• 現(xiàn)行
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  • 2024-12-16 頒布
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【正版授權(quán)-英語(yǔ)版】 IEC TS 62607-8-4:2024 EN Nanomanufacturing – Key control characteristics – Part 8-4: Metal-oxide interfacial devices – Activation energy of electronic trap states: Low-frequ_第1頁(yè)
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基本信息：

  • 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：IEC TS 62607-8-4:2024 EN
  • 標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：納米制造的關(guān)鍵控制特性——第8-4部分：金屬氧化物界面器件——電子陷阱態(tài)的激活能：低頻噪聲光譜
  • 英文名稱(chēng)：Nanomanufacturing – Key control characteristics – Part 8-4: Metal-oxide interfacial devices – Activation energy of electronic trap states: Low-frequency-noise spectroscopy
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 發(fā)布日期：2024-12-16

文檔簡(jiǎn)介

IECTS62607-8-4：這是一個(gè)由國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）制定的納米制造技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一部分，專(zhuān)門(mén)針對(duì)金屬-氧化物界面設(shè)備的關(guān)鍵控制特性。

關(guān)鍵控制特性：關(guān)鍵控制特性是指用于確保納米制造過(guò)程的質(zhì)量和性能的關(guān)鍵參數(shù)或指標(biāo)。在此標(biāo)準(zhǔn)中，主要關(guān)注的是電子陷阱狀態(tài)的激活能，這是納米設(shè)備中電子行為的關(guān)鍵參數(shù)之一。

Low-frequencynoisespectroscopy：低頻噪聲光譜分析是一種用于測(cè)量納米設(shè)備中電子行為的技術(shù)。它通過(guò)測(cè)量電子在設(shè)備中運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的噪聲來(lái)評(píng)估設(shè)備的性能。這種分析方法特別適用于納米設(shè)備，因?yàn)樗鼈兺ǔ＞哂蟹浅Ｐ〉某叽绾透叨燃傻慕Y(jié)構(gòu)，這可能導(dǎo)致電子行為與較大設(shè)備有所不同。

激活能（Activationenergy）:激活能是指引起化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程發(fā)生的能量閾值。在此情況下，它是指電子陷阱狀態(tài)從平衡態(tài)躍遷到非平衡態(tài)所需的能量。這個(gè)能量閾值決定了納米設(shè)備中電子陷阱狀態(tài)的轉(zhuǎn)變速度和行為。

因此，總結(jié)來(lái)說(shuō)，IECTS62607-8-4:2024ENNanomanufacturing標(biāo)準(zhǔn)中的關(guān)鍵控制特性之一是電子陷阱狀態(tài)的激活能，而低頻噪聲光譜分析是一種用于測(cè)量

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