查面制備5.1.2.1探頭移動區(qū)內(nèi)應(yīng)清除焊接飛濺、鐵屑、油漆便于探頭的移動和耦合，其表面粗糙度Ra值應(yīng)不大于6.3μm。5.1.2.2掃查面打磨寬度應(yīng)滿足檢測要求，一般不小于60mm。5.1.2.3焊縫的表面質(zhì)量應(yīng)經(jīng)外觀檢查合格后方可進(jìn)行檢測，表面的不規(guī)則狀態(tài)不應(yīng)影響檢測結(jié)果評5.1.3掃查方式選擇b)柵格掃查+扇形掃描。5.1.3.2對可疑部位，可采用扇形掃描，結(jié)合矩形、前后、左右等掃查方式進(jìn)行檢測。9DB37/T3142—20185.2.1與工件厚度有關(guān)的相控陣探頭參數(shù)選擇可參考表1。表1相控陣探頭參數(shù)選擇推薦表5.2.2相控陣探頭楔塊的曲率應(yīng)與被檢管件的形狀相吻合，如圖6所示。楔塊邊緣與被檢工件接觸面的間隙x應(yīng)不大于0.5mm。圖6探頭楔塊邊緣與管子外表面間隙的示意圖5.2.3線性掃查檢測可選擇單探頭配置，也可選擇雙探頭對稱配置，選擇類型取決于所用的檢測設(shè)備和現(xiàn)場工作條件。為了使扇形掃描角度范圍內(nèi)的距離-波幅曲線靈敏度均勻一致，要進(jìn)行角度增益補償。角度增益補5.4.1管壁厚度為4mm~8mm(不含8mm)的焊接接頭檢測時，采用三次波與二次波或四次波分開設(shè)5.4.2管壁厚度大于等于8mm的焊接接頭檢測時，采用一次波和二次波同時設(shè)置的法則進(jìn)行檢測。5.4.3橫波斜聲束扇形掃描角度一般不應(yīng)超出35°~75°,特殊情況下，確需使用超出該角度范圍的聲束檢測時，應(yīng)驗證其檢測靈敏度。工件壁厚4mm~8mm時，不宜采用過小角度聲束，以免底面一次反射波進(jìn)入楔塊產(chǎn)生干擾，此時聲速中心角度宜設(shè)置為60°即扇掃角度范圍45°~75°。5.5.1距離-波幅曲線按所用探頭和儀器在所選擇的GS對比試塊上，通過實測的數(shù)據(jù)繪制而成，該曲線由評定線和定量線組成。5.5.2在整個檢測范圍內(nèi)，距離-波幅曲線不得低于顯示屏滿刻度的20%。5.5.3在制作距離-波幅曲線過程中，必須控制噪聲信號，信噪比必須大于等于10dB,距離-波幅曲線的制作見附錄E。5.5.4不同管壁厚度的距離-波幅曲線靈敏度應(yīng)符合表2規(guī)定。DB37/T3142—2018表2距離-波幅曲線的靈敏度定量線5.5.5檢測時由于工件表面耦合損失、材料衰減以及內(nèi)外曲率的影響，應(yīng)對檢測靈敏度進(jìn)行傳輸損失綜合補償，綜合補償量應(yīng)計入距離-波幅曲線。5.5.6掃查靈敏度應(yīng)通過工藝驗證的方式確定，以能清晰地顯示和測量出模擬試塊中缺陷或反射體時的增益為基準(zhǔn)。5.6步進(jìn)設(shè)置5.6.1檢測前應(yīng)將檢測系統(tǒng)設(shè)置為根據(jù)掃查步進(jìn)采集信號，掃查步進(jìn)最大值△xmax≤1.0mm。5.6.2扇形掃描角度步進(jìn)設(shè)置應(yīng)≤1°。5.75.7檢測實施5.7.15.7.1方向標(biāo)識檢測前應(yīng)在工件掃查面上予以標(biāo)記，標(biāo)記內(nèi)容至少包括掃查起始點和掃查方向，所有標(biāo)記應(yīng)對掃查無影響。5.7.2參考線設(shè)定在檢測之前，應(yīng)在工件掃查面上標(biāo)定參考線，參考線距焊縫邊緣(或焊縫中心)的距離應(yīng)根據(jù)檢測聚焦法則設(shè)置而定，其距離誤差為±0.5mm。5.7.3依照工藝參數(shù)設(shè)置將檢測系統(tǒng)的硬件及軟件置于檢測狀態(tài)，將探頭擺放到設(shè)定的參考線位置，沿標(biāo)識方向路徑進(jìn)行掃查。5.7.4掃查時應(yīng)保證掃查速度小于或等于最大允許掃查速度Vmx,同時應(yīng)保證耦合效果和數(shù)據(jù)采集的要求。最大允許掃查速度按公式(2)計算：...................................(2)Vax——最大允許掃查速度，mm/s;PRF——脈沖重復(fù)頻率，Hz;△x——設(shè)置的掃查步進(jìn)值，mm;N——設(shè)置的信號平均次數(shù)；A——A掃描的數(shù)量(如扇形掃描時，激發(fā)如35°~75°的扇形掃描，角度步進(jìn)為1°,則A=41)。5.8掃查覆蓋范圍5.8.1根據(jù)聚焦法則的參數(shù)，用相控陣超聲檢測設(shè)備中的理論模擬軟件進(jìn)行演示，調(diào)整探頭前端距焊縫邊緣(或焊縫中心)的距離，使所選用的檢測聲束將檢測區(qū)域完全覆蓋。確認(rèn)演示結(jié)果后，將演示模擬圖及參數(shù)保存，并附在檢測工藝中。5.8.2檢測時，一般應(yīng)在焊縫兩側(cè)分別掃查或雙側(cè)探頭同時掃查。若因條件限制只能從焊接接頭一側(cè)掃查時，應(yīng)采用不同的聚焦法則，設(shè)置不同探頭位置及角度掃查范圍進(jìn)行檢測，確保檢測區(qū)域全覆蓋。DB37/T3142—20185.8.3對于環(huán)焊縫，掃查停止位置應(yīng)越過起始位置至少30mm。線性掃查時，若在焊縫長度方向進(jìn)行分段掃查，則各段掃查區(qū)的重疊范圍至少為30mm。需要多個線性掃查覆蓋整個焊接接頭體積時，各線性掃查之間的重疊至少為所用相控陣探頭線性陣列長度的10%。5.9檢測系統(tǒng)復(fù)核5.9.1當(dāng)出現(xiàn)下列情況之一時，需進(jìn)行復(fù)核。a)探頭、耦合劑和儀器調(diào)節(jié)發(fā)生改變時；b)懷疑掃查靈敏度或定位精度有變化時；c)連續(xù)工作4h以上時；d)工作結(jié)束時。5.9.2掃查靈敏度復(fù)核復(fù)核時，如曲線上任何一點幅度下降2dB或20%,則應(yīng)對上一次復(fù)核以來所有的檢測部位進(jìn)行復(fù)驗；如幅度上升2dB或20%,則應(yīng)對所有的記錄信號進(jìn)行重新評定。5.9.3定位精度復(fù)核定位精度的復(fù)核，參照附錄C進(jìn)行。6檢測數(shù)據(jù)的分析和缺陷評定6.1檢測數(shù)據(jù)的有效性評價6.1.1分析檢測數(shù)據(jù)之前應(yīng)對所采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行評估以確定其有效性，數(shù)據(jù)至少應(yīng)滿足以下要求：a)采集的數(shù)據(jù)量滿足所檢測焊縫長度的要求；b)數(shù)據(jù)丟失量不得超過整個掃查長度的5%,且不允許相鄰數(shù)據(jù)連續(xù)丟失；c)掃查圖像中耦合不良的長度不得超過整個掃查長度的5%,單個耦合不良長度不得超過2mm。6.1.2若采集的數(shù)據(jù)不滿足上述要求，應(yīng)檢查掃查裝置工況，排除故障后重新進(jìn)行掃查。6.2顯示的分類檢測結(jié)果的顯示分為相關(guān)顯示和非相關(guān)顯示，典型相控陣檢測缺陷圖像見附錄F。6.3缺陷定性6.3.1首先對相控陣掃查數(shù)據(jù)進(jìn)行整體分析，結(jié)合A掃描、B掃描、C掃描、D掃描、S掃描顯示判斷掃查數(shù)據(jù)中缺陷的性質(zhì)。6.3.2性質(zhì)判定為裂紋、未熔合、未焊透缺陷評定為不允許。6.3.3根據(jù)缺陷輪廓確定缺陷的長度、寬度，長度與寬度之比大于3的相關(guān)顯示按條形缺陷處理，長度與寬度之比不大于3的相關(guān)顯示按圓形缺陷處理。6.3.4性質(zhì)判定為條形缺陷和圓形缺陷的，應(yīng)進(jìn)行缺陷定量，評定為允許或不允許。6.4缺陷定量6.4.1條形缺陷的定量方法6.4.1.1缺陷位置測定應(yīng)以獲得缺陷最大反射波的位置為準(zhǔn)。6.4.1.2缺陷最大反射波幅的測定方法是，在掃查數(shù)據(jù)中將測量光標(biāo)移動至缺陷出現(xiàn)最大反射波信號的位置，測定波幅大小。6.4.1.3缺陷長度的測定：DB37/T3142—2018a)當(dāng)缺陷反射波只有一個高點，且位于定量線以上時，用-6dB法測其指示長度；b)缺陷反射波峰值起伏變化，有多個高點，且位于定量線以上時，應(yīng)以端點-6dB法測量其指示c)當(dāng)缺陷的最大反射波幅位于評定線以上定量線以下時，使波幅降到評定線，用以評定線絕對靈d)對于裂紋、未熔合、未焊透缺陷，當(dāng)其最大反射波幅不超過評定線時，可參照-6dB法或端點e)相鄰兩缺陷在一直線上，其間距小于其中較小的缺陷長度時，應(yīng)作為一條缺陷處理，以兩缺陷f)缺陷實際指示長度I應(yīng)按式(3)計算(適用于管徑小且壁厚大時):....................................(3)缺陷長徑D/mm>2～3>3～4缺陷點數(shù)1235或參照其它相關(guān)驗收標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行質(zhì)量評定。DB37/T3142—2018a)不允許的缺陷為裂紋、未熔合、未焊透；b)單個圓形缺陷長徑大于T/2的評定為不允許；c)條形缺陷和圓形缺陷的評定應(yīng)符合表6-2的規(guī)定。允許圓形缺陷點數(shù)允許單個條形缺陷長度L/mm允許不計點數(shù)缺陷數(shù)量/個注1:當(dāng)母材公稱厚度不同時，應(yīng)按薄側(cè)厚度進(jìn)行評定。注2:在任何9T焊縫長度范圍內(nèi)，多個缺陷累計長度最大允許值L不超過T(T為母材公稱厚度)。當(dāng)焊縫長度不足9T時，可按比例折算，當(dāng)折算后的多個缺陷累計長度允許值小于該厚度范圍內(nèi)允許的單個缺陷指示長度時，以允許的單個缺陷指示長度作為缺陷累計長度允許值。7檢測記錄與報告檢測記錄主要內(nèi)容包括工程名稱、工件編號、焊縫編號、坡口形式、焊接方法、母材材質(zhì)、規(guī)格、表面質(zhì)量、檢測方法、檢測標(biāo)準(zhǔn)、驗收標(biāo)準(zhǔn)、檢測比例、儀器型號、探頭規(guī)格、耦合劑、試塊、檢測靈敏度、所發(fā)現(xiàn)的缺陷及評定記錄、檢測人員及其資格等級和檢測日期等。b)檢測標(biāo)準(zhǔn)；c)被檢工件：名稱、編號、規(guī)格、材質(zhì)、坡口型式、焊接方法和熱處理狀況；d)檢測設(shè)備及器材：儀器型號及編號、探頭、位置傳感器、試塊、耦合劑等；e)檢測工藝參數(shù)：掃描類型、顯示方式、掃查方式、探頭配置及掃查靈敏度等；f)檢測覆蓋區(qū)域：理論模擬軟件演示的檢測區(qū)域覆蓋圖及參數(shù)；g)檢測示意圖：檢測部位以及所發(fā)現(xiàn)的缺陷位置和分布圖；h)掃查數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)文件名稱、掃查數(shù)據(jù)以電子版形式保存；i)檢測結(jié)論：評定出缺陷性質(zhì)、位置、尺寸及是否允許；j)檢測人員和審核人員簽字；k)檢測日期。DB37/T3142—2018(規(guī)范性附錄)該項測試要求儀器軟件能夠?qū)ο嗫仃囂筋^的每個晶片進(jìn)行逐一激發(fā)。A.2測試方法A.2.1將相控陣探頭均勻穩(wěn)定地耦合在角度增益修正試塊(或等效試塊)表面，單獨激發(fā)第一個晶片，得到最高反射回波。A.2.2調(diào)節(jié)增益值使第一個晶片回波達(dá)到80%滿屏高度，記錄此時的增益值。A.2.3單獨激發(fā)下一個晶片，并重復(fù)A.2.2,直至最后一個晶片(沿著陣列中所有陣元一次一個陣元步進(jìn))。A.3判斷如出現(xiàn)以下情況，認(rèn)定為晶片為壞晶片：b)有底面回波信號但信噪比小于12dB的晶片；c)同一陣列中靈敏度明顯偏低，比其他晶片的平均靈敏度低9dB以上的晶片。相控陣A型試塊和相控陣B型試塊(聲束控制評定試塊)A-1區(qū)放大圖圖B.2相控陣B型試塊(聲束控制評定試塊)DB37/T3142—2018(規(guī)范性附錄)C.1.1不加裝楔塊或延時塊時，本測試可評價儀器軟件對聲束合成的控制精度。C.1.2加裝楔塊或延時塊時，該測試可反映楔塊或延時塊的磨損，以確定是否需要更換或校準(zhǔn)。的聲程中心重合。C.2.1.2設(shè)置扇形掃描角度范圍-80°~80°,保存等聲程孔的圖像。C.2.1.3在軟件中測量各孔的回波聲程及角度，與實際值相比較。C.2.2.1設(shè)置軟硬件組合，以得到擬用于檢測的聲束范圍。波，記錄儀器中測得的孔的位置信息，并與實際值相比