1+X集成電路理論題庫(kù)及答案

1+X集成電路理論題庫(kù)及答案一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤(pán)上料時(shí)，在上料架旁的紅色指示燈亮的含義是()。A、上料機(jī)構(gòu)故障B、上料架上有料盤(pán)C、上料架上有空料盤(pán)D、上料架上沒(méi)有料盤(pán)正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)進(jìn)行料盤(pán)上料時(shí)，上料架上是否有料盤(pán)可以通過(guò)上料架旁的傳感器進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)傳感器指示燈為紅色時(shí)，表明上料架上還有料盤(pán)，可以繼續(xù)進(jìn)行上料，當(dāng)傳感器指示燈為綠色時(shí)，表明上料架上無(wú)料盤(pán)，停止上料。2.打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的()大小。A、1/4~1/3B、1/3~1/2C、1/4~1/2D、1/5~1/3正確答案：A答案解析：打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的1/4~1/3大小，且墨點(diǎn)不能覆蓋PAD點(diǎn)。3.若想取下藍(lán)膜上的晶圓或晶粒，需要照射適量（），能降低藍(lán)膜的黏著力。A、紅外線B、太陽(yáng)光C、藍(lán)色光源D、紫外線正確答案：D答案解析：對(duì)需要重新貼膜或加工結(jié)束后的晶圓，需要從藍(lán)膜上取下，此時(shí)只需照射適量紫外線，就能瞬間降低藍(lán)膜黏著力，輕松取下晶圓或晶粒。4.在進(jìn)行料盤(pán)真空包裝時(shí)，需要在()上進(jìn)行。A、平移式分選機(jī)B、真空包裝機(jī)C、測(cè)試機(jī)D、高溫烘箱正確答案：B答案解析：在進(jìn)行料盤(pán)真空包裝時(shí)，需要在真空包裝機(jī)上進(jìn)行。5.元器件的標(biāo)志方向應(yīng)按照?qǐng)D紙規(guī)定的要求，若裝配圖上沒(méi)有指明方向，則應(yīng)使標(biāo)記向外易于辨認(rèn)，并按照（）的順序讀出。A、從左到右、從下到上B、從左到右、從上到下C、從右到左、從上到下D、從右到左、從下到上正確答案：A6.{平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，芯片在該區(qū)域的操作完成后會(huì)進(jìn)入()區(qū)域。}A、上料B、待測(cè)C、測(cè)試D、分選正確答案：D答案解析：該圖紅色所框區(qū)域有L字型的測(cè)壓手臂，為平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的測(cè)試區(qū)域。測(cè)試完成后，會(huì)根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分選。7.當(dāng)測(cè)壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“()”鍵繼續(xù)吸取一次。A、SKIPB、RESTARTC、RETRYD、STOP正確答案：C答案解析：當(dāng)測(cè)壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”鍵繼續(xù)吸取一次。8.減薄工藝的正確流程是（）。A、清洗→壓片→原始厚度測(cè)量→上蠟粘片→二次厚度測(cè)量→減薄→拋光→去蠟→清洗B、清洗→壓片→原始厚度測(cè)量→上蠟粘片→二次厚度測(cè)量→拋光→減薄→去蠟→清洗C、清洗→上蠟粘片→原始厚度測(cè)量→壓片→二次厚度測(cè)量→拋光→減薄→去蠟→清洗D、清洗→原始厚度測(cè)量→上蠟粘片→壓片→二次厚度測(cè)量→減薄→拋光→去蠟→清洗正確答案：D9.探針臺(tái)上的()處于()狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作，容易引起探針臺(tái)死機(jī)，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測(cè)試卡。A、紅色指示燈、亮燈B、指示燈、亮燈C、綠色指示燈、亮燈D、紅色指示燈、滅燈正確答案：B答案解析：探針臺(tái)上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作，容易引起探針臺(tái)死機(jī)，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測(cè)試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升，當(dāng)至少有一盞指示燈處于亮燈狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作。10.把塑封后的芯片放到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)的作用是（）。A、消除內(nèi)部應(yīng)力，保護(hù)芯片B、測(cè)試產(chǎn)品耐高溫效果C、改變塑封外形D、剔除塑封虛封的產(chǎn)品正確答案：A答案解析：注塑之后為了保護(hù)芯片，消除內(nèi)部的應(yīng)力，我們還需要把塑封后的芯片放到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)進(jìn)行高溫固化，一般需要8小時(shí)的固化時(shí)間。11.重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片測(cè)試完畢后，將檢測(cè)結(jié)果通過(guò)（）把結(jié)果傳回分選機(jī)。A、GPIBB、數(shù)據(jù)線C、串口D、VGA正確答案：A12.下列對(duì)重力式分選描述錯(cuò)誤的是（）。A、重力式分選機(jī)為斜背式雙工位或多工位自動(dòng)測(cè)試分選機(jī)B、重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成C、測(cè)試方式為夾測(cè)D、可以分選BGA封裝芯片正確答案：D13.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：()。A、測(cè)前光檢→測(cè)后光檢→測(cè)試→芯片分選B、芯片分選→測(cè)前光檢→測(cè)后光檢→測(cè)試C、測(cè)前光檢→測(cè)試→測(cè)后光檢→芯片分選D、測(cè)前光檢→測(cè)后光檢→芯片分選→測(cè)試正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：測(cè)前光檢→測(cè)試→測(cè)后光檢→芯片分選。14.激光打字在打標(biāo)前需要調(diào)整（）的位置。A、顯示器和收料架B、場(chǎng)鏡和光具座C、場(chǎng)鏡和收料架D、光具座和顯示器正確答案：B15.{以串行測(cè)試為例，假設(shè)A,B軌道測(cè)試合格，C軌道測(cè)試不合格，芯片移動(dòng)的路線是（）。}A、A測(cè)試軌道→分選梭1→B測(cè)試軌道→分選梭2→C測(cè)試軌道→分選梭3→D合格軌道→分選梭4→不良品料管；B、A測(cè)試軌道→分選梭1→B測(cè)試軌道→分選梭2→C不合格軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管；C、A測(cè)試軌道→分選梭1→B測(cè)試軌道→分選梭2→C不合格軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管D、A測(cè)試軌道→分選梭1→B測(cè)試軌道→分選梭2→C測(cè)試軌道→分選梭3→D不合格軌道→分選梭4→不良品料管正確答案：D答案解析：重力式分選機(jī)進(jìn)行串行測(cè)試時(shí)，A,B軌道測(cè)試合格，C軌道測(cè)試不合格，芯片移動(dòng)的路線是：分選梭1將A軌道測(cè)試合格的芯片送入B測(cè)試軌道，B軌道測(cè)試合格后，分選梭2將芯片送人C測(cè)試軌道，C軌道測(cè)試不合格后，分選梭3將芯片送入D不合格軌道，分選梭4將芯片放入不良品料管中。16.編帶外觀檢查的步驟正確的是()。A、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤(pán)→編帶回料→編帶固定B、歸納放置→固定卷盤(pán)→檢查外觀→編帶回料→編帶固定C、固定卷盤(pán)→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定D、編帶固定→固定卷盤(pán)→歸納放置→檢查外觀→編帶回料正確答案：B答案解析：編帶外觀檢查的步驟：歸納放置→固定卷盤(pán)→檢查外觀→編帶回料→編帶固定。17.裝有晶圓的花籃需要放在氮?dú)夤裰袃?chǔ)存的主要目的是()。A、防氧化B、合理利用生產(chǎn)車間的空間C、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站D、防塵正確答案：A答案解析：氮?dú)夤裰饕抢玫獨(dú)鈦?lái)降低濕度和氧含量。將裝有晶圓的花籃放在氮?dú)夤裰械闹饕康氖欠姥趸?8.以下不屬于模擬集成電路的是（）。A、穩(wěn)壓器B、功率放大器C、運(yùn)算放大器D、鎖相環(huán)正確答案：D19.使用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)，當(dāng)遇到料管卡料時(shí)，設(shè)備會(huì)()。A、繼續(xù)操作B、會(huì)自動(dòng)處理C、停止運(yùn)行并報(bào)警D、只進(jìn)行報(bào)警正確答案：C答案解析：重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，如果遇到料管滿管或者卡料時(shí)，會(huì)出現(xiàn)設(shè)備自動(dòng)停測(cè)并報(bào)警提示。20.解決鋁尖刺的方法有（）。A、在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑鱼~B、采用三層夾心結(jié)構(gòu)C、在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸鐳、采用“竹節(jié)狀”結(jié)構(gòu)正確答案：C答案解析：解決鋁尖刺的方法有在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸琛?1.“對(duì)刀”操作時(shí)，點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的（）按鈕，使承載盤(pán)真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開(kāi)啟狀態(tài)。A、θ角度調(diào)整B、開(kāi)始C、WorkSetD、ManualAlign正確答案：C答案解析：點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的“WorkSet”（設(shè)置）按鈕，使承載盤(pán)真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開(kāi)啟狀態(tài)。點(diǎn)擊顯示屏上的“ManualAlign”（手動(dòng)對(duì)位）按鈕，界面跳轉(zhuǎn)到“切割道調(diào)整界面”。點(diǎn)擊“22.芯片檢測(cè)工藝中，管裝裝內(nèi)盒時(shí)，在內(nèi)盒上貼有（）種類型的標(biāo)簽。A、4B、3C、2D、1正確答案：C23.第一次在keil軟件上寫(xiě)完程序編譯時(shí)應(yīng)當(dāng)點(diǎn)擊（）。A、3B、2C、234D、1E、4正確答案：B24.重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，上料的第一步是()。A、設(shè)置參數(shù)B、吸取芯片C、裝料D、上料夾具夾持正確答案：C答案解析：裝料是上料的第一步。裝料是將待測(cè)料管放入上料槽內(nèi)。裝料完成后由上料夾具夾持上料。25.在AltiumDesigner軟件設(shè)計(jì)完電路圖后，設(shè)計(jì)制作樣品電路需要用到的文件是（）。A、BOMB、PCBC、ICTD、Gerber正確答案：A26.晶圓切割的作用是（）。A、對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行修正B、將完整的晶圓分割成單獨(dú)的晶粒C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續(xù)晶粒的分離D、切除電氣性能不良的晶粒正確答案：B答案解析：晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨(dú)立的晶粒，用于后續(xù)集成電路的制造。27.下列對(duì)芯片檢測(cè)描述正確的是（）。A、集成電路測(cè)試是確保產(chǎn)品良率和成本控制的重要環(huán)節(jié)B、所有芯片的測(cè)試、分選和包裝的類型相同C、測(cè)試完成后直接進(jìn)入市場(chǎng)D、測(cè)試機(jī)分為數(shù)字測(cè)試機(jī)和模擬測(cè)試機(jī)正確答案：A28.晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行打點(diǎn)之后，需要進(jìn)行的操作是()。A、加溫、扎針調(diào)試B、扎針測(cè)試C、烘烤D、外檢正確答案：C答案解析：晶圓檢測(cè)工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測(cè)試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫(kù)。29.低壓化學(xué)氣相淀積的英文縮寫(xiě)是（）。A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正確答案：C答案解析：APCVD是常壓化學(xué)氣相淀積；PECVD是等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積；LPCVD是低壓化學(xué)氣相淀積；HDPCVD是高密度等離子體化學(xué)氣相淀積。30.若進(jìn)行打點(diǎn)的晶圓規(guī)格為5英寸，應(yīng)選擇的墨盒規(guī)格為？（）A、8milB、10milC、30milD、5mil正確答案：D31.如果焊接面上有（），不能生成兩種金屬材料的合金層。A、阻隔浸潤(rùn)的污垢B、氧化層C、沒(méi)有充分融化的焊料D、以上都是正確答案：D32.元器件的引線直徑與印刷焊盤(pán)孔徑應(yīng)有（）的合理間隙。A、0.1~0.3mmB、0.2~0.4mmC、0.1~0.4mmD、0.2~0.3mm正確答案：B33.在使用J-link驅(qū)動(dòng)連接單片機(jī)是需在魔法棒按鈕的（）中設(shè)置（）。A、Debug；地址范圍B、Debug；工作頻率C、Output；地址范圍D、Output；工作頻率正確答案：A34.干-濕-干氧化過(guò)程中，第一次干氧氧化的目的是（）。A、形成所需的二氧化硅膜厚度B、獲得致密的二氧化硅表面C、提高二氧化硅和光刻膠的黏附性D、改善二氧化硅和硅交界面的性能正確答案：B答案解析：干-濕-干氧化中，第一次干氧是為了獲得致密的SiO2表面，從而提高對(duì)雜質(zhì)的阻擋能力。干氧氧化和濕氧氧化各有自己的特點(diǎn)，在實(shí)際生產(chǎn)中往往將這兩種方式結(jié)合起來(lái)，采用干-濕-干的氧化方式，既保證二氧化硅的厚度及一定的生產(chǎn)效率，又改善了表面的完整性和解決了光刻時(shí)的浮膠問(wèn)題。第一次干氧是為了獲得致密的二氧化硅表面，從而提高對(duì)雜質(zhì)的阻擋能力。濕氧主要用來(lái)形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生產(chǎn)效率；第二次干氧，是為了改善二氧化硅和硅交界面的性能，同時(shí)使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻膠的粘附性。35.芯片檢測(cè)工藝通常在（）無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行。A、百級(jí)B、千級(jí)C、十萬(wàn)級(jí)D、三十萬(wàn)級(jí)正確答案：B答案解析：芯片檢測(cè)工藝是對(duì)完成封裝的芯片進(jìn)行電性測(cè)試，其芯片為非裸露狀態(tài)，通常在常規(guī)千級(jí)無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行，其溫度為22±3℃，濕度為55±10％。36.“5s”中第4個(gè)s是（）。A、整頓B、清掃C、清潔D、安全正確答案：C答案解析：“5S”中第1個(gè)S是整理，第2個(gè)S是整頓，第3個(gè)S是清掃，第4個(gè)S是清潔，第5個(gè)S是修養(yǎng)。37.以下函數(shù)的功能是（）。A、防抖B、延時(shí)C、計(jì)數(shù)D、無(wú)限循環(huán)正確答案：B38.芯片外觀檢查前為了防止靜電擊穿損壞，工作人員必須佩戴（）。A、絕緣服B、絕緣手套C、防靜電護(hù)腕D、無(wú)紡布手套正確答案：C39.下列選項(xiàng)中，（）是封裝工藝中不涉及的工序。A、第一道光檢B、第二道光檢C、第三道光檢D、第四道光檢正確答案：A答案解析：封裝工藝中，第二道光檢主要是針對(duì)晶圓切割之后的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品（崩邊等情況）。引線鍵合完成后要進(jìn)行第三道光檢，主要是為了檢查芯片粘接和引線鍵合過(guò)程中有沒(méi)有產(chǎn)生廢品。切筋成型之后需要進(jìn)行第四道光檢，針對(duì)后段工藝的產(chǎn)品進(jìn)行檢查、剔除。二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.在單片機(jī)程序裝載中，使用SW串口下載程序需注意（）。A、需要在魔法棒按鈕的output中設(shè)置生成hex文件B、需要在魔法棒按鈕的debug中選setting設(shè)置地址范圍C、需要在魔法棒按鈕的outout中設(shè)置生成batch文件D、需要在魔法棒按鈕的debug中選擇sw串口而不是j-link正確答案：BC2.以下屬于抽真空質(zhì)量不合格的情況的是()。（多選題）A、防靜電鋁箔袋破損B、防靜電鋁箔袋褶皺C(jī)、防靜電鋁箔袋周邊存在空氣殘留D、防靜電鋁箔袋外形整齊正確答案：ABC答案解析：如果發(fā)現(xiàn)真空包裝好的卷盤(pán)不整齊或不光滑，有彎曲、變形現(xiàn)象或鋁箔袋周邊存在明顯的空氣殘留、褶皺、破損等現(xiàn)象，需要重新抽真空。3.以下說(shuō)法正確的是（）。A、外觀檢查中發(fā)現(xiàn)有不良芯片，要對(duì)有缺陷的芯片進(jìn)行修復(fù)，若不能修復(fù)則作為外觀不良進(jìn)行處理B、中有不良品或放反芯片，右手先戴上手套，再用刀片將編帶槽的上、左、右各割開(kāi)三分之一蓋帶，用鑷子將該芯片取出并放入不良品收料袋中，然后用零頭盒內(nèi)的合格芯片替換，并用透明粘膠帶從替換芯片的右側(cè)，貼至替換芯片的左側(cè)C、不合格的芯片需要用鑷子取出，用合格零頭進(jìn)行替換D、當(dāng)載帶設(shè)置數(shù)量到達(dá)極限，無(wú)法包裝一卷或觀察載帶沒(méi)有足夠多的數(shù)量，不足包裝一盤(pán)時(shí)，可以包裝完載帶，再更換新的載帶正確答案：AB4.封裝工藝中，晶圓劃片機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對(duì)位D、操作過(guò)程中做筆記正確答案：BC5.IC制造中用的光刻膠一般由（）組成。A、感光劑B、增感劑C、溶劑D、去離子水正確答案：ABC6.進(jìn)入芯片封裝工藝過(guò)程中塑封之后的工序車間必須穿戴的是（）和（）。A、防靜電帽或發(fā)罩B、眼罩C、口罩D、無(wú)塵衣E、防靜電服F、一次性橡膠手套正確答案：AE答案解析：塑封工序之后芯片已經(jīng)被包裹起來(lái)，處于非裸露狀態(tài)，故進(jìn)入車間前必須要穿戴的是防靜電帽子或發(fā)罩以及防靜電服。7.新建keil環(huán)境下工程目錄需要添加文件，把Windows目錄內(nèi)的文件一一對(duì)應(yīng)添加到新建的Keil目錄內(nèi)如（）文件。A、HeadersB、CoreC、SrcD、User正確答案：ABCD8.單晶硅生長(zhǎng)是將電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件需滿足三個(gè)條件：A、原子具有一定的動(dòng)能B、要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)C、排列好的原子能穩(wěn)定下來(lái)D、不能含有任何雜質(zhì)正確答案：ABC答案解析：?jiǎn)尉Ч枭L(zhǎng)是把電子級(jí)純的多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件必須滿足：①原子具有一定的動(dòng)能，以便重新排列；②要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)；③排列好的原子能穩(wěn)定下來(lái)。9.晶圓制造過(guò)程中，檢測(cè)刻蝕質(zhì)量的好壞，一般通過(guò)以下幾個(gè)方面體現(xiàn)出來(lái)：（）。A、刻蝕均勻性B、圖形保真度C、刻蝕選擇比D、刻蝕的潔凈度正確答案：ABCD10.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由()和()組成。A、振動(dòng)料斗B、吸嘴C、氣軌D、主轉(zhuǎn)塔正確答案：AC答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由振動(dòng)料斗和氣軌組成。11.以下是離子注入過(guò)程中的主要工藝參數(shù)的是（）。A、注入均勻性B、離子注入劑量C、離子射程D、束流密度正確答案：ABCD12.下列情況中，需要更換點(diǎn)膠頭的有（）。A、更換銀漿類型B、點(diǎn)膠頭堵塞C、點(diǎn)膠頭損壞D、點(diǎn)膠頭工作超過(guò)2小時(shí)正確答案：ABC13.晶圓切割機(jī)主要由（）、（）和（）三部分組成。A、切割區(qū)B、顯示區(qū)C、清洗區(qū)D、氣槍正確答案：ABD14.CMP工藝的三大關(guān)鍵因素是()。A、拋光機(jī)B、拋光液C、拋光盤(pán)D、拋光墊正確答案：ABD答案解析：拋光機(jī)、拋光液和拋光墊是CMP工藝的三大關(guān)鍵因素,平坦化前根據(jù)研磨的材料以及拋光機(jī)性能，選擇合適的拋光墊固定在旋轉(zhuǎn)盤(pán)上，以及合適的拋光液、清洗液。15.單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中，無(wú)位錯(cuò)正常生長(zhǎng)的標(biāo)志有()、()。A、晶棱隨細(xì)頸轉(zhuǎn)為寬平B、有反光或細(xì)頸某一側(cè)向外鼓起C、長(zhǎng)出規(guī)定尺寸的細(xì)頸D、界面出現(xiàn)抖動(dòng)的光圈正確答案：AB答案解析：晶棱隨細(xì)頸縮小轉(zhuǎn)為寬平，并可見(jiàn)有反光或細(xì)頸某一側(cè)面向外鼓起，這都是無(wú)位錯(cuò)單晶正常生長(zhǎng)的標(biāo)志。長(zhǎng)出規(guī)定尺寸的細(xì)頸是縮頸這一過(guò)程。界面出現(xiàn)抖動(dòng)的光圈是在引晶的過(guò)程中，籽晶與多晶硅液面熔接后會(huì)出現(xiàn)的情況，熔接后出現(xiàn)抖動(dòng)的光圈說(shuō)明溫度太高。16.平移式分選機(jī)在芯片進(jìn)入測(cè)試環(huán)節(jié)時(shí)，下列是不會(huì)在測(cè)試區(qū)遇到的故障有：()。A、芯片位置放置不正確B、測(cè)壓手臂未吸取芯片C、吸嘴未吸起芯片D、待測(cè)料盤(pán)無(wú)芯片正確答案：CD答案解析：平移式分選機(jī)在芯片進(jìn)入測(cè)試環(huán)節(jié)時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)測(cè)壓手臂未吸起芯片、芯片位置放置不正確等情況，此時(shí)分選機(jī)界面會(huì)顯示“異常停止”。平移式分選機(jī)的測(cè)試區(qū)沒(méi)有吸嘴和待測(cè)料盤(pán)。17.表征光刻膠的性能指標(biāo)包括（）。A、靈敏度B、分辨率C、黏附性D、留膜率正確答案：ABCD答案解析：表征光刻膠性能指標(biāo)包括靈敏度、分辨率、黏附性、抗蝕性、留膜率等。18.抑制通道效應(yīng)的方法有（）。A、破壞表面硅原子的排列（預(yù)先淺注入）B、將晶圓傾斜一定的角度C、表面鋪一層非結(jié)晶材質(zhì)SiO2D、進(jìn)行快速熱退火正確答案：ABC答案解析：快速熱退火使為了消除晶格損傷。19.以下對(duì)重力式分選設(shè)備進(jìn)行并行測(cè)試的描述正確的是（）。A、可選擇多SITES進(jìn)行測(cè)試B、單項(xiàng)測(cè)試且連接一個(gè)測(cè)試卡C、只能是2SITES進(jìn)行測(cè)試D、多項(xiàng)測(cè)試且連接多個(gè)測(cè)試卡正確答案：AB20.防靜電鋁箔袋的作用是（）。A、防靜電B、防電磁干擾C、防潮D、防水正確答案：ABCD答案解析：防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn)，可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。21.在LED燈閃爍的任務(wù)中，不是點(diǎn)亮8個(gè)燈的程序語(yǔ)句是（）。A、PB->OUTEN=0xff00;B、PB->OUTEN=0x00ff;C、PB->OUT=0xff00;D、PB->OUT=0x00ff;正確答案：ABD22.為減少自摻雜現(xiàn)象，可以采取的措施有：（）。A、襯底背面用高純硅或二氧化硅覆蓋B、用兩步外延法C、低壓外延法D、降低外延生長(zhǎng)溫度正確答案：ABC答案解析：降低外延生長(zhǎng)溫度可以減少外擴(kuò)散現(xiàn)象，減少外延層的自摻雜現(xiàn)象可采取以下措施：①襯底背面用高純硅或二氧化硅覆蓋；②用兩步外延法；③低壓外延法。23.電子CAD文檔一般指原始PCB設(shè)計(jì)文件，文件后綴一般為（）。A、.SchDocB、.PcbDocC、.DrcD、.GerberDoc正確答案：AB24.晶圓切割完成后需要先經(jīng)過(guò)（）和（）工序，方可進(jìn)入芯片粘接工序。A、晶圓清洗B、晶圓拋光C、第一道光檢D、第二道光檢正確答案：AD答案解析：晶圓切割之后需先經(jīng)過(guò)晶圓清洗將切割過(guò)程中產(chǎn)生的硅粉塵清除，以及第二道光檢將切割過(guò)程產(chǎn)生的不良品剔除，方可進(jìn)入芯片粘接工序25.通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。A、LGAB、DIPC、SOPD、QFN正確答案：BC答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試。26.以下對(duì)重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行并行測(cè)試的描述正確的是()。A、單項(xiàng)測(cè)試且連接一個(gè)測(cè)試卡B、多項(xiàng)測(cè)試且連接多個(gè)測(cè)試卡C、可選擇多SITES進(jìn)行測(cè)試D、只能是2SITES進(jìn)行測(cè)試正確答案：AC答案解析：并行測(cè)試一般是進(jìn)行單項(xiàng)測(cè)試，可根據(jù)測(cè)試卡的數(shù)量進(jìn)行1site/2sites/4sites測(cè)試。三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.74HC04是反相器。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A2.集成電路測(cè)試包括邏輯功能測(cè)試和交/直流參數(shù)測(cè)試。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A3.PB->OUTEN=0x00ff;中I/O設(shè)置為0表示輸出；1表示輸入。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B4.外觀檢查中發(fā)現(xiàn)有不良芯芯片，要對(duì)有缺陷的芯片進(jìn)行修復(fù)，若不能修復(fù)則作為外觀不良進(jìn)行處理。對(duì)于不合格的芯片可以戴上手套取出，用合格零頭進(jìn)行替換。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B5.使用重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試完成后，測(cè)試的結(jié)果會(huì)從測(cè)試機(jī)傳到分選機(jī)內(nèi)，分選機(jī)依據(jù)測(cè)試結(jié)果控制分選梭將芯片放入相應(yīng)的位置。合格芯片由紅色透明料管進(jìn)行收料，而不合格芯片則由白色透明料管進(jìn)行收料。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B6.經(jīng)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)測(cè)試的芯片都需要進(jìn)行編帶。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：TO封裝的芯片不需要進(jìn)行編帶。7.氮化硅薄膜作為集成電路芯片的鈍化保護(hù)層，可以保護(hù)芯片避免劃傷，降低芯片對(duì)外界環(huán)境的敏感性。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A8.若晶圓貼膜后產(chǎn)生了氣泡，則需要將晶圓剔除，否則存在劃片時(shí)脫膜的風(fēng)險(xiǎn)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B9.熱氧化的層錯(cuò)的形成是在含氧的氣氛中，由表面和體內(nèi)某些缺陷先構(gòu)成層錯(cuò)的核，然后在高溫下核運(yùn)動(dòng)加劇，形成了層錯(cuò)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A10.輸出高電平電壓測(cè)試方法是設(shè)置控制端G1、G2G2B為高電平，給定輸出管腳-4000uA的電流測(cè)量芯片的高電平電壓。測(cè)試代碼如下。（）VOL[0]=cy->_pmu_test_iv(output[0],4,4000,2)；A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B11.在使用串口助手燒入程序時(shí)會(huì)用到Hex文件，keil中的hex不需要設(shè)置，程序編譯完成后自動(dòng)生成。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B12.塑封工藝中塑封料的顏色必須是黑色的。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：根據(jù)用戶需要，環(huán)氧塑封料可制成各種不同顏色，一般使用黑、紅、綠三種顏色，其中黑色最為常見(jiàn)。13.調(diào)整扎針位置時(shí)，需利用要搖桿的“粗調(diào)”檔位進(jìn)行位置的確定。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：調(diào)整扎針位置時(shí)，需利用要搖桿的“微調(diào)”檔位進(jìn)行位置的確定。14.硅片倒角按其邊緣輪廓可分為R型倒角和T型倒角，通常以R型倒角最為常見(jiàn)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A15.如果發(fā)現(xiàn)編帶抽真空質(zhì)量不合格，可以將原標(biāo)簽撕下，貼在新的防靜電鋁箔袋上。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：如果發(fā)現(xiàn)編帶抽真空質(zhì)量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前，需要重新貼標(biāo)簽，新的標(biāo)簽需要重新打印。16.進(jìn)入芯片檢測(cè)車間前需要換上無(wú)塵衣、發(fā)罩等。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：芯片檢測(cè)工藝通常在常規(guī)千級(jí)無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行，進(jìn)入車間前穿戴防靜電服和發(fā)罩即可，無(wú)需穿無(wú)塵衣。17.導(dǎo)片是在核對(duì)晶圓與晶圓測(cè)試隨件單上的信息一致后，將同一批次的晶圓按片號(hào)依次放入常溫花籃的過(guò)程。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A18.重力式分選機(jī)進(jìn)行手動(dòng)裝料時(shí)無(wú)需注意芯片管腳方向。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：重力式分選機(jī)進(jìn)行手動(dòng)裝料時(shí)，要求芯片引腳朝下，從而保證后續(xù)測(cè)試順利進(jìn)行。19.切筋和成型是屬于兩道工序，但一般都是在一個(gè)設(shè)備上一起完成。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A20.防靜電鋁箔袋中，干燥劑、濕度卡要隨料管一起放入。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A21.DIP封裝和SOP封裝的芯片分選結(jié)束后，塞上藍(lán)色塞釘即可。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：DIP封裝的芯片無(wú)需編帶，只需要塞上藍(lán)色塞釘直接進(jìn)入外觀檢查環(huán)節(jié)；而SOP封裝的芯片要進(jìn)行編帶，為使編帶上料時(shí)方便，不用塞釘，而是用的是紅色氣